JPH01238061A - 高周波トランジスタ - Google Patents
高周波トランジスタInfo
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- JPH01238061A JPH01238061A JP63064904A JP6490488A JPH01238061A JP H01238061 A JPH01238061 A JP H01238061A JP 63064904 A JP63064904 A JP 63064904A JP 6490488 A JP6490488 A JP 6490488A JP H01238061 A JPH01238061 A JP H01238061A
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- Japan
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- emitter region
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 abstract description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）産業上の利用分野
この発明は高周波帯で用いられるバイポーラ型の高周波
トランジスタに関する。
トランジスタに関する。
（ｂ）従来の技術
一般に、トランジスタの高周波性能指数の１つの要素と
してコレクターベース間の接合容量が挙げられる。即ち
コレクターベース間の接合容量はこのトランジスタを用
いた増幅回路の入出方間容量となるため、いわゆるミラ
ー効果によって増幅回路の等個入力容量を著しく増大さ
せることとなり、高周波帯域の利得を低下させる。そこ
で従来の高周波トランジスタではベース領域を縮小する
とともに、ワイヤボンディング用の電極を素子形成領域
外に引き出している。
してコレクターベース間の接合容量が挙げられる。即ち
コレクターベース間の接合容量はこのトランジスタを用
いた増幅回路の入出方間容量となるため、いわゆるミラ
ー効果によって増幅回路の等個入力容量を著しく増大さ
せることとなり、高周波帯域の利得を低下させる。そこ
で従来の高周波トランジスタではベース領域を縮小する
とともに、ワイヤボンディング用の電極を素子形成領域
外に引き出している。
第４図に従来の高周波トランジスタの構成を示す。図に
おいて１はベース領域、２ａおよび２ｂは共にエミッタ
領域を示している。３ａおよび３ｂはエミッタ電極であ
り、コンタクト部５．５を介してエミッタ領域２ａ、
２ｂにそれぞれ接続されている。２つのエミッタ電極
３ａ、３ｂは図に示すように共通接続されてエミッタ引
出電極４として引き出されている。また、図において６
ａ。
おいて１はベース領域、２ａおよび２ｂは共にエミッタ
領域を示している。３ａおよび３ｂはエミッタ電極であ
り、コンタクト部５．５を介してエミッタ領域２ａ、
２ｂにそれぞれ接続されている。２つのエミッタ電極
３ａ、３ｂは図に示すように共通接続されてエミッタ引
出電極４として引き出されている。また、図において６
ａ。
６ｂ、および６ｃはベース電極であり、それぞれコンタ
クト部８．８．８を介してベース領域１に接続されてい
る。各ベース電極は共通に接続されてベース引出電極７
として引き出されている。なお、引出電極４．７はポン
ディングパッドとじて用いられる。
クト部８．８．８を介してベース領域１に接続されてい
る。各ベース電極は共通に接続されてベース引出電極７
として引き出されている。なお、引出電極４．７はポン
ディングパッドとじて用いられる。
第５図は第４図に示した主要部の断面構造を表す図であ
り、（Ａ）は第４図におけるＡ−Ａ断面図、（Ｂ）はＢ
−Ｂ断面図である。図において１１コレクタ、１２はコ
レクタ電極である。また１０は絶縁膜を示している。こ
のように、素子形成領域を全体に縮小するとともに、ワ
イヤボンディング用のパッドを素子形成領域外へ引き出
すことによって高周波帯まで作動するトランジスタを構
成している。
り、（Ａ）は第４図におけるＡ−Ａ断面図、（Ｂ）はＢ
−Ｂ断面図である。図において１１コレクタ、１２はコ
レクタ電極である。また１０は絶縁膜を示している。こ
のように、素子形成領域を全体に縮小するとともに、ワ
イヤボンディング用のパッドを素子形成領域外へ引き出
すことによって高周波帯まで作動するトランジスタを構
成している。
（Ｃ）発明が解決しようとする課題
ところでトランジスタを低電圧で動作させるためには、
コレクタ・エミッタ飽和電圧（Ｖ Ｃ□３□、）を小さ
くして動作抵抗を低減させなければならない。しかしな
がら従来の高周波トランジスタにおいては、上述のコレ
クターベース間の接合容！（Ｃｏｂ）（以下コレクタ接
合容量という。）を小さくするとともに動作抵抗を低減
することは困難であった。なぜなら動作抵抗を下げるた
めには、エミッタ領域の面積を広くし、またエミッタ領
域の周辺長を長くすることによってコレクタ・エミッタ
飽和電圧を小さくしなければならないが、エミッタ領域
の面積を広くし、周辺長を長くすれば、これに伴いベー
ス領域の面積が増大する。
コレクタ・エミッタ飽和電圧（Ｖ Ｃ□３□、）を小さ
くして動作抵抗を低減させなければならない。しかしな
がら従来の高周波トランジスタにおいては、上述のコレ
