JPS609183A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
- Publication number
- JPS609183A JPS609183A JP58115836A JP11583683A JPS609183A JP S609183 A JPS609183 A JP S609183A JP 58115836 A JP58115836 A JP 58115836A JP 11583683 A JP11583683 A JP 11583683A JP S609183 A JPS609183 A JP S609183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- target
- permalloy thin
- permalloy
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は該磁気ヘッドの中で特に再生専用ヘッドとして
使用される磁気抵抗効果型ヘッドに好適な磁気抵抗効果
素子に関する。
使用される磁気抵抗効果型ヘッドに好適な磁気抵抗効果
素子に関する。
近年、磁気抵抗効果素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッド
の開発が盛んになっているが、この磁気抵抗効果型ヘッ
ドは、磁気ディスクあるいは磁気テープなどの磁性媒体
から洩れ出る信号磁界によシ当該磁気抵抗効果素子の抵
抗が変化し、その変化を検出することにより上記磁性媒
体に記録された情報を読み取ることができる。
の開発が盛んになっているが、この磁気抵抗効果型ヘッ
ドは、磁気ディスクあるいは磁気テープなどの磁性媒体
から洩れ出る信号磁界によシ当該磁気抵抗効果素子の抵
抗が変化し、その変化を検出することにより上記磁性媒
体に記録された情報を読み取ることができる。
上記磁気抵抗効果素子の基本構造を第１図に示す。ここ
で、１は基板、２は絶縁層、３はパーマロイ薄膜、４は
導体である。このように磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗
効果の大きな、長方形状に加工された、例えばパーマロ
イ薄膜により構成されておシ、当該磁気抵抗効果素子の
再生特性はパーマロイ薄膜の磁気抵抗効果特性に大きく
依存している。当該パーマロイ薄膜は、一般にはＥＢ蒸
着法、抵抗加熱蒸着法あるいはスパッタリング法などに
より形成することができるが、従来から蒸着法によって
形成されたパーマロイ薄膜が使用されてきている。その
理由は、蒸着法によって形成されたパーマロイ薄膜の磁
気抵抗効果特性が優れていることによる。しかしながら
、蒸着法においては、形式膜の組成のばらつきが大きく
、一定した特性の膜を得ることが難しいという欠点を有
しており、これが磁気抵抗効果素子の特性の変動に大き
く影響している。一方、火元中で作製したターゲットを
用いてスパッタリング法により形成したパーマロイ薄膜
は、組成のばらつきが少なく、特性が一定しているが、
Ａｒガス等の不純物ガス巻き込みが多いために、第２図
で矢印で示すように膜厚が０．３μｍ以下の場合には磁
気抵抗効果特性が著しく悪く、膜厚０．０３〜０．３μ
ｍのパーマロイ薄膜を使用して磁気抵抗効果素子とした
場合に再生出力が小さく、出力が磁場の強さに対し分割
するという欠点があった。
で、１は基板、２は絶縁層、３はパーマロイ薄膜、４は
導体である。このように磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗
効果の大きな、長方形状に加工された、例えばパーマロ
イ薄膜により構成されておシ、当該磁気抵抗効果素子の
再生特性はパーマロイ薄膜の磁気抵抗効果特性に大きく
依存している。当該パーマロイ薄膜は、一般にはＥＢ蒸
着法、抵抗加熱蒸着法あるいはスパッタリング法などに
より形成することができるが、従来から蒸着法によって
形成されたパーマロイ薄膜が使用されてきている。その
理由は、蒸着法によって形成されたパーマロイ薄膜の磁
気抵抗効果特性が優れていることによる。しかしながら
、蒸着法においては、形式膜の組成のばらつきが大きく
、一定した特性の膜を得ることが難しいという欠点を有
しており、これが磁気抵抗効果素子の特性の変動に大き
く影響している。一方、火元中で作製したターゲットを
用いてスパッタリング法により形成したパーマロイ薄膜
は、組成のばらつきが少なく、特性が一定しているが、
Ａｒガス等の不純物ガス巻き込みが多いために、第２図
で矢印で示すように膜厚が０．３μｍ以下の場合には磁
気抵抗効果特性が著しく悪く、膜厚０．０３〜０．３μ
ｍのパーマロイ薄膜を使用して磁気抵抗効果素子とした
場合に再生出力が小さく、出力が磁場の強さに対し分割
するという欠点があった。
本発明はスパッタリング法によシ作製した０、３μｍ以
下のパーマロイ薄膜に゛おける上記欠点をなくシ、磁気
抵抗効果型ヘッドに好適な磁気抵抗効果素子を提供する
ことを目的としたものであり、本発明に於ては、１０−
５φｏｒｒ以下の高真空中で溶解作製したパーマロイタ
