JPH01173316A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH01173316A JPH01173316A JP62332030A JP33203087A JPH01173316A JP H01173316 A JPH01173316 A JP H01173316A JP 62332030 A JP62332030 A JP 62332030A JP 33203087 A JP33203087 A JP 33203087A JP H01173316 A JPH01173316 A JP H01173316A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic recording
- recording medium
- layer
- magnetic
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録再生に適する強磁性金属薄膜
を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
従来、磁気記録層として広く実用に供されているものは
、ｒ−Ｆｅ２０３． Ｃｏをドープした１−ｙｅ２ｏｓ
＋ＣｒＯ２或いは鉄等の強磁性金属又は合金微小粉末磁
性材料を塩化ビニル、酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹
脂等の有機バインダ中に分散させて、高分子フィルム等
の基板上に塗布乾燥させた塗布型磁性層である。
、ｒ−Ｆｅ２０３． Ｃｏをドープした１−ｙｅ２ｏｓ
＋ＣｒＯ２或いは鉄等の強磁性金属又は合金微小粉末磁
性材料を塩化ビニル、酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹
脂等の有機バインダ中に分散させて、高分子フィルム等
の基板上に塗布乾燥させた塗布型磁性層である。
しかし、かかる塗布型磁性層の飽和磁束密度は上限に近
すいてきており、厚みも均一に薄くできないことから、
短波長記録再生でのＣ／Ｎに限界がでてきたため、この
限界突破のため、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁
気記録媒体の実用化に期待が強まってきている〔アイイ
ーイーイートランザクションズ オン マグネティクス
（工ＥＥＫ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ
ＭＡＧＮＥＴＩＣ８）。
すいてきており、厚みも均一に薄くできないことから、
短波長記録再生でのＣ／Ｎに限界がでてきたため、この
限界突破のため、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁
気記録媒体の実用化に期待が強まってきている〔アイイ
ーイーイートランザクションズ オン マグネティクス
（工ＥＥＫ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ
ＭＡＧＮＥＴＩＣ８）。
マｏ１０ＭＡＧ２１． ＮＯ，３，Ｐ、Ｐ、１２１７間
２２０（１９８５）参照〕。
２２０（１９８５）参照〕。
とりわけ、膜面に垂直な方向に磁化する、いわゆる垂直
磁化膜は原理的にも短波長域での損失が小さいことから
、Ｃｏ −Ｏｒ膜を中心に活発に改良が進められている
。一方、短波長域での損失はスペーシング損失が支配的
であシ、耐久性を改良するだめに、５ｉ０２． ＴｉＣ
，Ｓｉｎ、ムｅ ２０ｓ ＊人ｕ、Ｒｈ。
磁化膜は原理的にも短波長域での損失が小さいことから
、Ｃｏ −Ｏｒ膜を中心に活発に改良が進められている
。一方、短波長域での損失はスペーシング損失が支配的
であシ、耐久性を改良するだめに、５ｉ０２． ＴｉＣ
，Ｓｉｎ、ムｅ ２０ｓ ＊人ｕ、Ｒｈ。
Ｐｄ等の保護層を配する〔特開昭５０−１０４６０２号
公報、特開昭５８−１３０４３７号公報、特開昭５３〜
４０６０５号公報、特開昭５７−１７６６３７号公報等
参照〕ことで、出力低下がおこることから、Ｇｏ −Ｏ
ｒにＧｅ 、 Ｔｉ等を添加する等材料面からの改良と
、製法面からの改良〔例えば、特開昭６２−２０８４１
３号公報、同６２−２１４５２１号公報等参照〕でのＣ
／Ｎ改善が続けられている。
公報、特開昭５８−１３０４３７号公報、特開昭５３〜
４０６０５号公報、特開昭５７−１７６６３７号公報等
参照〕ことで、出力低下がおこることから、Ｇｏ −Ｏ
ｒにＧｅ 、 Ｔｉ等を添加する等材料面からの改良と
、製法面からの改良〔例えば、特開昭６２−２０８４１
３号公報、同６２−２１４５２１号公報等参照〕でのＣ
／Ｎ改善が続けられている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、耐熱性高分子フィルムを用い、十分脱ガ
ス処理し、Ｇｏ −Ｏｒ 、 Ｃｏ−０ｒ−Ｎｂ、Ｇｏ
−Ｏｒ−Ｔｉ。
ス処理し、Ｇｏ −Ｏｒ 、 Ｃｏ−０ｒ−Ｎｂ、Ｇｏ
−Ｏｒ−Ｔｉ。
Ｇｏ −０ｒ−Ｇｅ等の垂直磁化膜をスパッタリング法
。
。
