JPH01223752A - モノリシックマイクロ波集積回路の配線構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ＧａＡｓモノリシックマイクロ波集積回路
（ＭＭ　Ｉ　（１）　、　Ｓ　ｉ　ＭＭ　Ｉ　Ｃ等のマ
イクロ波帯〜ミリ波帯で動作するモノリシックマイクロ
波集積回路の配線構造に関するものであろう〔従来の技
術〕 第５図〜第７図は、例えば従来のコプレーナ配線を用い
たＭＭＩＧの配線部分の拡大図を示すものであり、第５
図は斜視図、第６図は上面図、第７図は、第６図のＢ−
Ｂ’線による断面図である。

これらの図において、１は信号線路、２は接地導体、３
はエアブリッジ、４は半絶縁性半導体基板である。

次に動作について説明する。高周波（マイクロ波帯〜ミ
リ波帯）信号は、信号線路１および接地導体２とで形成
されたコプレーナ伝送線路中を伝播する。このコプレー
ナ伝送線路の特性インピーダンスＺ　ｏ　（Ｚ　ｏ　＝
　Ｅｒ１丁）は、第６図に示した信号線路１の配線幅Ｗ
ａおよび信号線路１と、接地導体２との距離Ｇによって
決まる定数値である。一方、コプレーナ伝送線路におい
て、接地導体２は中心導体の両側にあり伝送線路長が長
くなると、両側の接地導体２間で部分的な電位差が生じ
る。この問題を解決するため、コプレーナ線路上に一定
距離を置いて、両側の接地導体２を、例えば配線を基板
から離して空中に橋のように形成した配線、すなわちエ
アブリッジ３を用いて接続し、信号線路１の両側の接地
導体２に電位差が生しないようにしている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記のように構成された従来のコブし・
−す線路は、信号線路１とエアブリッジ３の交わる点で
、信号線路１とエアブリッジ３の間に交差容量が生じて
しまい、伝送線路の特性インピーダンスＺｏがエアブリ
ッジ３のある区間とない区間で異なってしまい、高周波
の不要な反射をまねいていた。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、伝送線路の特性インピーダンスをエアブリ
ッジと信号線路の交差部と、それ以外の区間で同一に保
ったコプレーナ線路を備えたモノリシックマイクロ波集
積回路の配線構造を１与ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るモノリシックマイクロ′ｅ、集積回路の
配線構造は、信号線路の両側に設けられｔ′−接地導体
を接続するための配線と信号線路が交わる部分の信号線
路の線路幅を、他の部分の信号線路の線路幅より小さく
したものである。

〔作用〕

この発明においては、信号線路と接地導体を接続するた
めの配線との交差部は、信号線路の線路幅を小さくする
ことにより、信号線路と配線間の容量、および両側の接
地導体との容量を小さくでき、配線を付加したことによ
る容量の増加を抑え、さらに線路幅が小さくなったこと
により、インダクタンスが増加するので、特性インピー
ダンスが一定に保たれる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図面について説明する。

第１図〜第３図はこの発明の一実施例を示す図で、１は
信号線路であり、エアブリッジ３との交差部の線路幅を
、交差部以外の線路幅Ｗａより小さいｗｂとしたもので
ある。なお、その他は第５図〜第７図と同じものである
。

このように、信号線路１とエアブリッジ３の交差部の線
路幅ｗｂを小さくすることにより、伝送線路の特性イン
ピーダンスＺｏが交差部で変化しないようにし、全体を
一定に保ごとができる。

なお、上記実施例では、信号線路１の両側の接地導体２
を接続するために、エアブリッジ３の配線を用いている
が、信号線路１と接地導体２を接続する配線の間に誘電
体、例えばＳｉ、Ｎ４やＳ１０□膜があっても良い。

また、上記実施例では信号線路１の線路幅Ｗａを、エア
ブリッジ３部分の信号線路１の線路１１１Ｗｂと他の部
分とで段階的に変化させているが、第４図に示すように
、エアブリッジ３の端面におけるフリンジングを考慮し
てテーバ状に変化させても良い。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明は、半導体基板表面に形
成された信号線路の両側に接地導体を備え、接地導体間
を配線によって接続したモノリシックマイクロ波集積回
路において、接地導体間を接続する配線と信号線路とが
交わる交差部分の信号線路幅を、他の部分の信号線路幅
より小さくしなので、交差部が高周波特性（特性インピ
ーダンス）へ影響することを防止できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるコプレーナ線路を示
す図、第２図はこの発明の一実施例によるコプレーナ線
路の表面図、第３図はこの発明の他の実施例によるコプ
レーナ線路を示す図、第４図はこの発明の第２図におけ
るＡ−Ａ’線による断面図、第５図は従来のコプレーナ
線路を示す図、第６図は従来のコプレーナ線路の表面図
、第７図は第６図におけるＢ−Ｂ’綿による断面図であ
る。 図において、１は信号線路、２は接地導体、３はエアブ
リッジ、４は半絶縁性半導体基板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 ４絶縁性半導１不丞柩 第２図 １−Ｇ＋Ｗ＝＋Ｇ−１ 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正書（自発） 特許１長１τ殴 ３　す１１）正をする台 ＋Ｉ；ｆ′ｌ〕との関係　特許出願人 性　所　　　　　東京都千代田区丸の内皿丁目２番３号
名　ｆろ、　　（６０１）三菱電機株式会社代表者　志
　岐　守　哉 ４、代　理　人 注　所　　　　東京都千代［ＩＩ区九０内皿丁目２番３
号５、補正の対象 図面 ６、補正の内容 図面中、第１図を別紙のように補正する９以　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板表面に形成された信号線路の両側に接地導
   体を備え、前記接地導体間を配線によって接続したモノ
   リシックマイクロ波集積回路において、前記接地導体間
   を接続する配線と前記信号線路とが交わる交差部分の前
   記信号線路幅を、他の部分の信号線路幅より小さくした
   ことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路の配
   線構造。