ーゲットを用いてスパッタリング法によってパーマロイ
薄膜を形成することによりなる。これによシ、組成のば
らつきが少なく、磁気抵抗効果特性が良好で一定したパ
ーマロイ薄膜を提供する。
下のパーマロイ薄膜に゛おける上記欠点をなくシ、磁気
抵抗効果型ヘッドに好適な磁気抵抗効果素子を提供する
ことを目的としたものであり、本発明に於ては、１０−
５φｏｒｒ以下の高真空中で溶解作製したパーマロイタ
ーゲットを用いてスパッタリング法によってパーマロイ
薄膜を形成することによりなる。これによシ、組成のば
らつきが少なく、磁気抵抗効果特性が良好で一定したパ
ーマロイ薄膜を提供する。
磁気抵抗効果素子に使用するパーマロイ薄膜の特性とし
ては比抵抗ρ０が１５μΩｍ以上、比抵抗変化率Δρ／
ρ０が２．０％以上であることが必要である（第３図、
第４図に破線で示しである）。
ては比抵抗ρ０が１５μΩｍ以上、比抵抗変化率Δρ／
ρ０が２．０％以上であることが必要である（第３図、
第４図に破線で示しである）。
したがって、使用するターゲットの作製条件も限られて
くるが、本発明では１０−５Ｔｏｒｒ以下の高真空中で
作製したターゲットを用いてパーマロイ薄膜を形成する
ことで上記の条件を満足することができる。また、本発
明はターゲット組成がＮｉ濃度７５〜９ Ｑ ｗ ｔ％
の時に特に効果的である。
くるが、本発明では１０−５Ｔｏｒｒ以下の高真空中で
作製したターゲットを用いてパーマロイ薄膜を形成する
ことで上記の条件を満足することができる。また、本発
明はターゲット組成がＮｉ濃度７５〜９ Ｑ ｗ ｔ％
の時に特に効果的である。
以下に実施例によって本発明を詳細に述べる。
実施例１
第３図は、各種組成のパーマロイターゲット作製時の真
空度と該ターゲットを用いてスパッタリング法によシ形
成した厚さ約３５ｘｍのパーマロイ薄膜における比抵抗
変化率Δρ／゛ρ０との関係を示す図である。ここで曲
線５はターゲット組成７５ｗｔ％Ｎｉ ２５ｗｔ％Ｆｅ
の場合、曲線６は８１ｗｔ％Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅの場
合、曲線７は９Ｑｗｔ％Ｎ ｉ −１０ｗ ｔ％Ｆｅの
場合を各々示す。この実施例によれば、ターゲット組成
が７５ｗｔ％Ｎｉの場合には、ターゲット作製時真空度
が約２×１０″５ＴＯｒｒ以下であればΔρ／ρ０が２
．０チ以上に達する。まだ、Δρ／ρ０が他の場合（７
５ｗｔチＮｉ、 ８１ｗｔチＮｉの場合）よりも全体に
大きな値が得られる９０ｗｔ％Ｎｉターゲットの場合で
は、ターゲット作製時真空度が約９ Ｘ １０−５Ｔｏ
ｒｒ以下であればΔρ／ρ０が２．０チ以上に達する。
空度と該ターゲットを用いてスパッタリング法によシ形
成した厚さ約３５ｘｍのパーマロイ薄膜における比抵抗
変化率Δρ／゛ρ０との関係を示す図である。ここで曲
線５はターゲット組成７５ｗｔ％Ｎｉ ２５ｗｔ％Ｆｅ
の場合、曲線６は８１ｗｔ％Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅの場
合、曲線７は９Ｑｗｔ％Ｎ ｉ −１０ｗ ｔ％Ｆｅの
場合を各々示す。この実施例によれば、ターゲット組成
が７５ｗｔ％Ｎｉの場合には、ターゲット作製時真空度
が約２×１０″５ＴＯｒｒ以下であればΔρ／ρ０が２
．０チ以上に達する。まだ、Δρ／ρ０が他の場合（７
５ｗｔチＮｉ、 ８１ｗｔチＮｉの場合）よりも全体に
大きな値が得られる９０ｗｔ％Ｎｉターゲットの場合で
は、ターゲット作製時真空度が約９ Ｘ １０−５Ｔｏ
ｒｒ以下であればΔρ／ρ０が２．０チ以上に達する。
したがって、ターゲット作製時の真空度は１０−５Ｔｏ
ｒｒ以下が適当である。
ｒｒ以下が適当である。
第４図は、第３図の結果を整理した図であり、約２ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒの真空中で作製したターゲットを
用いて形成したパーマロイ薄膜（曲線８の場合）と大気
中で作製したターゲットを用いて形成したパーマロイ薄
膜（曲線９の場合）とにおける比抵抗変化率Δρ／ρ０
のターゲット組成依存性を示す。この実施例により、１
０−５Ｔｏｒｒ台で作製した７５〜９Ｑｗｔ％Ｎｉ組成
のターゲットを用いてパーマロイ薄膜を形成すれば、比
抵抗変化率Δρ／ρ０が２０チ以上のパーマロイ薄膜を
得られることがわかった。
１０−’ Ｔｏｒｒの真空中で作製したターゲットを
用いて形成したパーマロイ薄膜（曲線８の場合）と大気
中で作製したターゲットを用いて形成したパーマロイ薄
膜（曲線９の場合）とにおける比抵抗変化率Δρ／ρ０
のターゲット組成依存性を示す。この実施例により、１
０−５Ｔｏｒｒ台で作製した７５〜９Ｑｗｔ％Ｎｉ組成
のターゲットを用いてパーマロイ薄膜を形成すれば、比
抵抗変化率Δρ／ρ０が２０チ以上のパーマロイ薄膜を
得られることがわかった。
以上の実施例から明らかなように、１０−”Ｉ’ｏｒｒ
以下の高真空中で溶解作製した７５ｗｔ％Ｎｉ〜９０ｗ
ｔ％Ｎｉの組成をもつパーマロイターゲットを使用して
、スパッタリング法によシパーマロイ薄膜を形成すれば
、磁気抵抗効果素子に使用できる程度に該パーマロイ薄
