JPH01242556A - 光学活性液晶化合物 - Google Patents
光学活性液晶化合物Info
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- JPH01242556A JPH01242556A JP63068086A JP6808688A JPH01242556A JP H01242556 A JPH01242556 A JP H01242556A JP 63068086 A JP63068086 A JP 63068086A JP 6808688 A JP6808688 A JP 6808688A JP H01242556 A JPH01242556 A JP H01242556A
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- Japan
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- liquid crystal
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- compound
- perfluoro
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔殖莱上の洞用分野〕
本発明はνｒ現な光学活性液晶化合物に関する０〔従来
の技術〕 液晶表示素子の表示方式として現在広く実用に供嘔れて
いるものは、ねじれネマチック型（ＴＮ）及び動的散乱
型（ＤＳ）でめる。これらにネマチック液晶を生成分と
したネマチック液晶セルによる表示である。従来のネマ
チック液晶セルの短所の一つに応答速度が遅く、最高数
ミリ秒のオーダーの応答速度しか得られないという墨笑
がめげられる。そしてこのことがネマチック液晶セルの
応用範囲上制約する一因となっている。これに対して最
近スメクチック液晶セルを用いれば工り高速な応答が得
られることが明らかになってき友。
の技術〕 液晶表示素子の表示方式として現在広く実用に供嘔れて
いるものは、ねじれネマチック型（ＴＮ）及び動的散乱
型（ＤＳ）でめる。これらにネマチック液晶を生成分と
したネマチック液晶セルによる表示である。従来のネマ
チック液晶セルの短所の一つに応答速度が遅く、最高数
ミリ秒のオーダーの応答速度しか得られないという墨笑
がめげられる。そしてこのことがネマチック液晶セルの
応用範囲上制約する一因となっている。これに対して最
近スメクチック液晶セルを用いれば工り高速な応答が得
られることが明らかになってき友。
光字活性なスメクチック液晶の中には強誘電性を示すも
のがあることが仰られており、その応用に関して大きな
関心が持たれている。強誘電性液晶は、１９７５年、Ｒ
，Ｂ、メイヤー（Ｒ，Ｂ。
のがあることが仰られており、その応用に関して大きな
関心が持たれている。強誘電性液晶は、１９７５年、Ｒ
，Ｂ、メイヤー（Ｒ，Ｂ。
Ｍｅｙｅｒ ）らにより最初に合成されたが〔ジュルナ
ール・ド・フイジーク（Ｊ、 Ｐｈｙｓ、 ） 、第３
６巻、第Ｌ６９頁（１９７５））、それは、４−（４’
−ｎ−テシルオキシベンジリデンアミノ）−２−メチル
ブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）ケ代表汐１ｊと
するシップ塩基糸の化合物であり、ζｌしが狩′）Ｊ！
、の元学活汀の状、ρす、例えばカイラルスメクチック
Ｃ相にｊ・・いて強訪市１件忙示すこと孕特徴とするも
のである。そ゛の？＆、Ｎ、Ａ。ククーク（Ｎ、Ａ、
