JPS6297366A - ＧａＡｓ集積回路装置 - Google Patents
ＧａＡｓ集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6297366A JPS6297366A JP60140389A JP14038985A JPS6297366A JP S6297366 A JPS6297366 A JP S6297366A JP 60140389 A JP60140389 A JP 60140389A JP 14038985 A JP14038985 A JP 14038985A JP S6297366 A JPS6297366 A JP S6297366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- wiring
- integrated circuit
- electrode
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
- H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
- H10D84/05—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group III-V technology
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ショットキー・ゲート型電界効果トランジス
タ（以下、ＦＥＴと略記する。）とシヨツトキー・ダイ
オード（以下、ダイオードと略記する。）を含んで成る
Ｇ ａ Ａ ｓ集積回路装置に関する。
タ（以下、ＦＥＴと略記する。）とシヨツトキー・ダイ
オード（以下、ダイオードと略記する。）を含んで成る
Ｇ ａ Ａ ｓ集積回路装置に関する。
近年、Ｓｉよりも数倍電子の移動度が大きいＧａＡｓを
基板として用いるＬＳＩの試作が行なわれている。従来
、このようなＬＳＩは、入出力論理レベルを変換するレ
ベルシフト回路とスイッチングするインバータ回路から
成る論理回路によって構成される。なお、このような論
理回路のひとつとして、特開昭５８−６２９３９号に記
載の回路が提案されている。
基板として用いるＬＳＩの試作が行なわれている。従来
、このようなＬＳＩは、入出力論理レベルを変換するレ
ベルシフト回路とスイッチングするインバータ回路から
成る論理回路によって構成される。なお、このような論
理回路のひとつとして、特開昭５８−６２９３９号に記
載の回路が提案されている。
第４図は、前述のレベルシフト回路の一例を示す回路図
である。図において、１０１は入力端子であり、直列接
続された２個のダイオード１０４，１０５を介して出力
端子１０２に接続されている。また、出力端子１０２は
、抵抗１０７を介して負電源端子１０３に接続されてい
る。さらに、入力端子１０１と出力端子１０２の間には
、ダイオード１０４，１０５に並列に結合容量１０６が
挿入されている。容量１０８は、出力端子１０２につく
配線容量や寄生容量などの総負荷容量である。
である。図において、１０１は入力端子であり、直列接
続された２個のダイオード１０４，１０５を介して出力
端子１０２に接続されている。また、出力端子１０２は
、抵抗１０７を介して負電源端子１０３に接続されてい
る。さらに、入力端子１０１と出力端子１０２の間には
、ダイオード１０４，１０５に並列に結合容量１０６が
挿入されている。容量１０８は、出力端子１０２につく
配線容量や寄生容量などの総負荷容量である。
次に、この回路の動作を簡単に説明する。入力端子１０
１に信号が加わると、直流的には、ダイオ−ド１０４．
１０５．抵抗１０７を介して負電源端子１０３に電流が
流れ、ダイオード１０４，１０５にこの電流値に応じた
電圧降下が生じる。出力端子１０２に現われる信号は、
入力端子１０１の信号がこの電圧降下分だけレベルシフ
トされる。一方、交流的には、入力端子１０１に加わっ
た信号が結合容量１０６を通して出力端子１０２に現わ
れる。ここで、高速に信号をレベルシフトするための条
件として結合容量１０６を負荷容量１０８の５倍以上に
定める必要があるとされている。さらに、この結合容量
１０６として逆バイアスされたダイオードの接合容量を
用いることが提案されている。
１に信号が加わると、直流的には、ダイオ−ド１０４．
１０５．抵抗１０７を介して負電源端子１０３に電流が
流れ、ダイオード１０４，１０５にこの電流値に応じた
電圧降下が生じる。出力端子１０２に現われる信号は、
