JPH01212064A - 長尺接続イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） ゛本発明は、原稿にほぼ密着して画像の読み取りを行な
う密着型イメージセンサに係り、特に大きな原稿を読み
取るためセンサ部を長尺とした長尺接続イメージセンサ
に関する。

（従来の技術） 密着型イメージセンサは、原稿とほぼ同一幅の光電変換
部をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等で形成してい
る。従って、原稿に描かれた画像を読み取る際、原稿と
光電変換部とをほぼ密着して用いることができ、縮小光
学系を必要としない大面積デバイスとしての使用が可能
となり、読み取り装置の小形化が実現できる点で注目さ
れている。

密着型イメージセンサは、例えば第４図にその平面図、
第５図に第４図のＮ−ＩＶ’線断面図を示すように、絶
縁基板１１上に形成したセンサ部２１と、このセンサ部
２１の駆動を行なうＩＣチ・１プ３１と、このＩＣチッ
プ３１に制御信号等の供給を行なう外部接続用配線４１
とによって構成される。

センサ部２１は、絶縁基板１１上にＣｒの着膜及びフォ
トリソエツチングプロセスにより複数の下部電極２２と
してのクロムパターンを形成し、これらを覆うように光
電変換層２３としてのアモルファスシリコン層パターン
を形成し、この光な・変換層２３を覆うように上部電極
２４としての酸化インジウム層パターンを形成した複数
のサンドイッチ型センサを並設して成る。

絶縁基板１１上には、センサ部２１の駆動を行なう複数
のＩＣチップ３１が実装されると共に、クロック用配線
やセンサ出力用配線等から成る外部接続用配線４１が形
成されている。外部接続用配線４１は、ＩＣチップ３１
に設けられそれぞれの外部接続用配線４１に対応した入
力端子若しくは出力端子にそれぞれボンディングワイヤ
５１を介して接続されている。また、前記センサ部２１
の複数の下部電極２２の端部もボンディングワイヤ５１
を介してＩＣチップ３１にそれぞれ接続されている。

上述した密着型イメージセンサの製造に際し、ＩＣチッ
プ３１を実装できる絶縁基板１１の長さは装置の制約上
最大でも約３００ｍｍであるため、−枚の絶縁基板で形
成できる密着型イメージセンサの長さには限界があった
。

そこで、図面等の特に大きな原稿（例えば、日本工業規
格Ａ列０番）を読み取る密着型イメージセンサを製造す
るには、複数個の密着型イメージセンサを絶縁基板の数
倍の長さの長尺基板の上に互いに接続して配設すること
より成る接続センサとする必要があった。

（発明が解決しようとする問題点） 接続センサを製造する場合、複数個の密着イメージセン
サに形成されたセンサ部を湿気等の外的要因から保護す
るために、その上面に保護樹脂を塗布している。

しかしながら、保護樹脂を塗布する部分が長くなるため
、保護樹脂の性格上その上面が波打つ「うねり」が生じ
てしまい高精度な接続センサが得られないという問題点
があった。また、それぞれの密着イメージセンサの接続
部分において表面張力により保護樹脂が盛り上がってし
まい、そのためセンサ部に膜厚差が生じることにより光
路差が変化し、センサ部によって得られた像がぼけてし
まうという問題点があった。

本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、センサ部の
膜厚の均一化を図り、センサ部の接続部分において高精
度な長尺接続イメージセンサを提供することを目的とす
る。

（問題点を解決するための手段） 上記従来例の問題点を解消するため本発明に係る長尺接
続イメージセンサは、接続センサを支持する支持板と、
この支持板上に設けた長尺ベースガラスと、この長尺ベ
ースガラス上に互いに接続して配設された複数のセンサ
基板と、この複数のセンサ基板上面に形成された各セン
サ部を保護樹脂を介して被覆する一枚の保護ガラスによ
って構成する。

（作用） 本発明によれば、センサ部上面に保護ガラスを配置した
ので、センサ部の保護樹脂の膜厚の均一イヒを図ること
ができる。

（実施例） 本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。

この長尺接続イメージセンサは、第１図に平面図、第２
図に第１図の１−１′線断面図を示す如く、接続センサ
を支持する長さが１ｍ程度の支持板１０１上に構成する
。

この支持板１０１上には、支持板１０１とほぼ同一長さ
を有しコーニング社製７０５９ガラスで形成する長尺ベ
ースガラス１０２が配置されており、この長尺ベースガ
ラス１０２上に互いに接続して配設された複数のセンサ
基板１０３が設けられている。

センサ基板１０３は、コーニング社製７０５９ガラスの
絶縁基板１０４上に光電変換部を形成するセンサ部１０
５と、このセンサ部１０５を駆動するためのＩＣチップ
１０６を複数配設するガラスエポキシ基板１０７と、こ
のガラスエポキシ基板１０７を前記センサ部１０５の側
方に配置させるためのベースガラス１０８から成る。

ベースガラス１０８は長尺ベースガラス１０２と同一素
材であるコーニング社製７０５９ガラスで形成され、そ
の中央部にセンサ部１０５を形成した絶縁基板１０４を
接着すると共に、センサ部１０５を挟持するようにガラ
スエポキシ基板１０７が配置している。ガラスエポキシ
基板１０７には、ＩＣチップ１０６へ各種信号の供給を
行なう外部接続用配線が形成されている。またガラスエ
ポキシ基板１０７の一側には、開口部１０９と可撓性を
有する首部１１０とが長手方向に交互に形成されると共
に、開口部１０９とガラスエポキシ基板１０７の側辺と
を通じさせるスリット１１１を設け、このスリット１１
１間に方形状のＩＣチップ実装部１１２を形成している
。そして、このＩＣチップ実装部１１２に複数のＩＣチ
ップ１０６が実装される。ＩＣチップ実装部１１２の下
面のみ前記ベースガラス１０８に接着することによりガ
ラスエポキシ基板１０７をセンサ部１０５の両側に位置
させている０以上のようにガラスエポキシ基板１０７に
開口部１０９及び首部１１０等を設けたこと及びガラス
エポキシ樹脂をＩＣチ・ｙプ実装部１１２の下面のみに
限定したのは、センサ部１０５を形成したガラス製の絶
縁基板１０４とガラスエポキシ基板１０７との熱膨張係
数が異なるために生じる両者間の応力を吸収するためで
ある。

ＩＣチップ１０６のセンサ側のパッド部は、ボンディン
グワイヤ１１３ａを介してセンサ部１０５に接続される
と共に、ＩＣチップ１０６の外側のパッド部は、ボンデ
ィングワイヤ１１３ｂを介してガラスエポキシ基板１０
７に形成した外部接続用配線に接続されることによりセ
ンサ１１０５の駆動を行なっている。

支持板１０１上に並設されたセンサ基板１０３には、そ
の全てのセンサ部１０５を覆うように、コーニング社製
７０５９ガラスで形成し支持板１０１の長手方向に長い
一枚の保護ガラス１１４を、保護樹脂２００を介して配
置している。保護ガラス１１４は、湿気等による外的要
因からセンサ部１０５が劣化しないよう設けたものであ
る。また、保護ガラス１１４があることにより保護樹脂
２００がセンサ基板１０３の繋ぎ目部分で凸状になるの
を防止して保護樹脂２００の膜厚の均一化を図っている
。その結果、複数のセンサ基板１０３を接続してセンサ
部１０５を長尺に形成したにもかかわらず、接続部にお
いても解像度が低下しないセンサ部を得ることができる
。

また、ＩＣチップ１０６上には、ＩＣチップ１０６を保
護するためのＩＣ保護レジン１１５が装着されると共に
、センサ部１０５上にはセンサ保護レジン１１６が装着
されている。

センサ部１０５の両側に配設したガラスエポキシ基板１
０７上には、それぞれ間隔をおいて角状のＳｌゴム１１
７を配置し、一端が止め具１１８で支持板１０１に固定
されるステンレス製の押え板１１９により前記Ｓｌゴム
１１７を支持板１０１方向に押圧して、支持板１０１に
長尺ベースガラス１０２を圧着させている。

次に本発明に係る長尺接続イメージセンナの製造プロセ
スについて第３図（ａ＞乃至（」）を参照しながら説明
する。

第３図（ａ）に示すコーニング社製７０５９ガ、　ラス
で形°成した絶縁基板１０４上に、蒸着法によってクロ
ム薄膜を着膜した後、フォトリソエツチングプロセスに
より二列に並んだ複数の下部電極２２としてのＣｒパタ
ーンを形成する（第３図（ｂ））。

絶縁基板１０４上のＣｒパターンを形成した面の両端部
分は、センサを製造する上で微細加工のできない部分な
ので、後に切断するため絶縁基板１０４の端部から適宜
距離の位置に、ガラス切断の際に用いられる超鋼ロール
でスクライブ溝１２０を設けておく（第３図（ｃ））。

次に、下部電極２２を覆うように光電変換層をアモルフ
ァスシリコンの着膜により形成し、更に光電変換層を覆
い前記下部電極２２に対応する位置となるように透光性
の上部電極を酸化インジウム・スズの着膜及びフォトリ
ソエツチングプロセスにより形成する。そして、絶縁基
板１０４を分割してベースガラス１０８に接着する大き
さのセンサ部１０５を得る（第３図（ｄ）’）。

