JPH079911B2 - 高周波トランジスタ - Google Patents
高周波トランジスタInfo
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- JPH079911B2 JPH079911B2 JP63064904A JP6490488A JPH079911B2 JP H079911 B2 JPH079911 B2 JP H079911B2 JP 63064904 A JP63064904 A JP 63064904A JP 6490488 A JP6490488 A JP 6490488A JP H079911 B2 JPH079911 B2 JP H079911B2
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- region
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (a)産業上の利用分野 この発明は高周波帯で用いられるバイポーラ型の高周波
トランジスタに関する。
トランジスタに関する。
(b)従来の技術 一般に、トランジスタの高周波性能指数の１つの要素と
してコレクタ−ベース間の接合容量が挙げられる。即ち
コレクタ−ベース間の接合容量はこのトランジスタを用
いた増幅回路の入出力間容量となるため、いわゆるミラ
ー効果によって増幅回路の等価入力容量を著しく増大さ
せることとなり、高周波帯域の利得を低下させる。そこ
で従来の高周波トランジスタではベース領域を縮小する
とともに、ワイヤボンディング用の電極を素子形成領域
外に引き出している。
してコレクタ−ベース間の接合容量が挙げられる。即ち
コレクタ−ベース間の接合容量はこのトランジスタを用
いた増幅回路の入出力間容量となるため、いわゆるミラ
ー効果によって増幅回路の等価入力容量を著しく増大さ
せることとなり、高周波帯域の利得を低下させる。そこ
で従来の高周波トランジスタではベース領域を縮小する
とともに、ワイヤボンディング用の電極を素子形成領域
外に引き出している。
第４図に従来の高周波トランジスタの構成を示す。図に
おいて１はベース領域、2aおよび2bは共にエミッタ領域
を示している。3aおよび3bはエミッタ電極であり、コン
タクト部5,5を介してエミッタ領域2a,2bにそれぞれ接続
されている。２つのエミッタ電極3a,3bは図に示すよう
に共通接続されてエミッタ引出電極４として引き出され
ている。また、図において6a,6b,および6cはベース電極
であり、それぞれコンタクト部8,8,8を介してベース領
域１に接続されている。各ベース電極は共通に接続され
てベース引出電極７として引き出されている。なお、引
出電極4,7ばボンディングパッドとして用いられる。
おいて１はベース領域、2aおよび2bは共にエミッタ領域
を示している。3aおよび3bはエミッタ電極であり、コン
タクト部5,5を介してエミッタ領域2a,2bにそれぞれ接続
されている。２つのエミッタ電極3a,3bは図に示すよう
に共通接続されてエミッタ引出電極４として引き出され
ている。また、図において6a,6b,および6cはベース電極
であり、それぞれコンタクト部8,8,8を介してベース領
域１に接続されている。各ベース電極は共通に接続され
てベース引出電極７として引き出されている。なお、引
出電極4,7ばボンディングパッドとして用いられる。
第５図は第４図に示した主要部の断面構造を表す図であ
り、（Ａ）は第４図におけるＡ−Ａ断面図、（Ｂ）はＢ
−Ｂ断面図である。図において11コレクタ、12はコレク
タ電極である。また10は絶縁膜を示している。このよう
に、素子形成領域を全体に縮小するとともに、ワイヤボ
ンディング用のパッドを素子形成領域外へ引き出すこと
によって高周波帯まで作動するトランジスタを構成して
いる。
り、（Ａ）は第４図におけるＡ−Ａ断面図、（Ｂ）はＢ
−Ｂ断面図である。図において11コレクタ、12はコレク
タ電極である。また10は絶縁膜を示している。このよう
に、素子形成領域を全体に縮小するとともに、ワイヤボ
ンディング用のパッドを素子形成領域外へ引き出すこと
によって高周波帯まで作動するトランジスタを構成して
いる。
(c)発明が解決しようとする課題 ところでトランジスタを低電圧で動作させるためには、
コレクタ・エミッタ飽和電圧（VCE(Sat)）を小さくして
動作抵抗を低減させなければならない。しかしながら従
来の高周波トランジスタにおいては、上述のコレクター
ベース間の接合容量（Cob）（以下コレクタ接合容量と
いう。）を小さくするとともに動作抵抗を低減すること
は困難であった。なぜなら動作抵抗を下げるためには、
エミッタ領域の面積を広くし、またエミッタ領域の周辺
長を長くすることによってコレクタ・エミッタ飽和電圧
を小さくしなければならないが、エミッタ領域の面積を
広くし、周辺長を長くすれば、これに伴いベース領域の
面積が増大する。その結果コレクタ接合容量が大きくな
る。逆にコレクタ接合容量を小さくするためにはベース