電子ビーム蒸着法等で形成しても、保護膜を２００人程
度に配すると、ピット長が０．３μｍをきると、Ｃ／Ｎ
が不足してくるといった問題がちシ改善が望まれていた
。
度に配すると、ピット長が０．３μｍをきると、Ｃ／Ｎ
が不足してくるといった問題がちシ改善が望まれていた
。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、短波長域
でＣ／Ｈの優れた磁気記録媒体を提供するものである。
でＣ／Ｈの優れた磁気記録媒体を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明の磁気記録媒体は、上記した問題点を解決するだ
め、高分子フィルム上に微粒子溶射層を配し、さらに垂
直磁化膜を配するようにしたものである。
め、高分子フィルム上に微粒子溶射層を配し、さらに垂
直磁化膜を配するようにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、微粒子
が高分子フィルムに一部埋め込まれること。
が高分子フィルムに一部埋め込まれること。
から、垂直磁化膜構成が微視的に不均一になることで生
じてた雑音が改善されるのと、微粒子付着強度が大きく
、結果的に垂直磁化膜の付着強度も大きくなシ、保護膜
を薄くできるので記録波長が短かくなると大きくなるス
ペーシング損失による出力低下を小さくでき、全体でＣ
／Ｎ改善ができることになる。
じてた雑音が改善されるのと、微粒子付着強度が大きく
、結果的に垂直磁化膜の付着強度も大きくなシ、保護膜
を薄くできるので記録波長が短かくなると大きくなるス
ペーシング損失による出力低下を小さくでき、全体でＣ
／Ｎ改善ができることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例の磁気記録
媒体について詳しく説明する。
媒体について詳しく説明する。
図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で、
図中、１はポリエチレンテレフタレート。
図中、１はポリエチレンテレフタレート。
ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリイミド等の高分子フィルムである。
ト、ポリイミド等の高分子フィルムである。
２は微粒子溶射層で、微粒子は一部が高分子フィルムに
埋め込まれた構成になっていて、Ｚｎ 、ＳｉＯ。
埋め込まれた構成になっていて、Ｚｎ 、ＳｉＯ。
ＴｉＯ，Ｎ工、 Ｏｒ等のプラズマ溶射法で形成された
ものが用いられ、微粒子の直径は２００八から６００人
、密度は１〜６０個／（μｍ ）２が好ましい。３は、
Ｇｏ −Ｏｒ 、Ｇｏ−Ｔｉ、 Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ −
Ｗ、 Ｃｏ −Ｍｏ 。
ものが用いられ、微粒子の直径は２００八から６００人
、密度は１〜６０個／（μｍ ）２が好ましい。３は、
Ｇｏ −Ｏｒ 、Ｇｏ−Ｔｉ、 Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ −
Ｗ、 Ｃｏ −Ｍｏ 。
Ｇｏ −０、Ｇｏ −０ｒ−Ｗｂ 、Ｇｏ−Ｏｒ−Ｒｈ
等の垂直磁化膜で、高周波スパッタリング法、電子ビー
ム蒸着法、イオンブレーティング法等で形成される。
等の垂直磁化膜で、高周波スパッタリング法、電子ビー
ム蒸着法、イオンブレーティング法等で形成される。
４は保護潤滑剤層で、プラズマ重合膜、アモルファスカ
ーボン膜、 ５ｉ０２膜、ＢＮ膜等の６０人から３００
人の保護膜と、脂肪酸、パーフルオロポリエーテル、シ
リコーンオイル等の３０人から１００人の潤滑剤層の組
み合わせたものから成るものである。
ーボン膜、 ５ｉ０２膜、ＢＮ膜等の６０人から３００
人の保護膜と、脂肪酸、パーフルオロポリエーテル、シ
リコーンオイル等の３０人から１００人の潤滑剤層の組
み合わせたものから成るものである。
以下、更に具体的に本発明の一実施例について、比較例
との対比で説明する。厚み１０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルムを直径３０７ｍの円筒キャン（２０
’Ｃ水冷式）に沿わせて移動させながら、１．９（Ｔｏ
ｒｒ）のＡｒ中で、２５Ｖ、３０００人のプラズマ溶射
により、Ｔｉ微粒子を溶射し、直径３００へのＴｉ微粒
子を平均５個／（μ ＞２の密度で配した。Ｔｉ微粒子
は平均で、２００人フィルムに埋め込まれた状態で分散
させた。
との対比で説明する。厚み１０μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルムを直径３０７ｍの円筒キャン（２０
’Ｃ水冷式）に沿わせて移動させながら、１．９（Ｔｏ
ｒｒ）のＡｒ中で、２５Ｖ、３０００人のプラズマ溶射
により、Ｔｉ微粒子を溶射し、直径３００へのＴｉ微粒
子を平均５個／（μ ＞２の密度で配した。Ｔｉ微粒子
は平均で、２００人フィルムに埋め込まれた状態で分散
させた。
このフィルムを用いて、高周波スパッタリング法によシ
、Ｇｏ −０ｒ（Ｃｏ ： ７９．８ ｗｔ％）をター
