JPH01148019A - 半導体集積回路装置のサージ保護回路 - Google Patents

半導体集積回路装置のサージ保護回路

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JPH01148019A
JPH01148019A JP62305221A JP30522187A JPH01148019A JP H01148019 A JPH01148019 A JP H01148019A JP 62305221 A JP62305221 A JP 62305221A JP 30522187 A JP30522187 A JP 30522187A JP H01148019 A JPH01148019 A JP H01148019A
Authority
JP
Japan
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circuit
power supply
power
input
line
Prior art date
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Pending
Application number
JP62305221A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Fujii
達也 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は3電源以上を使用する半導体集積回路装置(以
下ICという)において、回路をサージから保護する保
護回路に関するものである。
(従来技術) 第3図に従来のサージ保護回路を示す。
1はIC内の回路であり、電源として+5v、Ov及び
−5vの3電源を使用するために3本の電源ライン2〜
4を備えている。5は入出カラインであり、複数個が設
けられている。各入出カライン5にはサージ保護回路と
して最高電位+5vの電源ライン2との間、及び最低−
圧−5vの電源ライン4との間にそれぞれ逆方向にダイ
オードCRa、CRbが接続されている。
このサージ保護回路において、例えば入出カライン5に
一5V’l源を基準にした低電圧が印加されると、ダイ
オードCRbを通してサージが吸収され、+5V電源を
基準にした高電圧が印加されると、ダイオードCRaを
通してサージが吸収される。しかしながら、回路1に例
えば+5v電源とOv電源を使用する回路が存在した場
合、その回路の入出力信号ライン5にOv電源を基準に
した高電圧が入力されるとサージ破壊が生じる虞れがあ
る。
(目的) 本発明は3電源以上を使用する回路において、いずれの
電源を基準にしたサージに対してもサージ破壊を防止す
ることのできる保護回路を提供することを目的とするも
のである。
(構成) 本発明のサージ保護回路は、各入出力信号ラインと、そ
の信号を扱う回路に使用する電源との間にpn接合を逆
方向に接続し、かつ、各電源ライン間にpn接合を逆方
向に接続したものである。
以下、実施例について具体的に説明する。
第1図は一実施例を表わす。
IC内の回路10は+5v電源、Ov電源、−5v電源
のそれぞれの電源ライン2,3.4を備えている。回路
10は3電源を使用する回路10aと、2電源(+5V
、OV)を使用する回路lObとを備えているものとす
る。
3電源を使用する回路10aの入出力信号ライン5aに
は+5v電源ライン2との間にダイオードCR3をpn
接合が逆方向になるように、すなわち入出力信号ライン
5a側がアノード、+5V電源ライン2側がカソードと
なるように接続する。
また、入出力信号ライン5aと一5v電源ライン4の間
にはダイオードCR4をpn接合が逆方向になるように
接続する。
2電源を使用する回路10bの入出力信号ライン5bに
は+5Vffi源ライン2との間にダイオードCR5を
pn接合が逆方向になるように接続し、Ov電源ライン
3との間にダイオードCR6をPn接合が逆方向になる
ように接続する。
また、電源ライン2,3.4においては、+5V電源ラ
イン2とOv電源ライン3の間にダイオードCRIをp
n接合が逆方向になるように接続し。
OVa源ライン3と一5v電源ライン4の間にダイオー
ドCR2をpn接合が逆方向になるように接続する。
本実施例において、例えば入出力信号ライン5bに一5
v電源を基準にした低電圧が入力されたとすると、ダイ
オードCR2とCR6を通してサージ破壊が防止される
第2図は他の実施例を表わす。
IC内の回路12はアナログ回wIl 2 aとロジッ
ク回路12bを備えている。アナログ回路12aはVc
c (+5V)、AGND (OV)及びVee(−5
V)の3電源を使用し、ロジック回路12bはVdd 
(+ 5 V)とVss (OV)(1)2電源を使用
する。
アナログ回路12aの入出力信号ライン5a+には電源
Vccの電源ライン14との間にダイオードCR13を
逆方向に接続し、電源Veeの電源ライン16との間に
ダイオードCR14を逆方向に接続し、入出力信号ライ
ン5a2には電源Vccの電源ライン14との間にダイ
オードCR15を逆方向に接続し、電源AGNDの電源
ライン15との間にダイオードCR16を逆方向に接続
する。
ロジック回路12bの入出力信号ライン5bには電源V
ddの電源ライン17との間にダイオードCR17を逆
方向に接続し、電源Vssの電源ライン18との間にダ
イオードCR18を逆方向に接続する。
また、各電源ライン14〜18の間にはダイオードCR
7〜CR12を接続して、各入出力信号ライン5a+、
5a:、、5bからいずれの電源へもダイオードを通し
てサージを吸収する回路を構成することができるように
なっている。
サージを吸収する回路素子としては、実施例に示された
ダイオードの他に5例えばMOSトランジスタのゲート
電極とソース電極とを短絡し、ドレイン電極とソース電
極間のブレークダウンを利用するものであってもよい。
(効果) 本発明では、各入出力信号ラインと、その信号を扱う回
路に使用する電源との間にpn接合を逆方向に接続し、
かつ、各電源ライン間にpn接合を逆方向に接続し、い
ずれの入出力信号ラインがらも任意の電源へpn接合を
介してサージを吸収する回路を形成できるようにしたの
で、サージ破壊を有効に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図はそれぞれ実施例を示す回路図、第3
図は従来のサージ保護回路を示す回路図である。 2〜4.14〜18・・・・・・電源ライン、5a、5
b、5a+、5a:・・・・・・入出力信号ライン、1
0.12・・・・・・回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  3電源以上を使用する半導体集積回路装置の各入出力
    信号ラインと、その信号を扱う回路に使用する電源との
    間にpn接合を逆方向に接続し、かつ、各電源ライン間
    にpn接合を逆方向に接続したサージ保護回路。
JP62305221A 1987-11-30 1987-11-30 半導体集積回路装置のサージ保護回路 Pending JPH01148019A (ja)

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JP62305221A JPH01148019A (ja) 1987-11-30 1987-11-30 半導体集積回路装置のサージ保護回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009503812A (ja) * 2005-07-22 2009-01-29 エヌエックスピー ビー ヴィ 分配した低電圧クランプ装置を用いて高電圧esd保護を分担する経路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009503812A (ja) * 2005-07-22 2009-01-29 エヌエックスピー ビー ヴィ 分配した低電圧クランプ装置を用いて高電圧esd保護を分担する経路
JP4869343B2 (ja) * 2005-07-22 2012-02-08 エヌエックスピー ビー ヴィ 分配した低電圧クランプ装置を用いて高電圧esd保護を分担する経路
US8169758B2 (en) 2005-07-22 2012-05-01 Nxp B.V. Path sharing high-voltage ESD protection using distributed low-voltage clamps

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