JPH01222461A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01222461A JPH01222461A JP4903588A JP4903588A JPH01222461A JP H01222461 A JPH01222461 A JP H01222461A JP 4903588 A JP4903588 A JP 4903588A JP 4903588 A JP4903588 A JP 4903588A JP H01222461 A JPH01222461 A JP H01222461A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
近年、半導体チップの集積化に伴ない、多層配線構造に
おける断線、配線相互間のリーク電流等が問題になって
いる。
おける断線、配線相互間のリーク電流等が問題になって
いる。
第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の半導体装置の製造方法の
一例を説明するための工程順に示した半導体チップの断
面図である。
一例を説明するための工程順に示した半導体チップの断
面図である。
第２図（ａ）に示すように、半導体基板１上に絶縁膜２
を形成する０次に、絶縁１１１２上にＣＶＤ法により非
ドープシリコン層３を形成する６次に、第２図（ｂ）に
示すように、非ドープシリコン層３にリンをイオン注入
することにより、所定の抵抗値にする。
を形成する０次に、絶縁１１１２上にＣＶＤ法により非
ドープシリコン層３を形成する６次に、第２図（ｂ）に
示すように、非ドープシリコン層３にリンをイオン注入
することにより、所定の抵抗値にする。
次に、第２図（ｃ）に示すように、写真蝕刻法により、
配線６及び抵抗部となる部分を形成する。
配線６及び抵抗部となる部分を形成する。
次に、第２図（ｄ）に示すように、絶縁膜２゜配線６及
び抵抗部上に絶縁ＩＩ７を形成し、さらにアルミニウム
の配線８を形成して、多層配線とすることにより、半導
体装置としていた。
び抵抗部上に絶縁ＩＩ７を形成し、さらにアルミニウム
の配線８を形成して、多層配線とすることにより、半導
体装置としていた。
上述した従来の半導体装置の製造方法では、多層配線を
形成する場合、第２図（ｄ）に示すように、絶縁層１７
及び上層の配線８に段部を生じてしまう。
形成する場合、第２図（ｄ）に示すように、絶縁層１７
及び上層の配線８に段部を生じてしまう。
この段部の箇所では、絶縁ＩＦ！７の膜厚が薄くなり、
下層の配線６及び抵抗部と上層の配線８とのリーク電流
を発生させる要因となる。
下層の配線６及び抵抗部と上層の配線８とのリーク電流
を発生させる要因となる。
又、上ｒｔηの配線８ら段部を通過するため、その部分
での断線の可能性があるばかりでなく、それだけ配線距
離が長くなり、配線抵抗が高くなってしまう欠点があっ
た 本発明の目的は、多層配線を構成してら段部を、 生じ
ず、配線の断線、配線口（抗の減少、リーク電流の防止
が可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
での断線の可能性があるばかりでなく、それだけ配線距
離が長くなり、配線抵抗が高くなってしまう欠点があっ
た 本発明の目的は、多層配線を構成してら段部を、 生じ
ず、配線の断線、配線口（抗の減少、リーク電流の防止
が可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁
膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に非ドープシリコン
層を形成する工程と、前記非ドープシリコン層に選択的
に不純物を注入し配線及び抵抗部を形成する工程と、前
記配線及び抵抗部以外の非ドープシリコン層に酸素を注
入する工程と、熱処理して酸素とシリコンを結合せしめ
る工程とを含んで構成される。
膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に非ドープシリコン
層を形成する工程と、前記非ドープシリコン層に選択的
に不純物を注入し配線及び抵抗部を形成する工程と、前
記配線及び抵抗部以外の非ドープシリコン層に酸素を注
入する工程と、熱処理して酸素とシリコンを結合せしめ
る工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
第１図（ａ）に示すように、半導体基板１上に絶縁膜２
を形成する。次に、絶縁膜２上にＣＶＤ法により非ドー
プシリコン層３を形成する。
を形成する。次に、絶縁膜２上にＣＶＤ法により非ドー
プシリコン層３を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ホトレジストをマス
クとして、配線６及び抵抗部を形成する領域にリンをイ
オン注入する。
クとして、配線６及び抵抗部を形成する領域にリンをイ