入力端子１０１の信号がこの電圧降下分だけレベルシフ
トされる。一方、交流的には、入力端子１０１に加わっ
た信号が結合容量１０６を通して出力端子１０２に現わ
れる。ここで、高速に信号をレベルシフトするための条
件として結合容量１０６を負荷容量１０８の５倍以上に
定める必要があるとされている。さらに、この結合容量
１０６として逆バイアスされたダイオードの接合容量を
用いることが提案されている。
第５図（ａ）は、結合容量に逆バイアスされたシヨツト
キー・ダイオードの接合容量を用いたＧａ Ａ ｓ集積
回路装置の部分平面図である。第５図（ｂ）は、第５図
（ａ）のＧ ａ Ａ ｓ集積回路装置の断面図である。
キー・ダイオードの接合容量を用いたＧａ Ａ ｓ集積
回路装置の部分平面図である。第５図（ｂ）は、第５図
（ａ）のＧ ａ Ａ ｓ集積回路装置の断面図である。
第５図（ａ）、（ｂ）において。
２０１は第４図における結合容量１０６となるダイオー
ドのカソード電極とこれに接続された金属配線である。
ドのカソード電極とこれに接続された金属配線である。
２０２は、前記ダイオードのアノード電極とこれにつな
がる金属配線である。また、２０３は。
がる金属配線である。また、２０３は。
前記ダイオードの１１高濃度能動層、２０４は、ｎ型能
動層である。さらに、２０５は、素子間を結ぶ金属配線
である。２０６は、２０２と２０５との間の寄生容量で
ある。なお、２０２は、２０４とショットキー接合を形
成し、２０１は、２０３．２０４とオーミック接触して
いる。第５図（ａ）、（ｂ）で示す前記ダイオード、ア
ノード電極２０２が、カソード電極２０１が、それぞれ
第４図において出力端子１０２、入力端子１０１に接続
され、ダイオード１０４，１０５の電圧降下分だけ逆バ
イアスされている。ところで、このようなレベルシフト
回路にダイオードを用いたＧ ａ Ａ ｓ集積回路装置
では、ダイオードのアノード電極２０２と素子間の配線
２０５や素子との距離が短いため、寄生容量２０６が大
きくなってしまう。すなわち、レベルシフト回路の出力
端子につく容量が増大する。これに伴って、前述のよう
に結合容量も大きくしなければならない。ダイオードを
結合容量として用いた場合容量値は、接合面積、つまり
アノード電極とｎ型能動層の接触面積に比例する。した
がって、このことは、ダイオードの面積を増大させ、Ｇ
ａ Ａ ｓ集積回路装置のチップ面積の増大につなが
り、高集積化の妨げになる。
動層である。さらに、２０５は、素子間を結ぶ金属配線
である。２０６は、２０２と２０５との間の寄生容量で
ある。なお、２０２は、２０４とショットキー接合を形
成し、２０１は、２０３．２０４とオーミック接触して
いる。第５図（ａ）、（ｂ）で示す前記ダイオード、ア
ノード電極２０２が、カソード電極２０１が、それぞれ
第４図において出力端子１０２、入力端子１０１に接続
され、ダイオード１０４，１０５の電圧降下分だけ逆バ
イアスされている。ところで、このようなレベルシフト
回路にダイオードを用いたＧ ａ Ａ ｓ集積回路装置
では、ダイオードのアノード電極２０２と素子間の配線
２０５や素子との距離が短いため、寄生容量２０６が大
きくなってしまう。すなわち、レベルシフト回路の出力
端子につく容量が増大する。これに伴って、前述のよう
に結合容量も大きくしなければならない。ダイオードを
結合容量として用いた場合容量値は、接合面積、つまり
アノード電極とｎ型能動層の接触面積に比例する。した
がって、このことは、ダイオードの面積を増大させ、Ｇ
ａ Ａ ｓ集積回路装置のチップ面積の増大につなが
り、高集積化の妨げになる。
本発明の目的は、上記レベルシフト回路の結合容量とし
て用いたダイオードのアノード電極と素子、配線との間
の寄生容量の低減を図り、ダイオードの面積の増大を防
ぎ、高集積化に好適なＧａＡｓ集積回路装置を提供する
ことにある。
て用いたダイオードのアノード電極と素子、配線との間
の寄生容量の低減を図り、ダイオードの面積の増大を防
ぎ、高集積化に好適なＧａＡｓ集積回路装置を提供する
ことにある。
上記目的を達成するため、本発明は、Ｇ ａ Ａ ｓ基
板上に設けられた素子あるいは配線によって構成された
Ｇ ａ Ａ ｓ集積回路装置において、レベルシフト回
路を構成する結合容量として用いるシヨツトキー・ダイ
オードのアノード電極と、該ダイオードの近傍に配置さ
れた素子あるいは配線との間に、前記ダイオードのカソ
ード電極に接続された電極あるいは配線を設け、前記ア
ノード電極と素子、配線との寄生容量の低減を図ったも
のである。
板上に設けられた素子あるいは配線によって構成された