Ｃ１ａｒｋ ）ら〔アプライド・フィツクス・レターズ
（ＡｐｐＬ Ｐｈｙｓ、工４θ１１． ）第５６巻、
第８９９貞（１９８０）ＩＫ！ってＤＯＢＡＭＢＣの薄
膜セルにおいて、マイクロ秒オーダーのみも速応答性が
父兄４′ｎ、、これが欠機となって強誘電性液晶はぞの
茜速応答１′４：やメモリ惟ｒオｊ１用１．２て、液晶
テレビ寺のデイスルレイ用のみならず、元プリンターヘ
ッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等のオプトエ
ｌ／クトロニクス関係素子の部品にも使用ｉｉＴ龍な材
料として注目ケ果め゛〔いる。強、！８雇注液晶セルＶ
こおいては、誘′亀率が高く、自′″ｉ？５分極が大き
い材料を用いるほどセルを旨速駆動でさて有利であるた
め、自発分極の太さい林料の開発が望（れている。また
実用上（づ１、数品化合物自身が安定でめジ、更には、
室温舎・中心とする広い温度範囲で籏誘電性金示すこと
が必登でめる。
ール・ド・フイジーク（Ｊ、 Ｐｈｙｓ、 ） 、第３
６巻、第Ｌ６９頁（１９７５））、それは、４−（４’
−ｎ−テシルオキシベンジリデンアミノ）−２−メチル
ブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）ケ代表汐１ｊと
するシップ塩基糸の化合物であり、ζｌしが狩′）Ｊ！
、の元学活汀の状、ρす、例えばカイラルスメクチック
Ｃ相にｊ・・いて強訪市１件忙示すこと孕特徴とするも
のである。そ゛の？＆、Ｎ、Ａ。ククーク（Ｎ、Ａ、
Ｃ１ａｒｋ ）ら〔アプライド・フィツクス・レターズ
（ＡｐｐＬ Ｐｈｙｓ、工４θ１１． ）第５６巻、
第８９９貞（１９８０）ＩＫ！ってＤＯＢＡＭＢＣの薄
膜セルにおいて、マイクロ秒オーダーのみも速応答性が
父兄４′ｎ、、これが欠機となって強誘電性液晶はぞの
茜速応答１′４：やメモリ惟ｒオｊ１用１．２て、液晶
テレビ寺のデイスルレイ用のみならず、元プリンターヘ
ッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等のオプトエ
ｌ／クトロニクス関係素子の部品にも使用ｉｉＴ龍な材
料として注目ケ果め゛〔いる。強、！８雇注液晶セルＶ
こおいては、誘′亀率が高く、自′″ｉ？５分極が大き
い材料を用いるほどセルを旨速駆動でさて有利であるた
め、自発分極の太さい林料の開発が望（れている。また
実用上（づ１、数品化合物自身が安定でめジ、更には、
室温舎・中心とする広い温度範囲で籏誘電性金示すこと
が必登でめる。
〔発ｌν」が解決し、！：つとｊ゛る課題、］しかし、
ＤＤＢＡＩＭＢＣｆｌ、どのシッ°７塩基型の１１二舎
物ｔ」、水や光等に対するガスピａの点で難点があり、
また強誘電性ｋ・示すηム１丈ψｎ！、 ｔｉｌｌも案
己より５〔］℃程度程度側温あるケど、実用に虐するも
のでは’ｉＺ＞”つた。そこで、強誘笥；件α晶材料と
して、物理的化学的に安定で、し７かも大きい自発分極
金持つ材料系の実現が強く期待されている。
ＤＤＢＡＩＭＢＣｆｌ、どのシッ°７塩基型の１１二舎
物ｔ」、水や光等に対するガスピａの点で難点があり、
また強誘電性ｋ・示すηム１丈ψｎ！、 ｔｉｌｌも案
己より５〔］℃程度程度側温あるケど、実用に虐するも
のでは’ｉＺ＞”つた。そこで、強誘笥；件α晶材料と
して、物理的化学的に安定で、し７かも大きい自発分極
金持つ材料系の実現が強く期待されている。
本発明の目的は化学的安Ｗダ１ミ、光安定性に優れ、自
発分極が大きく、かつカイラルスメクチックＣ相の温度
範囲の広い新規液晶化合物を得ることにろる。また本発
