JPH01146347A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH01146347A JPH01146347A JP30661487A JP30661487A JPH01146347A JP H01146347 A JPH01146347 A JP H01146347A JP 30661487 A JP30661487 A JP 30661487A JP 30661487 A JP30661487 A JP 30661487A JP H01146347 A JPH01146347 A JP H01146347A
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、トランジスタ等の半導体装このり一ドフレー
ムに係り、より詳細には上記半導体を組立てる際の半導
体素子との半田接合性を改善し、接合部の信頼性を向上
させた半導体装置用リードフレームに関するものである
。
ムに係り、より詳細には上記半導体を組立てる際の半導
体素子との半田接合性を改善し、接合部の信頼性を向上
させた半導体装置用リードフレームに関するものである
。
［従来の技術］
一般にパワートランジスタ用半導体装置は、半導体素子
とリードフレームとを半田によって加熱接合し、半導体
素子の電極部とリードフレームとの１ｉｒＩをＡｎまた
はＡｕワイヤで配線した後、この配線部を樹脂モールド
し、最後にアウターリード部を半田付けして製造されて
いる。
とリードフレームとを半田によって加熱接合し、半導体
素子の電極部とリードフレームとの１ｉｒＩをＡｎまた
はＡｕワイヤで配線した後、この配線部を樹脂モールド
し、最後にアウターリード部を半田付けして製造されて
いる。
上記半導体装置とリードフレームとの半田接合において
は、接合性の良否が半導体装置の性濠や信頼性に大きく
影響することから、信頼性の高い接合方法が要求されて
いるが、現状では一般にフラックスを含んだ半田ペース
トを用いた半田接合法が主流となっている。
は、接合性の良否が半導体装置の性濠や信頼性に大きく
影響することから、信頼性の高い接合方法が要求されて
いるが、現状では一般にフラックスを含んだ半田ペース
トを用いた半田接合法が主流となっている。
このフラックスを用いた半田接合法は、フラックスを用
いることによりリードフレーム表面のめっきの種類、表
面の状態等の影響を受けに〈〈、良好な半田接合性が容
易に得られる利点を有している。しかし反面、フラック
スを用いることによりフラックスの洗浄工程を必要とし
、組立て工程の省工程、低コスト化の障害となっている
と共にフラックスによる半導体素子の汚染の問題を含ん
でいる。
いることによりリードフレーム表面のめっきの種類、表
面の状態等の影響を受けに〈〈、良好な半田接合性が容
易に得られる利点を有している。しかし反面、フラック
スを用いることによりフラックスの洗浄工程を必要とし
、組立て工程の省工程、低コスト化の障害となっている
と共にフラックスによる半導体素子の汚染の問題を含ん
でいる。
このような状況において、生産性の向上、低コスト、省
工程のニーズが高まり、フラックスを川いない半田接合
方法が考案され、一部に採用されている。
工程のニーズが高まり、フラックスを川いない半田接合
方法が考案され、一部に採用されている。
この方法は酸素濃度を低濃度（１０ｐ ｐｍ前後）に管
理したＮ２あるいはＮ２ ＋Ｈ２混合ガス雰囲気中で、
ブロック上でリードフレームを２５０〜４００℃に加熱
し、半導体素子を接合させる部分に半田ポールあるいは
半田リボン等を鐙いて溶融させ、この半田上に半導体素
子をおいて接合させる方式が一般的である。
理したＮ２あるいはＮ２ ＋Ｈ２混合ガス雰囲気中で、
ブロック上でリードフレームを２５０〜４００℃に加熱
し、半導体素子を接合させる部分に半田ポールあるいは
半田リボン等を鐙いて溶融させ、この半田上に半導体素
子をおいて接合させる方式が一般的である。
フラックスを用いない半田接合には、一般に５〜２０ｗ
ｔ％Ｐを含んだＮｉ−Ｐ合金めっきが施されたリードフ