Ｇ ａ Ａ ｓ集積回路装置において、レベルシフト回
路を構成する結合容量として用いるシヨツトキー・ダイ
オードのアノード電極と、該ダイオードの近傍に配置さ
れた素子あるいは配線との間に、前記ダイオードのカソ
ード電極に接続された電極あるいは配線を設け、前記ア
ノード電極と素子、配線との寄生容量の低減を図ったも
のである。
以下１本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第１図（ａ）は、本発明の第１の実施例であるＧａＡｓ
集積回路装置の部分平面図である。第１図（ｂ）は、第
１図（ａ）の断面図である。図において、５１０はＧ
ａ Ａ ｓ基板、５０９は層間絶縁膜である。
集積回路装置の部分平面図である。第１図（ｂ）は、第
１図（ａ）の断面図である。図において、５１０はＧ
ａ Ａ ｓ基板、５０９は層間絶縁膜である。
５０１は結合容量として用いたダイオードのカソード電
極とこれにつながる金属配線であり、５０２は前記ダイ
オードのアノード電極である。さらに、５０４はｎ型能
動層、５０３はｎ＋高濃度能動層である。
極とこれにつながる金属配線であり、５０２は前記ダイ
オードのアノード電極である。さらに、５０４はｎ型能
動層、５０３はｎ＋高濃度能動層である。
なお、５０１は５０３．５０４とオーミック接触し、５
０２は５０３とショットキー接合を形成している。５０
５は前記ダイオードに近接して配置された金属配線であ
る。、５０６は、本発明によるシールド用配線であり。
０２は５０３とショットキー接合を形成している。５０
５は前記ダイオードに近接して配置された金属配線であ
る。、５０６は、本発明によるシールド用配線であり。
コンタクト穴５０７により５０１に、コンタクト穴５０
８により５１０に接触している。このような構造にする
ことによって、金属配線５０５と前記ダイオードのアノ
ード電極５０２との間の寄生容量を低減することができ
る。すなわち、アノード電極５０２の電位は、カソード
電極の５０１電位が加わっているシ−ルド電極５０６に
よって、金属配線５０５の電位による影響が遮断される
からである。一方、このシールド電極５０６とアノード
電極５０２との間には層間容量が存在し、結合容量が増
加される。したがって、このようなシールド電極を設け
ることによって、結合容量用ダイオードのアノード電極
の寄生容量が低減され、さらには結合容量が増加し、ダ
イオードの面積の低減に効果がある。
８により５１０に接触している。このような構造にする
ことによって、金属配線５０５と前記ダイオードのアノ
ード電極５０２との間の寄生容量を低減することができ
る。すなわち、アノード電極５０２の電位は、カソード
電極の５０１電位が加わっているシ−ルド電極５０６に
よって、金属配線５０５の電位による影響が遮断される
からである。一方、このシールド電極５０６とアノード
電極５０２との間には層間容量が存在し、結合容量が増
加される。したがって、このようなシールド電極を設け
ることによって、結合容量用ダイオードのアノード電極
の寄生容量が低減され、さらには結合容量が増加し、ダ
イオードの面積の低減に効果がある。
第２図（ａ）、（ｂ）は５本発明の第２の実施例のＧ
ａ Ａ ｓ集積回路装置の部分平面図、第２図（ｂ）は
、第２図（ａ）の断面図である０本実施例は、第１図（
ａ）、（ｂ）に示したコンタクト穴５０８が無い場合の
構造で、その他の構造は第１の実施例と同様である。こ
の場合にも第１の実施例とほぼ同様な効果が得られるが
、コンタクト穴を形成しないため、集積度をより高める
ことができる。
ａ Ａ ｓ集積回路装置の部分平面図、第２図（ｂ）は
、第２図（ａ）の断面図である０本実施例は、第１図（
ａ）、（ｂ）に示したコンタクト穴５０８が無い場合の
構造で、その他の構造は第１の実施例と同様である。こ
の場合にも第１の実施例とほぼ同様な効果が得られるが
、コンタクト穴を形成しないため、集積度をより高める
ことができる。
第３図（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３の実施例のＧ
ａ Ａ ｓ集積回路装置の部分平面図、第３図（ｂ）は
、第３図（ａ）の断面図である。上記実施例では、ダイ
オードのアノード電極と素子、配線との寄生容量の低減
を図るために、該アノード電極と、前記ダイオードの近
傍に配置された素子あるいは配線との間に、前記ダイオ
ードのカソード電極に接続された配線（５０６）を設け
たが１本実施例では、前記ダイオードのカソード電極に
接続された電極を設けた例を示す。図において、５１２
はダイオードのアノード電極５０２と、隣接配線５０５
