JPH01160986A

JPH01160986A - 液晶化合物、その製造及びその組成物

Info

Publication number: JPH01160986A
Application number: JP62320582A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Nohira; 博之野平; Yuuta Kumano; 勇太熊野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-12-18
Filing date: 1987-12-18
Publication date: 1989-06-23
Anticipated expiration: 2012-12-17
Also published as: JP2692821B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、液晶性化合物、その製造方法およびそれを含
む液晶組成物に関するものである。

本発明で得られる液晶性化合物は、光学活性な強誘電性
液晶化合物と混合して用いることにより、光学素子を構
成する機能性材料の主要成分となる。

〔従来の技術〕

光学活性を有することを特徴とする強誘電性液晶化合物
は、表示素子や変調素子などの種々の光学素子として期
待されている化合物である。

従来、光学素子を構成する機能性材料の主要成分として
、あるいは比較的少量成分ではあるが重要な機能成分と
して、光学活性液晶性化合物が使用されている。

このような化合物を厚さ数μｍという薄いセルに挟み込
み配向させることによって、高速スイッチング特性とメ
モリ機能を有する表示デバイスが実現できることが示さ
れている（クラークおよびラーゲルウオール、アプライ
ド　フィジカル　レタ・−１３６，８９９頁（１９８０
年））。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の強誘電性液晶化合物および組成物はＳｍＣ＊（カ
イラルスメクチックＣ相）を示す温度中が小さ（十分で
なかった。しかも液晶温度中を十分なものにするために
、多環化合物とすると応答速度が著しく低下してしまう
問題点があった。

〔問題点を解決するための手段〕

上述の事情に鑑み、本発明者らはＳｍＣ＊相の温度領域
のひろい下記一般式（１）で表わされる化合物を得た。

一般式（１）％式％ここで、ｎは１−１０の整数のいずれかで、Ｒ。

およびＲ２は液晶性残基を示し、Ｒ１及びＲ２のうち少
な（とも１つが光学活性基を有している。

Ｒ，およびＲ２は、下記一般式（ＩＩ　）で表わされる
。

Ｂ−（−’ｉ→−Ａ−（ＸＥ）−Ｃ− １〕（式中、Ａはメソーゲン基、Ｂは末端フレキシブル鎖、
Ｃはスペーサフレキシブル鎖である。Ｘ及びＹは結合性
基を示し、Ｑ及びＰはＯ又はｌであり、Ｑ及びＰが１の
ときＸ及びＹはエステル結合基、ニーチル結合基、チオ
エステル結合基又はチオエーテル結合基である。）メソーゲン基としては、より具体的には下記に示すよう
なものがあるが、これに限定されるものではない。

一メソー　刈（ヴｃｏ←）前記メソーゲン基の構造の例から単独で用いても、組み
合わせて用いてもよい。

又、それぞれの骨格にシアノ基、ハロゲン基。

メトキシ基、トリフルオロメチル基、メチル基等の置換
基を設けてもよい。

これらのメソーゲン基の両端はフレキシブル鎖との組み
合わせによってカルボキシル基、オキシ基等のものから
選択して用いる。

末端フレキシブル鎖、スペーサフレキシブル鎖としては
次のようなものがあるが、それぞれ単独で用いても、二
種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、この例に限定されるものではない。

−ウフレキシブル多ＣＨ３ −ＣＨＣ６Ｈ，３、＊ −ＣＨ２Ｃ）１ｃｍＨ２ｍ＋＋　　　（ｍ＝４〜１４の
整数）、＊ＣＨ３ ■ −ＣＨ２ＣＨ２ＣＨＣ４Ｈ、、木ＣＨ３ −（ＣＨ２”）−；ＣＨＣ２Ｈ６（ｍ＝：？−５の整数
）、＊ＣＨ２ＣＨ２（ｍ　＝　１−１８の整数）及び−←ＣＨ
２ＣＨ２Ｏ塗ＣＨ３（ｍ＝１〜５の整数）スペーサフレ
キシブル多 −（−ＣＨ２″）７−　　、Ｃ１＝Ｏ〜１８の整数）、
−←ＣＨ２ＣＨ２Ｏす　　（１＝１−１２の整数）、−
（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０′ＦＴ−（ｌ＝１〜１ｏの整数
）、−（−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０す　　（ｊ７＝
１〜１０の整数）、Ｃｌ−１３ −（−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨＯす　　（１＝１〜１０の整数
）及びネ本発明の液晶性化合物中間体は、前記末端フレキシブル
鎖とメソーゲン基を結合させ、スペーサフレキシブル鎖
をさらに結合させることによって合成される。このとき
スペーサフレキシブル鎖は、末端に未反応の不飽和結合
を有していることが必要であり、この不飽和結合とシロ
キサン化合物を塩化白金酸により縮号することで本発明
の液晶性化合物が得られる。

