JPH01158781A - サンドイッチ型光センサ - Google Patents
サンドイッチ型光センサInfo
- Publication number
- JPH01158781A JPH01158781A JP62318043A JP31804387A JPH01158781A JP H01158781 A JPH01158781 A JP H01158781A JP 62318043 A JP62318043 A JP 62318043A JP 31804387 A JP31804387 A JP 31804387A JP H01158781 A JPH01158781 A JP H01158781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical sensor
- edge
- semiconductor layer
- type optical
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、サンドイッチ型光センサに関する。
従来艮佐
従来のサンドイッチ型光センサの構造は、例えば、第１
図〜第３図に示すようなものであった。第１図のものは
ＭＩＳ型又はＭＳＳ型センサであり、１は上部透明電極
、２はａ−Ｓｉ：ＯＨ膜、３はａ−ｓｉ：Ｈ膜、４は下
部電極、５は基板である。第２図はショトキ−型センサ
であり、第３図は、Ｐ−ｉ−ｎ型センサであり、６はＢ
ドープされたａ−Ｓｉ： Ｈ膜、７はＰドープされたａ
−Ｓｉ：Ｈ膜である。図面にみられるように、従来、上
部透明電極はａ−Ｓｉ：Ｈ系層上を一部が覆っていれば
充分と考えられていた。ところが、本発明者等の研究に
よると、上部透明電極が覆っていない部分、図面でいえ
ばαで示される部分においていいかえれば、上部透明電
極エツジと半導体層２，３のエツジ部との間の段差部分
にもエレクトロンとホールが発生し、この部分に生じた
キャリヤは上部電極までの拒離が長いため移動に時間が
かかり応答速度の遅延につながっていることが解明され
た。しかし、段差部を全くなくすと、その後のフォトリ
ソグラフィ・工程で、ａ−Ｓｉを主成分とする半導体層
の段差形状が悪くなり、歩留りに悪影響を及ぼすことが
わかった。そこで、従来よりも光応答速度を向上し、か
つ、フォトリソグラフィ・工程での歩留りに悪影響を及
ぼさない程度の段差を設ける必要があることがわかった
。
図〜第３図に示すようなものであった。第１図のものは
ＭＩＳ型又はＭＳＳ型センサであり、１は上部透明電極
、２はａ−Ｓｉ：ＯＨ膜、３はａ−ｓｉ：Ｈ膜、４は下
部電極、５は基板である。第２図はショトキ−型センサ
であり、第３図は、Ｐ−ｉ−ｎ型センサであり、６はＢ
ドープされたａ−Ｓｉ： Ｈ膜、７はＰドープされたａ
−Ｓｉ：Ｈ膜である。図面にみられるように、従来、上
部透明電極はａ−Ｓｉ：Ｈ系層上を一部が覆っていれば
充分と考えられていた。ところが、本発明者等の研究に
よると、上部透明電極が覆っていない部分、図面でいえ
ばαで示される部分においていいかえれば、上部透明電
極エツジと半導体層２，３のエツジ部との間の段差部分
にもエレクトロンとホールが発生し、この部分に生じた
キャリヤは上部電極までの拒離が長いため移動に時間が
かかり応答速度の遅延につながっていることが解明され
た。しかし、段差部を全くなくすと、その後のフォトリ
ソグラフィ・工程で、ａ−Ｓｉを主成分とする半導体層
の段差形状が悪くなり、歩留りに悪影響を及ぼすことが
わかった。そこで、従来よりも光応答速度を向上し、か
つ、フォトリソグラフィ・工程での歩留りに悪影響を及
ぼさない程度の段差を設ける必要があることがわかった
。
目 的
本発明は前記知見に基き、サンドイッチ型光センサの光
応答速度の改善を目的とするものである。
応答速度の改善を目的とするものである。
構 成
本発明は、ａ−Ｓｉを主成分とする半導体層が電極にサ
ンドイッチ状にはさまれた光センサーにおいて、電極の
少なくとも一方が透明電極であり、透明電極エツジと半
導体層エツジ部との間の段差が半導体層の膜厚の０．５
〜２倍であることを特徴とするものである。
ンドイッチ状にはさまれた光センサーにおいて、電極の
少なくとも一方が透明電極であり、透明電極エツジと半
導体層エツジ部との間の段差が半導体層の膜厚の０．５
〜２倍であることを特徴とするものである。
半導体層エツジ部と上部透明電極エツジ部との距離Ａは
半導体層の膜厚より小さければその効果が顕著にあられ
れる。半導体層が複数の場合には、そのうちの−層がそ
のようになっていても、それなりの効果を生ずる。
半導体層の膜厚より小さければその効果が顕著にあられ
れる。半導体層が複数の場合には、そのうちの−層がそ
のようになっていても、それなりの効果を生ずる。
当然のことではあるが、光を上部電極側からあてる形式
で使用する場合のセンサは上部電極を透明なものとする
必要があり、又下部電極側から光をあてる形式で使用す
る場合のセンサは基板と下部電極を透明な相料とする必