レームが使用されている。これは、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜
中のＰが、半田接合時に用いられる半田の構成元素であ
るＳｎ、ＰｂやＮｉ−ＰめっきのＮｉより酸化されやす
い性質を有しており、そのため半田接合時、半田ポール
表面やＮｉ−Ｐ合金めっき表面の酸化物を還元する作用
を発揮するためであり、フラックスを用いなくても、Ｐ
がフラックスの役目をはだすこととなる。しかし、この
効果はフラックスの効果と比較すると比べものにならな
いほど弱いものである。
ｔ％Ｐを含んだＮｉ−Ｐ合金めっきが施されたリードフ
レームが使用されている。これは、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜
中のＰが、半田接合時に用いられる半田の構成元素であ
るＳｎ、ＰｂやＮｉ−ＰめっきのＮｉより酸化されやす
い性質を有しており、そのため半田接合時、半田ポール
表面やＮｉ−Ｐ合金めっき表面の酸化物を還元する作用
を発揮するためであり、フラックスを用いなくても、Ｐ
がフラックスの役目をはだすこととなる。しかし、この
効果はフラックスの効果と比較すると比べものにならな
いほど弱いものである。
このようにフラックスを用いない接合方法は、半田接合
される表面や半田表面の汚れ、酸化物等を十分に除去す
る作用を有さないため、このような表面状態の影響を受
けて、実用的に安定した半田接合性を得ることが難しい
、このため本方法は、生産性、低コスト、省工程等の優
位性を有するにも拘らず未だ広く採用されるにいたって
いない、従ってフラックスを用いない方法における半田
接合性の改善が現状では切望されている。
される表面や半田表面の汚れ、酸化物等を十分に除去す
る作用を有さないため、このような表面状態の影響を受
けて、実用的に安定した半田接合性を得ることが難しい
、このため本方法は、生産性、低コスト、省工程等の優
位性を有するにも拘らず未だ広く採用されるにいたって
いない、従ってフラックスを用いない方法における半田
接合性の改善が現状では切望されている。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、半導体素子との接合における低コスト化、省
工程化等に有望であるにもかかわらず、半田接合性が不
安定なため優位性を発揮できず、一部の実用化にとどま
っている。フラックスを用いない半田接合法の問題点を
解決するためになされたものであって、半田接合性の改
善されたリードフレームを提供するものである。
工程化等に有望であるにもかかわらず、半田接合性が不
安定なため優位性を発揮できず、一部の実用化にとどま
っている。フラックスを用いない半田接合法の問題点を
解決するためになされたものであって、半田接合性の改
善されたリードフレームを提供するものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は１表面にＮｉ−Ｐ合金めっきが施されている半
導体装置用リードフレームであって、当該めっき表面に
は濃度０．３〜２％のＣ旦ｅｉｍ層を有することを特徴
とする半導体装置用リードフレームに要旨が存在する。
導体装置用リードフレームであって、当該めっき表面に
は濃度０．３〜２％のＣ旦ｅｉｍ層を有することを特徴
とする半導体装置用リードフレームに要旨が存在する。
［作用］
本発明者等は、フラックスを用いないで行う半導体素子
とリードフレームとの接合性に影響するリードフレーム
側の因子について検討を行なった。その結果、半田接合
性にはＮｉ−Ｐめっき表面の汚染状態や酸化状態の影響
が大きいことが判明したため、めっき後の表面汚染の防
止方法について効果を確認したところ、半田接合性が幾
分改善されるが、前記した問題点を解決するには不十分
であることがわかった。
とリードフレームとの接合性に影響するリードフレーム
側の因子について検討を行なった。その結果、半田接合
性にはＮｉ−Ｐめっき表面の汚染状態や酸化状態の影響
が大きいことが判明したため、めっき後の表面汚染の防
