JPH01217954A - セラミックパッケージの金属導体接続方法 - Google Patents
セラミックパッケージの金属導体接続方法Info
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- JPH01217954A JPH01217954A JP4194988A JP4194988A JPH01217954A JP H01217954 A JPH01217954 A JP H01217954A JP 4194988 A JP4194988 A JP 4194988A JP 4194988 A JP4194988 A JP 4194988A JP H01217954 A JPH01217954 A JP H01217954A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置用セラミックパッケージの金属導体接続方法
の改良に関し、 セラミック基板上に形成される配線のパッド端子上に必
要にして十分な量の鑞材を供給することによって、鑞材
のはみ出し等による配線間の短絡を防止し、また、不完
全な鑞付は等による鑞付は強度の低下を防止し、鑞付け
の信頼性を高め、歩留りを向上するセラミックパッケー
ジの金属導体接続方法を提供することを目的とし、 セラミック基板上にメタライズ層を形成し、該メタライ
ズ層上に鑞材層を形成し、該鑞材層と前記メタライズ層
との２重層を、−括して、または、別個にエツチングし
て、メタライズ層よりなる配線を形成するとともに、該
配線上に金属導体を鑞付けするに必要にして十分な量の
鑞材を残留し、前記配線上に残留した前記鑞材上に金属
導体を載置し加熱して溶解・固化し、該金属導体と前記
配線とを鑞付けするように構成する。
の改良に関し、 セラミック基板上に形成される配線のパッド端子上に必
要にして十分な量の鑞材を供給することによって、鑞材
のはみ出し等による配線間の短絡を防止し、また、不完
全な鑞付は等による鑞付は強度の低下を防止し、鑞付け
の信頼性を高め、歩留りを向上するセラミックパッケー
ジの金属導体接続方法を提供することを目的とし、 セラミック基板上にメタライズ層を形成し、該メタライ
ズ層上に鑞材層を形成し、該鑞材層と前記メタライズ層
との２重層を、−括して、または、別個にエツチングし
て、メタライズ層よりなる配線を形成するとともに、該
配線上に金属導体を鑞付けするに必要にして十分な量の
鑞材を残留し、前記配線上に残留した前記鑞材上に金属
導体を載置し加熱して溶解・固化し、該金属導体と前記
配線とを鑞付けするように構成する。
本発明は、半導体装置用セラミックパッケージの金属導
体接続方法の改良に関する。
体接続方法の改良に関する。
半導体素子の集積度の向上とともに、半導体素子を封入
する半導体装置用パッケージに対して、高配線密度化、
低抵抗化等の要求が高まってきた。
する半導体装置用パッケージに対して、高配線密度化、
低抵抗化等の要求が高まってきた。
このため、セラミック上にスクリーン印刷法を使用して
配線パターンを形成するという伝統的な方法に代わって
、薄膜法による配線パターン形成法が採用されるように
なった。
配線パターンを形成するという伝統的な方法に代わって
、薄膜法による配線パターン形成法が採用されるように
なった。
この薄膜法による配線パターン形成方法は、第グ
６図に示すように、下記の工程をもってなすものである
。
。
セラミックパッケージを形成するセラミック基板ｌ上に
、セラミックとの接合性が良好なりローム、チタン、チ
タン−タングステン等よりなるグループから選択された
金属と、電気伝導度が高いタングステン、モリブデン、
銅、ニッケル、アルミニウム等よりなるグループから選
択された金属と、鑞材との接合性が良い、銅、ニッケル
等のグループから選択された金属との三重層からなるメ
タライズ層２をスパッタ法等を使用して形成する。
、セラミックとの接合性が良好なりローム、チタン、チ
タン−タングステン等よりなるグループから選択された
金属と、電気伝導度が高いタングステン、モリブデン、
銅、ニッケル、アルミニウム等よりなるグループから選
択された金属と、鑞材との接合性が良い、銅、ニッケル
等のグループから選択された金属との三重層からなるメ
タライズ層２をスパッタ法等を使用して形成する。
次に、第１図に示すように、メタライズ層２をエツチン
グして配線２１を形成し、この配線２１のパッド端子上
に、鑞材を介在させ、その上に導体金属４を載置し、電
気炉等において鑞材の融点以上に加熱し、配線２１のパ
ッド端子上に、金属導体４を鑞付けする。
グして配線２１を形成し、この配線２１のパッド端子上
に、鑞材を介在させ、その上に導体金属４を載置し、電
気炉等において鑞材の融点以上に加熱し、配線２１のパ
ッド端子上に、金属導体４を鑞付けする。
セラミックパッケージを形成するセラミック基板１上に
形成される配線が微細化するにつれ、各配線のパッド端
子上に、金属導体との鑞付けに最も適した必要にして十
分な量の鑞材を供給することが困難になってきた。鑞材
が多すぎると、鑞材が配線からはみ出して配線間の短絡
を生じ、逆に少ないと、鑞付けが不完全となり、鑞付は
強度の低下等の問題が発生するからである。
形成される配線が微細化するにつれ、各配線のパッド端
子上に、金属導体との鑞付けに最も適した必要にして十
分な量の鑞材を供給することが困難になってきた。鑞材
が多すぎると、鑞材が配線からはみ出して配線間の短絡
を生じ、逆に少ないと、鑞付けが不完全となり、鑞付は
強度の低下等の問題が発生するからである。
本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、
セラミック基板上に形成される配線のパッド端子上に適
切な量の鑞材を供給することによって、鑞材のはみ出し
による配線間の短絡を防止し、また、不完全な鑞付けに
よる鑞付は強度の低下を防止して鑞付けの信頼性を高め
、歩留りを向上するセラミックパッケージの金属導体接
続方法を提供することにある。
セラミック基板上に形成される配線のパッド端子上に適
切な量の鑞材を供給することによって、鑞材のはみ出し
による配線間の短絡を防止し、また、不完全な鑞付けに
よる鑞付は強度の低下を防止して鑞付けの信頼性を高め
、歩留りを向上するセラミックパッケージの金属導体接
続方法を提供することにある。
上記の目的は、下記のいづれの手段によっても達成され
る。
る。
第１の手段は、セラミック基板（１）上にメタライズ層
（２）を形成し、該メタライズ層（２）上に鑞材層（３
）を形成し、該鑞材層（３）と前記メタライズＮ（２）
との２重層をエツチングして、メタライズ層よりなる配
線（２１）と、該配線（２１）上に積層された鑞材膜（
３１）との積層体を形成し、前記配＆ｉ （２１）上に
積層された前記鑞材Ｉｌ！（３１）上に金属導体（４）
を載置し加熱して前記鑞材膜を溶解・固化して、前記金
属導体（４）と前記配線（２１）とを鑞付けすることを
特徴とするセラミックパッケージの金属導体接続方法で
ある。
（２）を形成し、該メタライズ層（２）上に鑞材層（３
）を形成し、該鑞材層（３）と前記メタライズＮ（２）
との２重層をエツチングして、メタライズ層よりなる配
線（２１）と、該配線（２１）上に積層された鑞材膜（
３１）との積層体を形成し、前記配＆ｉ （２１）上に
積層された前記鑞材Ｉｌ！（３１）上に金属導体（４）
を載置し加熱して前記鑞材膜を溶解・固化して、前記金
属導体（４）と前記配線（２１）とを鑞付けすることを
特徴とするセラミックパッケージの金属導体接続方法で
ある。
第２の手段は、セラミック基板（１）上にメタライズ層
（２）を形成し、該メタライズ層（２）上に鑞材層（３
）を形成し、該鑞材層（３）と前記メタライズ層（２）
とを個別にエツチングして、前記メタライズ層（２）の
一部をもって、配線（２１）を形成し、前記鑞材層（３
）の鑞材の一部を前記配線（２１）の面積より小さな面
積上に残留して鑞材被膜（３２）を形成し、前記配線（
２１）上に積層された前記鑞材被膜（３２）上に金属導
体（４）を載置し加熱して前記鑞材被膜（３２）を溶解
・固化して、前記金属導体（４）と前記配線（２１）と
を鑞付けすることを特徴とするセラミックパッケージの
金属導体接続方法である。
（２）を形成し、該メタライズ層（２）上に鑞材層（３