領域を縮小しなければならないが、これに伴いエミッタ
領域の面積および周辺長が縮小されるためコレクタ・エ
ミッタ飽和電圧が大きくなって動作抵抗を下げることが
できない。このように動作抵抗とコレクタ接合容量とは
トレードオフの関係にある。そこで第４図および第５図
に示したように、所定の広がりを有するベース領域内に
複数のストライプ状のエミッタ領域を形成することによ
って、特にエミッタ領域の周辺長を増大させて動作抵抗
を若干減少させているが、充分ではなかった。したがっ
て、従来は動作抵抗とコレクタ接合容量のいずれか一方
を優先してベース領域およびエミッタ領域のパターン設
計を行わなければならなかった。
コレクタ・エミッタ飽和電圧（VCE(Sat)）を小さくして
動作抵抗を低減させなければならない。しかしながら従
来の高周波トランジスタにおいては、上述のコレクター
ベース間の接合容量（Cob）（以下コレクタ接合容量と
いう。）を小さくするとともに動作抵抗を低減すること
は困難であった。なぜなら動作抵抗を下げるためには、
エミッタ領域の面積を広くし、またエミッタ領域の周辺
長を長くすることによってコレクタ・エミッタ飽和電圧
を小さくしなければならないが、エミッタ領域の面積を
広くし、周辺長を長くすれば、これに伴いベース領域の
面積が増大する。その結果コレクタ接合容量が大きくな
る。逆にコレクタ接合容量を小さくするためにはベース
領域を縮小しなければならないが、これに伴いエミッタ
領域の面積および周辺長が縮小されるためコレクタ・エ
ミッタ飽和電圧が大きくなって動作抵抗を下げることが
できない。このように動作抵抗とコレクタ接合容量とは
トレードオフの関係にある。そこで第４図および第５図
に示したように、所定の広がりを有するベース領域内に
複数のストライプ状のエミッタ領域を形成することによ
って、特にエミッタ領域の周辺長を増大させて動作抵抗
を若干減少させているが、充分ではなかった。したがっ
て、従来は動作抵抗とコレクタ接合容量のいずれか一方
を優先してベース領域およびエミッタ領域のパターン設
計を行わなければならなかった。
この発明の目的は、ベース領域の面積を増大させること
なく、エミッタ領域の面積および周辺長を増大させるこ
とによって、動作抵抗とコレクタ接合容量のいずれをも
低減させた高周波トランジスタを提供することにある。
なく、エミッタ領域の面積および周辺長を増大させるこ
とによって、動作抵抗とコレクタ接合容量のいずれをも
低減させた高周波トランジスタを提供することにある。
(d)課題を解決するための手段 この発明は、ベース領域内にストライプ状のエミッタ領
域を有し、ベース電極とエミッタ電極を素子形成領域外
へ引き出した高周波トランジスタにおいて、 前記ストライプ状のエミッタ領域の両端部において、他
のエミッタ領域の端部と連結する拡張エミッタ領域を備
えたことを特徴とする。
域を有し、ベース電極とエミッタ電極を素子形成領域外
へ引き出した高周波トランジスタにおいて、 前記ストライプ状のエミッタ領域の両端部において、他
のエミッタ領域の端部と連結する拡張エミッタ領域を備
えたことを特徴とする。
(e)作用 この発明の高周波トランジスタにおいては、ベース領域
内にストライプ状のエミッタ領域が形成され、さらに、
エミッタ領域の両端部が他のエミッタ領域の端部と拡張
エミッタ領域によって連結される。したがってこの拡張
エミッタ領域分だけエミッタ領域の面積が増大し、また
エミッタ領域の周辺長が長くなる。これによりコレクタ
・エミッタ飽和電圧が低下し、動作抵抗が減少する。し
かも拡張エミッタ領域はあくまでベース領域内に存在す
るため、ベース領域の面積が増大することなく、これに
伴うコレクタ接合容量の増大はない。
内にストライプ状のエミッタ領域が形成され、さらに、
エミッタ領域の両端部が他のエミッタ領域の端部と拡張
エミッタ領域によって連結される。したがってこの拡張
エミッタ領域分だけエミッタ領域の面積が増大し、また
エミッタ領域の周辺長が長くなる。これによりコレクタ
・エミッタ飽和電圧が低下し、動作抵抗が減少する。し
かも拡張エミッタ領域はあくまでベース領域内に存在す
るため、ベース領域の面積が増大することなく、これに
伴うコレクタ接合容量の増大はない。
(f)実施例 第１図はこの発明の実施例である高周波トランジスタの
構成を表す平面図、第２図はその主要部の断面構造を表
す図であり、第２図（Ａ）は第１図におけるＡ−Ａ断
面、第２図（Ｂ）は第１図におけるＢ−Ｂ断面をそれぞ
れ示している。
構成を表す平面図、第２図はその主要部の断面構造を表
す図であり、第２図（Ａ）は第１図におけるＡ−Ａ断
面、第２図（Ｂ）は第１図におけるＢ−Ｂ断面をそれぞ
れ示している。
第１図において１はベース領域、２はエミッタ領域を示
している。エミッタ領域２においてE,Eで示す領域は拡
張エミッタ領域であり、２つのストライプ状のエミッタ
領域を端部間で連結した形状となっている。3a,3bは共
にエミッタ電極であり、コンタクト部5,5を介してエミ
ッタ領域に接続されている。４はエミッタ引出電極であ
り、２つのエミッタ電極3a,3bを共通に接続して引き出