止方法について効果を確認したところ、半田接合性が幾
分改善されるが、前記した問題点を解決するには不十分
であることがわかった。
以上の反省により、半田接合性の良いものおよび悪いも
のの比較を中心にめっき皮膜の性状、および、めっき工
程条件について鋭意研究を行った。その結果、半田接合
性の良いものには、めっき皮膜表面にＣＩが検出される
ものが多いとの知見を得るにいたった０本知見をもとに
Ｃ！；Ｌの効果を最大限に活用すべく試験に着手し、Ｎ
ｉ−Ｐめっき表面にＣｌ濃縮層を形成させたことにより
半田接合性が改善される事実を確認し１．上記問題点を
解決できる方法であることを確信した。
のの比較を中心にめっき皮膜の性状、および、めっき工
程条件について鋭意研究を行った。その結果、半田接合
性の良いものには、めっき皮膜表面にＣＩが検出される
ものが多いとの知見を得るにいたった０本知見をもとに
Ｃ！；Ｌの効果を最大限に活用すべく試験に着手し、Ｎ
ｉ−Ｐめっき表面にＣｌ濃縮層を形成させたことにより
半田接合性が改善される事実を確認し１．上記問題点を
解決できる方法であることを確信した。
以下にＣｌ量５縮層の作用について説明する。
一般にＣｌイオンを含むめっき液より形成されためっき
皮膜には、極微量のＣ！；Ｌが含まれることが確認され
ており、めっき皮膜中に含まれるＣｌ量はめっき液中の
Ｃｌイオン濃度が高いほど多くなる。しかし、Ｎｉ−Ｐ
めっきではＣｌイオンは通常０．０１〜０．０５ａｔｏ
ｍｉｃ％のｍ囲の濃度で含まれるにすぎない。
皮膜には、極微量のＣ！；Ｌが含まれることが確認され
ており、めっき皮膜中に含まれるＣｌ量はめっき液中の
Ｃｌイオン濃度が高いほど多くなる。しかし、Ｎｉ−Ｐ
めっきではＣｌイオンは通常０．０１〜０．０５ａｔｏ
ｍｉｃ％のｍ囲の濃度で含まれるにすぎない。
このようにＣｌを微量含んだＮｉ−Ｐめっき皮膜のまま
では、何ら半田接合性に効果が認められないため、本発
明では半田接合性に関与する表面層に０文を濃縮させる
方法を検討し、めっき後に１００〜２００℃にて加熱す
ることにより好適なｇ５縮層を形成させる方法を確立し
た。
では、何ら半田接合性に効果が認められないため、本発
明では半田接合性に関与する表面層に０文を濃縮させる
方法を検討し、めっき後に１００〜２００℃にて加熱す
ることにより好適なｇ５縮層を形成させる方法を確立し
た。
第１図（ａ）、（ｂ）は、加熱処理にょるＣｆＬ濃縮層
の形成状況を光電子スペクトルで示したものであり、第
１図（ａ）はＮｉ−ＰめっきのままのときのＣＪ１２ｐ
スペクトルを示したものであるが、Ｃ文濃縮層の形成は
みられない、第１図（ｂ）は、Ｎｉ−Ｐめっきを１８０
℃×５分加熱したときのＣｌ２ｐスペクトルであり、明
らかにＣｌ濃度が高くなっている。
の形成状況を光電子スペクトルで示したものであり、第
１図（ａ）はＮｉ−ＰめっきのままのときのＣＪ１２ｐ
スペクトルを示したものであるが、Ｃ文濃縮層の形成は
みられない、第１図（ｂ）は、Ｎｉ−Ｐめっきを１８０
℃×５分加熱したときのＣｌ２ｐスペクトルであり、明
らかにＣｌ濃度が高くなっている。
なお、この濃縮層は第２図に示すようにめっき表面の約
２０１程度の極薄い層として形成されている。さらに好
適なことに半田接合を行う温度においては、濃縮層が消
失する性質を有しており、半導体の汚染などの問題を生
じることはない、すなわち、第２図（ａ）、（ｂ）、（
ｃ）はＮｉ−Ｐめっき表面に形成されたＣ文濃縮層の深
さ方向の濃度分布を光電子スペクトルにより示したもの
である。第２図（ａ）は表面でのＣｌ２ｐスペクトルを
示すものであり、Ｃ文濃度が高い、（ｂ）は表面から約
１５人付近のＣｌ２ｐスペクトルを示すものであるが、
はとんどＣｌ２ｐスペクトルは見られず（Ｃ）において
は１表面より約２０人深さ部分ではまった＜Ｃｌ２ｐス
ペクトルは見られない、このようなことから、半田接合
性に対するＣ立濃縮層の効果を推察すると、半田接合時
の予熱段階において、Ｎｉ−Ｐめっき表面に予め形成さ
れたＣ文濃縮層のＣ！；Ｌが、Ｎｉ−Ｐめっきあるいは
半田ポールの表面酸化物に対して、フラックスと同様の