具体的には表１に示すような液晶性化合物であるが、こ
れに限定されるものではない。

しｔｔ３　　　　シｔｔ３ｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｒ。

（＊は不斉炭素を示す）本発明の液晶性化合物はメソーゲン基がジメチルシロキ
サン基で結合されたものであることから高速応答性に優
れている。ジメチルシロキサン・ユニットが長ければ高
速応答性は更に向上されるが、あまり長いと液晶性を阻
害するために液晶温度領域が減少してしまう。そのため
前記−能代（１）においてｎは１〜１０が好ましい。さ
らに添加して液晶組成物としてＳｍＣ＊相の拡大と高速
応答性を得るためにはｎは１〜５が好ましい。

本発明の液晶性化合物を、他の液晶性化合物もしくは液
晶組成物に添加することにより容易にＳｍＣ＊相の温度
領域を拡大できる。しかも得られた本発明の液晶組成物
は応答速度の低下がなく、良好な特性を有する。

本発明の組成物に適した液晶化合物の例としては次のよ
うなものがある。

の′　　八　の牢Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）７６℃　　　
　　９５℃　　　　１１７℃＊Ｐ−へキシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−ク
ロルプロビルルシンナメー）　（ＨＯＢＡＣＰＣ）６０
℃　　　６４℃　　　７８℃ ＊Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチル−α−シアノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣＣ
）９２℃　　　　　１０４℃ 結晶　　　　　　ＳｍＡ　　　　　　　等吉相＊Ｐ−テトラデシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡ
ＭＢＣＣ）７８℃　　　　　　１０４°Ｃ結晶　　　　　　ＳｍＡ　　　　　　　等吉相４７℃＼
　　　７７０℃ ＳｍＣ” ＊Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−クロロシンナメー）　（ＯＯＢＡＭ
ＢＣＣ）４１’Ｃ６６°Ｃ結晶　　　　　　ＳｍＡ　　　　　　　等吉相＊Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−メチルシンナメート４９℃　　　　
　５８℃　　　　９４℃ＣＨ３ＣＨ３４，４′−アゾキシシンナミックアシッド−ビス（２−
メチルブチル）エステル１２１℃１３４℃　　　　１６８℃ ４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルリリデン−４フ
ーオクチルアニリン（ＭＢＲＡ　　８）ギ４−（２’−メチルブチル）フェニル−４′オクチルオ
キシビフェニル−４−カルボキシレート７８°Ｃ８０’
ＣＩ２８．３℃ 結晶　　　　　　Ｓｍ３　　　　　　　　ＳｍＣ”　　
　　　　　ＳｍＡ１７１．０℃　　　　　　　　１７４
．２℃コレステリック相　　　　　　　等吉相＊４−へキシルオキシフェニル−４−（２’−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート６８．８℃　　　　８０．２°ＣＩ６３．５℃結晶　　
　　　ＳｍＣ”　　　　　　コレステリック相　　　　
　等吉相＊４′−へブチルフェニル−４−（２’−メチルヘキシル
）ビフェニル−４′−カルボキシレート＊　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　＊４−（２’−メチルブチル）
フェニル−４−（４’−メチルヘキシル）ビフェニル−
４′−カルボキシレートＩＩ＊８４℃　　　　１４４°Ｃ１６２℃ 結晶　　　　　　　ＳｍＣ”　　　　　　　ＳｍＡ　　
　　　　　等吉相９５．６℃　　　　　　１１５℃　　
　　　　１８７°Ｃ結晶　　　　　　ＳｍＣ”　　　　
　　　Ｃｈ　　　　　　　等吉相７２．４℃　　　　　
　１０８°Ｃｌ８３°Ｃａ＝６　、　　　ｂ＝１２ａ＝８　、　　　ｂ＝ｔ。

曽（ＳｍＡ；スメクチックＡ相、Ｃｈ；コレステリック相
上述の数は℃を示す）液晶組成物については本発明の液晶性化合物を１〜９０
ｗｔ％含有することが好ましい。

また、本発明の液晶性化合物が光学活性基を有する場合
は、非光学活性液晶性化合物に添加し、含有させること
によっても、ＳｍＣ＊相の温度領域を拡大し、応答速度
を向上することが可能となる。

このようにして用いることが可能な非光学活性液晶性化
合物としては次に示すようなものがある。これらの液晶
性化合物がＳ　ｍ　Ｃ＊相を有していることが液晶温度
中の点がより好ましい。これに限定されるものではない
。

