JPH0520384B2 - - Google Patents
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- JPH0520384B2 JPH0520384B2 JP1233124A JP23312489A JPH0520384B2 JP H0520384 B2 JPH0520384 B2 JP H0520384B2 JP 1233124 A JP1233124 A JP 1233124A JP 23312489 A JP23312489 A JP 23312489A JP H0520384 B2 JPH0520384 B2 JP H0520384B2
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- mol
- capacitance
- breakdown voltage
- reduction
- type semiconductor
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020203 CeO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、還元再酸化型半導体コンデンサ用磁
器組成物に関する。 （従来の技術） 従来から還元再酸化型半導体コンデンサとして
は、例えば特開昭59−217319号公報に開示された
ものが知られている。このような還元再酸化型半
導体コンデンサは、小型大容量で、破壊電圧が高
いという特徴を有している。 また、BiやNbを添加して容量の温度特性を改
良した還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成
物も提案されている。（特公昭56−40965号公報、
特公昭56−37691号公報、特開昭62−229602号公
報、特開昭63−211509号公報等参照） （発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記のような還元再酸化型半導
体コンデンサ用磁器組成物を用いた還元再酸化型
半導体コンデンサは、単位面積当たりの容量Ｃ／
Ａ（nF／cm2）を大きくしようとすれば、破壊電圧
が低下し、或いは容量の温度特性が悪化する等の
問題があつた。 本発明は、単位面積当たりの容量が大きく、破
壊電圧が高く、かつ容量の温度特性が良好な半導
体コンデンサを得ることができる還元再酸化型半
導体コンデンサ用磁器組成物を提供することを目
的とする。 （課題を解決するための手段） 本発明の還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器
組成物は、 BaTiO3が85.0〜97.7mol％、 Ta2O5が0.2〜2.0mol％、 希土類酸化物のうち少なくとも１種類が0.1〜
1.0mol％、 SrCO3が1.0〜6.0mol％および ZrO2が1.0〜6.0mol％ から成る組成物を主成分とし、これに MnCO3を0.03〜0.30wt％および SiO2を0.20wt％以下 添加したことを特徴とする。 （実施例） 試料の作成にあたつて、各原料を夫々表に示す
組成比および添加量となるように秤量し、15時間
湿式混合した。この混合物を脱水、乾燥後、バイ
ンダーを加えて混合、整粒し、これを直径８mm、
厚さ0.5mmの円形板に成形した。得られた成形物
を大気中で1300℃で２時間焼成した後、還元雰囲
気中で950℃で１時間熱処理を施し、更に大気中
で900℃で１時間熱処理を行なつて還元再酸化型
半導体コンデンサ用素地を得た。得られた素地に
Agペーストを塗布し、これを大気中で800℃で焼
き付けてコンデンサを作製した。 このようにして作製したコンデンサの面積容
量、誘電体損失、絶縁抵抗、破壊電圧、容量変化
率を測定したところ、表に示すような結果が得ら
れた。 尚、面積容量、誘電体損失の測定は周波数1K
Hz、印加電圧0.1V、温度20℃の条件下で行なつ
た。絶縁抵抗は直流電圧25V印加後15秒後の値を
測定した。破壊電圧は直流電圧の昇圧破壊方式に
より測定した。容量の温度特性は温度20℃の値を
基準とし温度−25℃と、温度85℃における変化率
を求めた。 尚、表中で※印を付したものが本発明の範囲外
のものであり、それ以外が本発明の範囲内のもの
である。
器組成物に関する。 （従来の技術） 従来から還元再酸化型半導体コンデンサとして
は、例えば特開昭59−217319号公報に開示された
ものが知られている。このような還元再酸化型半
導体コンデンサは、小型大容量で、破壊電圧が高
いという特徴を有している。 また、BiやNbを添加して容量の温度特性を改
