JPH01172272A - AlNセラミックの製造方法 - Google Patents
AlNセラミックの製造方法Info
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- JPH01172272A JPH01172272A JP62331053A JP33105387A JPH01172272A JP H01172272 A JPH01172272 A JP H01172272A JP 62331053 A JP62331053 A JP 62331053A JP 33105387 A JP33105387 A JP 33105387A JP H01172272 A JPH01172272 A JP H01172272A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
及業上皇U分!
本発明は、不純物酸素が少なく高熱伝導率に優れたAf
Nセラミックの製造方法に関する。
Nセラミックの製造方法に関する。
五m直
AlNセラミックは主原料たるAlx粉に焼結助剤(粉
体)を添加した焼結原料を焼成して製造される。この焼
結助剤は、AffiN粉の表面に吸着している不純物酸
素と反応して液相を生成し、この液相がAlN焼結体の
AlN結晶中への酸素の固溶を少なくし、熱伝導率を向
上させるという効果がある。この焼結助剤には希土類化
合物、アルカリ土類化合物等が用いられる。
体)を添加した焼結原料を焼成して製造される。この焼
結助剤は、AffiN粉の表面に吸着している不純物酸
素と反応して液相を生成し、この液相がAlN焼結体の
AlN結晶中への酸素の固溶を少なくし、熱伝導率を向
上させるという効果がある。この焼結助剤には希土類化
合物、アルカリ土類化合物等が用いられる。
焼成助剤の添加量については、/l!N粉中の不純物酸
素濃度を分析した値に基づき、前記還元反応により不純
物酸素を除去できる量に定められる。
素濃度を分析した値に基づき、前記還元反応により不純
物酸素を除去できる量に定められる。
ところで、焼成は、前記焼結原料に有機バインダを添加
し、前処理としてこれを大気中または酸素濃度をコント
ロールした窒素雰囲気中で加熱して脱バインダ処理を完
全に行ったのち、N2雰囲気下で焼成してAj!’N焼
結体を得ることにより行なっている。
し、前処理としてこれを大気中または酸素濃度をコント
ロールした窒素雰囲気中で加熱して脱バインダ処理を完
全に行ったのち、N2雰囲気下で焼成してAj!’N焼
結体を得ることにより行なっている。
I <”しよ゛と る。 占
かかる焼成方法による場合、大気中で行なう脱バインダ
処理のときには、焼結原料が酸化され、このため、得ら
れた焼結体中の酸素濃度が高くなって焼結体の熱伝導率
が低いという問題点があった。
処理のときには、焼結原料が酸化され、このため、得ら
れた焼結体中の酸素濃度が高くなって焼結体の熱伝導率
が低いという問題点があった。
また、窒素雰囲気中で完全に脱バインダを行なう場合も
、/INの粉砕を行なう工程でAJN表面の酸化が起こ
り、得られた/IN焼結体中の酸素濃度が高くなって熱
伝導率が低くなるという問題があった。
、/INの粉砕を行なう工程でAJN表面の酸化が起こ
り、得られた/IN焼結体中の酸素濃度が高くなって熱
伝導率が低くなるという問題があった。
本発明はかかる問題点を解決すべくなされたものであり
、高熱伝導率を有するAJNセラミックを製造できる方
法を提供することを目的とする。
、高熱伝導率を有するAJNセラミックを製造できる方
法を提供することを目的とする。
。 占 S るための
本発明にがかるA・INセラミックの製造方法は、Af
Nセラミック用の焼結主原料に焼結助剤を添加してなる
焼結原料に有機バインダを添加したのち成形し、これを
加熱して脱バインダ処理を行ったのち、非酸化雰囲気下
で焼成してAJNセラミックを製造する方法において、
前記脱バインダ後のAlN成形体にCに換算して0.0
5〜1.0wt%残留するように、前記焼結原料に、有
機バインダ、または、炭素若しくは炭素化合物と有機バ
インダを添加ルたのち成形し、これを非酸化性雰囲気ま
たは酸化性雰囲気で脱バインダ処理を行なうことを特徴
とする。
Nセラミック用の焼結主原料に焼結助剤を添加してなる
焼結原料に有機バインダを添加したのち成形し、これを
加熱して脱バインダ処理を行ったのち、非酸化雰囲気下
で焼成してAJNセラミックを製造する方法において、
前記脱バインダ後のAlN成形体にCに換算して0.0
5〜1.0wt%残留するように、前記焼結原料に、有
機バインダ、または、炭素若しくは炭素化合物と有機バ