ノンカイラルスメクチ・・　　六　゛　　　八　のＣ９
Ｈ＋９０−（シーＱ−ｏ、ｏｃ−◎−ＣＮ４’　−ｎ−
ノニルオキシ−４−ビフェニリル−４−シアノベンゾエ
ート等吉相　→　ネマチック　→　スメクチックＣＣ７
Ｈ１５−◎−ｏ、ｏｃ←０−０．ＯＣ−◎−ＮＯ２４−
ｎ−へブチルフェニル−４−（４’−二トロペンゾイル
オキシベンゾ工−ト）（ＤＢ７ＮＯ２）等吉相　→　ネマチック　→　スメクチックＡＣ８ＨＩ
７−◎−ｏ、ｏｃ−◎−ｏ、ｏｃ−◎−ＮＯ２４−ｎ−
オクチルフェニル−４−（４’　−二トロペンゾイルオ
キシ）ベンゾエート（ＤＢ８ＮＯ２）等吉相　→　ネマチック　→　スメクチックＡ　→　ス
メクチックＣＣ＋ｏＨｚ＋　−（ｊ：：：：：ｊ）−０
，０Ｃ−４Ｑ）−０，ＯＣ−（；１：：：：ｊ）−ＮＯ
２４−ｎ−デシルフェニル−４−（４’−二トロペンゾ
イルオキシ）ベンゾエート（ＤＢＩＯＮＯ２）等吉相　→　ネマチック　→　スメクチックＡ　→　ス
メクチックＣＣ８Ｈ１７０−◎−ｏ、ｏｃ−◎−ＣＨ＝
ＣＨ−◎−ＣＮトランス−４−（４’−オクチルオキシ
ベンゾイルオキシ）−４’−シアノスチルベン（Ｔ８）等吉相→ネマチック→スメタチックＡｌ→ネマチック崎
スメクチックＡ２Ｃ３ＨＩＩ−Ｑ−０，０Ｃ−Ｑ−０，
ＣＣ−Ｇ−ＣＮ４−ｎ−ペンチルフェニル−４−（４’
　−シアノベンゾイルオキシ）ベンゾエート（ＤＢｓＣ
Ｎ）等吉相　→　ネマチック　→　スメクチックＡＣ９ＨＩ
９０−◎−ｏ、ｏｃ−◎−０，ＯＣ←）−ＮＯ２４−ｎ
−ノニルオキシフェニル−４−（４’　−二トロペンゾ
イルオキシ）ベンゾエート）　（ＤＢ９ＯＮＯ２）等吉相　→　ネマチック　→　スメクチックＡ　→　ス
メクチックＣＣ５ＨｕＯ→≧ぺΣ（←Ｃ５Ｈｕ２−（４’−ｎ−ペンチルフェニル）−５−（４’−ｎ
−ペンチルオキシフェニル）ピリミジン等吉相→スメタチックＡ→スメクチックＣ→スメクチッ
クＦ→スメクチックＧＣ５ＨＩｌ←◎−Ｎ＝Ｃ）Ｉ−◎−ＣＨ＝Ｎ−◎−Ｃｓ
Ｈｎテレフタリリデン−ビス−４−ｎ−ペンチルアニリ
ン（ＴＢＰＡ）等吉相→ネマチック→スメタチックＡ→
スメクチックＣ→スメクチックＦ→スメクチックＧ→ス
メクチックＨＣ４Ｈ９−Ｑ−Ｎ　＝　ＣＨ−＠−Ｃ）Ｉ
＝Ｎ−Ｑ−Ｃ４Ｈ９Ｎ−テレフタリリデン−ビス−４−
ｎ−ブチルアニリン（ＴＢＢＡ）等吉相→ネマチック→
スメタチックＡ→スメクチックＣ→スメクチックＧ→ス
メクチックＨＣ８Ｈ１７０−〇−Ｃ←ＣＮ４−シアノ−４′−ｎ−オクチルオキシビフェニル（８
０ＣＢ）等吉相　→　ネマチック　→　スメクチックＡ
Ｃ２Ｈ５０，０Ｃ−ｏ−Ｎ＝Ｎ−◎−ＣＯ，０Ｃ２Ｈ６
↓ エチル−４−アゾベンゾエート等吉相　→　スメクチックＡｎ−Ｃ４Ｈ９０−◎−ＣＨ＝Ｎ−◎−Ｃ８Ｎ＋７°−Ｎ
−（４’　　−ｎ−ブチルオキシベンジリデン）−４−
ｎ−オクチルアニリン（４０，８）等吉相　→　スメク
チックＡ→　スメクチックＢｎ−Ｃ６ＨＩ３０←う−◎
−Ｃ６Ｈ＋３矛′４−ｎ−ヘキシル−４′−ｎ−ヘキシ
ルオキシビフェニル等吉相　→　スメクチックＢ→　ス
メクチックＥｎ−ＣａＨ１７０→シ（ＨＣｏ、Ｏイト０
Ｃ６Ｈ１３−、虐４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル−４
′−ｎ−オクチルオキシビフェニル−４−カルボキシレ
ート等吉相　→　ネマチック　→　スメクチックＡ　→スメ
クチックＣ→　スメクチックＢｎ−ＣｓＨｕＯ＄ＣＯ，０ＣｓＨ＋３伜ｎ−へキシル−
４’　−ｎ−ペンチルオキシビフェニル−４−カルボキ
シレート（６５０ＢＣ）等吉相→　スメクチックＡ→　スメクチックＢ→　スメ
クチックＥＣ１０Ｈ２１０−◎−◎−ＣＯ，０Ｃ６ＨＩ
３４−ｎ−へキシル−４′−ｎ−デシルオキシビフェニ
ル−４−カルボキシレート等吉相　→　スメクチックＡ
　→　スメクチックＣＣｌ０Ｈ２１０−◎−ｃｏ、ｏ−
◎−０Ｃ７Ｈ１５４−ｎ−へブチルオキシフェニル−４
−ｎ−デシルオキシベンゾエート等吉相　→　スメクチ
ックＡ　→　スメクチックＣＣ８Ｈ１７０−〇−ＣＯ，
０Ｈ４−ｎ−オクチルオキシベンゾイック・アシッド等吉相
　→　ネマチック　→　スメクチックＣ〔発明の詳細な
説明〕本発明の液晶化合物は、末端に不飽和結合基をもつ液晶
性化合物とシロキサン類とを反応させることによって合
成することができる。

