JPH02226770A - 半導体ダイオード - Google Patents
半導体ダイオードInfo
- Publication number
- JPH02226770A JPH02226770A JP4697489A JP4697489A JPH02226770A JP H02226770 A JPH02226770 A JP H02226770A JP 4697489 A JP4697489 A JP 4697489A JP 4697489 A JP4697489 A JP 4697489A JP H02226770 A JPH02226770 A JP H02226770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- schottky
- ohmic electrode
- diode
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ダイオードに関する。
本発明は、半導体ダイオードにおいて、その−方の主面
に接合部を有する半導体基体と、上記接合部の近傍の上
記一方の主面に設けられた第１のオーミック電極と、上
記半導体基体の他方の主面に−設けられた第２のオーミ
ック電極とを具備し、上記第１のオーミック電極と上記
第２のオーミック電極とが電気的に接続される。これに
よって、半導体ダイオードの直列抵抗Ｒ，の低減を図る
ことができる。
に接合部を有する半導体基体と、上記接合部の近傍の上
記一方の主面に設けられた第１のオーミック電極と、上
記半導体基体の他方の主面に−設けられた第２のオーミ
ック電極とを具備し、上記第１のオーミック電極と上記
第２のオーミック電極とが電気的に接続される。これに
よって、半導体ダイオードの直列抵抗Ｒ，の低減を図る
ことができる。
第５図は、高周波用ミキサーダイオードなどとして用い
られる従来のショットキーダイオードを示す、第５図に
示すように、このショットキーダイオードにおいては、
例えばｎ”型の高不純物濃度の半導体基板１０１の一方
の主面に例えばｎ型の低不純物濃度のエピタキシャル層
１０２が形成されている。このエピタキシャル層１０２
上には絶縁膜１０３が形成されており、この絶縁膜１０
３に形成された開口１０３ａを通じてアノードを構成す
るショットキー電極１０４がエピタキシャル層１０２に
コンタクトしている。このショットキー電極１０４とエ
ピタキシャル層１０２とのコンタクト部がショットキー
接合を構成する。符号１０５はパッド電極を示す。また
、符号１０６は半導体基板１０１の他方の主面に形成さ
れたオーミック電極を示し、このオーミック電極１０６
がカソードを構成する。
られる従来のショットキーダイオードを示す、第５図に
示すように、このショットキーダイオードにおいては、
例えばｎ”型の高不純物濃度の半導体基板１０１の一方
の主面に例えばｎ型の低不純物濃度のエピタキシャル層
１０２が形成されている。このエピタキシャル層１０２
上には絶縁膜１０３が形成されており、この絶縁膜１０
３に形成された開口１０３ａを通じてアノードを構成す
るショットキー電極１０４がエピタキシャル層１０２に
コンタクトしている。このショットキー電極１０４とエ
ピタキシャル層１０２とのコンタクト部がショットキー
接合を構成する。符号１０５はパッド電極を示す。また
、符号１０６は半導体基板１０１の他方の主面に形成さ
れたオーミック電極を示し、このオーミック電極１０６
がカソードを構成する。
上述の第５図に示すショットキーダイオードの特性向上
を図るためには、ダイオードの直列抵抗Ｒ３の低減を図
る必要がある。しかし、半導体基板１０１の不純物濃度
を高くすること及びエピタキシャル層１０２の厚さを小
さくすることには限界があるため、直列抵抗Ｒ３はほと
んど半導体基板１０１の抵抗で決定されてしまっていた
。
を図るためには、ダイオードの直列抵抗Ｒ３の低減を図
る必要がある。しかし、半導体基板１０１の不純物濃度
を高くすること及びエピタキシャル層１０２の厚さを小
さくすることには限界があるため、直列抵抗Ｒ３はほと
んど半導体基板１０１の抵抗で決定されてしまっていた
。
従って本発明の目的は、直列抵抗Ｒ１の低減を図ること
ができる半導体ダイオードを提供することにある。
ができる半導体ダイオードを提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明は、半導体ダイオー
ドにおいて、その一方の主面に接合部を有する半導体基
体（１，２）と、接合部の近傍の一方の主面に設けられ
た第１のオーミック電極（３）と、半導体基体（１，２
）の他方の主面に設けられた第２のオーミック電極（８
）とを具備し、第１のオーミック電極（３）と第２のオ
ーミック電極（８）とが電気的に接続される。
ドにおいて、その一方の主面に接合部を有する半導体基
体（１，２）と、接合部の近傍の一方の主面に設けられ
