JPH01208731A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高分子フィルム上にＣｏ基合金より成る磁性層
を形成する磁気記録媒体の製造方法に関するものである
。

従来の技術 従来、磁気記録媒体としては高分子フィルム等の非磁性
基板上に磁性粉全塗布した塗布形のものが使用されてき
たが、より高い記録密度を達成するために、非磁性基板
上に金属薄膜金スパツタ法や真空蒸着法で形成した。薄
膜形が実用化されつつある。薄膜形磁気記録媒体の中で
も５％に、垂直磁気異方性金有するＣｏ基合金磁性薄膜
を磁性層として形成した垂直磁気記録媒体が、優れた短
波長記録特性のゆえに注目を集めている。

Ｃｏ基合金垂直磁気異方性膜としては、Ｇｏ　−Ｏｒ。

Ｇｏ　−Ｎｉ−Ｏｒ　、　Ｃｏ　−Ｖ　、　Ｃｏ−０ｒ
−Ｗ　、　Ｇ。

−Ｏｒ　−Ｍｏ　、　Ｇｏ　−Ｏｒ　−Ｗｂ　、　Ｇｏ
−Ｏｒ−Ｔａ　。

Ｃｊｏ　−Ｏｒ　−Ｎｉ　−Ｇｕ合金膜等が主に検討さ
れている。これらのＣｏ基合金垂直磁気異方性膜はスパ
ッタ法や真空蒸着法（イオンブレーティング法の様に蒸
発原子の一部をイオン化して膜を堆積する方法も含む）
により作製されるが、特に後者の方法によれば数１００
０人／秒以よという非常に高い膜堆積速度が達成出来、
量産に適している。

非磁性基板として高分子フィルムを用いて、真空蒸着法
により金属薄膜形磁気記録媒体を作製する方法としては
、高分子フィルム全円筒状キャンの周面に沿わせて走行
させつつ磁性層を蒸着する方法が最も優れている。第２
図にこの様な方法を用いた真空蒸Ｎ装置の内部構造の概
略金示す。高分子フィルム１は円筒状キャン２の周面に
沿って走行する。３及び４は高分子フィルムを巻くボビ
ンである。高分子フィルム１上に蒸発源６によって磁性
層が形成される。蒸発源としては、抵抗加熱蒸発源、誘
導加熱蒸発源、電子ビーム蒸発源等が考えられるが、高
融点金属であるＣｏ基合金を高速で蒸発させるためには
、電子ビーム蒸発源を採用する必要がある。蒸発源６と
円筒状キャン２との間には、蒸発源６から蒸発する蒸気
が不要な部分に付着するの全防止するために、遮へい板
６が配置されている。遮へい板６は、第２図中のＳで示
されるように開口しており、この開口部Ｓ全通過した蒸
気が高分子フィルム上に付着する。

なお通常、高分子フィルム中に含まれている水分子全除
去するために、蒸着前に、高分子フィルムの脱ガス処理
を行なう。このことを第２図を用いて具体的に説明する
。まずボビン４に巻かれた高分子フィルム金、矢印Ｂの
方向に走行させる。

この際に、高分子フィルムからの水分子の蒸発全容易に
するために、円筒状キャンの温度１１００℃以上にして
おくことが望ましい。この様にして脱ガス処理を施され
た高分子フィルムはボビン３に巻き敗られる。次に、高
分子フィルム全矢印人の方向に走行させ、蒸着源５によ
って、磁性層を形成する。

発明が解決しようとする課題 ＣＯ基合金薄膜垂直磁気記録媒体全ＶＴＲ用等の磁気テ
ープとして実用化する場合には、高分子フィルムの膜厚
を約１６μｍ以下に薄くする必要がある。特に家庭用Ｖ
ＴＲを考えると１ｏμｍ前後の非常に薄い、高分子フィ
ルムを使用することが要求される。このような薄い高分
子フィルム上に、第２図に示した真空蒸着装置を用いて
ＣＯ基合金薄膜全形成すると、以下の問題が生じた。

