JPH01192108A - コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、誘電体としての絶縁膜、及び電極部としての
導電体をＬＢ法により累積して得たコンデンサの￥Ａ造
方法に関する。

［従来の技術］ 従来、固体電解コンデンサは、アルミニウム、タンタル
などの皮膜形成性金属に陽極酸化皮膜を形成した陽極と
、その表面に二酸化マンガンや、７．７，８．８−テト
ラシアノキノジメタン電荷移動錯体（以下ＴＣＮＱ錯体
という）などの固体電解質層を形成し、この上にざらに
金属層を形成して陰極を構成したり、または陽極酸化皮
膜上に直接二酸化マンガンや、ＴＣＮＱ鏡体、及び金属
層を真空蒸着やスパッタリングなどで形成して陰極を構
成したりして製造していた。

しかしながら、熱分解によって二酸化マンガンを形成す
る方法は、陽極酸化皮膜が劣化しやすく、また、ＴＣＮ
Ｑ錯体の溶融含浸または塗布は、錯体自身の熱安定性が
不十分で劣化しやすく、ざらに、真空蒸着法はこれら自
体の皮膜修復性の低さと相俟って、ショート、或いは絶
縁不良を起こし易い問題点があった。

一方、プラスチックフィルムを誘電体とするフィルムコ
ンデンサは、ポリエステルやポリプロピレンなどのフィ
ルムの表面に°電極として金属を蒸着し、この金属箔の
表面に、誘電体として有機高分子膜を電解重合、溶液塗
布、スパッタリングなどで形成していた。

しかしながら、有機フィルムに金属を蒸着する方法は、
フィルムが厚くなってしまい、コンデンサの大型化につ
ながる上、また、ピンホールなど−が生じ易いという欠
陥があるため、小型、大容量のものを形成し難いという
問題があった。また、金属箔上に電解重合、溶液塗布、
スパッタリングなどで誘電体を形成する方法は、不均質
で厚くなり易く、小型化や安定した特性の確保が困難で
あった。

以上のような各方法に対し、ざらに、最近では、ＬＢ法
と称し、一方の電極となる金属箔を基体として、この基
体上に、水画上に展開した有機物単分子膜を累積して誘
電体とするコンデンサも提案されている。この１８法を
用いた場合、均質で薄い誘電体を形成できるという長所
を有する反面、基体表面の凹凸や、基体表面に付着した
不純物や塵埃などにより、形成された単分子膜の破損、
ピンホール、剥離、局所反転等を生じ、累積効率が低下
すると共に、静電容量のばらつきが大きく、耐電圧が低
下するなどの特性低下を生じ易い欠点を有していた。

［発明が解決しようとする課題］ 上述したように、１８法によって誘電体及び電極を形成
したコンデンサでは、有機物単分子膜を累積する基体表
面の平滑度や付着異物などにより、形成した単分子膜の
破損や、それに伴う特性の低下などの問題点を生じてい
た。

本発明は、このようなＬＢ法における欠点を除去し、特
性及び累積効率に優れたコンデンサの製造方法を提供す
ることを目的としている。

［課題を解決するための手段］ 本発明によるコンデンサの製造方法は、ＬＢ法による単
分子累積膜の形成に際し、一方の電極となり、且つ累積
の基体とされる金属箔を、予め電解研磨した後に、単分
子膜を累積することを構成の特徴としている。

［作用］ 以上のような構成を有する本発明においては、電解研磨
によって、基体である金属箔の表面に付着している不純
物や塵埃、及び表面の凹凸を電気化学的に除去できるた
め、その表面を平滑且つ正常にした状態で単分子膜を形
成できる。従って、基体である金属箔の表面の不純物や
塵埃、凹凸などを原因とした単分子膜の破損、ピンホー
ル、剥離、局所反転等の問題を解消して、累積効率を向
上でき、静電容量のばらつきが少なく、耐電圧の高い、
優れた特性のコンデンサを提供できる。