膜の比抵抗変化率を改善することができる。これにより
、スパッタリング法の長所である、組成のばらつきが少
なく特性が一定したパーマロイ薄膜を磁気抵抗効果素子
として使用することができ、出力のばらつきが少ない磁
気抵抗効果素子が実現可能である。
以下の高真空中で溶解作製した７５ｗｔ％Ｎｉ〜９０ｗ
ｔ％Ｎｉの組成をもつパーマロイターゲットを使用して
、スパッタリング法によシパーマロイ薄膜を形成すれば
、磁気抵抗効果素子に使用できる程度に該パーマロイ薄
膜の比抵抗変化率を改善することができる。これにより
、スパッタリング法の長所である、組成のばらつきが少
なく特性が一定したパーマロイ薄膜を磁気抵抗効果素子
として使用することができ、出力のばらつきが少ない磁
気抵抗効果素子が実現可能である。
第１図は磁気抵抗効果素子の基本構造を示す斜視図、第
２図は大気中で作製したターゲットを用いてスパッタリ
ング法によ多形成したパーマロイ薄膜の膜厚と比抵抗変
化率との関係を示す図、第３図は本発明の効果を示す図
、第４図は本発明の効果を示す図である。 １・・・基板、２・・・絶縁層、３・・・パーマロイ薄
膜、４・・・導体、５・・・ターゲット組成が７５ｗｔ
％Ｎｉの場合の真空度と比抵抗変化率との関係曲線、６
・・・ターゲット組成が８１ｗｔ％Ｎｉの場合の真空度
と比抵抗変化率との関係曲線、７・・・ターゲット組成
が９０ｗｔ％Ｎｉの場合の真空度と比抵抗変化率との関
係曲線、８・・・１０−５Ｔｏｒｒ台で作製したターゲ
ットを用いた時のＮｉ組成と比抵抗変化率との関係曲線
、９・・・大気中で作製したターゲットを用いた時のＮ
ｉ組成と比抵抗変化率との関係白画 １ 図 ￥Ｊ ２ 図 月冥 汚 （ノス・−シ ネ ３ 日 γ ４ 図 Ａ／６ ボ１メ（（ρｔｙ、］
２図は大気中で作製したターゲットを用いてスパッタリ
ング法によ多形成したパーマロイ薄膜の膜厚と比抵抗変
化率との関係を示す図、第３図は本発明の効果を示す図
、第４図は本発明の効果を示す図である。 １・・・基板、２・・・絶縁層、３・・・パーマロイ薄
膜、４・・・導体、５・・・ターゲット組成が７５ｗｔ
％Ｎｉの場合の真空度と比抵抗変化率との関係曲線、６
・・・ターゲット組成が８１ｗｔ％Ｎｉの場合の真空度
と比抵抗変化率との関係曲線、７・・・ターゲット組成
が９０ｗｔ％Ｎｉの場合の真空度と比抵抗変化率との関
係曲線、８・・・１０−５Ｔｏｒｒ台で作製したターゲ
ットを用いた時のＮｉ組成と比抵抗変化率との関係曲線
、９・・・大気中で作製したターゲットを用いた時のＮ
ｉ組成と比抵抗変化率との関係白画 １ 図 ￥Ｊ ２ 図 月冥 汚 （ノス・−シ ネ ３ 日 γ ４ 図 Ａ／６ ボ１メ（（ρｔｙ、］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気記録媒体からの信号磁界をパーマロイ薄膜の磁
気抵抗効果を利用して読み取る磁気抵抗効果素子におい
て、該パーマロイ薄膜を１０″５Ｔｏｒｒ以下の高真空
中で溶解作製したパーマロイターゲットを用いてスパッ
タリングの方法により形成したことを特徴とする磁気抵
抗効果素子。 ２、該スパッタ用ターゲットのＮ１組成を７５〜９０ｗ
ｔ％とし、スパッタリングの方法によって作製されたパ
ーマロイ薄膜の膜厚が０．０２〜０．３μｍになるよう
に制御したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115836A JPS609183A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115836A JPS609183A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609183A true JPS609183A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=14672316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115836A Pending JPS609183A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609183A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299161A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Rinnai Corp | 住宅用情報送信装置 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58115836A patent/JPS609183A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299161A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Rinnai Corp | 住宅用情報送信装置 |
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