インダを添加ルたのち成形し、これを非酸化性雰囲気ま
たは酸化性雰囲気で脱バインダ処理を行なうことを特徴
とする。
化−一一里
本発明にあっては、脱バインダ後のAI!N成形体にC
に換算して0.05〜1,0wt%残留するようにして
おり、これを非酸化性雰囲気で焼成する際に不純物酸素
が還元され、得られたAlN焼結体は不純物酸素がない
、あるいはあっても不純物酸素の少ないものとなる。
に換算して0.05〜1,0wt%残留するようにして
おり、これを非酸化性雰囲気で焼成する際に不純物酸素
が還元され、得られたAlN焼結体は不純物酸素がない
、あるいはあっても不純物酸素の少ないものとなる。
実−隻一皿
以下本発明方法を具体的に説明する。
AlNセラミック用の主原料に焼結助剤を添加してなる
焼結原料に、脱バインダ後の成形体にC(炭素)に換算
して0.05〜1.0wt%残留するように、有機バイ
ンダを添加するか、炭素又は炭素化合物と有機バインダ
を添加し、これを非酸化雰囲気または酸化性雰囲気下で
加熱して脱バインダ処理を行ったのち、非酸化雰囲気下
で焼成してAJNセラミックを製造する。
焼結原料に、脱バインダ後の成形体にC(炭素)に換算
して0.05〜1.0wt%残留するように、有機バイ
ンダを添加するか、炭素又は炭素化合物と有機バインダ
を添加し、これを非酸化雰囲気または酸化性雰囲気下で
加熱して脱バインダ処理を行ったのち、非酸化雰囲気下
で焼成してAJNセラミックを製造する。
かかる製造にあっては上記脱バインダ処理を、C(炭素
)に換算して0.05〜1.9wt%残留した状態で行
なうため、焼成原料の酸化が起こることがな(、焼結助
剤と不純物酸素との間で液相を生成し、この液相が排出
されることにより不純物酸素を除去できる。従って、得
られたAlN焼結体は不純物酸素濃度が低く、熱伝導率
が高い。
)に換算して0.05〜1.9wt%残留した状態で行
なうため、焼成原料の酸化が起こることがな(、焼結助
剤と不純物酸素との間で液相を生成し、この液相が排出
されることにより不純物酸素を除去できる。従って、得
られたAlN焼結体は不純物酸素濃度が低く、熱伝導率
が高い。
また、焼結原料に添加した有機バインダ、または、炭素
若しくは炭素化合物と有機バインダは脱バインダ後程で
炭素成分として残り、これが焼成中に焼結原料に吸着し
である不純物酸素を還元する反応を生じて、製造するA
I!Nセラミック中の不純物酸素を下げるので所要量添
加した場合にはAlNセラミック中の不純物酸素をほと
んど皆無とすることができ、高熱伝導率のAβNセラミ
ックを製造できる。
若しくは炭素化合物と有機バインダは脱バインダ後程で
炭素成分として残り、これが焼成中に焼結原料に吸着し
である不純物酸素を還元する反応を生じて、製造するA
I!Nセラミック中の不純物酸素を下げるので所要量添
加した場合にはAlNセラミック中の不純物酸素をほと
んど皆無とすることができ、高熱伝導率のAβNセラミ
ックを製造できる。
さて、脱バインダ後の成形体中の炭素成分の限定理由に
ついては、0,05wt%未溝の己未溝は不純物酸素と
の反応量が少な(、得られたAffiNセラミックの熱
伝導率が低くなり、1wt%を越えるときにはAlNセ
ラミックに炭素成分が多量に残留して熱伝導率を低下さ
せることに依る。
ついては、0,05wt%未溝の己未溝は不純物酸素と
の反応量が少な(、得られたAffiNセラミックの熱
伝導率が低くなり、1wt%を越えるときにはAlNセ
ラミックに炭素成分が多量に残留して熱伝導率を低下さ
せることに依る。
表のうち実施例1.2,3.4は、焼成主原料たるAl
N粉末に焼結助剤としてY2O,を3wt%添加してな
る焼結原料に、0.05wt%。
N粉末に焼結助剤としてY2O,を3wt%添加してな
る焼結原料に、0.05wt%。
Q、1wt%、Q、5wt%、1.9wt%の4レベル
でカーボンブラックを添加した例である。
でカーボンブラックを添加した例である。
焼結原料にカーボンブラックを添加したものに、さらに
有機バインダを添加して整粒し、これを直径:12龍φ
、厚み:4mmtの円板状に、金型を用いて1乃至1.
5トン/ cdlの圧力でプレス成形し、この成形体を
500℃の大気中で脱バインダ処理を行ったのち185
0℃のN2雰囲気°下で5時間焼成して本発明方法によ
る4種のAlNセラミックを得、それぞれについてレー
ザーフラッシュ法(エレクトロニク・セラミクス198
6年11月号 P20記載)により熱伝導率を測定し、
その結果を表に示した。
有機バインダを添加して整粒し、これを直径:12龍φ
、厚み:4mmtの円板状に、金型を用いて1乃至1.