た第１のオーミック電極（３）と、半導体基体（１，２
）の他方の主面に設けられた第２のオーミック電極（８
）とを具備し、第１のオーミック電極（３）と第２のオ
ーミック電極（８）とが電気的に接続される。
上記した手段によれば、接合部の近傍の半導体基体（１
，２）の一方の主面に設けられた第１のオーミック電極
（３）により、半導体ダイオードの直列抵抗Ｒ３の低減
を図ることができる。
，２）の一方の主面に設けられた第１のオーミック電極
（３）により、半導体ダイオードの直列抵抗Ｒ３の低減
を図ることができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。以下の実施例はいずれもショットキーダイオード
に本発明を適用した実施例である。
する。以下の実施例はいずれもショットキーダイオード
に本発明を適用した実施例である。
なお、実施例の全図において、同一部分には同一の符号
を付ける。
を付ける。
皇施■土
第１図及び第２図は本発明の実施例１を示す。
第１図及び第２図に示すように、この実施例！によるシ
ョットキーダイオードにおいては、例えばｎ ”型のヒ
化ガリウム（ＧａＡｓ）基板のような半導体基板ｌの一
方の主面（表面）に例えばｎ型のＧａＡｓエピタキシャ
ル層のようなエピタキシャル層２が形成されている。こ
のエピタキシャル層２上には、後述のショットキー接合
部に対応する部分に開口３ａを有するオーミック電極３
が形成されている。このオーミック電極３の材料として
は、例えば金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ） ／Ａｕを
用いることができる。符号４は絶縁膜を示す、この絶縁
膜４には開口４ａが形成され、この開口４ａを通じてエ
ピタキシャル層２にアノードを構成するショットキー電
極５がコンタクトしている。このショットキー電極５と
エピタキシャル層２とのコンタクト部がショットキー接
合を構成する。このショットキー電極５の材料としては
、例えばタングステン（Ｗ）、アルミニウム（ＡＩ）、
モリブデン（Ｍｏ）などの金属を用いることができる。
ョットキーダイオードにおいては、例えばｎ ”型のヒ
化ガリウム（ＧａＡｓ）基板のような半導体基板ｌの一
方の主面（表面）に例えばｎ型のＧａＡｓエピタキシャ
ル層のようなエピタキシャル層２が形成されている。こ
のエピタキシャル層２上には、後述のショットキー接合
部に対応する部分に開口３ａを有するオーミック電極３
が形成されている。このオーミック電極３の材料として
は、例えば金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ） ／Ａｕを
用いることができる。符号４は絶縁膜を示す、この絶縁
膜４には開口４ａが形成され、この開口４ａを通じてエ
ピタキシャル層２にアノードを構成するショットキー電
極５がコンタクトしている。このショットキー電極５と
エピタキシャル層２とのコンタクト部がショットキー接
合を構成する。このショットキー電極５の材料としては
、例えばタングステン（Ｗ）、アルミニウム（ＡＩ）、
モリブデン（Ｍｏ）などの金属を用いることができる。
符号６７はオーミック金属から成るパッド電極を示す。
このパッド電極６．７の材料としては、例えばチタン（
Ｔｉ）／＾Ｕを用いることができる。
Ｔｉ）／＾Ｕを用いることができる。
上述のパッド電極６及びショットキー電極５は、ワイヤ
ーボンディングを行うために一定以上の面積が必要であ
ることから、オーミック電極３に重なって形成されてお
り、絶縁膜４によりこれらのショットキー電極５及びオ
ーミック電極３間の電気的絶縁が行われている。
ーボンディングを行うために一定以上の面積が必要であ
ることから、オーミック電極３に重なって形成されてお
り、絶縁膜４によりこれらのショットキー電極５及びオ
ーミック電極３間の電気的絶縁が行われている。
半導体基板１の他方の主面（裏面）には、カソードを構
成するオーミック電極８が形成されている。このオーミ
ック電極８は、半導体基板１の表面に形成されたオーミ
ック電極３と電気的に接続される。この電気的接続は半
導体基板１上で行われるか、あるいはダイオードのパッ
ケージにおいて行われる。
成するオーミック電極８が形成されている。このオーミ
ック電極８は、半導体基板１の表面に形成されたオーミ
ック電極３と電気的に接続される。この電気的接続は半
導体基板１上で行われるか、あるいはダイオードのパッ
ケージにおいて行われる。
上述のように構成されたショットキーダイオードにおい
ては、オーミック電極３とオーミック電極８との全体が
カソードを構成している。従って、ダイオードの動作時
においては、ショットキー電極５とこれらのオーミック
電極３．８との間に電流が流れることになる。
ては、オーミック電極３とオーミック電極８との全体が
カソードを構成している。従って、ダイオードの動作時
