JPH01220481A - 光駆動ｍｏｓｆｅｔリレー - Google Patents
光駆動ｍｏｓｆｅｔリレーInfo
- Publication number
- JPH01220481A JPH01220481A JP63046371A JP4637188A JPH01220481A JP H01220481 A JPH01220481 A JP H01220481A JP 63046371 A JP63046371 A JP 63046371A JP 4637188 A JP4637188 A JP 4637188A JP H01220481 A JPH01220481 A JP H01220481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photodiodes
- gate electrode
- photodiode
- soi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はＳ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕ
ｌａｔｅｏｒ）を有する光駆動ＭＯ８ＦＥＴリレーに関
するものである。
ｌａｔｅｏｒ）を有する光駆動ＭＯ８ＦＥＴリレーに関
するものである。
本リレーは、通常の、ホトダイオードとパワーＭＯＳＦ
ＥＴをワイヤー配線で結線し、発光ダイオードを組み込
んでｌパッケージにした光駆動ＭＯ３ＦＥＴリレーに比
較して、ホトダイオードとパワーＭＯ３ＦＥＴを１チッ
プ化することで小型化、低価格化が可能となるものであ
る。
ＥＴをワイヤー配線で結線し、発光ダイオードを組み込
んでｌパッケージにした光駆動ＭＯ３ＦＥＴリレーに比
較して、ホトダイオードとパワーＭＯ３ＦＥＴを１チッ
プ化することで小型化、低価格化が可能となるものであ
る。
〈従来の技術〉
第２図は回路図、第３図は従来の構造例を示す概略断面
図である。通常、縦型パワーＭＯＳＦＥＴ１のポリシリ
コンからなるゲート電極２上にＰＳＧ等の絶縁膜３を堆
積、平坦化した後、ポリシリコン膜を堆積する。この場
合、堆積するポリシリコンの膜厚は１〜２μｍ程度であ
る。このポリシリコン膜によってＳｏｌホトダイオード
４を形成する。すなわち、ポリシリコン膜をレーザーに
よって順次熔融し再結晶化し、適当な大きさに分離し、
通常のＩＣプロセスによりホトダイオードのＰＮ接合を
形成する。配線は上層のＳｏｌホトダイオード４と下層
のパワーＭＯＳＦＥＴＩと同時に行う。
図である。通常、縦型パワーＭＯＳＦＥＴ１のポリシリ
コンからなるゲート電極２上にＰＳＧ等の絶縁膜３を堆
積、平坦化した後、ポリシリコン膜を堆積する。この場
合、堆積するポリシリコンの膜厚は１〜２μｍ程度であ
る。このポリシリコン膜によってＳｏｌホトダイオード
４を形成する。すなわち、ポリシリコン膜をレーザーに
よって順次熔融し再結晶化し、適当な大きさに分離し、
通常のＩＣプロセスによりホトダイオードのＰＮ接合を
形成する。配線は上層のＳｏｌホトダイオード４と下層
のパワーＭＯＳＦＥＴＩと同時に行う。
なお、上記プロセスでは再結晶方法に関しレーザー再熔
融についてのみ述べたが、他の方法でＳＯ！ホトダイオ
ード４を形成してら何等差し支えない。 このようにし
て形成されたＳｏｌホトダイオード４にＧａＡｌＡｓや
ＧａＰ等の発光ダイオード５の光が当たるように１パツ
ケージにアセンブリして使用する。
融についてのみ述べたが、他の方法でＳＯ！ホトダイオ
ード４を形成してら何等差し支えない。 このようにし
て形成されたＳｏｌホトダイオード４にＧａＡｌＡｓや
ＧａＰ等の発光ダイオード５の光が当たるように１パツ
ケージにアセンブリして使用する。
〈発明が解決しようとする課題〉
上述したＳｏｌ構造光駆動ＭＯＳリレーでは、Ｓｏｌ上
のホトダイオード４の膜厚が結晶性の問題から１〜２μ
ｍ程度の非常に薄いものしかできない。そのため発光ダ
イオード５の光を吸収しきれないので吸収効率が低くな
るという欠点がある。
のホトダイオード４の膜厚が結晶性の問題から１〜２μ
ｍ程度の非常に薄いものしかできない。そのため発光ダ
イオード５の光を吸収しきれないので吸収効率が低くな
るという欠点がある。
また、Ｓｏｌの膜厚については現在も良好な膜厚が得ら
れるように研究中であるが、今のところ結晶性の問題か
ら飛躍的に厚くすることは困難であるというのが現状で
ある。
れるように研究中であるが、今のところ結晶性の問題か
ら飛躍的に厚くすることは困難であるというのが現状で
ある。
本発明は上記に鑑み、簡単な構成で吸収効率のよい光駆
動ＭＯＳＦＥＴリレーを提供することを目的とする。
動ＭＯＳＦＥＴリレーを提供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、下層のパワーＭＯ８ＦＥＴのゲート電極をＭ
ｏ、Ｗ等の高融点金属で形成したことを特徴とする。
ｏ、Ｗ等の高融点金属で形成したことを特徴とする。
く作用〉
上記により、発光ダイオードの光をＳｏｌホトダイオー
ドの中で吸収しきれないで透過した光が、ゲート電極の
高融点金属によって反射され、その反射光をＳＯＩホト
ダイオードで再吸収することにより、吸収効率を大幅に
向上できる。
ドの中で吸収しきれないで透過した光が、ゲート電極の
高融点金属によって反射され、その反射光をＳＯＩホト
ダイオードで再吸収することにより、吸収効率を大幅に
向上できる。
〈実施例〉
第１図により本発明の一実施例を詳細に説明する。第３
図と同一機能を有する部分については同じ符号を付して
示している。なお回路構成は第２図と同様である。
図と同一機能を有する部分については同じ符号を付して
示している。なお回路構成は第２図と同様である。
第１図において、ゲート電極２は従来のポリシリコンに
替わってＭＯｌＷ等の高融点金属から形成される。パワ
ーＭＯＳＦＥＴＩの他部は同様であり、６はドレイン、
７はエピタキシャル層、８はｐ−ウェル内に形成された
ｎ＋ソース領域、９、はゲート絶縁層である。高融点金
属からなるゲート電極２上にＰＳＧ等の絶縁膜３を堆積
し平坦化後、ポリシリコン膜を１〜２μｍ程度堆積する
。
替わってＭＯｌＷ等の高融点金属から形成される。パワ
ーＭＯＳＦＥＴＩの他部は同様であり、６はドレイン、
７はエピタキシャル層、８はｐ−ウェル内に形成された
ｎ＋ソース領域、９、はゲート絶縁層である。高融点金
属からなるゲート電極２上にＰＳＧ等の絶縁膜３を堆積
し平坦化後、ポリシリコン膜を１〜２μｍ程度堆積する
。
そして、このポリシリコン膜をレーザーで再結晶化をは
かった後、適当な大きさに分離し通常の■Ｃプロセスを
用いてホトダイオード４を作成する。
かった後、適当な大きさに分離し通常の■Ｃプロセスを
用いてホトダイオード４を作成する。
発光ダイオード５を組み込んで！パッケージにアセンブ
リしたとき、発光ダイオード５の光がＳＯ［ホトダイオ
ード４にあたりパワーＭＯＳＦＥＴ１を駆動する。発光
ダイオード５の光はＳｏｌホトダイオード４での透過か
あっても、ゲート電極２で反射されその反射光の再吸収
するので、光の吸収効率を大幅に改善できる。
リしたとき、発光ダイオード５の光がＳＯ［ホトダイオ
ード４にあたりパワーＭＯＳＦＥＴ１を駆動する。発光
ダイオード５の光はＳｏｌホトダイオード４での透過か
あっても、ゲート電極２で反射されその反射光の再吸収