クターベース間の接合容！（Ｃｏｂ）（以下コレクタ接
合容量という。）を小さくするとともに動作抵抗を低減
することは困難であった。なぜなら動作抵抗を下げるた
めには、エミッタ領域の面積を広くし、またエミッタ領
域の周辺長を長くすることによってコレクタ・エミッタ
飽和電圧を小さくしなければならないが、エミッタ領域
の面積を広くし、周辺長を長くすれば、これに伴いベー
ス領域の面積が増大する。
その結果コレクタ接合容■が大きくなる。逆にコレクタ
接合容量を小さくするためにはベース領域を縮小しなけ
ればならないが、これに伴いエミッタ領域の面積および
周辺長が縮小されるためコレクタ・エミッタ飽和電圧が
大きくなって動作抵抗を下げることができない。このよ
うに動作抵抗とコレクタ接合容量とはトレードオフの関
係にあるそこで第４図および第５図に示したように、所
定の広がりを有するベース領域内に複数のストライプ状
のエミッタ領域を形成することによって、特にエミッタ
領域の周辺長を増大させて動作抵抗を若干減少させてい
るが、充分ではなかった。したがって、従来は動作抵抗
とコレクタ接合容量のいずれか一方を優先してベース領
域およびエミッタ領域のパターン設計を行わなければな
らなかった。
接合容量を小さくするためにはベース領域を縮小しなけ
ればならないが、これに伴いエミッタ領域の面積および
周辺長が縮小されるためコレクタ・エミッタ飽和電圧が
大きくなって動作抵抗を下げることができない。このよ
うに動作抵抗とコレクタ接合容量とはトレードオフの関
係にあるそこで第４図および第５図に示したように、所
定の広がりを有するベース領域内に複数のストライプ状
のエミッタ領域を形成することによって、特にエミッタ
領域の周辺長を増大させて動作抵抗を若干減少させてい
るが、充分ではなかった。したがって、従来は動作抵抗
とコレクタ接合容量のいずれか一方を優先してベース領
域およびエミッタ領域のパターン設計を行わなければな
らなかった。
この発明の目的は、ベース領域の面積を増大させること
な（、エミッタ領域の面積および周辺長を増大させるこ
とによって、動作抵抗とコレクタ接合容量のいずれをも
低減させた高周波トランジスタを堤供することにある。
な（、エミッタ領域の面積および周辺長を増大させるこ
とによって、動作抵抗とコレクタ接合容量のいずれをも
低減させた高周波トランジスタを堤供することにある。
（ｄ１課題を解決するための手段
この発明は、ベース領域内にストライプ状のエミッタ領
域を有し、ベース電極とエミッタ電極を素子形成領域外
へ引き出した高周波トランジスタにおいて、 各ストライプ状のエミッタ領域間を連結する拡張エミッ
タ領域を形成したことを特徴としている（６１作用 この発明の高周波トランジスタにおいては、ベース領域
内にストライプ状のエミッタ領域が形成され、さらに各
ストライプ状のエミッタ領域間が拡張エミッタ領域によ
って連結される。したがってこの拡張エミッタ領域分だ
けエミッタ領域の面積が増大し、またエミッタ領域の周
辺長が長くなる。これによりコレクタ・エミッタ飽和電
圧が低下し、動作抵抗が減少する。しかも拡張エミッタ
領域はあくまでベース領域内に存在するため、ベース領
域の面積が増大することなく、これに伴うコレクタ接合
容量の増大はない。
域を有し、ベース電極とエミッタ電極を素子形成領域外
へ引き出した高周波トランジスタにおいて、 各ストライプ状のエミッタ領域間を連結する拡張エミッ
タ領域を形成したことを特徴としている（６１作用 この発明の高周波トランジスタにおいては、ベース領域
内にストライプ状のエミッタ領域が形成され、さらに各
ストライプ状のエミッタ領域間が拡張エミッタ領域によ
って連結される。したがってこの拡張エミッタ領域分だ
けエミッタ領域の面積が増大し、またエミッタ領域の周
辺長が長くなる。これによりコレクタ・エミッタ飽和電
圧が低下し、動作抵抗が減少する。しかも拡張エミッタ
領域はあくまでベース領域内に存在するため、ベース領
域の面積が増大することなく、これに伴うコレクタ接合
容量の増大はない。
（ｆｌ実施例
第１図はこの発明の実施例である高周波トランジスタの
構成を表す平面図、第２図はその主要部の断面構造を表
す図であり、第２図（Ａ）は第１図におけるＡ−Ａ断面
、第２図（Ｂ）は第１図におけるＢ−Ｂ断面をそれぞれ
示している。
構成を表す平面図、第２図はその主要部の断面構造を表
す図であり、第２図（Ａ）は第１図におけるＡ−Ａ断面
、第２図（Ｂ）は第１図におけるＢ−Ｂ断面をそれぞれ
示している。
第１図において１はベース領域、２はエミッタ電極を示
している。エミッタ領域２においてＥ。
している。エミッタ領域２においてＥ。
Ｅで示す領域は拡張エミッタ領域であり、２つのストラ
イプ状のエミッタ領域を端部間で連結した形状となって
いる。３ａ、３ｂは共にエミッタ電極であり、コンタク
ト部５，５を介してエミッタ領域に接続されている。４
はエミッタ引出電極であり、２つのエミッタ電極３ａ、
３ｂを共通に接続して引き出している。また、６ａ、６
ｂ、６ｃはそれぞれベース電極であり、コンタクト部８
ａ、３ｂ、３ｃを介してベース領域に接続されている。
イプ状のエミッタ領域を端部間で連結した形状となって
いる。３ａ、３ｂは共にエミッタ電極であり、コンタク
ト部５，５を介してエミッタ領域に接続されている。４
はエミッタ引出電極であり、２つのエミッタ電極３ａ、
３ｂを共通に接続して引き出している。また、６ａ、６