においては、ショットキー電極５とこれらのオーミック
電極３．８との間に電流が流れることになる。
以上のように、この実施例■によれば、半導体基板１の
裏面に設けられたオーミック電極８とは別にショットキ
ー接合部の近傍のエピタキシャル層２上にオーミック電
極３を設けているので、その分だけダイオードの直列抵
抗Ｒ，の低減を図ることができる。
裏面に設けられたオーミック電極８とは別にショットキ
ー接合部の近傍のエピタキシャル層２上にオーミック電
極３を設けているので、その分だけダイオードの直列抵
抗Ｒ，の低減を図ることができる。
なお、オーミック電極３は低不純物濃度のエピタキシャ
ル層２上に形成されているので、コンタクト抵抗が高い
と考えられるかも知れないが、通常このエピタキシャル
層２の厚さは例えば０．２μｍ程度と小さいので、実際
にはオーミック電極３を形成した後に行われるアロイ処
理によりこのオーミック電極３はｎ〜型の半導体基板１
に直接コンタクトし、このためコンタクト抵抗は十分に
低くすることができる。
ル層２上に形成されているので、コンタクト抵抗が高い
と考えられるかも知れないが、通常このエピタキシャル
層２の厚さは例えば０．２μｍ程度と小さいので、実際
にはオーミック電極３を形成した後に行われるアロイ処
理によりこのオーミック電極３はｎ〜型の半導体基板１
に直接コンタクトし、このためコンタクト抵抗は十分に
低くすることができる。
ス崖斑工
第３図は本発明の実施例■によるショットキーダイオー
ドを示す、このショットキーダイオードの平面形状は、
第１図に示すと同様である。
ドを示す、このショットキーダイオードの平面形状は、
第１図に示すと同様である。
第３図に示すように、この実施例■によるショットキー
ダイオードにおいては、ショットキー接合部及びその近
傍の領域を除いた部分のエピタキシャル層２及び半導体
基板１の表面層がエツチング除去され、この除去部にオ
ーミック電極３が形成されている。
ダイオードにおいては、ショットキー接合部及びその近
傍の領域を除いた部分のエピタキシャル層２及び半導体
基板１の表面層がエツチング除去され、この除去部にオ
ーミック電極３が形成されている。
この実施例■によれば、高不純物濃度の半導体基板１上
に直接オーミック電極３が設けられ、しかもエピタキシ
ャル層２及び半導体基板１のエツチングにより形成され
た凸部の側面にもこのオーミック電極３がコンタクトし
た構造となっているので、ダイオードの直列抵抗Ｒ，の
より一層の低減を図ることができる。
に直接オーミック電極３が設けられ、しかもエピタキシ
ャル層２及び半導体基板１のエツチングにより形成され
た凸部の側面にもこのオーミック電極３がコンタクトし
た構造となっているので、ダイオードの直列抵抗Ｒ，の
より一層の低減を図ることができる。
皇ｌ■ｌ
第４図は本発明の実施例■によるショットキーダイオー
ドを示す、このショットキーダイオードの平面形状は、
第１図に示すと同様である。
ドを示す、このショットキーダイオードの平面形状は、
第１図に示すと同様である。
すでに述べたように、半導体基板の不純物濃度を高くし
ようとしても限界があるのに対し、エピタキシャル層は
より高不純物濃度とすることが可能である。
ようとしても限界があるのに対し、エピタキシャル層は
より高不純物濃度とすることが可能である。
そこで、この実施例■においては、第４図に示すように
、半導体基板１上にこの半導体基板ｌよりも不純物濃度
の高いｎ″“型のエピタキシャル層９をバッファ層とし
て形成し、このエピタキシャル層９上にエピタキシャル
層２を形成している。
、半導体基板１上にこの半導体基板ｌよりも不純物濃度
の高いｎ″“型のエピタキシャル層９をバッファ層とし
て形成し、このエピタキシャル層９上にエピタキシャル
層２を形成している。
このエピタキシャル層９は、ショットキー電極５とオー
ミック電極３との間の導電に有効な厚さとすることがで
き、具体的には例えば１０ａｍ程度の厚さとすることが
できる。
ミック電極３との間の導電に有効な厚さとすることがで
き、具体的には例えば１０ａｍ程度の厚さとすることが
できる。
以上のように、この実施例正によれば、半導体基板１よ
りも高不純物濃度のエピタキシャル層９をこの半導体基
［１上に形成し、このエピタキシャル層９上にショット
キー接合形成用の低不純物濃度のエピタキシャル層２を
形成しているので、実施例■と同様に、ダイオードの直
列抵抗Ｒ１のより一層の低減を°図゛ることができる。
りも高不純物濃度のエピタキシャル層９をこの半導体基
［１上に形成し、このエピタキシャル層９上にショット
キー接合形成用の低不純物濃度のエピタキシャル層２を
形成しているので、実施例■と同様に、ダイオードの直
列抵抗Ｒ１のより一層の低減を°図゛ることができる。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施例■においては、エピタキシャル層