）を形成し、該鑞材層（３）と前記メタライズ層（２）
とを個別にエツチングして、前記メタライズ層（２）の
一部をもって、配線（２１）を形成し、前記鑞材層（３
）の鑞材の一部を前記配線（２１）の面積より小さな面
積上に残留して鑞材被膜（３２）を形成し、前記配線（
２１）上に積層された前記鑞材被膜（３２）上に金属導
体（４）を載置し加熱して前記鑞材被膜（３２）を溶解
・固化して、前記金属導体（４）と前記配線（２１）と
を鑞付けすることを特徴とするセラミックパッケージの
金属導体接続方法である。
本発明に係るセラミックパッケージの金属導体接続方法
にありでは、セラミックパッケージを形成するセラミッ
ク基ｖｉｌ上にメタライズ層２を形成し、その上に適切
な厚さの鑞材層３を形成し、前記メタライズ層２と鑞材
層３とからなる二重層をエツチングして、所定のパター
ンを有する配線２１とその上に、鑞付けのために必要に
して十分な量の鑞材を残留し、この必要に十分な量の鑞
材（鑞材膜３Ｉまたは鑞材層１１！３２）を溶解・固化
して、金属導体４と配線２１のパッド端子とを接続する
ものである。そのため、鑞材量が適切であるため、鑞材
がはみ出すことなく、また、鑞付けが不完全になること
もなく、配線２１のパッド端子と金属導体４とが良好に
鑞付けされるので、信輔性が向上し、また、歩留りも向
上する。
にありでは、セラミックパッケージを形成するセラミッ
ク基ｖｉｌ上にメタライズ層２を形成し、その上に適切
な厚さの鑞材層３を形成し、前記メタライズ層２と鑞材
層３とからなる二重層をエツチングして、所定のパター
ンを有する配線２１とその上に、鑞付けのために必要に
して十分な量の鑞材を残留し、この必要に十分な量の鑞
材（鑞材膜３Ｉまたは鑞材層１１！３２）を溶解・固化
して、金属導体４と配線２１のパッド端子とを接続する
ものである。そのため、鑞材量が適切であるため、鑞材
がはみ出すことなく、また、鑞付けが不完全になること
もなく、配線２１のパッド端子と金属導体４とが良好に
鑞付けされるので、信輔性が向上し、また、歩留りも向
上する。
なお、配線のパッド端子上に少量の鑞材が要求される場
合は、鑞材１３の厚さを制御するとともに、前記メタラ
イズ層２と鑞材層３とからなる二重層のエツチングを個
別になして、鑞付は領域に残留する鑞材量の制御をさら
に正確にし、正確に必要にして十分な量の鑞材を金属導
体４との鑞付は領域に残留し、この鑞材を溶解・固化し
て、配線２１を形成すればよい。
合は、鑞材１３の厚さを制御するとともに、前記メタラ
イズ層２と鑞材層３とからなる二重層のエツチングを個
別になして、鑞付は領域に残留する鑞材量の制御をさら
に正確にし、正確に必要にして十分な量の鑞材を金属導
体４との鑞付は領域に残留し、この鑞材を溶解・固化し
て、配線２１を形成すればよい。
以下、図面を参照しつ一１本発明の二つの実施例に係る
セラミックパッケージの金属導体接続方法について説明
する。
セラミックパッケージの金属導体接続方法について説明
する。
星１貫
第２図参照
セラミックパッケージを形成するセラミック基板ｌ上に
、メタライズ層２をスパッタ法等を使用して数μ厚に形
成する。メタライズ層２の材料としては、クローム、チ
タン、タングステン、モリブデン、チタン・タングステ
ン、ニッケル、銅、アルミニウム等が好適である。
、メタライズ層２をスパッタ法等を使用して数μ厚に形
成する。メタライズ層２の材料としては、クローム、チ
タン、タングステン、モリブデン、チタン・タングステ
ン、ニッケル、銅、アルミニウム等が好適である。
次に、鑞材層３を数１０ｎ厚に形成する。１１材の材料
としては、錫−鉛、銀−銅、インジュウムリンハンダ等
が好適であり、鑞材層３を形成するには、これらの鑞材
の薄膜を前記メタライズ層２上に載置し、電気炉等を使
用して、鑞材の溶融点以上の温度に加熱して溶融し、前
記メタライズ層２上に鑞材層３を密着形成する。
としては、錫−鉛、銀−銅、インジュウムリンハンダ等
が好適であり、鑞材層３を形成するには、これらの鑞材
の薄膜を前記メタライズ層２上に載置し、電気炉等を使
用して、鑞材の溶融点以上の温度に加熱して溶融し、前
