JPH0266924A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH0266924A JPH0266924A JP63219058A JP21905888A JPH0266924A JP H0266924 A JPH0266924 A JP H0266924A JP 63219058 A JP63219058 A JP 63219058A JP 21905888 A JP21905888 A JP 21905888A JP H0266924 A JPH0266924 A JP H0266924A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は小型大容量化に適した固体電解コンデンサの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
従来の技術
最近電子機器のデジタル化にともなって、そこに使用さ
れるコンデンサも高周波領域においてインピーダンスが
低く、小型大容量化したものへの要求が高まっている。
れるコンデンサも高周波領域においてインピーダンスが
低く、小型大容量化したものへの要求が高まっている。
従来、高周波積載用のコンデンサとしてはプラスチック
フィルムコンデンサ。
フィルムコンデンサ。
マイカコンデンサ、積層セラミックコンデンサなどが用
いられている。またその・池にアルミニウム乾式電解コ
ンデンサやアルミニウムまたはタンタル固体電解コンデ
ンサなどがある。アルミニウム乾式電解コンデンサでは
、エツチングを施した陽・陰極アルミニウム箔をセパレ
ータを介して巻取り。
いられている。またその・池にアルミニウム乾式電解コ
ンデンサやアルミニウムまたはタンタル固体電解コンデ
ンサなどがある。アルミニウム乾式電解コンデンサでは
、エツチングを施した陽・陰極アルミニウム箔をセパレ
ータを介して巻取り。
液状の電解質を用いている。また、アルミニウムやタン
タル固体電解コンデンサでは前記アルミニウム乾式電解
コンデンサの特性改良のだめ電解質の固体化がなされて
いる。この固体電解質形成には硝1酸マンガン液に陽極
体を浸漬し、250−350°C前後の高温炉中にて弟
分解し、二酸化マンガン層ヲツくル。このコンデンサの
場合、電解質が固体のために高温における電解質の流出
、低温域での凝固から生じる機能低下などの欠截がなく
、液状電解質と比べて良好な周波数特性、温度特性を示
す。また、アルミ電解コンデンサはタンタル電解コンデ
ンサと同、条誘電体となる化成皮膜を非常に薄くできる
ために大容量を実現できる。
タル固体電解コンデンサでは前記アルミニウム乾式電解
コンデンサの特性改良のだめ電解質の固体化がなされて
いる。この固体電解質形成には硝1酸マンガン液に陽極
体を浸漬し、250−350°C前後の高温炉中にて弟
分解し、二酸化マンガン層ヲツくル。このコンデンサの
場合、電解質が固体のために高温における電解質の流出
、低温域での凝固から生じる機能低下などの欠截がなく
、液状電解質と比べて良好な周波数特性、温度特性を示
す。また、アルミ電解コンデンサはタンタル電解コンデ
ンサと同、条誘電体となる化成皮膜を非常に薄くできる
ために大容量を実現できる。
まだ、近年では乙乙8.8−テトラシアノキノジメタン
(以下TCNQと略す)塩等の有機半導体を固体電解質
として用いた固体電解コンデンサが開発されている。
(以下TCNQと略す)塩等の有機半導体を固体電解質
として用いた固体電解コンデンサが開発されている。
さらに固体電解質の高電導度化のため(/′Cビロール
、チオフェン、フランなどの重合膜モノマーを電解重合
させて導電性高分子とし、これを固体電解質とする方法
が提案されている。
、チオフェン、フランなどの重合膜モノマーを電解重合
させて導電性高分子とし、これを固体電解質とする方法
が提案されている。
発明が解決しようとする課題
導電性高分子て関しては、その電導度がおよそ1〜10
03−z−’のものを用いてコンデンサを構成すること
が可能であり、固体のメリットを活かした高周波領域で
良好な周波数特性および広範囲での温度特性を実現する
ことが可能となる。電解重合反応では、モノマーの電I
Ma化という反応過程により、誘電体となる化成皮膜上
へ皮膜を破壊せずに重合膜をつけることが必要である。
03−z−’のものを用いてコンデンサを構成すること
が可能であり、固体のメリットを活かした高周波領域で
良好な周波数特性および広範囲での温度特性を実現する
ことが可能となる。電解重合反応では、モノマーの電I
Ma化という反応過程により、誘電体となる化成皮膜上
へ皮膜を破壊せずに重合膜をつけることが必要である。
この方法として、特開昭62−185313号公報で化
成皮膜の一部に導電性物質を重合の開始点として設は化
成皮膜上に析出・生長させる方法が考案されている。特
開昭62−165313号公報の実施例では、ポリエス
テルフィルムの上に金属を蒸着した導電フィルムを化成
皮膜の外周部(化成皮膜の全面、積の0.001〜50
%)に設け、そこを重合の開始点として電解重合を行う
という方法である。しかしながらこの方法では導電性物
質のごく近傍ては電解重合膜が生長するが、化成皮膜を
大面積にした場合には化成皮膜上全体に電解重合1摸を
生長させることができないという欠点があった。また、
化成皮膜上全体に導電性物質として金属粉やグラファイ
トなどの亀導変の高いものを直接使用した場合にはショ
ートしてしまうなどの問但点があった。
成皮膜の一部に導電性物質を重合の開始点として設は化
成皮膜上に析出・生長させる方法が考案されている。特
開昭62−165313号公報の実施例では、ポリエス
テルフィルムの上に金属を蒸着した導電フィルムを化成
皮膜の外周部(化成皮膜の全面、積の0.001〜50
%)に設け、そこを重合の開始点として電解重合を行う
という方法である。しかしながらこの方法では導電性物
質のごく近傍ては電解重合膜が生長するが、化成皮膜を
大面積にした場合には化成皮膜上全体に電解重合1摸を
生長させることができないという欠点があった。また、
化成皮膜上全体に導電性物質として金属粉やグラファイ
トなどの亀導変の高いものを直接使用した場合にはショ
ートしてしまうなどの問但点があった。
また、化成皮膜を形成する前に、電解重合膜を弁金属上
につけて、その後、化成液中で腸蓮化成により化成皮膜
を形成することができるが、この場合電解重合膜を介し
て化成反応を行うことになるので、電、解重合膜の変質
をきたしたり、弁金属との付着性の低下を生じていた。
につけて、その後、化成液中で腸蓮化成により化成皮膜
を形成することができるが、この場合電解重合膜を介し
て化成反応を行うことになるので、電、解重合膜の変質
をきたしたり、弁金属との付着性の低下を生じていた。
従ってこれらの方法によって大容量のコンデンサを提供
することは困遍であった。
することは困遍であった。
本発明・はこのような間頓点を解決するもので。
電解重合高分子固体電解コンデンサの製造において、コ
ンデンサの誘電体となる化成皮膜上の陰極を取り出す部
分全体に効果的に電解重合導電性高分子を生長させるこ
とを可能とし、高周波領域で良好な周波数特性および広
範囲での温度特性を実現する大容量電解コンデンサを提
供するものである。
ンデンサの誘電体となる化成皮膜上の陰極を取り出す部
分全体に効果的に電解重合導電性高分子を生長させるこ
とを可能とし、高周波領域で良好な周波数特性および広
範囲での温度特性を実現する大容量電解コンデンサを提
供するものである。
課題を解決するだめの手段
このような従来の間頑点を解決するために本発明、ハ、
弁金属よシなる陽極体の表面に陽極化成皮膜を形成し、
その後、前記陽極化成皮膜上の陰極を取り出す部分全体
に、TCNQ塩からなる有機半導体を島状または層状に
均一に付着させ、さらに前記有機半導体知接触して配置
された電極を少なくとも一つ以上用いて水溶液系の重合
液中で前記陽1玉化成皮膜とに、導電性高分子膜を電解
重合だより形成させるものである。
弁金属よシなる陽極体の表面に陽極化成皮膜を形成し、
その後、前記陽極化成皮膜上の陰極を取り出す部分全体
に、TCNQ塩からなる有機半導体を島状または層状に
均一に付着させ、さらに前記有機半導体知接触して配置
された電極を少なくとも一つ以上用いて水溶液系の重合
液中で前記陽1玉化成皮膜とに、導電性高分子膜を電解
重合だより形成させるものである。
作用
このような本発明の方法によれば、電解重合高分子固体
電解コンデンサの製造において、コンデンサの誘電体と
なる化成皮膜上の陰極を取り出す部分全体に、TONQ
塩からなる有機半導体を島状または層状に均一て付着さ
せた後、前記有機半導体層に妾触して配置した電極から
水溶液系の重合液を用いて一旦電解重合反応を開始する
と、そこを起点に重合体が前記有機半導体上の表面全体
だ生長することをみいだし、この現象を利用したもので
、この方法を用いて効果的に電解重合導電性高分子を化
成皮膜上に生長させることが可能となり、高周波領域で
良好な周波数特性および広範囲での温・W特注を実現す
る大容量電解コンデンサを虎供することが可能となる。
電解コンデンサの製造において、コンデンサの誘電体と
なる化成皮膜上の陰極を取り出す部分全体に、TONQ
塩からなる有機半導体を島状または層状に均一て付着さ
せた後、前記有機半導体層に妾触して配置した電極から
水溶液系の重合液を用いて一旦電解重合反応を開始する
と、そこを起点に重合体が前記有機半導体上の表面全体
だ生長することをみいだし、この現象を利用したもので
、この方法を用いて効果的に電解重合導電性高分子を化
成皮膜上に生長させることが可能となり、高周波領域で
良好な周波数特性および広範囲での温・W特注を実現す
る大容量電解コンデンサを虎供することが可能となる。
実施例
μ下、木発明の一実施例について図面を用いて説明する
。
。
塩酸などで電解エツチングされたアルミニウム箔からな
る陽画像1の一部に陽極引出しリード線2を溶接し、ア
ジピン酸アンモニウム等の水溶液中で化成反応を行った
後、イソアミルイソキノリニウム(エムmIQ) やイ
ソブチルインキノリニウム(IBuIQ)などをドナー
とする高電導度のTOitulをアセトニトリルやエタ
ノ−/Vなどの有機溶媒に溶解した飽和溶液に、さらに
10重量部のTCNQ塩を加えた過飽和溶液を調製し、
この液中に陽極体1を浸漬した後、減圧下で1時間放置
して溶媒を蒸発させ、鴫極化成皮膜3上にTCNQ塩の
有機半導体層4を形成した。この有機半導体層4は有機
溶媒中では溶解してしまうが、水溶液中ではほとんど溶
解せずに導電性の結晶状で陽極体1に付着したままであ
る。
る陽画像1の一部に陽極引出しリード線2を溶接し、ア
ジピン酸アンモニウム等の水溶液中で化成反応を行った
後、イソアミルイソキノリニウム(エムmIQ) やイ
ソブチルインキノリニウム(IBuIQ)などをドナー
とする高電導度のTOitulをアセトニトリルやエタ
ノ−/Vなどの有機溶媒に溶解した飽和溶液に、さらに
10重量部のTCNQ塩を加えた過飽和溶液を調製し、
この液中に陽極体1を浸漬した後、減圧下で1時間放置
して溶媒を蒸発させ、鴫極化成皮膜3上にTCNQ塩の
有機半導体層4を形成した。この有機半導体層4は有機
溶媒中では溶解してしまうが、水溶液中ではほとんど溶
解せずに導電性の結晶状で陽極体1に付着したままであ
る。
次に第1図に示すような電、解重合槽を使用し、重合液
6としては、モノマーにピロー/L’0.5mo7?/
1. 支持電解質にポリスチレンスルホンサンナトリウ
ム塩0.1mol/lを用いて水溶液を調製した。次に
陽極体1を重合液6中に固定し、φ0.2のアルミニウ
ム棒からなる補助陽極6を重合液5中でTCNQ塩の有
機半導体層4に軽く接触させる。このアルミニウム棒の
先端は丸くて有機半導体層4との接触面積は0.2−
以下である。
6としては、モノマーにピロー/L’0.5mo7?/
1. 支持電解質にポリスチレンスルホンサンナトリウ
ム塩0.1mol/lを用いて水溶液を調製した。次に
陽極体1を重合液6中に固定し、φ0.2のアルミニウ
ム棒からなる補助陽極6を重合液5中でTCNQ塩の有
機半導体層4に軽く接触させる。このアルミニウム棒の
先端は丸くて有機半導体層4との接触面積は0.2−
以下である。
このアルミニウム棒を補助陽極6とするのに対し補助陰
極7には厚さ100μmのアルミニウム箔を使用した。
極7には厚さ100μmのアルミニウム箔を使用した。
この様な構成で補助陰極6と補助陰至−7の間に6vの
定電圧を印加すると、すぐに重合液6中にある補助陽極
6であるアルミニウム棒の表面全体に導電性高分子膜8
が形成する。その後も電圧を印加し続けると、導電性高
分子膜8が半導体層4上ても形成し次第に生長し、10
〜30分後には1.12C711の導電性高分子膜8が
形成した。
定電圧を印加すると、すぐに重合液6中にある補助陽極
6であるアルミニウム棒の表面全体に導電性高分子膜8
が形成する。その後も電圧を印加し続けると、導電性高
分子膜8が半導体層4上ても形成し次第に生長し、10
〜30分後には1.12C711の導電性高分子膜8が
形成した。
次に第2図て示すように導電性高分子膜8上にグラファ
イト層9を塗り、その上に導電層1oとして銀ペイント
を塗り陰極リード11を取り出す。
イト層9を塗り、その上に導電層1oとして銀ペイント
を塗り陰極リード11を取り出す。
そしてエボキン樹脂12で外装することによりコンデン
、すを作成した。
、すを作成した。
以上のような方法で作成した固体電解コンデンサの諸特
性を測定し第1表に示しだ。
性を測定し第1表に示しだ。
第1表
今回使用したアルミニウム曝極箔の液中容量は16.1
μF であったので容酸達成率は79.6〜82.0に
になる。さらに高間波の1M−でのインピーダンスが非
常に低い比較的大容量の高性能コンデンサを得ることが
できた。
μF であったので容酸達成率は79.6〜82.0に
になる。さらに高間波の1M−でのインピーダンスが非
常に低い比較的大容量の高性能コンデンサを得ることが
できた。
本実施例では、導電性高分子のモノマーとしてピロール
、支持電解質としてポリスチレンスルホンサンナl−I
Jウム塩を用いて電解重合膜を形成する例で示したが、
この他にチオフェン、フランやアニリンまたはそれらの
誘導体をモノマーに用い他の支持電解質を使用した水溶
液系の重合液を用いて電解重合1摸を形成してもかまわ
ない。
、支持電解質としてポリスチレンスルホンサンナl−I
Jウム塩を用いて電解重合膜を形成する例で示したが、
この他にチオフェン、フランやアニリンまたはそれらの
誘導体をモノマーに用い他の支持電解質を使用した水溶
液系の重合液を用いて電解重合1摸を形成してもかまわ
ない。
また電屏重合漕の補助陰極および補助陰極・:はアルミ
ニウムを使用した例で示しだがステンレス、鉄、ニッケ
ル等の金属であってもその効果は変わらない。
ニウムを使用した例で示しだがステンレス、鉄、ニッケ
ル等の金属であってもその効果は変わらない。
また、有機半導体層の形成方法を、過飽和のTCNQ塩
溶液に!極体を浸せきする方法で説明したが、例えばT
OにQを溶融して陽極体表面に付着させる等の方法であ
ってもよく、方法を限定するものではない。
溶液に!極体を浸せきする方法で説明したが、例えばT
OにQを溶融して陽極体表面に付着させる等の方法であ
ってもよく、方法を限定するものではない。
発明の効果
本発明によれば、電解重合高分子固体電解コンデンサの
製造において、コンデンサの誘電体となる化戎皮膜上の
陰極を取り出す部分全体に、TONQ塩からなる有機半
導体を島状または層状に均一に付着させたのち、前記有
機半導体層に接触して配置した電極から水溶液系の重合
液を用いて−旦電解重合反応を開始すると、そこを起点
に重合体が前記有機半導体上の表面全体に生長すること
となり、この方法を用いて効果的に電解重合導電性高分
子を化戎皮、漢上に生長させることが可能となり、高周
波須域で良好な周波数特性および広範囲での@変時性を
実現する大容量電解コンデンサを提供することが可能と
なりその効果は大きい。
製造において、コンデンサの誘電体となる化戎皮膜上の
陰極を取り出す部分全体に、TONQ塩からなる有機半
導体を島状または層状に均一に付着させたのち、前記有
機半導体層に接触して配置した電極から水溶液系の重合
液を用いて−旦電解重合反応を開始すると、そこを起点
に重合体が前記有機半導体上の表面全体に生長すること
となり、この方法を用いて効果的に電解重合導電性高分
子を化戎皮、漢上に生長させることが可能となり、高周
波須域で良好な周波数特性および広範囲での@変時性を
実現する大容量電解コンデンサを提供することが可能と
なりその効果は大きい。
第1図は本発明の一実施例における電解重合槽の構成を
示す断面図、第2図は同実施例により得られた固体電解
コンデンサの概略断面図である。 1・・・・・陽極体、2・・・・・・陽至引出しリード
線。 3・・・・・・陽極化成皮膜、4・・・・・・有機半導
体層、5・・・・・・重合液、6・・・・・・補助陽極
、7・・・・・補助陰極、8・・・・導電性高分子膜、
9・・・・・・グラファイト層。 10・・・・・導電層、11・・・・・・陰極リード線
、12・・・・・エポキシ樹脂。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名標功
腸腫 / 7粘U θ埠電柱高分子護
示す断面図、第2図は同実施例により得られた固体電解
コンデンサの概略断面図である。 1・・・・・陽極体、2・・・・・・陽至引出しリード
線。 3・・・・・・陽極化成皮膜、4・・・・・・有機半導
体層、5・・・・・・重合液、6・・・・・・補助陽極
、7・・・・・補助陰極、8・・・・導電性高分子膜、
9・・・・・・グラファイト層。 10・・・・・導電層、11・・・・・・陰極リード線
、12・・・・・エポキシ樹脂。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名標功
腸腫 / 7粘U θ埠電柱高分子護
Claims (3)
- (1)弁金属よりなる陽極体の表面に陽極化成皮膜を形
成し、その後、前記陽極化成皮膜上の陰極を取り出す部
分全体に、有機半導体を島状または層状に均一に付着さ
せ、さらに前記半導体に接触して配置された電極を少な
くとも一つ以上用いて前記陽極化成皮膜上に導電性高分
子膜を電解重合により形成させることを特徴とする固体
電解コンデンサの製造方法。 - (2)有機半導体が7,7,8,8−テトラシアノキノ
ジメタンをアクセプターとする電荷移動錯体である請求
項1記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - (3)電解重合に水溶液系の重合液を用いることを特徴
とする請求項1記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219058A JP2668975B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219058A JP2668975B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266924A true JPH0266924A (ja) | 1990-03-07 |