本発明にしたがい、上記−能代（Ｉ）で表されるところ
の高配向性液晶化合物を製造する方法を説明する。

〔実施例１〕次の（１）〜（５）の各工程により（＋）　−１，１゜
３．３−テトラメチル−１，３−ジー４’　−［４’　
−（２”　’−フルオロオクチルオキシ）−フェニルオ
キシカルボニル］フェニルオキシウンデカニル＝ジシロ
キサンを合成した。

（１）１０−ウンデセニル−ｐ−）ルエンスルホン酸エ
ステルの合成１０−ウンデセン−１−オール３．４０　ｇ　（２０，
０ｍ　Ｍ　）に乾燥ピリジン４　、３２　ｇ　（５４、
０ｍ　Ｍ　）を加え、０℃で１０分間撹拌した。この溶
液にｐ−トルエンスルホン酸クロリド３．８０ｇ　（２
０，ＯｍＭ）を加え、その後室温で４時間撹拌した。反
応終了後、２Ｍ塩酸を加え反応液を酸性にし、エーテル
で抽出した。この抽出液に無水硫酸ナトリウムを加えて
乾燥した後、エーテルを留去してｌＯ−ウンデセニル−
ｐ−トルエンスルホン酸エステル６．２０ｇ　（１９，
１ｍＭ）を得た。収率９５．５％（２）ｐ−（ＬＯ−ウンデセニル）オキシ安息香酸エチ
ルエステルの合成ＩＯ−ウンデセニル−ｐ−ｔ−ルエンスルホン酸エステ
ル６．２０ｇ　（１９，１ｍＭ）とｐ−ヒドロキシ安息
香酸エチルエステル３．１７ｇ　（１９，１ｍＭ）にジ
メチルホルムアミド６ｍｌを加え、よ（撹拌した。

この溶液に６０％水素化ナトリウム０．７７ｇ　（１９
，３ｍＭ）を加え、７時間加熱環流した。反応終了後、
ジメチルホルムアミドを留去し、水を加えてからエーテ
ルで抽出した。このエーテル抽出液に無水硫酸ナトリウ
ムを加えて乾燥した後、エーテルを留去し、カラムクロ
マト（展開溶媒：塩化メチレン）で分離精製して、ｐ−
（１０−ウンデセニル）オキシ安息香酸エチルエステル
５．８０ｇ　（１８，２ｍＭ）を得た。収率９１．２％（３）ｐ−（１０−ウンデセニル）オキシ安息香酸の合
成ｐ−（１０−ウンデセニル）オキシ安息香酸エチルエス
テル５．８０ｇ　（１８，２ｍＭ）と、水酸化ナトリウ
ム２．１８ｇ　（５４，６ｍＭ）を水４ｍｌで溶かした
ものとメタノール３０ｍｊ！を５０℃で３時間加熱撹拌
した。反応終了後、蒸留水を２０ｍ１加えてからメタノ
ールを留去し、６Ｍ塩酸で溶液を酸性にした。