作用をなしたものと考えられる。
２０１程度の極薄い層として形成されている。さらに好
適なことに半田接合を行う温度においては、濃縮層が消
失する性質を有しており、半導体の汚染などの問題を生
じることはない、すなわち、第２図（ａ）、（ｂ）、（
ｃ）はＮｉ−Ｐめっき表面に形成されたＣ文濃縮層の深
さ方向の濃度分布を光電子スペクトルにより示したもの
である。第２図（ａ）は表面でのＣｌ２ｐスペクトルを
示すものであり、Ｃ文濃度が高い、（ｂ）は表面から約
１５人付近のＣｌ２ｐスペクトルを示すものであるが、
はとんどＣｌ２ｐスペクトルは見られず（Ｃ）において
は１表面より約２０人深さ部分ではまった＜Ｃｌ２ｐス
ペクトルは見られない、このようなことから、半田接合
性に対するＣ立濃縮層の効果を推察すると、半田接合時
の予熱段階において、Ｎｉ−Ｐめっき表面に予め形成さ
れたＣ文濃縮層のＣ！；Ｌが、Ｎｉ−Ｐめっきあるいは
半田ポールの表面酸化物に対して、フラックスと同様の
作用をなしたものと考えられる。
以下に数値限定理由について説明する。Ｃｌ濃度の下限
を０．３％としたのは、半田接合性の改善効果が得られ
る下限であるためであり、上限を２％としたのは、２％
の濃度を得るために行う加熱処理によりＮｉ−Ｐめっき
表面の酸化が進み、半田接合性を悪化させるためである
。
を０．３％としたのは、半田接合性の改善効果が得られ
る下限であるためであり、上限を２％としたのは、２％
の濃度を得るために行う加熱処理によりＮｉ−Ｐめっき
表面の酸化が進み、半田接合性を悪化させるためである
。
なお１本発明に使用されるリードフレーム材料としては
りん脱酸銅、無酸素銅などがあげられる。
りん脱酸銅、無酸素銅などがあげられる。
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
［実施例１
リードフレーム材料としてりん脱酸銅の一般的なパワー
トランジスタ形状の試片を用い、通常用いられるめっき
前処理を施したあと以下に示すめっきを行い、次いで７
０〜ｂ 熱処理を行い評価試片を作成した。
トランジスタ形状の試片を用い、通常用いられるめっき
前処理を施したあと以下に示すめっきを行い、次いで７
０〜ｂ 熱処理を行い評価試片を作成した。
評価試片についてＥＳＣＡ分析によるめっき表面のＣｌ
濃度分析および深さ方向の濃度分布ならびに半田接合性
の簡易評価として半田拡がり性の評価を行った。
濃度分析および深さ方向の濃度分布ならびに半田接合性
の簡易評価として半田拡がり性の評価を行った。
なお、めっき条件、ＥＳＣＡ分析条件、半田拡がり性試
験条件は、以下のようにした。
験条件は、以下のようにした。
くめつき条件〉
・液組成：ＮＮｉ５０４１Ｈ２０−１５０／ｕ −Ｎ
ｉ Ｃｌ２・６Ｈ２０・・・１５０ ｇｌ立Ｈ３ＰＯ
４−Ｌｏｇ／ｌ Ｈ３ＰＯ４・・・ ２ｇ／文 ・温度：６５℃ ・ＰＨ：０．６〜０．７ ・電流密度： ２Ａ／ｄｒｎ’ ・めっき厚み：１．５ｐ−ｍ ＜ＥＳＣＡ分析条件〉 ・励起光 ：ＭｇＫ ・励起電圧：８ｋＶ ・励起電流：３０ｍＡ く半田拡がり性試験条件〉 φ雰囲気二Ｎ２ガス（０２濃度１０ ｐ ｐｍ以下）・
半田ポール＝９０Ｐｂ−１０ｓｎ １．５φｍｍ・温
度＝４５０℃ ・フラックス：使用せず ・評価方法（簡易方法）：４５０℃に加熱されたヒート
ステージに試片をセットし、試片が４５０℃に達してか
ら半田ポールを試片上に置き、半田が自然に拡がるまで
の時間（秒）を測定した。
ｉ Ｃｌ２・６Ｈ２０・・・１５０ ｇｌ立Ｈ３ＰＯ
４−Ｌｏｇ／ｌ Ｈ３ＰＯ４・・・ ２ｇ／文 ・温度：６５℃ ・ＰＨ：０．６〜０．７ ・電流密度： ２Ａ／ｄｒｎ’ ・めっき厚み：１．５ｐ−ｍ ＜ＥＳＣＡ分析条件〉 ・励起光 ：ＭｇＫ ・励起電圧：８ｋＶ ・励起電流：３０ｍＡ く半田拡がり性試験条件〉 φ雰囲気二Ｎ２ガス（０２濃度１０ ｐ ｐｍ以下）・
半田ポール＝９０Ｐｂ−１０ｓｎ １．５φｍｍ・温
度＝４５０℃ ・フラックス：使用せず ・評価方法（簡易方法）：４５０℃に加熱されたヒート
ステージに試片をセットし、試片が４５０℃に達してか