記メタライズ層２上に鑞材層３を密着形成する。
第３図参照
メタライズ層２と鑞材層３とからなる二重層を一部エッ
チングして、配線２１と、その上に積層された鑞材膜３
１との積層体を形成する。４はメタライズ層２を介して
セラミック基板１に接続される金属導体である。
チングして、配線２１と、その上に積層された鑞材膜３
１との積層体を形成する。４はメタライズ層２を介して
セラミック基板１に接続される金属導体である。
第１ａ図参照
本図は、第３図のＡ−Ａ断面図であり、配＆９１２１の
パッド端子部の断面を示し、配線２１のパッド端子上に
鑞材膜３１が形成されている。リード、ピン等の金属導
体４を鑞材膜３１上に載置し、電気炉等で鑞材の溶融温
度以上に加熱し金属導体４と配線２１のパッド端子とを
鑞付けする。
パッド端子部の断面を示し、配線２１のパッド端子上に
鑞材膜３１が形成されている。リード、ピン等の金属導
体４を鑞材膜３１上に載置し、電気炉等で鑞材の溶融温
度以上に加熱し金属導体４と配線２１のパッド端子とを
鑞付けする。
以上の工程においては、鑞材量が適切であるため、鑞材
がはみ出すことなく、また、鑞付けが不完全になること
もなく、配線２１のパッド端子と金属導体４とが良好に
鑞付けされる。
がはみ出すことなく、また、鑞付けが不完全になること
もなく、配線２１のパッド端子と金属導体４とが良好に
鑞付けされる。
員又烈
本例は第１例と下記の点が相違する。
第１ｂ図参照
配線２１と金属導体４との鑞付けに要求される鑞材の量
が少ない場合には、極めて薄い鑞材層３が必要となるが
、均一な厚さを有する薄くて平滑な鑞材層３を形成する
ことが困難となる場合がある。
が少ない場合には、極めて薄い鑞材層３が必要となるが
、均一な厚さを有する薄くて平滑な鑞材層３を形成する
ことが困難となる場合がある。
このような場合には、メタライズ層２のエツチングとは
別個に鑞材層３をエツチングして配線２１のパッド端子
形成予定領域上に、所望の鑞材量（ｔｉｌｌ付けのため
に必要にして十分な量）に相当する面積の鑞材被膜３２
を残留する。その後、この鑞材波ｒｒＩＪ３２上に金属
導体４を載置して鑞付けすることは第１例と同様である
。
別個に鑞材層３をエツチングして配線２１のパッド端子
形成予定領域上に、所望の鑞材量（ｔｉｌｌ付けのため
に必要にして十分な量）に相当する面積の鑞材被膜３２
を残留する。その後、この鑞材波ｒｒＩＪ３２上に金属
導体４を載置して鑞付けすることは第１例と同様である
。
以上説明せるとおり、本発明に係るセラミックパッケー
ジの金属導体接続方法においては、セラミックパッケー
ジを形成するセラミック基板上にメタライズ層と適切な
厚さの鑞材層とを形成した後、鑞材層とメタライズ層と
の積層体を一括、または、鑞材層とメタライズ層とを別
個に、エツチングして、メタライズ層よりなる配線と、
配線上に積層され、その量が接続に好適であるように選
択された鑞材層とを形成し、次に、メタライズ層を介し
てセラミックパッケージに接続される金属導体を鑞材１
１．ｋに載置し、鑞材層を溶解して、上記の金属導体を
セラミックパンケージに接続する。
ジの金属導体接続方法においては、セラミックパッケー
ジを形成するセラミック基板上にメタライズ層と適切な
厚さの鑞材層とを形成した後、鑞材層とメタライズ層と
の積層体を一括、または、鑞材層とメタライズ層とを別
個に、エツチングして、メタライズ層よりなる配線と、
配線上に積層され、その量が接続に好適であるように選
択された鑞材層とを形成し、次に、メタライズ層を介し
てセラミックパッケージに接続される金属導体を鑞材１
１．ｋに載置し、鑞材層を溶解して、上記の金属導体を
セラミックパンケージに接続する。
このように、配線のバンド端子上には、適切な量の鑞材
が被着されていることになり、金属導体を鑞付けする際
に、鑞材過剰に起因する配線間の短絡、また、鑞材不足
に起因する鑞付は強度の低下を防止して、鑞付けの信転
性を高め、歩留りを向上することができる。
が被着されていることになり、金属導体を鑞付けする際
に、鑞材過剰に起因する配線間の短絡、また、鑞材不足
に起因する鑞付は強度の低下を防止して、鑞付けの信転
性を高め、歩留りを向上することができる。