こうして生成したｐ−（１０−ウンデセニル）オキシ安
息香酸をろ過し、デシケイター中で減圧乾燥した。

こうしてｐ−（１０−ウンデセニル）オキシ安息香酸５
．２５ｇ（１８，１ｍＭ）を得た。収率９９．５％（４
）　（−）　−ｐ−（１０−ウンデセニル）オキシ安息
香酸−ｐ’　−（２−フルオロオクチルオキシ）フェニ
ルエステルの合成ｐ−（１０−ウンデセニル）オキシ安息香酸１．１３ｇ
（３、９ｍ　Ｍ　）を塩化チオニル８ｍｌと共に、３時
間加熱還流した後、未反応の塩化チオニルを留去して酸
塩化物を得た。

次にトリエチレンジアミン０．８７ｇ　（７，８０ｍＭ
）を乾燥ベンゼン５ｍｌに溶かした溶液に（＋）−ｐ−
（２−フルオロオクチルオキシ）フェノール（［αコ。

”＋３．９２’　　（ｃ　　２．　　ＣＨ２Ｃｊ’ｚ）
）０．９４ｇ（３、９ｍ　Ｍ　）を加え、上記の酸塩化
物中に撹拌下に滴下した。滴下終了後５０℃で２時間加
熱した。

これに６０％水素化ナトリウム０．１９ｇ　（４，７０
ｍＭ）を乾燥ベンゼンと共に加え、さらに２時間加熱還
流した。反応終了後、２Ｍ塩酸で溶液を酸性にし、ベン
ゼンで抽出した。

この抽出液に無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した後、
ベンゼンを留去し、カラムクロマト（展開溶媒：ベンゼ
ン）で分離精製し、さらにヘキサン４　ｍ　ｌで再結晶
し、（−）−ｐ−（１０−ウンデセニル）オキシ安息香
酸−ｐ’　−（２−フルオロオクチルオキシ）フェニル
エステル１　、３５　ｇ　（２、６４ｍ　Ｍ　）を得た
。収率６７．６％、［α］。−３，４０°　（Ｃ１゜ベ
ンゼン）（５）　（＋）　−１，１，３，３−テトラメチル−１
゜３−ジー４’　−［４’　−（２”’　−フルオロオ
クチルオキシ）−フェニルオキシカルボニル］フエニル
オキシウンデ力ニル＝ジシロキサンの合成（−）−ｐ−
（１０−ウンデセニル）オキシ安息香酸−ｐ’　−（２
−フルオロオクチルオキシ）フェニルエステル０　、２
５６　ｇ　（０、５ｍ　Ｍ　）と乾燥トルエン０．５ｍ
ｆを混ぜ、撹拌しながら塩化白金酸イソプロパツール溶
液（１Ｍ溶液）を３ｍｇ　（約０．００２ｍＭ）を加え
た。約３分間撹拌してから、１．　１．　３．３−テト
ラメチルジシロキサン０．０６７ｇ　（０，５ｍＭ）を
加え、１００℃で７時間加熱した。さらに（−）−ｐ−
（１０−ウンデセニル）オキシ安息香酸−ｐ′−（２−
フルオロオクチルオキシ）フェニルエステル０．０８０
ｇ　（０，１６ｍＭ）を追加し、１００℃で４時間加熱
した。

反応終了後、生成物をカラムクロマト（展開溶媒：塩化
メチレン：ヘキサン＝１　：　ｌ）で分離精製し、さら
にヘキサン５ｍｌで再結晶して（＋）−１、１，３，３
−テトラメチル−１，３−ジー４′−［４’　−（２”
　’−フルオロオクチルオキシ）−フェニルオキシカル
ボニル］フェニルオキシウンデカニル＝ジシロキサン０
　、２７２　ｇ　（０、２３ｍ　Ｍ　）を得た。

収率７０．７％、［αコ。”　　＋１．４０°　（ｃ　
　Ｏ，８６゜ＣＨ２ＣＩ！２）転移温度（等吉相）　　　　　　　　　　　　（結晶相）〔実施
例２〕実施例１にて合成した（＋）　−１，１，３，３−テト
ラメチル−１，３−ジー４’　−［４’−（２″’−フ
ルオロオクチルオキシ）−フェニルオキシカルボニル〕
フェニルオキシウンデカニル＝ジシロキサンを１７μｍ
厚のＰＩラビングセルに封入し、７０℃で応答速度を測
定したところ２００μ５ｅｃ（８ｖ／μｍ）だった。

〔実施例３〕（＋）　−１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジ
ー４’　−［４’　−（２”’−フルオロオクチルオキ
シ）−フェニルオキシカルボニル］フェニルオキシウン
デカニル＝ジシロキサン１重量部に対して（＋）−４−
デシルオキシ安息香酸−４′−（２′−フルオロオクチ
ルオキシ）−フェニルエステル９重量部を得たところ、
８３〜５８℃でＳ　ｍ　Ｃ＊相を示した。

〔実施例４〕次の（１）〜（３）の各工程により（＋）　−１゜１、
３．３−テトラメチル−１，３−ジー４−［４’−（２
”’−フルオロオクチルオキシ）−フエニカルボニルオ
キシ］フェニルオキシウンデカニル＝ジシロキサンを合
成した。