要がある。
で使用する場合のセンサは上部電極を透明なものとする
必要があり、又下部電極側から光をあてる形式で使用す
る場合のセンサは基板と下部電極を透明な相料とする必
要がある。
透明電極としては１例えば■ｎ２０３、Ｓｎ○７、ＩＴ
Ｏ等を使用することができ、透明基板としてはガラス、
石英等が使用できる。
Ｏ等を使用することができ、透明基板としてはガラス、
石英等が使用できる。
実施例
本発明の実施例を第４図を参照して説明する。
ガラス基板５上に下部電極４をＣｒを真空蒸着すること
により形成し、５ｉｎ４、Ｈ２ガスをグロー放電分解し
、膜厚１μｍの５ｉ−Ｈ膜、ＳｉＨ４、ＣＯ２、Ｈ２を
同じくグロー放電分解し、５ｉ−ＯＨ膜を順次形成する
。
により形成し、５ｉｎ４、Ｈ２ガスをグロー放電分解し
、膜厚１μｍの５ｉ−Ｈ膜、ＳｉＨ４、ＣＯ２、Ｈ２を
同じくグロー放電分解し、５ｉ−ＯＨ膜を順次形成する
。
〈デポ条件〉
次に透明電極に１．Ｔ、Ｏをスパッタリング法により形
成し、ついでレジストを用いた露光、現像後、半導体層
になる様にフォトエツチングを行った。
成し、ついでレジストを用いた露光、現像後、半導体層
になる様にフォトエツチングを行った。
比較例１
ａ−Ｓｉ： Ｈとａ−Ｓｉ：ＯＨよりなる半導体層のエ
ツジ部と上部電極エツジ部の距離Ａを１０μｍという段
差を設けた以外は実施例１と同様の方法によりセンサを
作った。
ツジ部と上部電極エツジ部の距離Ａを１０μｍという段
差を設けた以外は実施例１と同様の方法によりセンサを
作った。
比較例２
ａ−Ｓｉ： ＯＨ層までを上部電極エツジと同一に形成
し、ａ−Ｓｉ： Ｈの層のみはａ−Ｓｉ： Ｈエツジ部
と上部電極エツジ部の距離を１０μｍという段差を設け
た以外は実施例１と同一の方法によりセンサを作った。
し、ａ−Ｓｉ： Ｈの層のみはａ−Ｓｉ： Ｈエツジ部
と上部電極エツジ部の距離を１０μｍという段差を設け
た以外は実施例１と同一の方法によりセンサを作った。
第１表
上記光応答速度は１００ Ｌ ｕｘの緑色ＬＥＤをステ
ップ状に駆動し、この光をセンサに照射し、出力が光照
射の飽和値に対して１０％から９０％になるまでの立上
り時間を測定したものである。
ップ状に駆動し、この光をセンサに照射し、出力が光照
射の飽和値に対して１０％から９０％になるまでの立上
り時間を測定したものである。
効 果
前記第１表に明らかなとおり、透明電極のエツジ部と半
導体層のエツジ部に段差を設けないようにすると、その
光応答速度は著しく向上する。
導体層のエツジ部に段差を設けないようにすると、その
光応答速度は著しく向上する。
第１図〜第３図は従来型のセンサを例示するものであり
、第４図は本発明センサの一例である。 １・・・上部透明電極 ２・・・ａ−Ｓｉ：Ｏ
Ｈ膜３・・・ａ−Ｓｉ：Ｈ膜 ４・・・下部電
極５・・・基板
、第４図は本発明センサの一例である。 １・・・上部透明電極 ２・・・ａ−Ｓｉ：Ｏ
Ｈ膜３・・・ａ−Ｓｉ：Ｈ膜 ４・・・下部電
極５・・・基板
Claims (1)
- １、ａ−Ｓｉを主成分とする半導体層が電極にサンドイ
ッチ状にはさまれた光センサーにおいて、電極の少なく
とも一方が透明電極であり、透明電極エッジと半導体層
エッジ部との間の段差が半導体層の膜厚の０．５〜２倍
であることを特徴とするサンドイッチ型光センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318043A JPH01158781A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | サンドイッチ型光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318043A JPH01158781A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | サンドイッチ型光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158781A true JPH01158781A (ja) | 1989-06-21 |
Family
ID=18094858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62318043A Pending JPH01158781A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | サンドイッチ型光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01158781A (ja) |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP62318043A patent/JPH01158781A/ja active Pending
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