上記のように得られた長方形状のセンサ部１０５を、コ
ーニング社製７０５９ガラスで形成した方形状のベース
ガラス１０８上にＵＶ硬化法により接着する。接着する
に際し、絶縁基板１０４に設けた前記スクライブ溝１２
０の部分がベースガラス１０８の両端より外側に位置す
るようになつている（第３図（ｅ））。

センサ部１０５の両側面のベースガラス１０８上に・ガ
ラスエポキシ基板１０７を熱硬化性両面テープにより′
接着する。ベースガラス１０８とガラスエポキシ基板１
０７の接着面は、上述したように、ガラスエポキシ基板
１０７のＩＣチップ実装部１１２の下面のみとし、ガラ
スエポキシ基板１０７に生じる応力を開口部１０９で吸
収できるようにしている（第３図（ｆ））。

次に、ガラスエポキシ基板１０７のＩＣチップ実装部１
１２に複数のＩＣチップ１０６を実装して並設する。そ
して、絶縁基板ｉ０４の端部近傍に引き出された下部電
極２２とＩＣチップ１０６のパッド間及び、ガラスエポ
キシ基板１０７の外部接続用配線とＩＣチップ１０６の
パッド間をボンディングワイヤにより接続し、ＩＣチッ
プ１０６及びボンディングワイヤをＩＣ保護用レジン１
１５によって覆う（第３図（ｇ））。

絶縁基板１０４の両端部を、センサ部１０５上面より突
出する「ばり」がでないように前記スクライブ溝１２０
に沿って切断する。以上のプロセスによって、長尺接続
イメージセンサの一片をなすセンサ基板１０３を得る（
第３図（ｈ））。

このようにして得られた四枚のセンサ基板１０３を、コ
ーニング社製７０５９ガラスで形成した長尺ベースガラ
ス１０２上にセンサ部１０５上面が連続するようにＵｖ
硬化法により接着する（第３図（ｉ））。

長尺に連続したセンサ部１０５の上面にシリコン樹脂を
流し、その上にコーニング社製７０５９ガラスで形成し
た保護ガラス１１４を配置して、センサ部１０５と保護
ガラス１１４とを接着する。

そして、センサ基板１０３が接着された長尺ベースガラ
ス１０２を、アルミニウムで形成された支持板１０１上
に配置して接続センサを得る（第３図（ｊ））。長尺ベ
ースガラス１０２と支持板１０１とは接着するのでなく
、センサ基板１０３のガラスエポキシ基板１０７上に設
けたＳｔゴム１１７を、ステンレスで形成した押え板１
１９で押圧することにより、長尺ベースガラス１０２を
支持板１０１に圧接している。

従って、温度変化によりアルミニウムで形成した支持板
１０１に対して長尺ベースガラス１０２が伸縮した場合
においても、長尺ベースガラス１０２は支持板１０１上
を滑るので、ストレスやそりを発生させない。

また、本実施例では長尺ベースガラス１０２、センサ基
板１０２、ベースガラス１０８、保護ガラス１１４をす
べて同一素材であるコーニング社製７０５９ガラスで形
成したので、周囲の熱変化に対して長尺ベースガラス１
０２等が同じように膨張するので、センサ基板１０３の
接続部に応力が集中することがなくセンサ部１０５の端
画素が壊れることがない。

（発明の効果） 上述したように本発明は、複数のセンサ基板を接続して
支持板に配置する接続センサで、センサ基板に形成した
センサ部上面に保護ガラスを配置したので、保護樹脂の
膜厚の均一化を図ることができる。

従って、接続部分近傍のセンサ部においても池のセンサ
部分と同一の特性を維持することができ、高精、度な長
尺接続イメージセンサを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の長尺接続イメージセンサを示す
平面図、第２図は第１図の１−１′線断面図、第３図（
ａ）乃至（Ｊ）は実施例の長尺接続イメージセンサの製
造プロセスの説明図、第４図は従来の密着型イメージセ
ンサを示す平面図、第５図は第４図のＩＶ−ＩＶ′線断
面図である。 １０１・・・・・・支持板 １０２・・・・・・長尺ベースガラス １０３・・・・・・センサ基板 １０７・・・・・・ガラスエポキシ基板１０８・・・・
・・ベースガラス １１４・・・・・・保護ガラス １１７・・・・・・Ｓｉゴム １１９・・・・・・押え板 ２００・・・・・・保護樹脂 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　支持板と、該支持板上に設けた長尺ベースガラスと、
   該長尺ベースガラス上に互いに接続して配設された複数
   のセンサ基板と、この複数のセンサ基板上面に形成され
   た各センサ部を保護樹脂を介して被覆する一枚の保護ガ
   ラスと、からなる長尺接続イメージセンサ。