（１）ｐ−（１０−ウンデセニル）オキシフェノールの
合成ｌＯ−ウンデセニル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル
２　、６０　ｇ　（８、０２ｍ　Ｍ　）とヒドロキノン
１．７９ｇ（１６、２ｍ　Ｍ　）にブタノール３ｍｌを
加え、よく撹拌した。この溶液に、水銀化ナトリウム０
　、４１　ｇ　（９、７４ｍ　Ｍ　）をブタノール６　
ｍ　ｌで溶かしたものを加え、１１０’Ｃで７時間加熱
還流した。反応終了後、ブタノールを留去し、水を加え
てからエーテルで抽出した。このエーテル抽出液に無水
硫酸ナトリウムを加えて乾燥した後、エーテルを留去し
、カラムクロマトグラフィー（展開溶媒：塩化メチレン
）で分離精製して、ｐ−（１０−ウンデセニル）オキシ
フェノール１　、　ＯＯｇ　（３、８２ｍ　Ｍ　）を得
た。収率４７．６％（２）　（−）　−ｐ　−（２−フ
ルオロオクチルオキシ）安息香酸−ｐ’−（１０−ウン
デセニルオキシ）フェニルエステルの合成（＋）−ｐ−（２−フルオロオクチルオキシ）安息香酸
０　、５４　ｇ　（２、０ｍ　Ｍ　）を塩化チオニル３
　ｍ　ｌと共に、１時間３０分加熱還流した後、未反応
の塩化チオニルを留去して酸塩化物を得た。

次にトリエチレンジアミン０．４５ｇ　（４，０ｍＭ）
を乾燥ベンゼン３ｍｌに溶かした溶液にｐ−（１０−ウ
ンデセニルオキシ）フェノール０　、５２　ｇ　（２、
０ｍ　Ｍ　）を加え、上記の酸塩化物中に撹拌下に滴下
した。

滴下終了後５０℃で２時間加熱した。これに６０％水素
化ナトリウム０．０８ｇ　（２，０ｍＭ）を乾燥ベンゼ
ンと共に加え、さらに２時間加熱還流した。反応終了後
、２Ｍ塩酸で溶液を酸性にし、ベンゼンで抽出した。こ
の抽出液に無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した後、ベ
ンゼンを留去し、カラムクロマトグラフィー（展開溶媒
：ベンゼン）で分離精製し、さらにヘキサン２ｍｌで再
結晶して、（−）−ｐ−（２−フルオロオクチルオキシ
）安息香酸−ｐ’　−（１０−ウンデセニルオキシ）フ
ェニルエステル０．６５ｇ　（１，２７ｍＭ）を得た。

収率６３．５％。

［αコ　、”−４，２７°　（ｃｌ、０３．ベンゼン）
。

（３）　（＋）　−１，１，３，３−テトラメチル−１
゜３−ジー４’　−［４’　−（２”’　−フルオロオ
クチルオキシ）−フェニルカルボニルオキシ］フェニル
オキシウンデカニル＝ジシロキサンの合成（＝）−ｐ−
（２−フルオロクチルオキシ）安息香Ｈ−ｐ’　−（１
０−ウンデセニルオキシ）フェニルエステル０．２５６
　ｇ　（０、５ｍ　Ｍ　）と乾燥トルエン０．５ｍｌを
混ぜ、撹拌しながら塩化白金酸イソプロパツール溶液（
１Ｍ溶液）を３ｍｇ（約０　、　ＯＯ２ｍ　Ｍ　）を加
えた。約３分間撹拌してから、ｌ、　　１．３．　３−
テトラメチルジシロキサン０．０６７ｇ　（０，５ｍＭ
）を加え１００℃で７時間加熱した。さらに（−）−ｐ
−（２−フルオロオクチルオキシ）安息香酸−ｐ’　−
（ｔｏ−ウンデセニルオキシ）フェニルエステル０　、
０８０　ｇ　（０、１６ｍ　Ｍ　）を追加し、１００℃
で４時間加熱した。

反応終了後、生成物をカラムクロマトグラフィー（展開
溶媒：塩化メチレン：ヘキサン＝１　：　１）で分離精
製し、さらにヘキサン３　ｍ　ｌで再結晶して（＋）−
１，！、　３．３−テトラメチル−１，３−ジー４′−
［４’　−（２”’−フルオロオクチルオキシ）−フェ
ニルカルボニルオキシ］フェニルオキシウンデカニル＝
ジシロキサン０　、２３０　ｇ　（０、２ｍ　Ｍ　）を
得た。収率６０．２％［α］　Ｄ”＋２．２１°　（Ｃ
１゜ＣＨ２Ｃｌ２）。