明トゴこの↓うな−［現な九字活性欣晶化合物あるいは
それｒ含む液晶１似成物ケ用いて誦速応答性？有する液
晶素子等？提供しょうとするものである。
発分極が大きく、かつカイラルスメクチックＣ相の温度
範囲の広い新規液晶化合物を得ることにろる。また本発
明トゴこの↓うな−［現な九字活性欣晶化合物あるいは
それｒ含む液晶１似成物ケ用いて誦速応答性？有する液
晶素子等？提供しょうとするものである。
本発明ケ概Ｗ、−１“れば、本発明（ｔま光学活性液晶
化合物に関する発明であって、下ｄじ一般式ｌで表され
る化合物であることで特徴とする。
化合物に関する発明であって、下ｄじ一般式ｌで表され
る化合物であることで特徴とする。
〔ただし、ｘ １−ｃｏｏ−基又１ｄ−ＯＣＯ−基、Ｙ
は−Ｃ０〇−基、−〇−基又は直接結合、！１１． ｌ
ｔｌ又は２の埜数を示すが、ｍ＋ｎに２又は３で６九Ｒ
は炭素数４以上のアルキル基金示し、Ｃ３Ｆ７０ＣＦ（
ＣＦ３）−基あるいは基Ｒのうち、少なくとも一方は光
字活性基でろる〕 この光学活性化合物、特にパーフルオロ−１−グロピル
オキシエチル基が光学活性である場合は、不プ１炭素に
直接カルボニル基及びＣＦ３基ケ基金結合ているので、
嶋い旋光性勿有している。−また、中心骨格は２個以上
のベンゼン環を含むエステル構造金有しており、分子末
端に長鎖アルキル基（炭素数４〜１８が好ましい）が存
在するのでそれ自身が成語化合物としての特升勿下すも
のである。
は−Ｃ０〇−基、−〇−基又は直接結合、！１１． ｌ
ｔｌ又は２の埜数を示すが、ｍ＋ｎに２又は３で６九Ｒ
は炭素数４以上のアルキル基金示し、Ｃ３Ｆ７０ＣＦ（
ＣＦ３）−基あるいは基Ｒのうち、少なくとも一方は光
字活性基でろる〕 この光学活性化合物、特にパーフルオロ−１−グロピル
オキシエチル基が光学活性である場合は、不プ１炭素に
直接カルボニル基及びＣＦ３基ケ基金結合ているので、
嶋い旋光性勿有している。−また、中心骨格は２個以上
のベンゼン環を含むエステル構造金有しており、分子末
端に長鎖アルキル基（炭素数４〜１８が好ましい）が存
在するのでそれ自身が成語化合物としての特升勿下すも
のである。
本兄明の一般式ｌの１１合ｖｌＪは、例えば次の工うな
方法に従って合成することかでさる。
方法に従って合成することかでさる。
Ｃ３Ｉづ、０ＣＦ（Ｃｌイ゛旬Ｃｏｏｔ（→Ｃ３Ｆ７０
ＣＦ（ＣＦりＣＯＣ！→ＣｓＦｒ０ＣＦ（ＣＦｓ ）Ｃ
Ｏ０６ｘ＋Ｙ−Ｒ上にの製造過程奮峨祝すると、始めに
光学活性パーフルオロー２−グロビルオキシプロビオン
眩（ＰＰＰＡ）に塩化フタロイル等の塩素化剤と共に反
応させた後、減圧蒸留に工す酸クロライドを得る。これ
のトルエン浴液ケ、ヒドロキシ化合物のピリジン溶液と
反工６させ、生成物をシリカゲルのカラムクロマトで精
製して、心安に応じ更に再結晶する。
ＣＦ（ＣＦりＣＯＣ！→ＣｓＦｒ０ＣＦ（ＣＦｓ ）Ｃ
Ｏ０６ｘ＋Ｙ−Ｒ上にの製造過程奮峨祝すると、始めに
光学活性パーフルオロー２−グロビルオキシプロビオン
眩（ＰＰＰＡ）に塩化フタロイル等の塩素化剤と共に反
応させた後、減圧蒸留に工す酸クロライドを得る。これ
のトルエン浴液ケ、ヒドロキシ化合物のピリジン溶液と
反工６させ、生成物をシリカゲルのカラムクロマトで精
製して、心安に応じ更に再結晶する。
またラセミ体のパーフルオロ−２−プロビルオキシグロ
ビオンＩｆｆ’に用いる場合には、ヒドロキシ化合物の
アルキル基Ｒが光学活性でおる化合物上使用して同様に
して一般式ｌの化合物上製造°！ることができる〇 〔実施ガ〕 以下、本発明【実施ｌ＋ｌｌにエリ更に具体的に説明す