オン注入する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、基板全面にアルミニ
ウム層１０を形成する。
ウム層１０を形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、リフトオフ法により
アルミニウム層１０を選択的に残し、それをマスクとし
て、酸素をイオン注入する。しかる後、アルミニウム層
１０を溶解除去する０次に、熱処理することにより、酸
化シリコン層１１を形成し、これを絶縁層とする。
アルミニウム層１０を選択的に残し、それをマスクとし
て、酸素をイオン注入する。しかる後、アルミニウム層
１０を溶解除去する０次に、熱処理することにより、酸
化シリコン層１１を形成し、これを絶縁層とする。
次に、第１図（ｅ）に示すように、配線６及び酸化シリ
コン層１１上に絶縁膜７を形成する。この時、配線６及
び酸化シリコン層１１は平坦であるため、絶縁膜７は段
部を形成しない。次に、絶縁膜７上にアルミニウム配線
８を形成し、多層配線とする。
コン層１１上に絶縁膜７を形成する。この時、配線６及
び酸化シリコン層１１は平坦であるため、絶縁膜７は段
部を形成しない。次に、絶縁膜７上にアルミニウム配線
８を形成し、多層配線とする。
本実施例で形成した半導体装置は、段部が形成されない
ので、上層に形成した絶縁膜に薄い部分が形成せず、リ
ーク電流を減少することができ、かつ、配線が最短の距
離で、しかも断線しないことが可能となる。
ので、上層に形成した絶縁膜に薄い部分が形成せず、リ
ーク電流を減少することができ、かつ、配線が最短の距
離で、しかも断線しないことが可能となる。
本実施例では、不純物としてリンを用いたが、ホウ素を
用いても同様の効果が得られる。
用いても同様の効果が得られる。
以上説明したように、本発明は、非ドープシリコン層に
選択的に不純物を注入して配線及び抵抗部を形成し、エ
ツチングをせず、平坦なまま、その上面に絶縁膜及び上
層配線を形成して多層配線とするため、段部が形成され
ず、配線の断線、配線抵抗の減少、リーク電流の防止が
可能となる効果がある。
選択的に不純物を注入して配線及び抵抗部を形成し、エ
ツチングをせず、平坦なまま、その上面に絶縁膜及び上
層配線を形成して多層配線とするため、段部が形成され
ず、配線の断線、配線抵抗の減少、リーク電流の防止が
可能となる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図、第２図（ａ
）〜（ｄ）は従来の半導体装置の製造方法の一例を説明
するための工程順に示した半導体チップの断面図である
。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・非ドープシリコン層、４・・・・・・ホト
レジスト膜、６・・・・・・配線、７・・・・・・絶縁
膜、８・・・・・・アルミニウム配線、１０・・・・・
・アルミニウム層、１１・・・・・・酸化シリコン層。
めの工程順に示した半導体チップの断面図、第２図（ａ
）〜（ｄ）は従来の半導体装置の製造方法の一例を説明
するための工程順に示した半導体チップの断面図である
。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・非ドープシリコン層、４・・・・・・ホト
レジスト膜、６・・・・・・配線、７・・・・・・絶縁
膜、８・・・・・・アルミニウム配線、１０・・・・・
・アルミニウム層、１１・・・・・・酸化シリコン層。
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜
上に非ドープシリコン層を形成する工程と、前記非ドー
プシリコン層に選択的に不純物を注入し配線及び抵抗部
を形成する工程と、前記配線及び抵抗部以外の非ドープ
シリコン層に酸素を注入する工程と、熱処理して酸素と
シリコンを結合せしめる工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4903588A JPH01222461A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4903588A JPH01222461A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01222461A true JPH01222461A (ja) | 1989-09-05 |
Family
ID=12819830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4903588A Pending JPH01222461A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01222461A (ja) |
-
1988
- 1988-03-01 JP JP4903588A patent/JPH01222461A/ja active Pending
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