ら半田ポールを試片上に置き、半田が自然に拡がるまで
の時間（秒）を測定した。
第１表に示すごとく、従来例Ｎ００９およびＮｏ、１０
では、Ｎｉ−Ｐめっき表面に０文は検出されず、半田拡
がり時間は、平均１．７〜１．８秒であり、ばらつき範
囲も１．２〜２．５秒と広い。
では、Ｎｉ−Ｐめっき表面に０文は検出されず、半田拡
がり時間は、平均１．７〜１．８秒であり、ばらつき範
囲も１．２〜２．５秒と広い。
また、比較例ＮＯ６６およびＮ０１７においてはＣ文濃
度が本発明の範囲の下限を下回っておリ、半田拡がり性
は、従来例に比較して改善されているものの十分ではな
く、また、比較例Ｎｏ、８は、ＣＩ濃度が本発明の範囲
の上限を上回っており、半田拡がり性は、モ均１．３秒
と比較例Ｎｏ、６およびＮｏ、７より改善されているも
のの、ばらつきの範囲が広くなっている。
度が本発明の範囲の下限を下回っておリ、半田拡がり性
は、従来例に比較して改善されているものの十分ではな
く、また、比較例Ｎｏ、８は、ＣＩ濃度が本発明の範囲
の上限を上回っており、半田拡がり性は、モ均１．３秒
と比較例Ｎｏ、６およびＮｏ、７より改善されているも
のの、ばらつきの範囲が広くなっている。
以上のように、比較例Ｎｏ、６およびＮ０９７では０文
の濃度が本発明の濃度範囲に達していないために、その
効果が得られなかった。比較例Ｎ０９８では０文の濃度
は本発明の濃度範囲に達しており、Ｃｌの効果は認めら
れるものの、半田拡がり性のばらつきは、加熱処理の酸
化が進んだことによる影響が生じたと考えられる。
の濃度が本発明の濃度範囲に達していないために、その
効果が得られなかった。比較例Ｎ０９８では０文の濃度
は本発明の濃度範囲に達しており、Ｃｌの効果は認めら
れるものの、半田拡がり性のばらつきは、加熱処理の酸
化が進んだことによる影響が生じたと考えられる。
一方、実施例Ｎｏ、１〜Ｎ０９５においては、半［■拡
がり性の平均値が０．５〜０．９秒の範囲と良好であり
、また、ばらつきの範囲も従来例および比較例に比べて
格段に狭くなった。
がり性の平均値が０．５〜０．９秒の範囲と良好であり
、また、ばらつきの範囲も従来例および比較例に比べて
格段に狭くなった。
［発明の効果］
本発明は以上のように構成されているので、従来優位性
を有しながら半田接合性が不安定なだめ一般に採用され
なかったフラックスを用いない半田接合法の半田接合性
を格段に改善したリードフレームを提供することができ
、半導体の組立て工程における省工程、低コスト化とと
もに半導体装置の信頼性の向上に寄与することができた
。
を有しながら半田接合性が不安定なだめ一般に採用され
なかったフラックスを用いない半田接合法の半田接合性
を格段に改善したリードフレームを提供することができ
、半導体の組立て工程における省工程、低コスト化とと
もに半導体装置の信頼性の向上に寄与することができた
。
第１表
注１．ＣＭｅ度はＮｉ−Ｐめっき表面のＥＳＣＡ分析結
果よりＮｉ。
果よりＮｉ。
ｐ、ｏ、ｃ、ｃｉの組成比より求めた原子濃度（ａｔｏ
ｍｉｃ％）で示
ｍｉｃ％）で示
第１図（ａ） 、 （ｂ）はＮｉ−Ｐめっき層において
、加熱処理によりＣｌ５縮形成状況をを示すためのＣＪ
１２Ｆの光電子スペクトルを示す図であり、第２図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）はＮｉ−Ｐめっき表面に形成された
Ｃ文濃縮層の深さ方向への濃度分布を示すＣｌ２Ｐの光
電子スペクトルを示す図で−ある。 （ａ ） ２ｆ１５ ２００ 結合エネルキ−［ｅｖ］ （ｂ） 第２図 （ａ ） 結合工：ｒ、、ｌＬキーＴＬｅ Ｖ Ｅ（ｂ） 結合二ネルホーＣｅｖｊ ２Ｈ２ｆ１つ 結合工１．ルキー［ｅｖ４
、加熱処理によりＣｌ５縮形成状況をを示すためのＣＪ
１２Ｆの光電子スペクトルを示す図であり、第２図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）はＮｉ−Ｐめっき表面に形成された
Ｃ文濃縮層の深さ方向への濃度分布を示すＣｌ２Ｐの光