るが、本発明の通用範１相はこれらの実施別に工って限
定されるものではない。
ビオンＩｆｆ’に用いる場合には、ヒドロキシ化合物の
アルキル基Ｒが光学活性でおる化合物上使用して同様に
して一般式ｌの化合物上製造°！ることができる〇 〔実施ガ〕 以下、本発明【実施ｌ＋ｌｌにエリ更に具体的に説明す
るが、本発明の通用範１相はこれらの実施別に工って限
定されるものではない。
実施例１
４′−ヒドロキシ−４−ビフェニルカルボン酸２．１ｔ
をピリジン６５−に溶解し、光学活性パーフルオロ−２
−プロピルオキシプロピオン酸の戚りロライド五５２ｔ
トルエン５０−に溶解し九溶液を徐々に加え、６０〜７
０℃で３時間かくはんし次〇−伎放置後水を加えてエー
テル抽出し、乾燥後溶媒を留去した。残留物に塩化チオ
ニル１０−を加えて２時間加熱し、過剰の塩化チオニル
を減圧下留去し、残留物全トルエン３０−に溶解して、
４−オクチルオキシフェノール２．３２とピリジン３０
−の＃液に徐々に滴下して５５〜６５℃にて１０時間反
厄させ、−夜装置した後水酸化す） ＩＪウム水浴液次
いで水で洗浄し、乾燥後溶媒を留去して残留物をシリカ
ゲルのカラムクロマト（溶媒へブタン−クロロホルム）
に工ｐ精製し、史にヘプタン−エタノールで再結晶して
光学活性化合物■、すなわち４’−（バーフルオロ−１
−プロピルオキシエチル９カルボニルオキシ−４−ビフ
ェニル力ルホ７ ｒＲ−４”−オクチルオキシフェニル
エステルを得た。
をピリジン６５−に溶解し、光学活性パーフルオロ−２
−プロピルオキシプロピオン酸の戚りロライド五５２ｔ
トルエン５０−に溶解し九溶液を徐々に加え、６０〜７
０℃で３時間かくはんし次〇−伎放置後水を加えてエー
テル抽出し、乾燥後溶媒を留去した。残留物に塩化チオ
ニル１０−を加えて２時間加熱し、過剰の塩化チオニル
を減圧下留去し、残留物全トルエン３０−に溶解して、
４−オクチルオキシフェノール２．３２とピリジン３０
−の＃液に徐々に滴下して５５〜６５℃にて１０時間反
厄させ、−夜装置した後水酸化す） ＩＪウム水浴液次
いで水で洗浄し、乾燥後溶媒を留去して残留物をシリカ
ゲルのカラムクロマト（溶媒へブタン−クロロホルム）
に工ｐ精製し、史にヘプタン−エタノールで再結晶して
光学活性化合物■、すなわち４’−（バーフルオロ−１
−プロピルオキシエチル９カルボニルオキシ−４−ビフ
ェニル力ルホ７ ｒＲ−４”−オクチルオキシフェニル
エステルを得た。
次にこの化合物■を厚さｆＪ５ μｍの透明電億付きセ
ルに封入し、±５Ｖ、ＩＨｚＬｖ電界勿印加しながら偏
光顕微鏡で観察すると、６Ｃ１，６〜９ＥＬ８ＣＬ７）
範囲で明ジＬうに応答するのが認められた。その他の相
転移／ＭＩｆ：は表１に示してろる。なおＣｒｙに結晶
状態、５ＣＩ）は強誘電住のカイラルスメクチックＣ相
で、上記の電界に対して少なくとも一部が応答すること
ｔ表している。ＳＡはスメクチック人相、Ｎ骨はカイラ
ルネマチック相、■框等方住准相を表している０また・
はその相が存在すること、−は存在しないこと勿表して
いるｏ′！たこの化合物音、三角波法で自発分極全測定
したところ、その値は１９４ ｎＣ／−でろつ之。
ルに封入し、±５Ｖ、ＩＨｚＬｖ電界勿印加しながら偏
光顕微鏡で観察すると、６Ｃ１，６〜９ＥＬ８ＣＬ７）
範囲で明ジＬうに応答するのが認められた。その他の相
転移／ＭＩｆ：は表１に示してろる。なおＣｒｙに結晶
状態、５ＣＩ）は強誘電住のカイラルスメクチックＣ相
で、上記の電界に対して少なくとも一部が応答すること
ｔ表している。ＳＡはスメクチック人相、Ｎ骨はカイラ