高分子フィルムとしては、膜厚８μｍのポリイミドフィ
ルムを用いた。まず１円筒状キャン２の温度を２５０℃
としてこのフィルム全矢印Ｂの方向に走行させ、脱ガス
処理全行なった。この時のフィルム走行速度は２０ｍ／
分とした。

次に、脱ガス処理の施されたフィルムを矢印人の方向に
走行させ、膜厚０．２μｍのＣｏｏ　−Ｏｒ垂直磁気異
方性膜全蒸着した。

ところが、上記の工程で、実際にフィルム上に膜厚０，
２μｍのｃｏ−Ｃｒ膜を蒸着すると、高分子フィルムと
円筒状キャン２との接触開始部、及び蒸着部において、
高分子フィルムにしわが発生した。しわが発生すると、
磁気テープとして使用することは不可能であり、何らか
の解決策が必要である。

なお、脱ガス処理を行わずにＧｏ−Ｃｒ膜を蒸着すると
しわは発生しなかったが、蒸着時に高分子フィルムから
出てくる水分子のためにＣｏ　−Ｃｒ膜の結晶配向性が
乱れてしまい、垂直磁気異方性膜が得られなかった。

課題全解決するための手段 真空蒸着法により、円筒状キャンの周面に沿って走行し
つつある高分子材料より成る基板上に、Ｃｏ基合金より
成る磁性層全形成する際に、前記基板中に含まれる水分
子の虜が、前記磁性層が形成される側が他方の側よりも
少なくする。

作用 本発明の製造方法によれば、蒸着時に高分子フィルムが
円筒状キャンに接触を開始してから蒸着膜が形成される
間に、高分子フィルムの裏面（円筒状キャン周面に接す
る面）から水分子が出るためにしわを防止できる。また
蒸着時に、高分子フィルムの表面（感性層の形成される
面）からは水分子が殆ど出ないために、Ｃｏ基合金膜の
結晶配向性を劣化させない。その結果、しわがなくかつ
磁気特性の優れた垂直磁気記録媒体を作製できる。

実施例 第１図を用いて本発明の実施例について説明する。膜厚
８μｍのポリイミドフィルム上に、第１図に示される真
空蒸着装置にて、Ｇｏ　−Ｏｒ垂直磁気異方性膜を形成
した。第１図の装置は、加熱ローラ８及びガイドローラ
９が設置されている以外は、第２図に示される従来の装
置と同様である。

加熱ローラ８は高分子フィルムの表面側（磁性層の形成
される面）に接しており、このローラを通遇することに
よジ、高分子フィルム中の表面側に含１れている水分子
が除去される。

第１図の装置を使用した、具体的な製造方法について次
に説明する。まず脱ガス処理を行うために、高分子フィ
ルムを第１図の矢印Ｂの方向に走行させる。この際に加
熱ローラ８の温度を３００℃に上昇させておき、円筒状
キャン２は室温とした。また走行速度は２０ｍ／分とし
た。次にこの様な処理の施された高分子フィルムを、第
１図の矢印人の方向に１０ｍ／分の速度で走行させて膜
厚０，２μｍのＧｏ−ｃｒ膜を形成した。なお、円筒状
キャ／２及び加熱ローラ８の温度をそれぞれ２５０℃及
び室温とした。この工程において、高分子フィルムが円
筒状キャンに接し始めてからＣ０−ｃｒ膜が形成される
までの間に、しわは全く発生しなかった。

以上の結果を、従来の方法と比較して表に示す。

表中の従来の方法１は、第２図の装置を用いて矢印Ｂの
方向に高分子フィルム全走行させて脱ガス処理をした後
に、矢印Ａの方向に高分子フィルムを走行させてｃｏ　
−ｃｒ膜全全蒸着る方法である。

表 従来の方法（閾は脱ガス処理を行わずにＧｏ−Ｃｒ膜を
蒸着する方法である。また表中には、膜物性として、Ｃ
ｏ−０ｒ膜の磁気特性を最も適確に表現する、稠密大力
構造におけるＣ軸の膜面垂直方向に対する分散角Δθ５
ｏも記しである。Δθ５ｏが小さい程、Ｃ軸の膜面垂直
方向への配向性が良く、磁気特性の優れた膜であること
を意味する。