ｂ、６ｃはそれぞれベース電極であり、コンタクト部８
ａ、３ｂ、３ｃを介してベース領域に接続されている。
７はベース引出主桟であり、３つのベース電極５ａ、５
ｂ、５ｃを共通に接続して引き出している。
ｂ、５ｃを共通に接続して引き出している。
第２図において１１はコレクタ、１２はコレクタ電極で
あり、またＩＯは絶縁膜を示している。
あり、またＩＯは絶縁膜を示している。
このようにストライプ状のエミッタ領域をそれぞれ独立
させずに、各ストライプ状のエミッタ領域間を拡張エミ
ッタ領域によって連結することによって、エミッタ領域
全体の面積が増大するとともに、エミッタ領域の外周お
よび内周の全周辺長が伸長することとなる。特に第１図
に示した例ではエミッタ領域のベース・コンタクト８ｂ
近傍の側面に電流が集中するため、拡張エミッタ領域Ｅ
、Ｅが活性領域として有効に作用する。このためコレク
タ・エミッタ飽和電圧が低下し動作抵抗が減少する。こ
こでベース領域１は拡張する必要がないため、コレクタ
接合容量は増大しない。
させずに、各ストライプ状のエミッタ領域間を拡張エミ
ッタ領域によって連結することによって、エミッタ領域
全体の面積が増大するとともに、エミッタ領域の外周お
よび内周の全周辺長が伸長することとなる。特に第１図
に示した例ではエミッタ領域のベース・コンタクト８ｂ
近傍の側面に電流が集中するため、拡張エミッタ領域Ｅ
、Ｅが活性領域として有効に作用する。このためコレク
タ・エミッタ飽和電圧が低下し動作抵抗が減少する。こ
こでベース領域１は拡張する必要がないため、コレクタ
接合容量は増大しない。
上記実施例では２本のストライプ部を含むエミッタ領域
を形成した例であっが、このストライプの本数はパター
ン形成精度に応じて適宜室めることができる。たとえば
第３図（Ａ）、 （Ｂ）に示すトランジスタの場合、
３本のストライプ状エミッタ領域とこれらを連結する拡
張エミッタ領域から構成している。
を形成した例であっが、このストライプの本数はパター
ン形成精度に応じて適宜室めることができる。たとえば
第３図（Ａ）、 （Ｂ）に示すトランジスタの場合、
３本のストライプ状エミッタ領域とこれらを連結する拡
張エミッタ領域から構成している。
以上に示した高周波トランジスタは次に述べる手順によ
って製造することができる。
って製造することができる。
■まずｎ゛基板ｎ型エピタキシャル層を形成する。
■表面を酸化させＳｉＯ□膜を形成す−る。
■ベース領域とすべき箇所のＳｉｎ、膜に開口部を形成
し、ボロンを拡散させ、ベース領域を形成する。（なお
ベース領域はベース・コンタクト領域とベース活性領域
とを分けて形成してもよい。） ■エミッタ領域を形成すべき箇所のＳｉＯ□膜に開口部
を形成し、リンまたはヒ素を拡散させ、エミッタ領域を
形成する。
し、ボロンを拡散させ、ベース領域を形成する。（なお
ベース領域はベース・コンタクト領域とベース活性領域
とを分けて形成してもよい。） ■エミッタ領域を形成すべき箇所のＳｉＯ□膜に開口部
を形成し、リンまたはヒ素を拡散させ、エミッタ領域を
形成する。
このエミッタ領域の開口部形成用のマスクには、第１図
および第３図に示したように複数のストライプ部を互い
に連結する領域を有するパターンが形成されている。
および第３図に示したように複数のストライプ部を互い
に連結する領域を有するパターンが形成されている。
■ベース・コンタクトおよびエミッタ・コンタクトの開
口部を形成する。
口部を形成する。
■全面にＡβなどのメタル蒸着を行い、その後エツチン
グによりベース電極、ベース引出電極、エミッタ電極お
よびエミッタ引出電極を形成する以上のようにして製造
することができるが、特に拡張エミッタ領域をベース・
コンタクト部に近接して形成することによって、エミッ
タの活性令頁域拡張のために有効である。
グによりベース電極、ベース引出電極、エミッタ電極お
よびエミッタ引出電極を形成する以上のようにして製造
することができるが、特に拡張エミッタ領域をベース・
コンタクト部に近接して形成することによって、エミッ
タの活性令頁域拡張のために有効である。
（ｇ）発明の効果
以上のようにこの発明の高周波トランジスタにおいては
、ベース領域を拡大することなく、エミッタ領域の面積
および周辺長が拡大されるため、コレクターベース間接
合容量を増大させることなく、動作抵抗を大幅に低減さ
せることができる。
、ベース領域を拡大することなく、エミッタ領域の面積
および周辺長が拡大されるため、コレクターベース間接
合容量を増大させることなく、動作抵抗を大幅に低減さ
せることができる。
逆に同一の動作抵抗であれば、エミッタ領域とともにベ
ース領域を縮小することによってコレクタ接合容量を大
幅に低減させることができる。
ース領域を縮小することによってコレクタ接合容量を大
幅に低減させることができる。
第１図はこの発明の実施例である高周波トランジスタの
構成を表す平面図、第２図は同トランジスタの断面構造
を表す図であり、（Ａ）は第１図におけるＡ−Ａの断面
図、（Ｂ）はＢ−Ｂの断面図である。第３図（Ａ）、
（Ｂ）は他の実施例に係る高周波トランジスタの構成
を表す部分平面図である。第４図は従来の高周波トラン
ジスタの構成を表す平面図、第５図（Ａ）、 （Ｂ）
はその主要部の断面構造を表す図である。 １−ベース領域、 ２ａ、２ｂ−エミッタ領域、 ３ａ、３ｂ−エミッタ電極、 ４−エミッタ引出電極、 ５−コンタクト部、 ６ａ、６ｂ、６ｃｍベース電極、 ７−ベース引出電極、 ８ａ、８ｂ、８ｃｍコンタクト部。
構成を表す平面図、第２図は同トランジスタの断面構造
を表す図であり、（Ａ）は第１図におけるＡ−Ａの断面
図、（Ｂ）はＢ−Ｂの断面図である。第３図（Ａ）、
（Ｂ）は他の実施例に係る高周波トランジスタの構成
を表す部分平面図である。第４図は従来の高周波トラン
ジスタの構成を表す平面図、第５図（Ａ）、 （Ｂ）
はその主要部の断面構造を表す図である。 １−ベース領域、 ２ａ、２ｂ−エミッタ領域、 ３ａ、３ｂ−エミッタ電極、 ４−エミッタ引出電極、 ５−コンタクト部、 ６ａ、６ｂ、６ｃｍベース電極、 ７−ベース引出電極、 ８ａ、８ｂ、８ｃｍコンタクト部。
Claims (1)
- （１）ベース領域内にストライプ状のエミッタ領域を有
し、ベース電極とエミッタ電極を素子形成領域外へ引き
出した高周波トランジスタにおいて各ストライプ状のエ
ミッタ領域間を連結する拡張エミッタ領域を形成したこ
とを特徴とする高周波トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63064904A JPH079911B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 高周波トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63064904A JPH079911B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 高周波トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238061A true JPH01238061A (ja) | 1989-09-22 |
| JPH079911B2 JPH079911B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=13271517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63064904A Expired - Fee Related JPH079911B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 高周波トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079911B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5387813A (en) * | 1992-09-25 | 1995-02-07 | National Semiconductor Corporation | Transistors with emitters having at least three sides |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5927570A (ja) * | 1982-08-07 | 1984-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS62176163A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Fuji Electric Co Ltd | トランジスタの製造方法 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP63064904A patent/JPH079911B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5927570A (ja) * | 1982-08-07 | 1984-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS62176163A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Fuji Electric Co Ltd | トランジスタの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5387813A (en) * | 1992-09-25 | 1995-02-07 | National Semiconductor Corporation | Transistors with emitters having at least three sides |
| US5508552A (en) * | 1992-09-25 | 1996-04-16 | National Semiconductor Corporation | Transistors with multiple emitters, and transistors with substantially square base emitter junctions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079911B2 (ja) | 1995-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |