JPH01217719A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents

磁気抵抗効果型ヘツド

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JPH01217719A
JPH01217719A JP63041987A JP4198788A JPH01217719A JP H01217719 A JPH01217719 A JP H01217719A JP 63041987 A JP63041987 A JP 63041987A JP 4198788 A JP4198788 A JP 4198788A JP H01217719 A JPH01217719 A JP H01217719A
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北田　正弘
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昇 清水
Hideo Tanabe
英男 田辺
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気抵抗効果型ヘッドに係り、特に高密度磁気
記録に最適な磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
〔従来の技術〕
従来のシャントバイアス型磁気抵抗効果型ヘッドのシャ
ント膜には、米国特許第３９４０７９７号明細書に記載
のようにＴｉあるいはＴａが、また特開昭６２−１２８
０１５号公報に記載のようにＺｒが用いられていた。
【発明が解決しようとする課題〕
上記従来沢術がＴｉを用いたシャントバイアス型磁気抵
抗ヘッドでは、１７５℃以上になるとＮｉ−Ｆｅ金合金
以下パーマロイと呼ぶ）膜とＴｉの反応が起こり、磁気
抵抗効果膜であるパーマロイ膜の特性劣化が生ずる。ま
た、Ｚｒをシャント膜としたヘッドでは、パーマロイ膜
との反応下限温度は３２５℃まで改善されるが、ヘッド
を作製する種々のプロセスの温度条件からみて、まだ低
いａ　Ｔ　ａはパーマロイとの反応開始温度が３５０℃
と高いが、Ｔａ薄膜はパーマロイやＴｉに比較すると耐
資性が悪く、電気抵抗率も９０〜２００μΩ１と極めて
高く、シャント膜としては不適当である。
本発明の目的は、シャント型磁気抵抗効果型ヘッドに最
適な耐熱性に優れたシャント膜をもった磁気抵抗効果型
ヘッドを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、パーマロイ膜との反応開始温度が高く、か
つ電気抵抗がシャント構造に適したＮｂ膜を用いること
により達成される。
〔作用〕
どのような金属膜が組み合せ膜として適しているかは、
実際に種々の薄膜を用いて素子を作製して評価しなけれ
ばならない１反応の面からみれば。
反応は原子の熱活性化に支配されるので、融点の高い金
属が望ましい、これと同時に耐食性の優れていることも
必要である。Ｎｂは上記の点で優れた性質を有している
。
〔実施例〕
以下１本発明の一実施例を説明する。
実施例１ ガラス基板上にＮｉ−１９ｗｔ％Ｆθの組成をもつパー
マロイ薄膜を電子ビーム蒸着法で形成した。パーマロイ
の厚さは４００人である。このパーマロイ薄膜の上に真
空を破ることなく引き続きＮｂ薄膜を電子ビーム蒸着法
で約７００人魚着した。この２層膜を以下Ｎｂ／パーマ
ロイ膜と呼ぶ。
この試料と比較するために同種のガラス基板上に上記と
同組成のパーマロイ膜を形成し、続けてＴｉ膜を蒸着し
たＴｉ／パーマロイ膜を作製した。
これらの試料を同一条件で比較するために、１Ｏ−７Ｔ
ｏｒｒの真空炉中で一緒に並べて熱処理を行なった。
第１図は熱処理温度とパーマロイ膜の保磁力の変化を示
したものである。第１図から明らかなように、Ｔｉ／パ
ーマロイ２層膜の保磁力は熱処理温度が２２５℃以上に
なると増大し始める。これは、Ｔｉとパーマロイ膜の相
互拡散等により、パーマロイ膜の蒸気特性が劣化してい
ることを示している。これに対して、Ｎｂ／パーマロイ
膜におけるパーマロイの保磁力は４００℃まで変化を示
さず。
４２５℃以上になると若干増大し、再膜間に反応の起こ
ることがわかる。
以上の実施例から明らかなように、ＮｂはＴｉに比較し
て約２００℃反塔部度が高く、パーマロイと金属とから
なる２層膜のパーマロイの耐熱性向上に顕著な効果を示
す。
実施例２ Ｔｉ／パーマロイおよびＮｂ／パーマロイのそれぞれの
２層膜を使用して作製したシャント型磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおける磁気再生特性を比較した０作製したヘッド
を２２５℃で熱処理したのちの再生波形ではバククウゼ
ン効果によると思われるノイズが著しく、他方Ｎｂ／パ
ーマロイ膜を使用したものでは、同様のノイズは見られ
なかった。Ｔｉ／パーマロイ膜を使用したヘッドでは。
熱処理温度が２７５℃以上になると再生出力が得られな
くなる。これに対してＮｂを用いたヘッドでは、４００
℃の熱処理をしても再生出力は正常で、４２５℃以上に
なるとノイズが多くなる。
通常の電子ビーム蒸着法で得られるＴｉ膜の比抵抗は５
５〜６０μΩＩであるのに対し、Ｎｂは２８〜３０μΩ
１と約１７２の値が得られる。このため、シャントバイ
アス膜の厚さをＴｉの約１７２に低減することができる
。これは、シールド型磁気抵抗効果型ヘッドを作製する
場合、シールド間距離（通常ギャップと呼ばれる）を上
記シャント膜の厚さ低減分だけ狭くできる利点もある。
Ｎｂ／パーマロイ２ｍｌ！Ｉは２端子の素子、３端子の
差動型素子など、何れの駆動方式でも同様に実施できる
。
〔発明の効果〕
本発明によれば、シャントバイアス型パーマロイ磁気抵
抗素子の耐熱温度を従来のＴｉ／パーマロイ系に比較し
て約２００℃高めることができるので、当該材料を用い
た磁気ヘッドを作製するプロセスが従来より約２００℃
高められる。このため、パーマロイ膜と下地との密着性
、Ｎｂ／パーマロイ膜上の酸化物絶縁膜との密着性、シ
ールド用蒸着パーマロイ薄膜の特性向上、エレクトロマ
イグレーションによる素子の破壊、などが著しく低減し
た。この結果として、素子の歩留向上、不良率低減、使
用中の故障の発生の低減に著しい効果があった。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来および本発明のパーマロイ膜とシヤント金
属膜間の反応を示すパーマロイ膜の保磁力と熱処理温度
の関係を示す図である。 纂　　ｊ　　図 ラム屋　ζ′Ｑ）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、Ｆｅを７〜２７ｗｔ％含有するＮｉ−Ｆｅ合金膜と
    不可避の不純物を含むＮｂ膜との２層膜からなり、Ｎｂ
    膜がＮｉ−Ｆｅ合金膜にバイアス磁界を印加するシャン
    ト膜を構成することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド
    。 ２、Ｎｂ／Ｎｉ−Ｆｅ合金２層膜からなる磁気抵抗効果
    素子が３端子の差動型に構成されたことを特徴とする請
    求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
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US07/310,922 US5010433A (en) 1988-02-26 1989-02-16 Magnetoresistive magnetic head having a shunt film of Nb
DE3905625A DE3905625C2 (de) 1988-02-26 1989-02-23 Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven Magnetkopfes
US07/873,785 US5337203A (en) 1988-02-26 1992-04-27 Magnetoresistive magnetic head
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5510941A (en) * 1993-04-14 1996-04-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Magneto-resistive type magnetic head with a shunt layer of molybdenum