するので、光の吸収効率を大幅に改善できる。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、下層のパワーＭＯ８ＦＥ
Ｔのゲート電極に高融点金属を用いることにより、Ｓｏ
ｌ上のホトダイオードがゲート電極からの反射光までも
吸収できるので効率を上げる。
Ｔのゲート電極に高融点金属を用いることにより、Ｓｏ
ｌ上のホトダイオードがゲート電極からの反射光までも
吸収できるので効率を上げる。
第１図は本発明の一実施例を示す要部概略断面図、第２
図は回路図、第３図は従来例を示す要部概略断面図であ
る。 １０１．パワーＭＯ９ＦＥＴ、２．．．ゲート電極、４
１．、ＳＯＥホトダイオード、５１１、発光ダイオード
。 代理人 弁理士 杉山毅至（外１名）第７ｙＡ 第２図 ＪＪＥ図
図は回路図、第３図は従来例を示す要部概略断面図であ
る。 １０１．パワーＭＯ９ＦＥＴ、２．．．ゲート電極、４
１．、ＳＯＥホトダイオード、５１１、発光ダイオード
。 代理人 弁理士 杉山毅至（外１名）第７ｙＡ 第２図 ＪＪＥ図
Claims (1)
- １、発光ダイオードに対向するホトダイオードとパワー
ＭＯＳＦＥＴを１チップ化したＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ
ｏｎＩｎｓｕｌｓｔｏｒ）構造の光駆動ＭＯＳＦＥＴリ
レーにおいて、パワーＭＯＳＦＥＴ部のゲート電極を高
融点金属で形成してなることを特徴とする光駆動ＭＯＳ
ＦＥＴリレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046371A JPH01220481A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 光駆動ｍｏｓｆｅｔリレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046371A JPH01220481A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 光駆動ｍｏｓｆｅｔリレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220481A true JPH01220481A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12745292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046371A Pending JPH01220481A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 光駆動ｍｏｓｆｅｔリレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220481A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003086023A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated led drive electronics on silicon-on-insulator integrated circuits |
| JP2008193063A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-08-21 | Yyl:Kk | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046371A patent/JPH01220481A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003086023A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated led drive electronics on silicon-on-insulator integrated circuits |
| JP2008193063A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-08-21 | Yyl:Kk | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5825264A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
| KR910005418A (ko) | 근접결합된 기판 온도감지 소자용 반도체 구조물 | |
| JPS6144454A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6414969A (en) | Light-shielding type uprom | |
| JPS63166273A (ja) | 縦形半導体装置 | |
| JPS5996781A (ja) | ホトダイオ−ド | |
| JPS57117255A (en) | Semiconductor ic device | |
| JP2778956B2 (ja) | カプラ | |
| JPH04206768A (ja) | 半導体装置の保護回路 | |
| JPS5458380A (en) | Zener diode | |
| JPS62162344A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05206485A (ja) | ダイオードブリッジ装置 | |
| JPS6450556A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS62262458A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS554940A (en) | Semi-conductor integrated circuit | |
| JPH0212870A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS592363A (ja) | 相補型絶縁ゲート電界効果型装置 | |
| JPH0362025B2 (ja) | ||
| JPH02186673A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6118165A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS5672584A (en) | Solid-state image pickup device | |
| JPH02310943A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01248658A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH02283055A (ja) | 半導体装置に形成されたコンデンサ | |
| JPH01149451A (ja) | Ｃｍｏｓの入力段ゲートの保護装置 |