との間に設けられ、前記ダイオードの能動層５０４を介
してカソード電極５０１に接続された本発明によるシー
ルド用配線である。５１１は電極５１２をダイオードの
能動層５０４とオーミック接触させるためのｎゝ高濃度
能動層である。この場合にも、隣接配線５０５に対して
電極５１２がシールド電極として働き、前述の第１．第
２の実施例と同様の効果がある。
ａ Ａ ｓ集積回路装置の部分平面図、第３図（ｂ）は
、第３図（ａ）の断面図である。上記実施例では、ダイ
オードのアノード電極と素子、配線との寄生容量の低減
を図るために、該アノード電極と、前記ダイオードの近
傍に配置された素子あるいは配線との間に、前記ダイオ
ードのカソード電極に接続された配線（５０６）を設け
たが１本実施例では、前記ダイオードのカソード電極に
接続された電極を設けた例を示す。図において、５１２
はダイオードのアノード電極５０２と、隣接配線５０５
との間に設けられ、前記ダイオードの能動層５０４を介
してカソード電極５０１に接続された本発明によるシー
ルド用配線である。５１１は電極５１２をダイオードの
能動層５０４とオーミック接触させるためのｎゝ高濃度
能動層である。この場合にも、隣接配線５０５に対して
電極５１２がシールド電極として働き、前述の第１．第
２の実施例と同様の効果がある。
なお、上記第１〜第３の実施例では、ダイオードのアノ
ード電極５０２と、該ダイオードの近傍に配置された配
線５０５との間に、前記ダイオードのカソード電極５０
１に接続された電極５０６あるいは配線５１２を設けた
例を示したが、前記ダイオードの近傍に配置された素子
との間に、電極５０６あるいは配線５１２を設けた場合
も同様の効果があることはいうまでもない。
ード電極５０２と、該ダイオードの近傍に配置された配
線５０５との間に、前記ダイオードのカソード電極５０
１に接続された電極５０６あるいは配線５１２を設けた
例を示したが、前記ダイオードの近傍に配置された素子
との間に、電極５０６あるいは配線５１２を設けた場合
も同様の効果があることはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、レベルシフト回
路の結合容量として用いたシヨツトキー・ダイオードの
アノード電極と素子、配線との間の寄生容量の低減を図
り、ダイオードの面積の増大を防ぎ、高集積に優れたＧ
ａ Ａ ｓ集積回路装置を実現することができる。
路の結合容量として用いたシヨツトキー・ダイオードの
アノード電極と素子、配線との間の寄生容量の低減を図
り、ダイオードの面積の増大を防ぎ、高集積に優れたＧ
ａ Ａ ｓ集積回路装置を実現することができる。
第１図（ａ）は結合容量に逆バイアスされたシヨツトキ
ー・ダイオードの結合容量を用いた本発明の第１の実施
例のＧ ａ Ａ ｓ集積回路装置の部分平面図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）の断面図、第２図（ａ）は本発明
の第２の実施例のＧ ａ Ａ ｓ集積回路装置の部分平
面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の断面図、第３図（
ａ）は本発明の第３の実施例のＧａＡｓ集積回路装置の
部分平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の断面図、第
４図はレベルシフト回路の回路図、第４図（ａ）は従来
のＧ ａ Ａ ｉｉ集積回路装置の部分平面図、第５図
（ｂ）は第５図（ａ）の断面図である。 １０１・・・レベルシフト回路の入力端子１０２・・・
レベルシフ８回路の出力端子１０３・・・負電源端子 １０４．１０５・・・レベルシフト・ダイオード１０６
・・・結合容量 １０７・・・抵抗 １０８・・・１０２につく総負荷容量 ２０１．５０１・・・結合容量用ダイオードのカソード
電極２０２．５０２・・・結合容量用ダイオードのアノ
ード２０３．５０３・・・結合容量用ダイオードのｎ型
高濃度能動層 ２０４．５０４・・・ｎ型能動層 ２０５．５０５・・・結合容量の近傍に配置された配線
２０６・・・２０２と２０５との間の寄生容量２０９．
５０９・・・層間絶縁膜 ２１０．５１０−ＧａＡｓ基板 ５０６・・・シールド用配線 ５０７，５０８・・・コンタクト穴 ５１１・・・ｎ＋高濃度能動層 ５１２・・・シールド用電極 代理人弁理士 中 村 、純之助 １−２図 （Ｑ） （ｂ） 矛３図 （ａ） （ｂ） ５０３ ５０４ ′：Ｊｌ１１４ 図 （ｂ）
ー・ダイオードの結合容量を用いた本発明の第１の実施