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5371643A (en) * 1990-11-19 1994-12-06 Hitachi, Ltd. Magnetoresistive head structure that prevents under film from undesirable etching
US5422571A (en) * 1993-02-08 1995-06-06 International Business Machines Corporation Magnetoresistive spin valve sensor having a nonmagnetic back layer
JP2836474B2 (ja) * 1993-12-15 1998-12-14 日本電気株式会社 磁気抵抗素子とその製造方法
US5452163A (en) * 1993-12-23 1995-09-19 International Business Machines Corporation Multilayer magnetoresistive sensor
JPH07192227A (ja) * 1993-12-28 1995-07-28 Sony Corp 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
US5446613A (en) * 1994-02-28 1995-08-29 Read-Rite Corporation Magnetic head assembly with MR sensor
EP0675554A1 (en) * 1994-03-24 1995-10-04 Nec Corporation Magnetoresistive effect element
US6088204A (en) * 1994-12-01 2000-07-11 International Business Machines Corporation Magnetoresistive magnetic recording head with permalloy sensor layer deposited with substrate heating
JPH08180328A (ja) * 1994-12-21 1996-07-12 Fujitsu Ltd スピンバルブ磁気抵抗効果素子及びその製造方法
US5568335A (en) * 1994-12-29 1996-10-22 International Business Machines Corporation Multi-layer gap structure for high resolution magnetoresistive read head
JPH08287422A (ja) * 1995-04-07 1996-11-01 Alps Electric Co Ltd 磁気抵抗効果型ヘッド
US5617273A (en) * 1995-06-07 1997-04-01 International Business Machines Corporation Thin film slider with protruding R/W element formed by chemical-mechanical polishing
JPH0916916A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 Sony Corp 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
EP0780833A3 (en) * 1995-12-20 1999-01-07 Ampex Corporation Improved magnetic recording system having a saturable layer and detection using MR element
JPH09251616A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Sony Corp 薄膜磁気ヘッド
US5830590A (en) * 1996-06-28 1998-11-03 Ampex Corporation Magnetic storage and reproducing system with a low permeability keeper and a self-biased magnetoresistive reproduce head
US5861220A (en) * 1996-08-06 1999-01-19 Ampex Corporation Method and apparatus for providing a magnetic storage and reproducing media with a keeper layer having a longitudinal anisotropy
US6249406B1 (en) 1996-09-23 2001-06-19 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor with a soft adjacent layer having high magnetization, high resistivity, low intrinsic anisotropy and near zero magnetostriction
US5766780A (en) * 1996-10-15 1998-06-16 Seagate Technology, Inc. Reversed order NIMN exchange biasing for dual magnetoresistive heads
US5721008A (en) * 1996-10-15 1998-02-24 Seagate Technology, Inc. Method for controlling sensor-to-sensor alignment and material properties in a dual magnetoresistive sensor
US5783460A (en) * 1996-10-25 1998-07-21 Headway Technologies, Inc. Method of making self-aligned dual stripe magnetoresistive (DRMR) head for high density recording
US5843565A (en) * 1996-10-31 1998-12-01 Ampex Corporation Particulate magnetic medium utilizing keeper technology and methods of manufacture
US5999379A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 International Business Machines Corporation Spin valve read head with plasma produced metal oxide insulation layer between lead and shield layers and method of making
JP2000276716A (ja) 1999-03-24 2000-10-06 Nec Corp 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法および磁気記憶装置
JP2000285417A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜磁気ヘッド
US6724027B2 (en) * 2002-04-18 2004-04-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magnetic shielding for MRAM devices
US7798015B2 (en) * 2005-05-16 2010-09-21 Endress + Hauser Flowtec Ag Magneto-inductive flowmeter and measuring tube for such