第１ａ図は、本発明の第１の実施例に係るセラミックパ
ッケージの金属導体接続方法を示す模写図である。 第１ｂ図は、本発明の第２の実施例に係るセラミックパ
ッケージの金属導体接続方法を示す模写図である。 第２図、第３図は、本発明の一実施例に係るセラミンク
パッケージの金属導体接続方法の工程図である。 ｌ・・・セラミック基板、 ２・・・メタライズ層、 ３・・・鑞材層、 ４・・・金属導体、 ２１・・・配線、 ３１・・・鑞材膜、 ３２・・・鑞材被膜。
ッケージの金属導体接続方法を示す模写図である。 第１ｂ図は、本発明の第２の実施例に係るセラミックパ
ッケージの金属導体接続方法を示す模写図である。 第２図、第３図は、本発明の一実施例に係るセラミンク
パッケージの金属導体接続方法の工程図である。 ｌ・・・セラミック基板、 ２・・・メタライズ層、 ３・・・鑞材層、 ４・・・金属導体、 ２１・・・配線、 ３１・・・鑞材膜、 ３２・・・鑞材被膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］セラミック基板（１）上にメタライズ層（２）を
形成し、 該メタライズ層（２）上に鑞材層（３）を形成し、 該鑞材層（３）と前記メタライズ層（２）との２重層を
エッチングして、メタライズ層よりなる配線（２１）と
、該配線（２１）上に積層された鑞材膜（３１）との積
層体を形成し、 前記配線（２１）上に積層された前記鑞材膜（３１）上
に金属導体（４）を載置し加熱して前記鑞材膜を溶解・
固化して、 前記金属導体（４）と前記配線（２１）とを鑞付けする ことを特徴とするセラミックパッケージの金属導体接続
方法。 ［２］セラミック基板（１）上にメタライズ層（２）を
形成し、 該メタライズ層（２）上に鑞材層（３）を形成し、 該鑞材層（３）と前記メタライズ層（２）とを個別にエ
ッチングして、前記メタライズ層（２）の一部をもって
、配線（２１）を形成し、 前記鑞材層（３）の鑞材の一部を前記配線（２１）の面
積より小さな面積上に残留して鑞材被膜（３２）を形成
し、 前記配線（２１）上に積層された前記鑞材被膜（３２）
上に金属導体（４）を載置し加熱して前記鑞材被膜（３
２）を溶解・固化して、 前記金属導体（４）と前記配線（２１）とを鑞付けする ことを特徴とするセラミックパッケージの金属導体接続
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194988A JPH01217954A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | セラミックパッケージの金属導体接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194988A JPH01217954A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | セラミックパッケージの金属導体接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217954A true JPH01217954A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12622457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4194988A Pending JPH01217954A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | セラミックパッケージの金属導体接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01217954A (ja) |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP4194988A patent/JPH01217954A/ja active Pending
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