5トン/ cdlの圧力でプレス成形し、この成形体を
500℃の大気中で脱バインダ処理を行ったのち185
0℃のN2雰囲気°下で5時間焼成して本発明方法によ
る4種のAlNセラミックを得、それぞれについてレー
ザーフラッシュ法(エレクトロニク・セラミクス198
6年11月号 P20記載)により熱伝導率を測定し、
その結果を表に示した。
C以下、余白〕
また、この表のうち実施例5.6は、焼成前の炭素量が
0.30wt%と0.20wt%とであり、そのうちカ
ッコ内の0.20wt%分が脱バインダ処理の際にバイ
ンダ中の炭素が残留したもの(残りがカーボンブラック
の添加による)である2種の焼成前の原料を、800℃
のN2雰囲気下で、夫々脱バインダ処理を行ない、他は
前同様として/INセラミックを得た。表には熱伝導率
の測定結果も示している。実施例6はカーボンブラック
を添加せず、脱バインダ処理の際にバインダ中の炭素を
残留させた例である。
0.30wt%と0.20wt%とであり、そのうちカ
ッコ内の0.20wt%分が脱バインダ処理の際にバイ
ンダ中の炭素が残留したもの(残りがカーボンブラック
の添加による)である2種の焼成前の原料を、800℃
のN2雰囲気下で、夫々脱バインダ処理を行ない、他は
前同様として/INセラミックを得た。表には熱伝導率
の測定結果も示している。実施例6はカーボンブラック
を添加せず、脱バインダ処理の際にバインダ中の炭素を
残留させた例である。
なお、比較のために、カーボンブラックを添加せず、ま
た大気中で脱バインダする従来の場合の測定結果(従来
例)と、炭素が限定範囲を外れた焼成前の原料を大気中
で焼成した場合の測定結果(比較例1)とを併せて示し
ている。
た大気中で脱バインダする従来の場合の測定結果(従来
例)と、炭素が限定範囲を外れた焼成前の原料を大気中
で焼成した場合の測定結果(比較例1)とを併せて示し
ている。
この表より理解される如く、本発明による場合には、従
来例に示す熱伝導率の値170W/m・kよりも高い熱
伝導率を有するAlNセラミックを製造できる。また、
炭素量が過多であっても過少であっても、高い熱伝導率
を有するものを製造できない。
来例に示す熱伝導率の値170W/m・kよりも高い熱
伝導率を有するAlNセラミックを製造できる。また、
炭素量が過多であっても過少であっても、高い熱伝導率
を有するものを製造できない。
光皿Ω及来
以上詳述した如く本発明による場合には、脱バインダ処
理における雰囲気が非酸化性雰囲気、酸化性雰囲気に拘
らず成形体中に炭素が残留して焼成中に不純物酸素が還
元されるため、不純物酸素が無い、或いは有っても少な
いAlNセラミックを製造でき、高熱伝導率を有するA
fNセラミックを安定して提供できる優れた効果を奏す
る。
理における雰囲気が非酸化性雰囲気、酸化性雰囲気に拘
らず成形体中に炭素が残留して焼成中に不純物酸素が還
元されるため、不純物酸素が無い、或いは有っても少な
いAlNセラミックを製造でき、高熱伝導率を有するA
fNセラミックを安定して提供できる優れた効果を奏す
る。
特許出願人二株式会社 村田製作所
Claims (1)
- (1)AlNセラミック用の焼結主原料に焼結助剤を添
加してなる焼結原料に有機バインダを添加したのち成形
し、これを加熱して脱バインダ処理を行ったのち、非酸
化雰囲気下で焼成してAlNセラミックを製造する方法
において、 前記脱バインダ後のAlN成形体にCに換算して0.0
5〜1.0wt%残留するように、前記焼結原料に、有
機バインダ、または、炭素若しくは炭素化合物と有機バ
インダを添加したのち成形し、これを非酸化性雰囲気ま
たは酸化性雰囲気で脱バインダ処理を行なうことを特徴
とするAlNセラミックの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331053A JPH01172272A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | AlNセラミックの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331053A JPH01172272A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | AlNセラミックの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01172272A true JPH01172272A (ja) | 1989-07-07 |
Family
ID=18239319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62331053A Pending JPH01172272A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | AlNセラミックの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01172272A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH042663A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JP2006124206A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化アルミニウム脱脂中間体及び焼結体 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62331053A patent/JPH01172272A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH042663A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JP2006124206A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化アルミニウム脱脂中間体及び焼結体 |
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