ゲットにして、垂直磁化膜を０．２μｍ形成した。その
上にグラファイトをターゲットにしてＨ２と人ｒの混合
ガスを放電ガスとして用い、１３．５６（Ｍｔ（ｚ）の
高周波でスパッタリングして、ダイアモンド状硬質炭素
薄膜を８０人、デュポン社製のパーフルオロカルボン酸
である”ＫＲｙＴｏｘ １４３ＡＣ”をトリクロロトリ
フルオロエチレン溶液にして塗布乾燥し５０人の潤滑剤
層を配し、８ミリ幅の磁気テープとして準備した。
、Ｇｏ −０ｒ（Ｃｏ ： ７９．８ ｗｔ％）をター
ゲットにして、垂直磁化膜を０．２μｍ形成した。その
上にグラファイトをターゲットにしてＨ２と人ｒの混合
ガスを放電ガスとして用い、１３．５６（Ｍｔ（ｚ）の
高周波でスパッタリングして、ダイアモンド状硬質炭素
薄膜を８０人、デュポン社製のパーフルオロカルボン酸
である”ＫＲｙＴｏｘ １４３ＡＣ”をトリクロロトリ
フルオロエチレン溶液にして塗布乾燥し５０人の潤滑剤
層を配し、８ミリ幅の磁気テープとして準備した。
一方比較例は、ポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１ｏｏへのＳ工０２微粒子を平均３゜個／（μ）
２配しその上に、実施例と同じ条件で、Ｇｏ−１ｒ垂直
磁化膜を０．２μｍ形成し、保護膜はダイアモンド状硬
質炭素薄膜を１７０八、 ” ＫＲｙＴｏｘ１４３ＡＣ
” を６０人配して８ミリ幅の磁気テープに加工したも
のを用いた。両者のテープを改造した８ミリビデオによ
り、ギャップ長。、１２μｍのメタルインギャップ型の
センダストヘッドで、ビット長０．１８μｍの矩形波を
記録し、帯域し２（ＭＨｚ）でのＣ／Ｎとスチル状態で
の出力安定性を比較した。Ｃ／Ｎは実施例の方が比較例
に比べて、３、７ （ｄＢ ）良好で、スチル状態での
出力低下は実施例が−０，３５（ａｍ ）／ｈであり、
比較例の−０，４（ｄＢ）／ｈと比べ殆んどそん色ない
ものであった。
に直径１ｏｏへのＳ工０２微粒子を平均３゜個／（μ）
２配しその上に、実施例と同じ条件で、Ｇｏ−１ｒ垂直
磁化膜を０．２μｍ形成し、保護膜はダイアモンド状硬
質炭素薄膜を１７０八、 ” ＫＲｙＴｏｘ１４３ＡＣ
” を６０人配して８ミリ幅の磁気テープに加工したも
のを用いた。両者のテープを改造した８ミリビデオによ
り、ギャップ長。、１２μｍのメタルインギャップ型の
センダストヘッドで、ビット長０．１８μｍの矩形波を
記録し、帯域し２（ＭＨｚ）でのＣ／Ｎとスチル状態で
の出力安定性を比較した。Ｃ／Ｎは実施例の方が比較例
に比べて、３、７ （ｄＢ ）良好で、スチル状態での
出力低下は実施例が−０，３５（ａｍ ）／ｈであり、
比較例の−０，４（ｄＢ）／ｈと比べ殆んどそん色ない
ものであった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高密度記録再生で優れた
Ｃ／Ｈを与えることができるといっだすぐれた効果があ
る。
Ｃ／Ｈを与えることができるといっだすぐれた効果があ
る。
図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・溶射微
粒子、３・・・・・・垂直磁化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−高林子フィルム 、３−一〜 垂１（磁イど、刀菓
る。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・溶射微
粒子、３・・・・・・垂直磁化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−高林子フィルム 、３−一〜 垂１（磁イど、刀菓
Claims (1)
- 高分子フィルム上に微粒子溶射層を配し、その上に垂直
磁化膜を配したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332030A JPH01173316A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332030A JPH01173316A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173316A true JPH01173316A (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=18250353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62332030A Pending JPH01173316A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01173316A (ja) |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62332030A patent/JPH01173316A/ja active Pending
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