JPH01202831A - 集積回路装置の組立て法 - Google Patents
集積回路装置の組立て法Info
- Publication number
- JPH01202831A JPH01202831A JP63027920A JP2792088A JPH01202831A JP H01202831 A JPH01202831 A JP H01202831A JP 63027920 A JP63027920 A JP 63027920A JP 2792088 A JP2792088 A JP 2792088A JP H01202831 A JPH01202831 A JP H01202831A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pad
- pressure
- integrated circuit
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路装置の組立て法に関する。
従来、集積回路装置の組立て法としては、Ａｕリード線
をＳ積回路装置のＡ１パ・ｙド部に圧接する方法や、Ａ
ＪＩリード線をＡｊパ・ラド部に超音波溶接する方法、
あるいはＣｕリード線をＡｊノｆ−ラド部に圧接する方
法等が用いられるのが通例であった。
をＳ積回路装置のＡ１パ・ｙド部に圧接する方法や、Ａ
ＪＩリード線をＡｊパ・ラド部に超音波溶接する方法、
あるいはＣｕリード線をＡｊノｆ−ラド部に圧接する方
法等が用いられるのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、ＡｕリードとＡ１パッ
ドやＣｕリードとＡ、Ｉｌパッドの圧接の場合には、脆
い金属間化合物が圧接部に形成され、断線しやすいと云
う問題があり、ＡｊｌリードとＡ１パッドの超音波溶接
の場合にはＡ１リードの変形に伴う断線の問題があった
。
ドやＣｕリードとＡ、Ｉｌパッドの圧接の場合には、脆
い金属間化合物が圧接部に形成され、断線しやすいと云
う問題があり、ＡｊｌリードとＡ１パッドの超音波溶接
の場合にはＡ１リードの変形に伴う断線の問題があった
。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、脆い金属
間化合物の生成や、リード変形等による断線の発生のな
いリード線先端とパッド部表面の材料構成を提供する事
を目的とする。
間化合物の生成や、リード変形等による断線の発生のな
いリード線先端とパッド部表面の材料構成を提供する事
を目的とする。
上記問題点を解決するために、本発明は集積回路装置の
組立て法に関し、少なくともリード線の圧接部にはＡｇ
又はＳｎ膜を形成されると共に、少くとも集積回路装置
のパッド部にはＳｎ又はＡｇ膜を形成する手段をとる。
組立て法に関し、少なくともリード線の圧接部にはＡｇ
又はＳｎ膜を形成されると共に、少くとも集積回路装置
のパッド部にはＳｎ又はＡｇ膜を形成する手段をとる。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すパッド部へのリード線
圧接部の要部の断面図である。すなわち半導体基板１の
表面に形成された絶縁膜２の表面にＡＪ等による電極配
線３が形成されると共に、パッド部を除いた表面に表面
被覆膜４が形成されて成り、前記電極配線３のパッド部
表面にはＳｎ又はＡｇ膜がメツキあるいは蒸着により、
あるいは下地に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｕ等の膜
を形成したりして、形成し、Ｃｕ等から成るり一層ｌａ
６のパッド部との圧接部にはメツキあるいは蒸着により
Ａｇ又はＳ ｎ Ｍ ７が形成されて成り、パッド部の
Ｓｎ又はＡｇ１ｌとは、圧力８によりＡｇ−３０圧接接
合されて成る。尚Ａｇ−３ｎ圧接時には２００℃程度の
加熱や、リード線の変形しない程度の弱い超音波を同時
に印加するとより一層完全な接合が出来ることとなる。
圧接部の要部の断面図である。すなわち半導体基板１の
表面に形成された絶縁膜２の表面にＡＪ等による電極配
線３が形成されると共に、パッド部を除いた表面に表面
被覆膜４が形成されて成り、前記電極配線３のパッド部
表面にはＳｎ又はＡｇ膜がメツキあるいは蒸着により、
あるいは下地に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｕ等の膜
を形成したりして、形成し、Ｃｕ等から成るり一層ｌａ
６のパッド部との圧接部にはメツキあるいは蒸着により
Ａｇ又はＳ ｎ Ｍ ７が形成されて成り、パッド部の
Ｓｎ又はＡｇ１ｌとは、圧力８によりＡｇ−３０圧接接
合されて成る。尚Ａｇ−３ｎ圧接時には２００℃程度の
加熱や、リード線の変形しない程度の弱い超音波を同時
に印加するとより一層完全な接合が出来ることとなる。
本発明によるＡ ｇ ３ Ｈ４３合は脆い金属間化合
物の生成もなく、又、リード線変形もなくて強力な接合
が得られると共に、断線の恐れも発生しないと云う効果
がある。
物の生成もなく、又、リード線変形もなくて強力な接合
が得られると共に、断線の恐れも発生しないと云う効果
がある。
第１図は本発明の一実施例を示すパッド部へのリード線
圧接部の要部の断面図である。 １・・・半導体基板 ２・・・絶縁膜 ３・・・電極配線 ４・・・表面被覆膜 ５・・・Ｓｎ又はＡｇ膜 ６・ ・・リード線 ７−・−ＡｇスはＳｎＪｇｉ ８・・・圧力 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
圧接部の要部の断面図である。 １・・・半導体基板 ２・・・絶縁膜 ３・・・電極配線 ４・・・表面被覆膜 ５・・・Ｓｎ又はＡｇ膜 ６・ ・・リード線 ７−・−ＡｇスはＳｎＪｇｉ ８・・・圧力 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 少くともリード線の圧接部にはＡｇ又はＳｎ膜が形成
されると共に、少なくとも集積回路装置のパッド部には
Ｓｎ又はＡｇ膜が形成されて成る事を特徴とする集積回
路装置の組立て法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63027920A JPH01202831A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 集積回路装置の組立て法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63027920A JPH01202831A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 集積回路装置の組立て法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01202831A true JPH01202831A (ja) | 1989-08-15 |
Family
ID=12234321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63027920A Pending JPH01202831A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 集積回路装置の組立て法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01202831A (ja) |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP63027920A patent/JPH01202831A/ja active Pending
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