している。また、6a,6b,6cはそれぞれベース電極であ
り、コンタクト部8a,8b,8cを介してベース領域に接続さ
れている。７はベース引出電極であり、３つのベース電
極6a,6b,6cを共通に接続して引き出している。
している。エミッタ領域２においてE,Eで示す領域は拡
張エミッタ領域であり、２つのストライプ状のエミッタ
領域を端部間で連結した形状となっている。3a,3bは共
にエミッタ電極であり、コンタクト部5,5を介してエミ
ッタ領域に接続されている。４はエミッタ引出電極であ
り、２つのエミッタ電極3a,3bを共通に接続して引き出
している。また、6a,6b,6cはそれぞれベース電極であ
り、コンタクト部8a,8b,8cを介してベース領域に接続さ
れている。７はベース引出電極であり、３つのベース電
極6a,6b,6cを共通に接続して引き出している。
第２図において11はコレクタ、12はコレクタ電極であ
り、また10は絶縁膜を示している。
り、また10は絶縁膜を示している。
このようにストライプ状のエミッタ領域をそれぞれ独立
させずに、各ストライプ状のエミッタ領域間を拡張エミ
ッタ領域によって連結することによって、エミッタ領域
全体の面積が増大するとともに、エミッタ領域の外周お
よび内周の全周辺長が伸長することとなる。特に第１図
に示した例ではエミッタ領域のベース・コンタクト8b近
傍の側面に電流が集中するため、拡張エミッタ領域E,E
が活性領域として有効に作用する。このためコレクタ・
エミッタ飽和電圧が低下し動作抵抗が減少する。ここで
ベース領域１は拡張する必要がないため、コレクタ接合
容量は増大しない。
させずに、各ストライプ状のエミッタ領域間を拡張エミ
ッタ領域によって連結することによって、エミッタ領域
全体の面積が増大するとともに、エミッタ領域の外周お
よび内周の全周辺長が伸長することとなる。特に第１図
に示した例ではエミッタ領域のベース・コンタクト8b近
傍の側面に電流が集中するため、拡張エミッタ領域E,E
が活性領域として有効に作用する。このためコレクタ・
エミッタ飽和電圧が低下し動作抵抗が減少する。ここで
ベース領域１は拡張する必要がないため、コレクタ接合
容量は増大しない。
上記実施例では２本のストライプ部を含むエミッタ領域
を形成した例であっが、このストライプの本数はパター
ン形成精度に応じて適宜定めることができる。たとえば
第３図（Ａ），（Ｂ）に示すトランジスタの場合、それ
ぞれ、３本のストライプ状のエミッタ領域は各端部が他
のストライプ状のエミッタ領域の端部と拡張エミッタ領
域で接続されている。
を形成した例であっが、このストライプの本数はパター
ン形成精度に応じて適宜定めることができる。たとえば
第３図（Ａ），（Ｂ）に示すトランジスタの場合、それ
ぞれ、３本のストライプ状のエミッタ領域は各端部が他
のストライプ状のエミッタ領域の端部と拡張エミッタ領
域で接続されている。
以上に示した高周波トランジスタは次に述べる手順によ
って製造することができる。
って製造することができる。
まずｎ＋基板にｎ型エピタキシャル層を形成する。
表面を酸化させSiO2膜を形成する。
ベース領域とすべき箇所のSiO2膜に開口部を形成し、
ボロンを拡散させ、ベース領域を形成する。（なおベー
ス領域はベース・コンタクト領域とベース活性領域とを
分けて形成してもよい。） エミッタ領域を形成すべき箇所のSiO2膜に開口部を形
成し、リンまたはヒ素を拡散させ、エミッタ領域を形成
する。
ボロンを拡散させ、ベース領域を形成する。（なおベー
ス領域はベース・コンタクト領域とベース活性領域とを
分けて形成してもよい。） エミッタ領域を形成すべき箇所のSiO2膜に開口部を形
成し、リンまたはヒ素を拡散させ、エミッタ領域を形成
する。
このエミッタ領域の開口部形成用のマスクには、第１図
および第３図に示したように複数のストライプ部を互い
に連結する領域を有するパターンが形成されている。
および第３図に示したように複数のストライプ部を互い
に連結する領域を有するパターンが形成されている。
ブース・コンタクトおよびエミッタ・コンタクトの開
口部を形成する。
口部を形成する。
全面にAlなどのメタル蒸着を行い、その後エッチング
によりベース電極、ベース引出電極、エミッタ電極およ
びエミッタ引出電極を形成する。
によりベース電極、ベース引出電極、エミッタ電極およ
びエミッタ引出電極を形成する。
以上のようにして製造することができるが、特に拡張エ
ミッタ領域をベース・コンタクト部に近接して形成する
ことによって、エミッタの活性領域拡張のために有効で
ある。
ミッタ領域をベース・コンタクト部に近接して形成する
ことによって、エミッタの活性領域拡張のために有効で
ある。
(g)発明の効果 以上のようにこの発明の高周波トランジスタにおいて
は、ベース領域を拡大することなく、エミッタ領域の面
積および周辺長が拡大されるため、コレクタ−ベース間
接合容量を増大させることなく、動作抵抗を大幅に低減
させることができる。逆に同一の動作抵抗であれば、エ
ミッタ領域とともにベース領域を縮小することによって