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4379832A (en) * 1981-08-31 1983-04-12 International Business Machines Corporation Method for making low barrier Schottky devices of the electron beam evaporation of reactive metals
EP0095773B1 (en) * 1982-05-31 1987-04-08 Nec Corporation Method of producing josephson tunnel barrier
US4622613A (en) * 1983-10-07 1986-11-11 Matsushita Electric Industrials Co., Ltd. Thin film magnetic head
US4663684A (en) * 1984-01-27 1987-05-05 Hitachi, Ltd. Magnetic transducer using magnetoresistance effect
JPS60251682A (ja) * 1984-05-29 1985-12-12 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果型素子
US4714625A (en) * 1985-08-12 1987-12-22 Chopra Kasturi L Deposition of films of cubic boron nitride and nitrides of other group III elements
JPS63304416A (ja) * 1987-06-05 1988-12-12 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果型再生ヘツド

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5510941A (en) * 1993-04-14 1996-04-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Magneto-resistive type magnetic head with a shunt layer of molybdenum

Also Published As

Publication number Publication date
US5010433A (en) 1991-04-23
JP2613239B2 (ja) 1997-05-21
DE3905625A1 (de) 1989-08-31
US5401542A (en) 1995-03-28
KR920002607B1 (ko) 1992-03-30
DE3905625C2 (de) 1995-12-07
US5337203A (en) 1994-08-09
KR890013605A (ko) 1989-09-25

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