JPH01205448A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01205448A JPH01205448A JP63030238A JP3023888A JPH01205448A JP H01205448 A JPH01205448 A JP H01205448A JP 63030238 A JP63030238 A JP 63030238A JP 3023888 A JP3023888 A JP 3023888A JP H01205448 A JPH01205448 A JP H01205448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- projection
- stem
- cap
- welding
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M50/00—Constructional details or processes of manufacture of the non-active parts of electrochemical cells other than fuel cells, e.g. hybrid cells
- H01M50/10—Primary casings; Jackets or wrappings
- H01M50/147—Lids or covers
- H01M50/166—Lids or covers characterised by the methods of assembling casings with lids
- H01M50/169—Lids or covers characterised by the methods of assembling casings with lids by welding, brazing or soldering
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属ケースを有する小型半導体装置に関し、特
にキャップとステムの溶接部の形状に関する。
にキャップとステムの溶接部の形状に関する。
第３図は従来のこの種の半導体装置の溶接前の断面図で
ある。第３図において、金属ステム８の上面に半導体素
子（ペレット）４をマウント後、ステム８を絶縁貫通し
ているり−１” ３とペレット４の電極との間をワイヤ
５で接続し、さらに、周辺の溶接部に同心円状に形成さ
れたプロジェクション（溶接用凸起）９ａを有するキャ
ップ９をステム８に重ね、抵抗溶接によりステムとキャ
ップとを溶接しておった。
ある。第３図において、金属ステム８の上面に半導体素
子（ペレット）４をマウント後、ステム８を絶縁貫通し
ているり−１” ３とペレット４の電極との間をワイヤ
５で接続し、さらに、周辺の溶接部に同心円状に形成さ
れたプロジェクション（溶接用凸起）９ａを有するキャ
ップ９をステム８に重ね、抵抗溶接によりステムとキャ
ップとを溶接しておった。
上述の従来の半導体装置では、ステムとキャップとの間
を抵抗溶接する際に、キャップまたはステムの金属が溶
けて湯玉となったものがキャップ内部に飛散し、ペレッ
トに付着して、ペレットの特性を劣化させるという欠点
があった。
を抵抗溶接する際に、キャップまたはステムの金属が溶
けて湯玉となったものがキャップ内部に飛散し、ペレッ
トに付着して、ペレットの特性を劣化させるという欠点
があった。
上記問題点に対し本発明の半導体装置では、ステムとキ
ャップとの間の溶接部に内側と外側に同心円状の２重の
プロジェクションを設ケておき、かつ、内側のプロジェ
クションの抵抗を外側のプロジェクションの抵抗より大
としておくことにより、前記溶接の際に外側のプロジェ
クションに多くの溶接電流を流して、その際に溶けた湯
玉が内側のプロジェクションで妨げられて内部に飛散し
ないようにしている。
ャップとの間の溶接部に内側と外側に同心円状の２重の
プロジェクションを設ケておき、かつ、内側のプロジェ
クションの抵抗を外側のプロジェクションの抵抗より大
としておくことにより、前記溶接の際に外側のプロジェ
クションに多くの溶接電流を流して、その際に溶けた湯
玉が内側のプロジェクションで妨げられて内部に飛散し
ないようにしている。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例のキャップとステムが分離し
てる溶接前の断面図である。第１図において、半導体素
子（ペレット）４が金属ステム１上にマウントされ、半
導体ペレットの電極とリード３の間をワイヤ５で接続後
、キャップ６が溶接されるのであるが、キャップ６の溶
接部にはプロジェクション６ａを有し、またステム１の
溶接部にもプロジェクション１ａを有する。しかして、
お互いの溶接部が接触する際には、キャップ側のプロジ
ェクション６ａがステム側のプロジェクション１ａの外
側に位置するようになっている。
てる溶接前の断面図である。第１図において、半導体素
子（ペレット）４が金属ステム１上にマウントされ、半