例のＧ ａ Ａ ｓ集積回路装置の部分平面図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）の断面図、第２図（ａ）は本発明
の第２の実施例のＧ ａ Ａ ｓ集積回路装置の部分平
面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の断面図、第３図（
ａ）は本発明の第３の実施例のＧａＡｓ集積回路装置の
部分平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の断面図、第
４図はレベルシフト回路の回路図、第４図（ａ）は従来
のＧ ａ Ａ ｉｉ集積回路装置の部分平面図、第５図
（ｂ）は第５図（ａ）の断面図である。 １０１・・・レベルシフト回路の入力端子１０２・・・
レベルシフ８回路の出力端子１０３・・・負電源端子 １０４．１０５・・・レベルシフト・ダイオード１０６
・・・結合容量 １０７・・・抵抗 １０８・・・１０２につく総負荷容量 ２０１．５０１・・・結合容量用ダイオードのカソード
電極２０２．５０２・・・結合容量用ダイオードのアノ
ード２０３．５０３・・・結合容量用ダイオードのｎ型
高濃度能動層 ２０４．５０４・・・ｎ型能動層 ２０５．５０５・・・結合容量の近傍に配置された配線
２０６・・・２０２と２０５との間の寄生容量２０９．
５０９・・・層間絶縁膜 ２１０．５１０−ＧａＡｓ基板 ５０６・・・シールド用配線 ５０７，５０８・・・コンタクト穴 ５１１・・・ｎ＋高濃度能動層 ５１２・・・シールド用電極 代理人弁理士 中 村 、純之助 １−２図 （Ｑ） （ｂ） 矛３図 （ａ） （ｂ） ５０３ ５０４ ′：Ｊｌ１１４ 図 （ｂ）
Claims (1)
- ＧａＡｓ基板上に設けられたレベルシフト回路の結合容
量として用いられるシヨツトキー・ダイオード、素子、
ならびに配線とを含んで成るＧａＡｓ集積回路装置にお
いて、前記ダイオードのアノード電極と、前記ダイオー
ドの近傍に配置された素子あるいは配線との間に、前記
ダイオードのカソード電極に接続された電極あるいは配
線を設けたことを特徴とするＧａＡｓ集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140389A JPS6297366A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | ＧａＡｓ集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140389A JPS6297366A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | ＧａＡｓ集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297366A true JPS6297366A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=15267669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60140389A Pending JPS6297366A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | ＧａＡｓ集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297366A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01136379A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 可変容量素子 |
| JP2012018972A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP60140389A patent/JPS6297366A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01136379A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 可変容量素子 |
| JP2012018972A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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