（実施例５〕次の（１）、（２）の工程により１，１，３．３−テト
ラメチル−１，３−ジー４−　［４’　−（３”’−ト
リフルオロメチルへブチルオキシ）−フみルオキシ力ル
ポニル］フェニルオキシウンデカニル＝ジシロキサンを
合成した。

（１）ｐ−（ｔｏ−ウンデセニル）オキシ安息香酸−ｐ
’　−（３−）リフルオロメチルへブチルオキシ）フェ
ニルエステルの合成ｐ−（ｔｏ−ウンデセニル）オキシ安息香酸０．４４ｇ
（１，５ｍＭ）を塩化チオニル２　ｍ　ｌと共に、２時
間加熱還流した後、未反応の塩化チオニルを留去して酸
塩化物を得た。

一方、ｐ　−（３−トリフルオロメチルへブチルオキシ
）フェノール０．４１ｇ　（１，５ｍＭ）に、トリエチ
レンジアミン０．３４ｇ　（３，０ｍＭ）を乾燥ベンゼ
ン３　ｍ　ｌに溶かした溶液を加え、水冷しながら撹拌
した。この溶液に、先に調製した酸塩化物のベンゼン溶
液を滴下した。滴下終了後５０℃で２時間撹拌した後、
これに６０％水素化ナトリウム４０ｍｇを乾燥ベンゼン
と共に加え、さらに２時間加熱還流した。反応終了後、
２Ｍ塩酸で溶液を酸性にし、エーテルで抽出した。この
抽出液に無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した後、溶媒
を留去し、カラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ベン
ゼン）で分離精製し、ｐ−（１０−ウンデセニル）オキ
シ安息香酸−ｐ’　　−（３−）リフルオロメチルへブ
チルオキシ）フェニルエステル０．３８ｇ　（０，７ｍ
Ｍ）を得た。収率４６％。

（２）　１．　　ｌ、　３．　３−テトラメチル−１，
３−ジー４’　　［４’　−（３”’　−トリフルオロ
メチルへブチルオキシ）−フェニルオキシカルボニル］
フェニルオキシウンデカニル＝ジシロキサンの合成ｐ−
（１０−ウンデセニル）オキシ安息香酸−ｐ′−（３−
）リフルオロメチルへブチルオキシ）フェニルエステル
０．１００ｇ　（０，１８ｍＭ）と乾燥トルエン０　、
２　ｍ　ｌを混ぜ、撹拌しながら塩化白金酸イソプロパ
ツール溶液（１Ｍ溶液）を３ｍｇ　（約０．００２ｍＭ
）を加えた。約３分間撹拌してから、１．　１．３．３
−テトラメチルジシロキサン０．０２４ｇ　（０，１８
ｍＭ）を加え１００℃で７時間加熱した。さらにｐ−（
１０−ウンデセニル）オキシ安息香酸−ｐ’　−（３−
トリフルオロメチルへブチルオキシ）フェニルエステル
０　、０２０　ｇ　（０、０３６ｍ　Ｍ　）を追加し、
１００℃で５時間加熱した。

反応終了後、生成物をカラムコロマドグラフィー（展開
溶媒：塩化メチレン：ヘキサン＝１　：　１）で分離精
製し、１．　１．　３．　３−テトラメチル−１゜３−
ジー４’　−［４’　−（３”’−）リフルオロメチル
へブチルオキシ）−フェニルオキシカルボニル］フェニ
ルオキシウンデカニル＝ジシロキサン０．０８０ｇ　（
０，０６５ｍＭ）を得た。収率７２．３％。