ルネマチック相、■框等方住准相を表している０また・
はその相が存在すること、−は存在しないこと勿表して
いるｏ′！たこの化合物音、三角波法で自発分極全測定
したところ、その値は１９４ ｎＣ／−でろつ之。
実施例２
４−デシルオキシフェノールおるいは４−オクチルフェ
ノール音用するほかは実施し１１１と同様にして光学活
性化合物■及び■全製造した。
ノール音用するほかは実施し１１１と同様にして光学活
性化合物■及び■全製造した。
１′ｆｃ４−オクチルオキシ−４−ビフェニルカルｙｙ
：ｙ（Ｈ−ａ”−ヒトミキシフェニル、４−ヒドロキ゛
シ安Ｋ 香＃！／、−４’−オクチルオキシビフェニル
、４−ヒドロキシ安息香酸−４′−デシルオキシピフェ
ニルあるいは４−ヒドロキシ安息香酸−４１−オクチル
オキシフェニルｔそれぞれ用いる場合の光学活性化合物
のＨＩ造は以下のように行った。
：ｙ（Ｈ−ａ”−ヒトミキシフェニル、４−ヒドロキ゛
シ安Ｋ 香＃！／、−４’−オクチルオキシビフェニル
、４−ヒドロキシ安息香酸−４′−デシルオキシピフェ
ニルあるいは４−ヒドロキシ安息香酸−４１−オクチル
オキシフェニルｔそれぞれ用いる場合の光学活性化合物
のＨＩ造は以下のように行った。
ヒドロキシ化合物１０ミリモル全ピリジン３５−に浴凄
し、光学活性パーフルオｏ −２−７” Ｏビルオキシ
プロピオン酸の峻りロライド五５ｆｔトルエン５０ｔｎ
ｔに溶解した溶液を徐々に加え、６０〜７０℃で３時間
かくはんした。−夜放置後水全加えてエーテル抽出し、
乾燥後溶媒を留去した。希水酸化ナトリウム水溶欲つい
で水で°洗浄し、乾燥後＃媒を留去して残留物をシリカ
ゲルのカラムクロマト（溶媒ヘキサンークロロホルム）
にエリ精製し、史にヘプタンで再結晶して光字活性の化
合物■〜の全それぞれ製造し几０ これらの化合物の相転移温［［表１に示してろる０なお
、（）はその相がモノトロピックであること上表してい
る。
し、光学活性パーフルオｏ −２−７” Ｏビルオキシ
プロピオン酸の峻りロライド五５ｆｔトルエン５０ｔｎ
ｔに溶解した溶液を徐々に加え、６０〜７０℃で３時間
かくはんした。−夜放置後水全加えてエーテル抽出し、
乾燥後溶媒を留去した。希水酸化ナトリウム水溶欲つい
で水で°洗浄し、乾燥後＃媒を留去して残留物をシリカ
ゲルのカラムクロマト（溶媒ヘキサンークロロホルム）
にエリ精製し、史にヘプタンで再結晶して光字活性の化
合物■〜の全それぞれ製造し几０ これらの化合物の相転移温［［表１に示してろる０なお
、（）はその相がモノトロピックであること上表してい
る。
実施Ｎ６
５’１ＭＩＩＫ１ｏ％のパーフルオロ−２−プロピルオ
キシプロピオン歌の敵クロライド’ｋ１４１い、’Ｅ７
’Ｃ４−オクチルオキシフェノールの代わりに４−（２
−メチルブトキシ）フェノール會用いる以外は実施例１
と同様にして光学活性化合物■を製造した。またラセミ
体のパーフルオロ−２−プロピルオキシプロピオン酸と
光学活ａ４−（２−メチルブトキシ）フェノールｔｍい
、実施例１と同様にして光学活性化合物■を製造し友。
キシプロピオン歌の敵クロライド’ｋ１４１い、’Ｅ７
’Ｃ４−オクチルオキシフェノールの代わりに４−（２
−メチルブトキシ）フェノール會用いる以外は実施例１
と同様にして光学活性化合物■を製造した。またラセミ
体のパーフルオロ−２−プロピルオキシプロピオン酸と
光学活ａ４−（２−メチルブトキシ）フェノールｔｍい
、実施例１と同様にして光学活性化合物■を製造し友。
これらの化合物の相転移温度は表１に示して、ある。ｔ
だし自発分極の値は、■が３７ｎＣ／ｃ１ｎ２．■では