良した還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成
物も提案されている。（特公昭56−40965号公報、
特公昭56−37691号公報、特開昭62−229602号公
報、特開昭63−211509号公報等参照） （発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記のような還元再酸化型半導
体コンデンサ用磁器組成物を用いた還元再酸化型
半導体コンデンサは、単位面積当たりの容量Ｃ／
Ａ（nF／cm2）を大きくしようとすれば、破壊電圧
が低下し、或いは容量の温度特性が悪化する等の
問題があつた。 本発明は、単位面積当たりの容量が大きく、破
壊電圧が高く、かつ容量の温度特性が良好な半導
体コンデンサを得ることができる還元再酸化型半
導体コンデンサ用磁器組成物を提供することを目
的とする。 （課題を解決するための手段） 本発明の還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器
組成物は、 BaTiO3が85.0〜97.7mol％、 Ta2O5が0.2〜2.0mol％、 希土類酸化物のうち少なくとも１種類が0.1〜
1.0mol％、 SrCO3が1.0〜6.0mol％および ZrO2が1.0〜6.0mol％ から成る組成物を主成分とし、これに MnCO3を0.03〜0.30wt％および SiO2を0.20wt％以下 添加したことを特徴とする。 （実施例） 試料の作成にあたつて、各原料を夫々表に示す
組成比および添加量となるように秤量し、15時間
湿式混合した。この混合物を脱水、乾燥後、バイ
ンダーを加えて混合、整粒し、これを直径８mm、
厚さ0.5mmの円形板に成形した。得られた成形物
を大気中で1300℃で２時間焼成した後、還元雰囲
気中で950℃で１時間熱処理を施し、更に大気中
で900℃で１時間熱処理を行なつて還元再酸化型
半導体コンデンサ用素地を得た。得られた素地に
Agペーストを塗布し、これを大気中で800℃で焼
き付けてコンデンサを作製した。 このようにして作製したコンデンサの面積容
量、誘電体損失、絶縁抵抗、破壊電圧、容量変化
率を測定したところ、表に示すような結果が得ら
れた。 尚、面積容量、誘電体損失の測定は周波数1K
Hz、印加電圧0.1V、温度20℃の条件下で行なつ
た。絶縁抵抗は直流電圧25V印加後15秒後の値を
測定した。破壊電圧は直流電圧の昇圧破壊方式に
より測定した。容量の温度特性は温度20℃の値を
基準とし温度−25℃と、温度85℃における変化率
を求めた。 尚、表中で※印を付したものが本発明の範囲外
のものであり、それ以外が本発明の範囲内のもの
である。
【表】
【表】
表から明らかなように、本発明の還元再酸化型
半導体コンデンサ用磁器組成物の限定理由は次の
通りである。 Ta2O5が0.2mol％未満では常温での面積容量が
低くなり、また2.0mol％を超えると同様に常温
での面積容量が低下すると共に、焼結性が悪化
し、破壊電圧が低下する。 Nd2O3、La2O3、CeO2等の希土類酸化物の添
加は焼結性改善に効果があるが、0.1mol％未満
ではその効果がなく、また面積容量、破壊電圧共
に低下し、1.0mol％を超えると容量の温度特性
が悪化する。 SrCO3、ZrO2は容量の温度特性の改善に効果
があるが、ともに1.0mol％未満ではその効果が
なく、また、ともに6.0mol％を超えると面積容
量、破壊電圧共に低下する。 BaTiO3の組成範囲は、その他の組成範囲によ
つて決まるものである。 MnCO3の添加は絶縁抵抗、破壊電圧を向上さ
せる効果があるが、添加量が0.03wt％未満である
と絶縁抵抗、破壊電圧共に低下し、添加量が
0.30wt％を超えると面積容量が低下する。 SiO2の添加はその添加量が0.2wt％以下では本
発明の効果を奏するが、添加量が0.2wt％を超え
ると焼結性が悪化し、また面積容量、破壊電圧共
に低下する。 以上のように、主としてBaTiO3のキユーリー
点のシフターとしてTa2O5を用いることにより、
単位面積当たりの容量［Ｃ／Ａ（nF／cm2）］が大
きく、破壊電圧が高く、かつ容量の温度特性が良
好な半導体コンデンサを得ることができる。 前記実施例では希土類酸化物としてNd2O3、
La2O3、CeO2を用いた例を示したが、他の希土
類酸化物を１種類、または２種類以上を組み合わ
せたものを用いてもよく、この場合にも、前記と
同様の効果を得ることができる。 （発明の効果） このように本発明によるときは、単位面積当た
りの容量が大きく、破壊電圧が高く、かつ容量の
温度特性が良好な半導体コンデンサを得ることが
できる還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成