導体ペレットの電極とリード３の間をワイヤ５で接続後
、キャップ６が溶接されるのであるが、キャップ６の溶
接部にはプロジェクション６ａを有し、またステム１の
溶接部にもプロジェクション１ａを有する。しかして、
お互いの溶接部が接触する際には、キャップ側のプロジ
ェクション６ａがステム側のプロジェクション１ａの外
側に位置するようになっている。
そして、キャップとステムとの間に溶接電流を流して溶
接するときは、溶接されるのは抵抗の低い外側のプロジ
ェクション６ａであり、そこで発生した湯玉は、高い抵
抗の内側のプロジェクション１ａに妨げられて内部に入
り込むことができない。
接するときは、溶接されるのは抵抗の低い外側のプロジ
ェクション６ａであり、そこで発生した湯玉は、高い抵
抗の内側のプロジェクション１ａに妨げられて内部に入
り込むことができない。
第２図は本発明の他の実施例のキャップとステムとが離
れている溶接前の断面図である。第２図においては、溶
接部に設けられている抵抗の高い内側と抵抗の低い外側
の２重のプロジェクション２ａと２ｂは共にステム２の
方にたけ設けられていて、キャップγにはない。本例は
第１図の実施例に比べて作り易いこと、および、プロジ
ェクション同士の位置ずれをなくすことごできる利点が
ある。勿論この２重のプロジェクションはキャップの方
にだけ設けてもよい。
れている溶接前の断面図である。第２図においては、溶
接部に設けられている抵抗の高い内側と抵抗の低い外側
の２重のプロジェクション２ａと２ｂは共にステム２の
方にたけ設けられていて、キャップγにはない。本例は
第１図の実施例に比べて作り易いこと、および、プロジ
ェクション同士の位置ずれをなくすことごできる利点が
ある。勿論この２重のプロジェクションはキャップの方
にだけ設けてもよい。
以−４−説明したように本発明は、金属ステムに金属キ
ャップをかぶせ溶接した金属ケースを有する小型半導体
装置の溶接部に、接触抵抗の異なる、同心円状の２重の
プロジェクションを有することにより、溶接時に発生す
る湯玉が素子内部に入り込み素子がショー）・するとい
う事態の発生を防ぐ効果がある。
ャップをかぶせ溶接した金属ケースを有する小型半導体
装置の溶接部に、接触抵抗の異なる、同心円状の２重の
プロジェクションを有することにより、溶接時に発生す
る湯玉が素子内部に入り込み素子がショー）・するとい
う事態の発生を防ぐ効果がある。
第１図と第２図はそれぞれ本発明の一実施例および他の
実施例のステムとキャップが離れてる溶接前の断面図、
第３図は従来の半導体装置の溶接前の断面図である。 ］、２・・・・・・金属ステム、ｌａ、２ａ、２ｂ・・
・・・・溶接用プロジェクション、３・・・・・・リー
ド、４・・・・・・半導体素子（ペレット）、５・・・
・・・ワイヤ、６゜７・・・・・・キャップ、６ａ・・
・・・溶接用プロジェクション。 代理人 弁理士 内 原 音
実施例のステムとキャップが離れてる溶接前の断面図、
第３図は従来の半導体装置の溶接前の断面図である。 ］、２・・・・・・金属ステム、ｌａ、２ａ、２ｂ・・
・・・・溶接用プロジェクション、３・・・・・・リー
ド、４・・・・・・半導体素子（ペレット）、５・・・
・・・ワイヤ、６゜７・・・・・・キャップ、６ａ・・
・・・溶接用プロジェクション。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 半導体素子がマウントされた金属ステムの上に金属キ
ャップをかぶせ溶接により密封してなる半導体装置にお
いて、前記溶接部には内側と外側に同心円状の２重のプ
ロジェクションが設けられており、かつ、内側のプロジ
ェクションの抵抗が外側のプロジェクションの抵抗より
大であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63030238A JPH01205448A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63030238A JPH01205448A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205448A true JPH01205448A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12298137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63030238A Pending JPH01205448A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01205448A (ja) |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP63030238A patent/JPH01205448A/ja active Pending
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