電子スペクトルを示す図で−ある。 （ａ ） ２ｆ１５ ２００ 結合エネルキ−［ｅｖ］ （ｂ） 第２図 （ａ ） 結合工：ｒ、、ｌＬキーＴＬｅ Ｖ Ｅ（ｂ） 結合二ネルホーＣｅｖｊ ２Ｈ２ｆ１つ 結合工１．ルキー［ｅｖ４
Claims (1)
- 表面にＮｉ−Ｐ合金めっきが施されている半導体装置
用リードフレームであって、当該めっき表面には濃度０
．３〜２％（ａｔｏｍｉｃ％；以下同じとする）のＣｌ
濃縮層を有することを特徴とする半導体装置用リードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30661487A JPH01146347A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30661487A JPH01146347A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01146347A true JPH01146347A (ja) | 1989-06-08 |
Family
ID=17959200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30661487A Pending JPH01146347A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01146347A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2299590A (en) * | 1995-04-06 | 1996-10-09 | Samsung Aerospace Ind | Lead frame manufacturing method involving annealing |
| US5780931A (en) * | 1995-06-09 | 1998-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface mounting semiconductor device and semiconductor mounting component |
| EP1576203A4 (en) * | 2002-11-27 | 2007-10-24 | Technic | Reduction of surface oxidation during electroplating |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP30661487A patent/JPH01146347A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2299590A (en) * | 1995-04-06 | 1996-10-09 | Samsung Aerospace Ind | Lead frame manufacturing method involving annealing |
| GB2299590B (en) * | 1995-04-06 | 1999-02-17 | Samsung Aerospace Ind | A plated electrical component and manufacturing method therefor |
| US5780931A (en) * | 1995-06-09 | 1998-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface mounting semiconductor device and semiconductor mounting component |
| EP1576203A4 (en) * | 2002-11-27 | 2007-10-24 | Technic | Reduction of surface oxidation during electroplating |
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