コレクタ接合容量を大幅に低減させることができる。
は、ベース領域を拡大することなく、エミッタ領域の面
積および周辺長が拡大されるため、コレクタ−ベース間
接合容量を増大させることなく、動作抵抗を大幅に低減
させることができる。逆に同一の動作抵抗であれば、エ
ミッタ領域とともにベース領域を縮小することによって
コレクタ接合容量を大幅に低減させることができる。
第１図はこの発明の実施例である高周波トランジスタの
構成を表す平面図、第２図は同トランジスタの断面構造
を表す図であり、（Ａ）は第１図におけるＡ−Ａの断面
図、（Ｂ）はＢ−Ｂの断面図である。第３図（Ａ），
（Ｂ）は他の実施例に係る高周波トランジスタの構成を
表す部分平面図である。第４図は従来の高周波トランジ
スタの構成を表す平面図、第５図（Ａ），（Ｂ）はその
主要部の断面構造を表す図である。 １……ベース領域、 2a,2b……エミッタ領域、 3a,3b……エミッタ電極、 ４……エミッタ引出電極、 ５……コンタクト部、 6a,6b,6c……ベース電極、 ７……ベース引出電極、 8a,8b,8c……コンタクト部。
構成を表す平面図、第２図は同トランジスタの断面構造
を表す図であり、（Ａ）は第１図におけるＡ−Ａの断面
図、（Ｂ）はＢ−Ｂの断面図である。第３図（Ａ），
（Ｂ）は他の実施例に係る高周波トランジスタの構成を
表す部分平面図である。第４図は従来の高周波トランジ
スタの構成を表す平面図、第５図（Ａ），（Ｂ）はその
主要部の断面構造を表す図である。 １……ベース領域、 2a,2b……エミッタ領域、 3a,3b……エミッタ電極、 ４……エミッタ引出電極、 ５……コンタクト部、 6a,6b,6c……ベース電極、 ７……ベース引出電極、 8a,8b,8c……コンタクト部。
Claims (1)
- 【請求項１】ベース領域内にストライプ状のエミッタ領
域を有し、ベース電極とエミッタ電極を素子形成領域外
へ引き出した高周波トランジスタにおいて、 前記ストライプ状のエミッタ領域の両端部において、他
のエミッタ領域の端部と連結する拡張エミッタ領域を備
えたことを特徴とする高周波トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63064904A JPH079911B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 高周波トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63064904A JPH079911B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 高周波トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238061A JPH01238061A (ja) | 1989-09-22 |
| JPH079911B2 true JPH079911B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=13271517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63064904A Expired - Fee Related JPH079911B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 高周波トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079911B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5387813A (en) * | 1992-09-25 | 1995-02-07 | National Semiconductor Corporation | Transistors with emitters having at least three sides |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5927570A (ja) * | 1982-08-07 | 1984-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS62176163A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Fuji Electric Co Ltd | トランジスタの製造方法 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP63064904A patent/JPH079911B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01238061A (ja) | 1989-09-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |