JPH0119267B2 - - Google Patents
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- JPH0119267B2 JPH0119267B2 JP57228951A JP22895182A JPH0119267B2 JP H0119267 B2 JPH0119267 B2 JP H0119267B2 JP 57228951 A JP57228951 A JP 57228951A JP 22895182 A JP22895182 A JP 22895182A JP H0119267 B2 JPH0119267 B2 JP H0119267B2
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電性接着剤を用い、比較的低温雰
囲気中で、集積回路(以下、ICと略す)の接地
を直接回路基板に落とす、回路ブロツクのダイア
タツチ方法に関する。
囲気中で、集積回路(以下、ICと略す)の接地
を直接回路基板に落とす、回路ブロツクのダイア
タツチ方法に関する。
従来の導電性接着剤を用いるダイアタツチは、
第1図に示す様に、単純に、回路基板1上の接地
パターン2に導電性接着剤3を塗布し、その上に
IC4を搭載し、接着、乾燥を行ない、該ICの接
地を、該接地パターンに落とす方法をとつてい
た。
第1図に示す様に、単純に、回路基板1上の接地
パターン2に導電性接着剤3を塗布し、その上に
IC4を搭載し、接着、乾燥を行ない、該ICの接
地を、該接地パターンに落とす方法をとつてい
た。
しかし、前述の従来技術では、
(1) 導電接着剤による導通を確実に行なう為に
は、150゜程度の高温雰囲気中の乾燥を行なわな
ければならず、高温を嫌うICや回路基板には
使用できない。
は、150゜程度の高温雰囲気中の乾燥を行なわな
ければならず、高温を嫌うICや回路基板には
使用できない。
つまり、導電性接着剤は、高温雰囲気中で乾
燥させないと接着力が弱く、第2図に示す様
に、回路基板1とIC4間に封止用樹脂5が侵
入し、パターン2とIC4間の導通をオープン
させてしまう。
燥させないと接着力が弱く、第2図に示す様
に、回路基板1とIC4間に封止用樹脂5が侵
入し、パターン2とIC4間の導通をオープン
させてしまう。
(2) 又、ダイアタツチ作業工程に於いても、第3
図に示す様な、導電性接着剤3の流れ出しが発
生し、回路シヨートという不良を発生させてい
る。
図に示す様な、導電性接着剤3の流れ出しが発
生し、回路シヨートという不良を発生させてい
る。
(3) 又、導電性接着剤は、一般に高価であるにも
かかわらず、導電性接着剤が、接着力を上げた
い為に多量に必要となり、回路ブロツクコスト
が高くなる。
かかわらず、導電性接着剤が、接着力を上げた
い為に多量に必要となり、回路ブロツクコスト
が高くなる。
(4) 更には、電子時計等の様に薄形を要求される
回路ブロツクに於いては、第4図に示す様に回
路基板1にザグリ加工等を施しているが、この
場合接地パターン2が削除されてしまうので、
IC4と接地パターン2間の導通をとることは
不可能である。
回路ブロツクに於いては、第4図に示す様に回
路基板1にザグリ加工等を施しているが、この
場合接地パターン2が削除されてしまうので、
IC4と接地パターン2間の導通をとることは
不可能である。
という問題点を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決もの
で、その目的とするところは、 (1) 封止用樹脂の侵入等による、ICと接地パタ
ーンのオープンをなくし、しかも低温(100℃
以下)での導電性接着剤による導通を可能とす
る。
で、その目的とするところは、 (1) 封止用樹脂の侵入等による、ICと接地パタ
ーンのオープンをなくし、しかも低温(100℃
以下)での導電性接着剤による導通を可能とす
る。
(2) 導電性接着剤の流れ出しを防止し、回路ブロ
ツクの不良をなくす。
ツクの不良をなくす。
(3) 高価な導電性接着剤の使用量を削減し、安価
な回路ブロツクを製造する。
な回路ブロツクを製造する。
(4) ICの接地を要するダイアタツチに於いて回
路基板のザグリ加工があつても、ICの接地を
可能とし、薄形実装を可能にする。
路基板のザグリ加工があつても、ICの接地を
可能とし、薄形実装を可能にする。
ことにある。
本発明の集積回路のダイアタツチ方法は、スル
ホールが設けられその表面と裏面と前記スルホー
ル壁面とに接地パターンが形成されている回路基
板を用意し、前記回路基板の表面上で、前記接地
パターンの外方に非導電性接着剤を設け、前記集
積回路の裏面を前記非導電性接着剤上に載置し
て、前記集積回路を前記回路基板に接合し、前記
集積回路を前記回路基板の表面側にて樹脂封止
し、前記回路基板の裏面側から前記スルホールよ
り導電性接着剤を流し入れ、前記導電性接着剤が
前記集積回路裏面と前記スルホールの接地パター
ンに接するようにしたことを特徴とする。
ホールが設けられその表面と裏面と前記スルホー
ル壁面とに接地パターンが形成されている回路基
板を用意し、前記回路基板の表面上で、前記接地
パターンの外方に非導電性接着剤を設け、前記集
積回路の裏面を前記非導電性接着剤上に載置し
て、前記集積回路を前記回路基板に接合し、前記
集積回路を前記回路基板の表面側にて樹脂封止
し、前記回路基板の裏面側から前記スルホールよ
り導電性接着剤を流し入れ、前記導電性接着剤が
前記集積回路裏面と前記スルホールの接地パター
ンに接するようにしたことを特徴とする。
以下、実施例に基づいて、本発明を詳しく説明
する。
する。
第5図は、本発明によるダイアタツチの実施例
である。
である。
ダイアタツチ作業の工程の一例として、まず本
発明に基づき製造された接地パターン2、IC4
の下に設定したスルホール6を有する回路基板1
の上に、60℃の乾燥でも十分強力な接着力を発揮
する非導電性の接着剤7を、スルホール6部、接
地パターン2部を避ける様に塗布する。次に、
IC4を搭載する。次に、イヤーボンデイング、
樹脂封止の工程を完了した後、回路基板1のスル
ホール6にIC4とは反対面より、導電性接着剤
3を流し込み、IC4と接地パターン2間の導通
をとる。
発明に基づき製造された接地パターン2、IC4
の下に設定したスルホール6を有する回路基板1
の上に、60℃の乾燥でも十分強力な接着力を発揮
する非導電性の接着剤7を、スルホール6部、接
地パターン2部を避ける様に塗布する。次に、
IC4を搭載する。次に、イヤーボンデイング、
樹脂封止の工程を完了した後、回路基板1のスル
ホール6にIC4とは反対面より、導電性接着剤
3を流し込み、IC4と接地パターン2間の導通
をとる。
この方法を用いることにより、IC4と回路基
板1間は、強力な接着力を持つ非導電性の接着剤
7により固定され、導電性接着剤にかかるはがし
力を抑えることが可能である為、従来の様な、封
止用樹脂の侵入による、IC4と接地パターン2
の導通オープンを防止することができる。該非導
電性の接着剤7の乾燥は、60℃前後の乾燥で十分
接着力を発揮するので、高温を嫌うICや回路基
板への使用が可能である。
板1間は、強力な接着力を持つ非導電性の接着剤
7により固定され、導電性接着剤にかかるはがし
力を抑えることが可能である為、従来の様な、封
止用樹脂の侵入による、IC4と接地パターン2
の導通オープンを防止することができる。該非導
電性の接着剤7の乾燥は、60℃前後の乾燥で十分
接着力を発揮するので、高温を嫌うICや回路基
板への使用が可能である。
又、導電性接着剤は、ICと反対側からスルホ
ールに流し込むので、導電性接着剤のIC能動面
への流れ出しが防止でき、回路ブロツクの不良を
なくすことができる。
ールに流し込むので、導電性接着剤のIC能動面
への流れ出しが防止でき、回路ブロツクの不良を
なくすことができる。
更に、高価な導電性接着剤の量がコントロール
し易く、結局は、高価な導電性接着剤の量を削減
し、安価な回路ブロツクが製造可能となる。
し易く、結局は、高価な導電性接着剤の量を削減
し、安価な回路ブロツクが製造可能となる。
又、第6図は、本発明による薄形を指向した回
路ブロツクの実装例である。
路ブロツクの実装例である。
ダイアタツチ作業の工程は、前記に示した通り
であり、この様にザグリを施した回路基板1を用
いては、従来IC4の接地をとることが不可能で
あつたのに対し、本発明では、スルホールの壁面
を通して導通をとることを可能とした。
であり、この様にザグリを施した回路基板1を用
いては、従来IC4の接地をとることが不可能で
あつたのに対し、本発明では、スルホールの壁面
を通して導通をとることを可能とした。
以上述べたように本発明によれば、スルホール
が設けられその表面と裏面と前記スルホール壁面
とに接地パターンが形成されている回路基板の表
面上で、前記接地パターンの外方に非導電性接着
剤を設け、集積回路を前記回路基板に接合して樹
脂封止し、前記回路基板の裏面側から前記スルホ
ールより導電性接着剤を流し入れ、前記導電性接
着剤が前記集積回路裏面と前記スルホールの接地
パターンに接するようにしたことにより、集積回
路と回路基板とは前記非導電性接着剤にて固定さ
れ、前記導電性接着剤にかかるはがし力を抑える
ことが可能となるので従来のような封止用樹脂の
侵入による集積回路と接地パターンの導通オープ
ンを防止することができ、又、低温乾燥可能な非
導電性接着剤を選択することにより高温を嫌う集
積回路や回路基板への使用が可能となる。又、導
電性接着剤は、集積回路と反対側からスルホール
に流し込むので、導電性接着剤の集積回路能動面
への流れ出しが防止でき、回路ブロツクの不良を
なくすことができると共に導電性接着剤の量がコ
ントロールし易く、高価な導電性接着剤の使用量
を低減できるので安価な回路ブロツクが製造可能
となり、更に、薄形指向のザグリ付き回路基板に
おいても集積回路の接地ができるという効果を有
する。
が設けられその表面と裏面と前記スルホール壁面
とに接地パターンが形成されている回路基板の表
面上で、前記接地パターンの外方に非導電性接着
剤を設け、集積回路を前記回路基板に接合して樹
脂封止し、前記回路基板の裏面側から前記スルホ
ールより導電性接着剤を流し入れ、前記導電性接
着剤が前記集積回路裏面と前記スルホールの接地
パターンに接するようにしたことにより、集積回
路と回路基板とは前記非導電性接着剤にて固定さ
れ、前記導電性接着剤にかかるはがし力を抑える
ことが可能となるので従来のような封止用樹脂の
侵入による集積回路と接地パターンの導通オープ
ンを防止することができ、又、低温乾燥可能な非
導電性接着剤を選択することにより高温を嫌う集
積回路や回路基板への使用が可能となる。又、導
電性接着剤は、集積回路と反対側からスルホール
に流し込むので、導電性接着剤の集積回路能動面
への流れ出しが防止でき、回路ブロツクの不良を
なくすことができると共に導電性接着剤の量がコ
ントロールし易く、高価な導電性接着剤の使用量
を低減できるので安価な回路ブロツクが製造可能
となり、更に、薄形指向のザグリ付き回路基板に
おいても集積回路の接地ができるという効果を有
する。
第1図は従来の導電性接着剤を用いてダイアタ
ツチを行なつた回路ブロツク図。第2図は従来の
導電性接着剤を用いてダイアタツチを行なつた回
路ブロツク導通オープンの不良概念図。第3図は
従来の導電性接着剤を用いてダイアタツチを行な
つた回路ブロツクの回路シヨートの不良概念図。
第4図は従来の薄形指向回路ブロツクにおいて
ICの接地がとれないことを示した概念図。第5
図は本発明に基づく、導電性接着剤を用いてダイ
アタツチを行なつた回路ブロツク図。第6図は本
発明に基づく、薄形指向の導電性接着剤を用いた
ダイアタツチ方法による回路ブロツク図。 1……回路基板、2……接地パターン、3……
導電性接着剤、4……集積回路、5……封止用樹
脂、6……スルホール、7……非導電性接着剤。
ツチを行なつた回路ブロツク図。第2図は従来の
導電性接着剤を用いてダイアタツチを行なつた回
路ブロツク導通オープンの不良概念図。第3図は
従来の導電性接着剤を用いてダイアタツチを行な
つた回路ブロツクの回路シヨートの不良概念図。
第4図は従来の薄形指向回路ブロツクにおいて
ICの接地がとれないことを示した概念図。第5
図は本発明に基づく、導電性接着剤を用いてダイ
アタツチを行なつた回路ブロツク図。第6図は本
発明に基づく、薄形指向の導電性接着剤を用いた
ダイアタツチ方法による回路ブロツク図。 1……回路基板、2……接地パターン、3……
導電性接着剤、4……集積回路、5……封止用樹
脂、6……スルホール、7……非導電性接着剤。
Claims (1)
- 1 スルホールが設けられその表面と裏面と前記
スルホール壁面とに接地パターンが形成されてい
る回路基板を用意し、前記回路基板の表面上で、
前記接地パターンの外方に非導電性接着剤を設
け、前記集積回路の裏面を前記非導電性接着剤上
に載置して、前記集積回路を前記回路基板に接合
し、前記集積回路を前記回路基板の表面側にて樹
脂封止し、前記回路基板の裏面側から前記スルホ
ールより導電性接着剤を流し入れ、前記導電性接
着剤が前記集積回路裏面と前記スルホールの接地
パターンに接するようにしたことを特徴とする集
積回路のダイアタツチ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228951A JPS59119894A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 集積回路のダイアタツチ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228951A JPS59119894A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 集積回路のダイアタツチ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119894A JPS59119894A (ja) | 1984-07-11 |
| JPH0119267B2 true JPH0119267B2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=16884409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57228951A Granted JPS59119894A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 集積回路のダイアタツチ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119894A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63237535A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Nec Corp | 混成集積回路 |
| JPH09246290A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4529041B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2010-08-25 | スタンレー電気株式会社 | 回路基板モジュール化方法 |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57228951A patent/JPS59119894A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59119894A (ja) | 1984-07-11 |
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