JPH01211933A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH01211933A JPH01211933A JP63036614A JP3661488A JPH01211933A JP H01211933 A JPH01211933 A JP H01211933A JP 63036614 A JP63036614 A JP 63036614A JP 3661488 A JP3661488 A JP 3661488A JP H01211933 A JPH01211933 A JP H01211933A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- circuit device
- semiconductor integrated
- signal input
- external signal
- Prior art date
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
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- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特に半導体チップ
上に設けた外部信号入力用金属電極の構造に関する。
上に設けた外部信号入力用金属電極の構造に関する。
従来、半導体回路装置のチップ上の外部信号入力用電極
は外部リードと金属ワイヤーで結ばれ、そこからチップ
の内部回路までは導体で直結される。
は外部リードと金属ワイヤーで結ばれ、そこからチップ
の内部回路までは導体で直結される。
第４図Ｇ）および（ｂ）は従来半導体集積回路装置の外
部信号入力用金属電極の平面図およびその人−Ａ′断面
図を示すもので、半導体チップ基板１０上のフィールド
酸化膜２０で取囲まれた外部信号入力用金属電極３０は
内部回路とは直接導体５０で結ばれ、また、外部リード
（図示しない）との間は金属ワイヤー７０でボンディン
グ接続されるのが通常である。
部信号入力用金属電極の平面図およびその人−Ａ′断面
図を示すもので、半導体チップ基板１０上のフィールド
酸化膜２０で取囲まれた外部信号入力用金属電極３０は
内部回路とは直接導体５０で結ばれ、また、外部リード
（図示しない）との間は金属ワイヤー７０でボンディン
グ接続されるのが通常である。
しかしながら、このように半導体チップ上の金属電極３
０と内部回路とが何者をも介することなく直接的に導体
で結ばれる構造であると、半導体装置の長期にわたる使
用により、外部から水分などが接続導体を伝って内部に
浸入し、第５図に示す如く金属電極を腐食させ断線部８
０を生じる事故をしばしば起し、半導体装置の寿命を短
縮せしめる要因の一つとなっている。
０と内部回路とが何者をも介することなく直接的に導体
で結ばれる構造であると、半導体装置の長期にわたる使
用により、外部から水分などが接続導体を伝って内部に
浸入し、第５図に示す如く金属電極を腐食させ断線部８
０を生じる事故をしばしば起し、半導体装置の寿命を短
縮せしめる要因の一つとなっている。
本発明の目的は、上記の情況に監み、外部からの水分侵
入により断線することなき外部信号入力用金属電極を備
えた半導体集積回路装置を提供することである。
入により断線することなき外部信号入力用金属電極を備
えた半導体集積回路装置を提供することである。
本発明によれば、半導体チップ基板上に、外部リードと
の間を金属ワイヤーを用いてポンディング接続される多
数の外部信号入力用金属電極を備える半導体集積回路装
置は、前記外部信号入力用金属電極が容量を直列接続す
る多層電極膜により形成されることを含んで構成される
。
の間を金属ワイヤーを用いてポンディング接続される多
数の外部信号入力用金属電極を備える半導体集積回路装
置は、前記外部信号入力用金属電極が容量を直列接続す
る多層電極膜により形成されることを含んで構成される
。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の一実施例を示す
半導体集積回路装置の部分断面図およびその等価回路図
である。本実施例によれば、外部信号入力用金属電極は
３層の導体層から成り、最上層の導体層３０は外部から
の信号入力接続用電極、中間層４０は内部回路への接続
導体用、また、最下層５０は多結晶シリコンの如き抵抗
性材料から成り、基板（ＧＮＤ）への接続導体としてそ
れぞれ使用される。この電極構成によれ眠最上層３０と
中間層４０．中間層４０と最下層５０の間にはシリコン
酸化膜６０を〃誘電体とする静電容量Ｃ１，Ｃ２がそれ
ぞれ形成され、また、回路節点ａと基板（ＧＮＤ）との
間には、最下層の抵抗性導体膜５０による抵抗Ｒが挿入
される。この抵抗Ｒは回路節点ａの定常電位を常時地気
電位（ＧＮＤ）に保つために挿入される。ここで、９０
は表面保護膜である。かかる構造の外部信号入力用金属
電極は外部信号に対してつぎのように応答する。
半導体集積回路装置の部分断面図およびその等価回路図
である。本実施例によれば、外部信号入力用金属電極は
３層の導体層から成り、最上層の導体層３０は外部から
の信号入力接続用電極、中間層４０は内部回路への接続
導体用、また、最下層５０は多結晶シリコンの如き抵抗
性材料から成り、基板（ＧＮＤ）への接続導体としてそ
れぞれ使用される。この電極構成によれ眠最上層３０と
中間層４０．中間層４０と最下層５０の間にはシリコン
酸化膜６０を〃誘電体とする静電容量Ｃ１，Ｃ２がそれ
ぞれ形成され、また、回路節点ａと基板（ＧＮＤ）との
間には、最下層の抵抗性導体膜５０による抵抗Ｒが挿入
される。この抵抗Ｒは回路節点ａの定常電位を常時地気
電位（ＧＮＤ）に保つために挿入される。ここで、９０
は表面保護膜である。かかる構造の外部信号入力用金属
電極は外部信号に対してつぎのように応答する。
第３図は上記実施例における外部信号入力用金属電極の
入力信号に対する内部伝達信号の応答波上りまたは立下
りにそれぞれ同期したパルス波形となる。従って、内部
回路はこのパルス波形で外部入力信号波形φｌ と全く
同等に動作することができる。
入力信号に対する内部伝達信号の応答波上りまたは立下
りにそれぞれ同期したパルス波形となる。従って、内部
回路はこのパルス波形で外部入力信号波形φｌ と全く
同等に動作することができる。
以上詳細に説明したように、本発明の外部信号入力用金
属電極は、容量が直列に接続された構Ｉ造であり、チッ
プ上の金属電極から内部回路までは導体で直接結ばれて
いないので、侵入してきた水分により仮台最上層の金属
騰に腐食が発生した場合でも、静電容量値が僅かに減少
するのみで、従来の場合のよう致命的不良とも言える断
線不良を起こすまでに至ることはない。従って、半導体
集積回路装置の寿命および信頼性を格段に向上せしめる
ことが可能である。
属電極は、容量が直列に接続された構Ｉ造であり、チッ
プ上の金属電極から内部回路までは導体で直接結ばれて
いないので、侵入してきた水分により仮台最上層の金属
騰に腐食が発生した場合でも、静電容量値が僅かに減少
するのみで、従来の場合のよう致命的不良とも言える断
線不良を起こすまでに至ることはない。従って、半導体
集積回路装置の寿命および信頼性を格段に向上せしめる
ことが可能である。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の一実施例を示す
半導体集積回路装置の部分断面図およびその等価回路図
、第３図は上記実施例における外部信号入力用金属電極
の入力信号に対する内部伝達信号の応答波形図、第４図
（ａ）および（神は従来半導体集積回路装置の外部信号
入力用金属電極の平面図およびそのＡ−Ａ′断面図、第
５図は外部からの水分侵入により腐食し断線した従来外
部信号入力用金属電極の損傷状態図である。 ｌＯ・・・・・・半導体チップ基板、２０・・・・・・
フィード酸化膜、３０・・・・・・外部信号入力用金塊
電極膜、４０・・・・・・中間層金属電極膜、５０・・
・・・・最下層多結晶シリコン抵抗電極膜、６０・・・
・・・シリコン酸化膜、７０・・・・・・金属ワイヤー
、９０・・・・・・表面保護膜、Ｒ・・・・・・安定抵
抗、ａ・・・・・・回路節点、Ｃｓ、Ｃ２・・・・・・
容量、φｌ・・・・・・外部入力信号波形、φ２・・・
・・・回路節点ａにおける内部伝達信号波形。 代理人 弁理士 内 原 晋 ギ ｌ 困 井 ２ 町 斗 ３ 国 （（Ｌ） ＣＩ）） 茅 ４ＷＪ 茅 ｓＴｌ！Ｊ
半導体集積回路装置の部分断面図およびその等価回路図
、第３図は上記実施例における外部信号入力用金属電極
の入力信号に対する内部伝達信号の応答波形図、第４図
（ａ）および（神は従来半導体集積回路装置の外部信号
入力用金属電極の平面図およびそのＡ−Ａ′断面図、第
５図は外部からの水分侵入により腐食し断線した従来外
部信号入力用金属電極の損傷状態図である。 ｌＯ・・・・・・半導体チップ基板、２０・・・・・・
フィード酸化膜、３０・・・・・・外部信号入力用金塊
電極膜、４０・・・・・・中間層金属電極膜、５０・・
・・・・最下層多結晶シリコン抵抗電極膜、６０・・・
・・・シリコン酸化膜、７０・・・・・・金属ワイヤー
、９０・・・・・・表面保護膜、Ｒ・・・・・・安定抵
抗、ａ・・・・・・回路節点、Ｃｓ、Ｃ２・・・・・・
容量、φｌ・・・・・・外部入力信号波形、φ２・・・
・・・回路節点ａにおける内部伝達信号波形。 代理人 弁理士 内 原 晋 ギ ｌ 困 井 ２ 町 斗 ３ 国 （（Ｌ） ＣＩ）） 茅 ４ＷＪ 茅 ｓＴｌ！Ｊ
Claims (1)
- 半導体チップ基板上に、外部リードとの間を金属ワイ
ヤーを用いてボンディング接続される多数の外部信号入
力用金属電極を備える半導体集積回路装置において、前
記外部信号入力用金属電極が容量を直列接続する多層電
極膜により形成されることを特徴とする半導体集積回路
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036614A JPH01211933A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036614A JPH01211933A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211933A true JPH01211933A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12474682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63036614A Pending JPH01211933A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01211933A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5923077A (en) * | 1998-02-11 | 1999-07-13 | Bourns, Inc. | Passive component integrated circuit chip |
| FR2925980A1 (fr) * | 2007-12-28 | 2009-07-03 | St Microelectronics Sa | Plot de contact electrique |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63036614A patent/JPH01211933A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5923077A (en) * | 1998-02-11 | 1999-07-13 | Bourns, Inc. | Passive component integrated circuit chip |
| FR2925980A1 (fr) * | 2007-12-28 | 2009-07-03 | St Microelectronics Sa | Plot de contact electrique |
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