４．５ ｎＣ／ ａｎ” でめった。したがって、光
学活性なパーフルオロ−１−プロピルオキシエテルカル
ボニルオキシ基の＋在ｔｉ自発分極の増大に効果的でろ
ることが明らかでらつた〇 ′−Ｊ！：凡輝」４ ４−オクチルオキシフェノールの代ワリに４−ヒト０キ
シ安息査酸ヘキシル２．４ｆｔ用いる以外は実施クリ１
と同様にして光学活性化合物０：、ａ’−（パーフルオ
ロ−１−プロピルオキシエチル〕カルボニルオキシ−４
−ビフェニルカルボンＩｆｆ −４−へキシルオキシカ
ルボニルフェニルエステル？得た。この化合物の相転移
温度げ衣１に示しである。
だし自発分極の値は、■が３７ｎＣ／ｃ１ｎ２．■では
４．５ ｎＣ／ ａｎ” でめった。したがって、光
学活性なパーフルオロ−１−プロピルオキシエテルカル
ボニルオキシ基の＋在ｔｉ自発分極の増大に効果的でろ
ることが明らかでらつた〇 ′−Ｊ！：凡輝」４ ４−オクチルオキシフェノールの代ワリに４−ヒト０キ
シ安息査酸ヘキシル２．４ｆｔ用いる以外は実施クリ１
と同様にして光学活性化合物０：、ａ’−（パーフルオ
ロ−１−プロピルオキシエチル〕カルボニルオキシ−４
−ビフェニルカルボンＩｆｆ −４−へキシルオキシカ
ルボニルフェニルエステル？得た。この化合物の相転移
温度げ衣１に示しである。
Ｈ−争 −・ −廟 骨 ｔ φ −←
−菊
も
ト ０ ０ ｌ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０
ｚス （ｌ ｗ−ｖ−−（Ｎ Ｃ４ｖ−ｙ−−一 、］ Ｅ Ｃ’ｌ （Ｎ Ｃ’ｉ ｖ−ｗ−ｙ−ｖ
−Ｃ’Ｉ Ｃ４（’Ｊ 東妃 皐 乍 Ｏ○■■■■［有］、→・■、卸 実施９１１５ 光学活性化合物の？下記のスメクデツク液晶化合物と混
合して液晶組成物？ｉＡ製し友。このときのＳＣ骨相の
温度範囲は、２１〜６２℃と広範囲でめった。また自発
分極の値は８３ ｎＣ／ｍ２ でめった。
ｚス （ｌ ｗ−ｖ−−（Ｎ Ｃ４ｖ−ｙ−−一 、］ Ｅ Ｃ’ｌ （Ｎ Ｃ’ｉ ｖ−ｗ−ｙ−ｖ
−Ｃ’Ｉ Ｃ４（’Ｊ 東妃 皐 乍 Ｏ○■■■■［有］、→・■、卸 実施９１１５ 光学活性化合物の？下記のスメクデツク液晶化合物と混
合して液晶組成物？ｉＡ製し友。このときのＳＣ骨相の
温度範囲は、２１〜６２℃と広範囲でめった。また自発
分極の値は８３ ｎＣ／ｍ２ でめった。
本発明の化合物の
Ｃ３Ｆ、ＯＣ％Ｆ（ＣＦ、）Ｃ’ＯＯ○ｃｏｏ ○０Ｃ
ｉＨｕｙ ２Ｏ７＆ｊｔ部スメクチック液晶化合物 Ｃ２ＨｓＣＨ（ＣＨ，、）ＣＨ２Ｏ○ｃｏｏ○０Ｃ８Ｈ
，７８０ｍｔｊｒ部〔発明の効果〕 以上説明し７ｃ工うに、本発明に工れば、−軟式ｌ″Ｔ
：表烙れる元字活注液晶化合物を用いることにより、自
発分極が大きい几めに表示素子として用いる損金に高速
応答が可能な材料金提供することができるの；ｌ）−な
らず、従来材料に比較して低晶でカイフルスメクチンク
Ｃｇ晶相？示し、！た混合した場合は広い己度範囲でカ
イラルスメクチックＣ液晶相ゲ示す材料糸ゲ提供するこ
とがでさる０
ｉＨｕｙ ２Ｏ７＆ｊｔ部スメクチック液晶化合物 Ｃ２ＨｓＣＨ（ＣＨ，、）ＣＨ２Ｏ○ｃｏｏ○０Ｃ８Ｈ
，７８０ｍｔｊｒ部〔発明の効果〕 以上説明し７ｃ工うに、本発明に工れば、−軟式ｌ″Ｔ
：表烙れる元字活注液晶化合物を用いることにより、自
発分極が大きい几めに表示素子として用いる損金に高速
応答が可能な材料金提供することができるの；ｌ）−な
らず、従来材料に比較して低晶でカイフルスメクチンク
Ｃｇ晶相？示し、！た混合した場合は広い己度範囲でカ
イラルスメクチックＣ液晶相ゲ示す材料糸ゲ提供するこ
とがでさる０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記一般式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 〔ただし、Ｘは−ＣＯＯ−基又は−ＯＣＯ−基、Ｙは−
ＣＯＯ−基、−Ｏ−基又は直接結合、ｍ、ｎは１又は２
の整数を示すが、ｍ＋ｎは２又は３であり、Ｒは炭素数
４以上のアルキル基を示し、Ｃ＿３Ｆ＿７ＯＣＦ（ＣＦ
＿３）−基あるいは基Ｒのうち、少なくとも一方は光学
活法基である〕で表されることを特徴とする光学活性液
晶化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068086A JPH01242556A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 光学活性液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068086A JPH01242556A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 光学活性液晶化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242556A true JPH01242556A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13363577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63068086A Pending JPH01242556A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 光学活性液晶化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01242556A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02155986A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Toshiba Corp | 液晶材料 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228127A (ja) * | 1988-02-29 | 1990-01-30 | Showa Shell Sekiyu Kk | フルオロアルキル基含有液晶物質 |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63068086A patent/JPH01242556A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228127A (ja) * | 1988-02-29 | 1990-01-30 | Showa Shell Sekiyu Kk | フルオロアルキル基含有液晶物質 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02155986A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Toshiba Corp | 液晶材料 |
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