物を提供することができる効果を有する。
半導体コンデンサ用磁器組成物の限定理由は次の
通りである。 Ta2O5が0.2mol％未満では常温での面積容量が
低くなり、また2.0mol％を超えると同様に常温
での面積容量が低下すると共に、焼結性が悪化
し、破壊電圧が低下する。 Nd2O3、La2O3、CeO2等の希土類酸化物の添
加は焼結性改善に効果があるが、0.1mol％未満
ではその効果がなく、また面積容量、破壊電圧共
に低下し、1.0mol％を超えると容量の温度特性
が悪化する。 SrCO3、ZrO2は容量の温度特性の改善に効果
があるが、ともに1.0mol％未満ではその効果が
なく、また、ともに6.0mol％を超えると面積容
量、破壊電圧共に低下する。 BaTiO3の組成範囲は、その他の組成範囲によ
つて決まるものである。 MnCO3の添加は絶縁抵抗、破壊電圧を向上さ
せる効果があるが、添加量が0.03wt％未満である
と絶縁抵抗、破壊電圧共に低下し、添加量が
0.30wt％を超えると面積容量が低下する。 SiO2の添加はその添加量が0.2wt％以下では本
発明の効果を奏するが、添加量が0.2wt％を超え
ると焼結性が悪化し、また面積容量、破壊電圧共
に低下する。 以上のように、主としてBaTiO3のキユーリー
点のシフターとしてTa2O5を用いることにより、
単位面積当たりの容量［Ｃ／Ａ（nF／cm2）］が大
きく、破壊電圧が高く、かつ容量の温度特性が良
好な半導体コンデンサを得ることができる。 前記実施例では希土類酸化物としてNd2O3、
La2O3、CeO2を用いた例を示したが、他の希土
類酸化物を１種類、または２種類以上を組み合わ
せたものを用いてもよく、この場合にも、前記と
同様の効果を得ることができる。 （発明の効果） このように本発明によるときは、単位面積当た
りの容量が大きく、破壊電圧が高く、かつ容量の
温度特性が良好な半導体コンデンサを得ることが
できる還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成
物を提供することができる効果を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ BaTiO3が85.0〜97.7mol％、 Ta2O5が0.2〜2.0mol％、 希土類酸化物のうち少なくとも１種類が0.1〜
1.0mol％、 SrCO3が1.0〜6.0mol％および ZrO2が1.0〜6.0mol％ から成る組成物を主成分とし、これに MnCO3を0.03〜0.30wt％および SiO2を0.20wt％以下 添加したことを特徴とする還元再酸化型半導体
コンデンサ用磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233124A JPH0397665A (ja) | 1989-09-09 | 1989-09-09 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233124A JPH0397665A (ja) | 1989-09-09 | 1989-09-09 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397665A JPH0397665A (ja) | 1991-04-23 |
| JPH0520384B2 true JPH0520384B2 (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16950133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1233124A Granted JPH0397665A (ja) | 1989-09-09 | 1989-09-09 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0397665A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333426A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波用誘電体磁器組成物 |
-
1989
- 1989-09-09 JP JP1233124A patent/JPH0397665A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0397665A (ja) | 1991-04-23 |
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