［実施例］ 進んで、以上説明したような、本発明によるコンデンサ
の製造方法を具体的に説明する。なお、本発明において
、一方の電極となり、且つ基体として使用する電極箔と
しては、アルミニウム、ニッケル、ステンレス鋼などを
使用することができるが、以下には、純度９９．９９８
％、厚さ１００μｍのアルミニウム箔を基体とした実施
例について説明する。

まず、電解研磨工程においては、アルミニウム箔を電解
液中に垂直に浸漬し、冷却装置を備えたアルミニウム容
器を陰極として通電を行い、一定時間電解する。具体的
には、過塩素酸７００ｒｌ、硫１２００ｍ１、クロム酸
７５ｃｘ、水１００ｍｆｆ１から成る電解液を使用し、
電圧５０Ｖ、電流密度１００Ａ／ｄｍ２　、液温度７０
℃にて３０秒間通電し、電解研磨する。この後、流水洗
及び純水洗を行い、アルミニウム箔を屹燥させる。

次に、電解研磨されたアルミニウム箔を基体として、ア
ラキシン酸カドミウム単分子膜を５０層累積し、さらに
最上層に金を真空蒸着して対向電極を形成し、コンデン
サを得る。

第１図は、以上のようにして製造した本実施例によるコ
ンデンサと、従来の１８法、即ち、純度９９．９９８％
、厚さ１００μｍのアルミニウム箔を電解研磨すること
なくそのまま基体として、アラキシン酸カドミウム単分
子膜を５０層累積し、ざらに最上層に金を真空蒸着して
対向電極を形成して製造した、従来コンデンサとにおけ
る印加電圧と漏れ電流との関係を示すグラフであり、曲
線Ａは本実施例によるコンデンサの特性、曲線Ｂは従来
方法によるコンデンサの特性をそれぞれ示している。

この第１図からも明らかなように、従来例Ｂの漏れ電流
は、０．５Ｖ程度の印加電圧で早くも１０　’Ａを越え
、印加電圧２■では１Ｏ−４Ａにもなり、それ以上の電
圧では、１０　　Ａから１０−３以上と一桁も違う程の
大きなばらつきを示しながら、増加している。それに比
べ、本実施例Ａの漏れ電流は、１．５Ｖ程度から５Ｖ程
度に至る範囲の印加電圧でほぼ１Ｏ−５Ａと、ばらつき
のほとんどない安定した低い漏れ電流を保っており、耐
電圧が大幅に向上している。

なお、本発明において、電解研磨の条件は、前記実施例
に限定されず、適宜変更可能である。また、一方の電極
兼基体として使用する金属箔は、アルミニウム箔に限定
されず、例えば銅、ニッケル、ステンレス鋼など他の金
属箔を使用でき、電解液組成その他の電解研磨条件も、
金属に応じてそれぞれ適宜選定可能であり、いずれの場
合にも、前記実施例と同様漏れ電流が小さく安定・した
耐電圧を得られる。

一方、基体となる電極の対向電極は、アルミニウム、タ
ンタル、ニッケルなどを真空蒸着して形成したり、テト
ラチオフルバレン・オクタデシルＴＣＮＱ錯体などの導
電性ＬＢ膜を形成し、ざらに導電性ペーストで外部導出
電極としてもよい。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の製造方法によれば、基体
とする金属箔を予め電解研磨するという簡単な構成の改
良により、従来の方法に比べて、累積効率が良く、漏れ
電流やそのばらつきが小さく、耐電圧が高いような、特
性の優れたコンデンサを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法によって製造したコンデンサと従
来方法によって製造したコンデンサとの特性を比較して
示すグラフである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一方の電極となる金属箔を基体とし、この基体上に、水
   面上に展開した有機物単分子膜を累積して誘電体とする
   、ＬＢ法によるコンデンサの製造方法において、 前記基体とされる金属箔を、予め電解研磨してから、単
   分子膜を累積することを特徴とするコンデンサの製造方
   法。