２ばかりでなく半導体基板１の表面層もエツチング除去
しているが、エピタキシャル層２のみエツチング除去し
て半導体基板１の表面を露出させ、この半導体基板１上
にオーミック電極３を形成することによっても同様な効
果を得ることが可能である。また、上述の実施例１〜■
においては、ショットキー電極５をパッド電極６と同一
形状としているが、このようにする必要は必ずしもなく
、例えばショットキー接合を形成すべき部分の近傍のエ
ピタキシャル層２上にのみショットキー電極５を形成す
ることも可能である。さらに、場合によってはショット
キー電極５及びパッド電極６の全体をショットキー金属
で構成することも可能である。
２ばかりでなく半導体基板１の表面層もエツチング除去
しているが、エピタキシャル層２のみエツチング除去し
て半導体基板１の表面を露出させ、この半導体基板１上
にオーミック電極３を形成することによっても同様な効
果を得ることが可能である。また、上述の実施例１〜■
においては、ショットキー電極５をパッド電極６と同一
形状としているが、このようにする必要は必ずしもなく
、例えばショットキー接合を形成すべき部分の近傍のエ
ピタキシャル層２上にのみショットキー電極５を形成す
ることも可能である。さらに、場合によってはショット
キー電極５及びパッド電極６の全体をショットキー金属
で構成することも可能である。
また、上述の実施例１−ＩＩＩはいずれも本発明をショ
ットキーダイオードに適用した実施例であるが、本発明
は、ｐｎ接合ダイオードに適用することも可能である。
ットキーダイオードに適用した実施例であるが、本発明
は、ｐｎ接合ダイオードに適用することも可能である。
シッフ
トキー電極。
本発明は、以上述べたように構成されているので、半導
体ダイオードの直列抵抗Ｒ１の低減を図ることができる
。
体ダイオードの直列抵抗Ｒ１の低減を図ることができる
。
第１図は本発明の実施例Ｉによるショットキーダイオー
ドの要部を示す平面図、第２図は第１図に示すショット
キーダイオードの■−■線に沿っての断面図、第３図は
本発明の実施例■によるショットキーダイオードを示す
断面図、第４図は本発明の実施例■によるショットキー
ダイオードを示す断面図、第５図は従来のショットキー
ダイオードを示す断面図である。
ドの要部を示す平面図、第２図は第１図に示すショット
キーダイオードの■−■線に沿っての断面図、第３図は
本発明の実施例■によるショットキーダイオードを示す
断面図、第４図は本発明の実施例■によるショットキー
ダイオードを示す断面図、第５図は従来のショットキー
ダイオードを示す断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 その一方の主面に接合部を有する半導体基体と、上記接
合部の近傍の上記一方の主面に設けられた第１のオーミ
ック電極と、 上記半導体基体の他方の主面に設けられた第２のオーミ
ック電極とを具備し、 上記第１のオーミック電極と上記第２のオーミック電極
とが電気的に接続されることを特徴とする半導体ダイオ
ード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4697489A JPH02226770A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4697489A JPH02226770A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226770A true JPH02226770A (ja) | 1990-09-10 |
Family
ID=12762219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4697489A Pending JPH02226770A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02226770A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955517A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Nec Corp | 多層金属ショットキー性電極 |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP4697489A patent/JPH02226770A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955517A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Nec Corp | 多層金属ショットキー性電極 |
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