〔発明の効果〕

以上のように本発明の液晶性化合物および組成物は広い
温度範囲でＳｍＣ木を有し、かつ高速応答性に優れてい
る。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）下記一般式（ I ）で示される液晶化合物。一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１及びＲ＿２は液晶性残基を示し、Ｒ＿１
及びＲ＿２のうち少なくとも１つは光学活性基をもつ。ｎは１〜１０の整数である。）
（２）前記Ｒ＿１及びＲ＿２が下記一般式（II）で示さ
れる液晶性残基である特許請求の範囲第１項記載の液晶
化合物。一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａはメソーゲン基、Ｂは末端フレキシブル鎖、
Ｃはスペーサフレキシブル鎖である。Ｘ及びＹは結合性
基を示し、Ｑ及びＰは０又は１であり、Ｑ及びＰが１の
ときＸ及びＹはエステル結合基、エーテル結合基、チオ
エステル結合基又はチオエーテル結合基である。）
（３）前記メソーゲン基が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ 及び▲数式、化学式、表等があります▼ からなる群より選択された少なくとも１種の基を有して
いる特許請求の範囲第２項記載の液晶化合物。
（４）前記末端フレキシブル鎖が、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝４〜１４の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝２〜５の整数
）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝１〜１６の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝１〜１８の整
数）及び ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝１〜５の整数
）からなる群より選択された少なくとも１種の基である特
許請求の範囲第２項記載の液晶化合物。
（５）前記スペーサフレキシブル鎖が、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝０〜１８の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１２の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１０の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１０の整
数）及び ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１０の整
数）からなる群より選択された少なくとも１種の基である特
許請求の範囲第２項記載の液晶化合物。
（６）前記液晶化合物がスメクチック相を示す液晶化合
物である特許請求の範囲第１項記載の液晶化合物。
（７）前記液晶化合物がカイラルスメクチック相を示す
液晶化合物である特許請求の範囲第１項記載の液晶化合
物。
（８）末端に不飽和結合基をもつ液晶化合物とシロキサ
ン類とを反応させて下記一般式（ I ）で示される液晶
化合物を製造する方法。一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１及びＲ＿２は、液晶性残基を示し、Ｒ＿
１及びＲ＿２のうち少なくとも１つは光学活性基をもつ
。ｎは１〜１０の整数である。）
（９）前記Ｒ＿１及びＲ＿２が下記一般式（II）で示さ
れる液晶性残基である特許請求の範囲第８項記載の方法
。一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａはメソーゲン基、Ｂは末端フレキシブル鎖、
Ｃはスペーサフレキシブル鎖である。Ｘ及びＹは結合性
基を示し、Ｑ及びＰは０又は１であり、Ｑ及びＰが１の
ときＸ及びＹはエステル結合基、エーテル結合基、チオ
エステル結合基又はチオエーテル結合基である。）
（１０）前記メソーゲン基が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、及び▲数式、化学式、表等があります▼ からなる群より選択された少なくとも１種の基を有して
いる特許請求の範囲第９項記載の方法。
（１１）前記末端フレキシブル鎖が、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝４〜１４の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝２〜５の整数
）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝１〜１６の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝１〜１８の整
数）及び ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝１〜５の整数
）からなる群より選択された少なくとも１種の基である特
許請求の範囲第９項記載の方法。
（１２）前記スペーサフレキシブル鎖が、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝０〜１８の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１２の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１０の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１０の整
数）及び ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１０の整
数）からなる群より選択された少なくとも１種の基である特
許請求の範囲第９項記載の方法。
（１３）下記一般式（ I ）で示される液晶化合物の少
なくとも１種を含有した液晶組成物。一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１及びＲ＿２は、液晶性残基を示し、Ｒ＿
１及びＲ＿２のうち少なくとも１つは光学活性基をもつ
。ｎは１〜１０の整数である。）
（１４）前記Ｒ＿１及びＲ＿２が下記一般式（II）で示
される液晶性残基である特許請求の範囲第１３項記載の
液晶組成物。一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａはメソーゲン基、Ｂは末端フレキシブル鎖、
Ｃはスペーサフレキシブル鎖である。Ｘ及びＹは結合性
基を示し、Ｑ及びＰは０又は１であり、Ｑ及びＰが１の
ときＸ及びＹはエステル結合基、エーテル結合基、チオ
エステル結合基又はチオエーテル結合基である。）
（１５）前記メソーゲン基が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ 及び▲数式、化学式、表等があります▼ からなる群より選択された少なくとも１種の基を有して
いる特許請求の範囲第１４項記載の液晶組成物。
（１６）前記末端フレキシブル鎖が、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝４〜１４の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝２〜５の整数
）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝１〜１６の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝１〜１８の整
数）及び ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ＝１〜５の整数
）からなる群より選択された少なくとも１種の基である特
許請求の範囲第１４項記載の液晶組成物。
（１７）前記スペーサフレキシブル鎖が、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝０〜１８の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１２の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１０の整
数）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１０の整
数）及び ▲数式、化学式、表等があります▼（ｌ＝１〜１０の整
数）からなる群より選択された少なくとも１種の基である特
許請求の範囲第１４項記載の液晶組成物。
（１８）前記液晶化合物がスメクチック相を示す液晶化
合物である特許請求の範囲第１３項記載の液晶組成物。
（１９）前記液晶化合物がカイラルスメクチック相を示
す液晶である特許請求の範囲第１３項記載の液晶組成物
。
（２０）前記液晶化合物の他に、該化合物と相違し、且
つスメクチック相を示す液晶化合物を含有している特許
請求の範囲第１３項記載の液晶組成物。
（２１）前記液晶化合物の他に、該化合物と相違し、且
つカイラルスメクチック液晶を示す液晶化合物を含有し
ている特許請求の範囲第１３項記載の液晶組成物。
（２２）前記液晶組成物がカイラルスメクチック相を示
す組成物である特許請求の範囲第１３項記載の液晶組成
物。