JPH0365020B2 - - Google Patents

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JPH0365020B2
JPH0365020B2 JP60212854A JP21285485A JPH0365020B2 JP H0365020 B2 JPH0365020 B2 JP H0365020B2 JP 60212854 A JP60212854 A JP 60212854A JP 21285485 A JP21285485 A JP 21285485A JP H0365020 B2 JPH0365020 B2 JP H0365020B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。 〔発明の技術的背景〕 従来、電源整流用等に使用されるブリツジ構造
の樹脂封止型半導体装置は、例えば第３図に示す
ような構造を有している。図中１はダイステージ
である。ダイステージ１のペレツトマウント部２
には、半田層３を介してダイオードペレツト４が
Ｎ側電極５を接触するようにして装着されてい
る。ダイオードペレツト４のＰ側電極６は、半田
層７を介してコネクター部８の所定領域に固着さ
れている。また、ダイステージ１の他方のペレツ
トマウント部９には、半田層１０を介して他のダ
イオードペレツト１１がＰ側電極１２を接触する
ようにして装着されている。ダイオードペレツト
１１のＮ側電極１３は、半田層１４を介してコネ
クター部８の所定領域に固着されている。 〔背景技術の問題点〕 このような樹脂封止型半導体装置２０の場合、
Ｎ側電極５，１３の方がＰ側電極６，１２よりも
小さい。このため熱サイクルテストや熱衝撃テス
ト等の際にダイステージ１、半田層３，１０，
７，１４、ダイオードペレツト４，１１、コネク
ター部８が異なる熱膨張差で形状変化を起こす
と、ダイオードペレツト４，１１に加わる応力の
バランスが崩れ、ダイオードペレツト４，１１の
中心部に向う横方向のクラツク１５が発生した
り、或はダイオードペレツト４，１１の垂直方向
にクラツク１６が発生する。また、ダイステージ
１及びコネクター部８は平坦な表面を有している
ため、半田マウントの際に流出した半田層１７が
あると、電圧を印加した場合洩れ電流が非常に大
きくなり、逆電圧阻止効力が低下する。この問題
を解消するためにダイステージ１とコネクター部
８との間隔を大きくすることが考えられるが、後
の工程でダイステージ１とコネクター部８間に介
在させる樹脂の量が多くなり、この封止樹脂の縮
みによつてダイオードペレツト４，１１にクラツ
クが発生する問題があつた。 〔発明の目的〕 本発明はペレツトのクラツク発生を防止し、か
つ、逆電圧阻止作用を高めると共に、耐湿性の向
上を図つた樹脂封止型半導体装置を提供すること
をその目的とするものである。 〔発明の概要〕 本発明は、ダイオードペレツトのＰ側電極とＮ
側電極を同一形状で相対応して形成し、これらの
電極に略同形状のエンボス突起部を半田層を介し
て接続させることにより、エンボス突起部を形成
したダイステージとコネクター部でダイオードペ
レツトを挾持すると共に、ダイオードペレツトの
側面部をエンキヤツプ樹脂で封止したことによ
り、ペレツトのクラツク発生を防止し、かつ、逆
電圧阻止作用を高めると共に、耐湿性の向上を図
つた樹脂封止型半導体装置である。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。第１図は本発明の一実施例の概略構成
を示す説明図である。図中３１は、ダイステージ
である。ダイステージ３１の夫々のペレツトマウ
ント部３３，３４には、装着するダイオードペレ
ツト３５，３６のＮ側電極３７，３８又はＰ側電
極３９，４０と略同形状のエンボス突起部４１，
４２が設けられている。ここで、夫々のダイオー
ドペレツト３５，３６のＮ側電極３７，３８とＰ
側電極３９，４０は同形状で、かつ相対応して形
成されている。これらのＮ側電極３７，３８或は
Ｐ側電極３９，４０のパターンとしては、例えば
第２図Ａに示すように正方形のもの４３でも良い
し、或は同図Ｂに示すように円形のもの４４とし
ても良い。これらの電極３７…４０は、例えば
Au、Ni、Ｖ等の金属を蒸着することにより容易
に形成することができる。一方のペレツトマウン
ト部３３には、エンボス突起部４１の半田層４５
を介してダイオードペレツト３５のＮ側電極３７
が装着されている。また、そのＰ側電極３９は、
半田層４６を介してコネクター部４７のエンボス
突起部４８に装着されている。このエンボス突起
部４８もＰ側電極３９と略同形状に形成されてい
る。ダイオードペレツト３５の周側面は、エンキ
ヤツプ樹脂層４９で封止されている。他方のペレ
ツトマウント部３４には、エンボス突起部４２に
半田層５０を介してダイオードペレツト３６のＰ
