JPH01169026U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例に係る表面研磨装置
の一部切欠き斜視図、第２図は同実施例の洗浄手
段と拭取手段の要部拡大図、第３図は同実施例の
拭取手段でウエハ支持部を拭き取る状態を示す平
面図、第４図は同実施例の半導体ウエハの供給と
、研磨状態を示す一部断面側面図、第５図は従来
例の表面研磨装置の一部切欠き斜視図、第６図は
従来の問題を示す説明図である。 Ｗ……半導体ウエハ、１……回転ステージ、３
……研磨手段、５……ウエハ供給手段、７……ウ
エハ取出手段、１１……ウエハ支持部、２１……
ウエハ清掃手段、２２……洗浄手段、２３……拭
取手段。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 ウエハ支持部を有する回転ステージと、ウエハ
   支持部がウエハ供給位置にきたときに半導体ウエ
   ハを供給するウエハ供給手段と、ウエハ支持部に
   供給されて吸着支持された半導体ウエハの表面を
   研磨する研磨手段と、研磨後の半導体ウエハを吸
   着支持したウエハ支持部がウエハ取出位置にきた
   ときに該半導体ウエハを取り出すウエハ取出手段
   とを備えた表面研磨装置において、 上記ウエハ供給手段によつて半導体ウエハをウ
   エハ支持部に供給する途中で該半導体ウエハ表面
   に清掃ガスを噴射するウエハ清掃手段を設けると
   共に、上記ウエハ取出手段によつて研磨後の半導
   体ウエハが取り出された空のウエハ支持部をウエ
   ハ取出位置からウエハ供給位置に移動する途中で
   洗浄する洗浄手段と、洗浄後に洗浄液を拭き取る
   拭取手段とを設けたことを特徴とする表面研磨装
   置。