| JP2668975B2 JP2668975B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=16729608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63219058A Expired - Lifetime JP2668975B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2668975B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156520A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Marcon Electron Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| US5176609A (en) * | 1984-05-22 | 1993-01-05 | Highland Supply Corporation | Apparatus and method using air pressure and vacuum to form flat-paneled flower pot cover |
| US5286246A (en) * | 1984-05-22 | 1994-02-15 | Highland Supply Corporation | Apparatus and method using air pressure and vacuum to form flat-paneled flower pot cover |
| US5568867A (en) * | 1992-10-05 | 1996-10-29 | Ranpak Corp. | Paper cushioning product |
| US5725468A (en) * | 1991-12-10 | 1998-03-10 | Southpac Trust International, Inc. | Apparatus and method using vacuum to form a flat-paneled flower pot or flower pot cover |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP63219058A patent/JP2668975B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5176609A (en) * | 1984-05-22 | 1993-01-05 | Highland Supply Corporation | Apparatus and method using air pressure and vacuum to form flat-paneled flower pot cover |
| US5286246A (en) * | 1984-05-22 | 1994-02-15 | Highland Supply Corporation | Apparatus and method using air pressure and vacuum to form flat-paneled flower pot cover |
| JPH02156520A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Marcon Electron Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| US5725468A (en) * | 1991-12-10 | 1998-03-10 | Southpac Trust International, Inc. | Apparatus and method using vacuum to form a flat-paneled flower pot or flower pot cover |
| US5568867A (en) * | 1992-10-05 | 1996-10-29 | Ranpak Corp. | Paper cushioning product |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2668975B2 (ja) | 1997-10-27 |
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