側電極４０が装着されている。また、そのＮ側電
極３８は、半田層５１を介してコネクター部４７
のエンボス突起部５２に装着されている。このエ
ンボス突起部５２もＮ側電極３８と略同形状に形
成されている。ダイオードペレツト３６の周側面
はエンキヤツプ樹脂層５３で封止されている。 このように構成された樹脂封止型半導体装置６
０によれば、Ｎ側電極３７，３８とＰ側電極３
９，４０、エンボス突起部４１，４２，４８，５
２の夫々が略同一形状にして相対応して設けられ
ているので、熱歪等による応力が発生してもダイ
オードペレツト３５，３６に均一に分散した状態
で伝達することができるので、ダイオードペレツ
ト３５，３６のクラツク発生を防止することがで
きる。 また、エンボス突起部４１，４２，４８，５２
が設けられるのでダイステージ３１とコネクター
部４７の間隔を大きくすることができる。その結
果、半田層４５，４６，５０，５１は、ぬれ性の
良い電極３７…４０部周辺領域にのみ形成され、
半田の流出を防止して洩れ電流を小さくし、逆電
圧阻止作用を高めることができる。しかも、ダイ
オードペレツト３５，３６の周辺部にはエンキヤ
ツプ樹脂層４９，５３が設けられているので、ダ
イステージ３１とコネクター部４７の間隔が大き
くなつても外部モールド樹脂の量を増大させるこ
となく、外部モールド樹脂の収縮によるダイオー
ドペレツト３５，３６のクラツク発生を防止する
ことができる。更に、エンキヤツプ樹脂層４９，
５３が設けられているので耐湿性を向上させるこ
とができる。 〔発明の効果〕 以上説明した如く、本発明に係る樹脂封止型半
導体装置によれば、ペレツトのクラツク発生を防
止し、かつ、逆電圧阻止作用を高めると共に耐湿
性を向上させることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の概略構成を示す説
明図、第２図Ａ，ＢはＰ側電極又はＮ側電極の形
状を示す説明図、第３図は従来の樹脂封止型半導
体装置の概略構成を示す説明図である。 ３１……ダイステージ、３３，３４……ペレツ
トマウント部、３５，３６……ダイオードペレツ
ト、３７，３８……Ｎ側電極、３９，４０……Ｐ
側電極、４１，４２……エンボス突起部、４３…
…正方形の電極パターン、４４……円形の電極パ
ターン、４５，４６……半田層、４７……コネク
ター部、４８……エンボス突起部、４９……エン
キヤツプ樹脂層、５０，５１……半田層、５２…
…エンボス突起部、５３……エンキヤツプ樹脂
層、６０……樹脂封止型半導体装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ Ｐ側及びＮ側の夫々の主面に相対応して形成
    された同一形状のＰ側電極及びＮ側電極を有する
    ダイオードペレツトと、該Ｐ側電極又は該Ｎ側電
    極にこれらと略同形状のエンボス突起部を半田層
    を介して接続させたダイステージと、該Ｎ側電極
    又は該Ｐ側電極にこれらと略同形状のエンボス突
    起部を半田層を介して接続させたコネクター部
    と、前記ダイオードペレツトの側面部を封止する
    ようにして前記ダイステージと前記コネクター部
    間に封着されたエンキヤツプ樹脂層とを具備する
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP60212854A 1985-09-26 1985-09-26 樹脂封止型半導体装置 Granted JPS6272147A (ja)

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JP60212854A JPS6272147A (ja) 1985-09-26 1985-09-26 樹脂封止型半導体装置

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JPS6272147A JPS6272147A (ja) 1987-04-02
JPH0365020B2 true JPH0365020B2 (ja) 1991-10-09

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US5917245A (en) * 1995-12-26 1999-06-29 Mitsubishi Electric Corp. Semiconductor device with brazing mount
JP2992873B2 (ja) * 1995-12-26 1999-12-20 サンケン電気株式会社 半導体装置
JP4491244B2 (ja) 2004-01-07 2010-06-30 三菱電機株式会社 電力半導体装置

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