表より、本発明の方法を用いるとしわの発生がなく、か
つΔθ５ｏが５°と極めて結晶配向性の優れた、すなわ
ち磁気特性の優れた媒体が得られることがわかる。これ
に対し従来の方法（１）では、Δθ５゜は５°と優れて
いるがしわが消えなかった。寸だ。

従来の方法（２）では、しわは消えたがＧｏ　−Ｃａｘ
膜のΔθ　は２０”ｉ越えてしまい、垂直磁気異方性膜
にならなかった。

以上説明した様に、本発明の方法によってのみ、しわの
発生がなく、かつ磁気特性の優れた媒体が得られる。

この様に本発明の方法により、Δθ５ｏが小さくかつし
わのない媒体が得られる理由は、磁性層蒸着時に高分子
フィルムが円筒状キャン周面に接触する際に、高分子フ
ィルムの裏面（円筒状キャン周面に接する面ンからは水
分子が出るが１表面からは殆ど出ないことにある。すな
わち、従来の方法（１）では、にｏ−Ｃｒ蒸着時に高分
子フィルムから水分子が出ないためにΔθ５ｏは小さい
が、水分子が出ないので高分子フィルムが円筒状キャン
周面上ですべらずしわが入る。また従来の方法（２）で
は、高分子フィルムが円筒状キャン周面上ですべるため
にしわは入らないが、Ｇｏ　−Ｃｒ蒸着時に水分子が高
分子フィルム表面から出るために、ｃｏ　−ａｒ膜の結
晶配向性が乱れΔθ５ｏ　が大きくなってしまう。これ
に対して本発明の方法では、Ｇｏ　−Ｃｒ蒸着時に高分
子フィルム表面からは水分子が殆ど出ないためにΔθ５
ｏは小さい。一方、高分子フィルム裏面からは水分子が
出るために、高分子フィルムが円筒状キャン周面上です
ベジしわが入らない。

以上では、高分子フィルム裏面側には水分子全多く含有
し、表面側で少なくする方法の１例として、加熱ローラ
８による脱ガス処理全説明したが、当然のことながら本
発明はこれに限られるものではない。高分子フィルムに
含まれる水分子の量が表面側が裏面側よジも少なくでき
る様な方法であれば、どの様な方法金片いても良く、高
分子フィルムをこの様な状態にして磁性層を形成すると
磁気特性が優れ、かつしわのない媒体を製造できる。

また以上の実施例では、磁性層としてＧｏ　−ｃｒ膜の
場合について説明したが、Ｇｏ　−Ｃｒ膜以外のＧｏ基
合金薄膜でも全く同様である。

発明の効果 本発明によれば、膜厚１ｏＩ１ｍ程度の薄い高分子フィ
ルムを基板として使用した優れた特性を有する垂直磁気
記録媒体を、しわの発生なしに安定に作製出来るので、
ディジタルＶＴＲ用等の超高記録密度の垂直磁気テープ
の実現が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明するための真空蒸着装置内
部の概略を示す図、第２図は従来例を説明するための真
空蒸着装置内部の概略を示す図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・円筒状
キャン、３．４・・・・・・高分子フィルム全巻くボビ
ン、５・・・・・・蒸発源、６・・・・・・遮へい板、
７・・・・・・金属蒸気、８・・・・・・加熱ローラ、
９・・・・・・ガイドローラ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名！−
面分子フィルム ロー遮蔽妖

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 真空蒸着法により、円筒状キャンの周面に沿って走行し
   つつある高分子材料より成る基板上に、Ｃｏ基合金より
   成る磁性層を形成する際に、前記基板中に含まれる水分
   子の量が、前記磁性層が形成される側が他方の側よりも
   少ないよう調整することを特徴とする磁気記録媒体の製
   造方法。