JPH01243427A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents
露光方法及び露光装置Info
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- JPH01243427A JPH01243427A JP63070728A JP7072888A JPH01243427A JP H01243427 A JPH01243427 A JP H01243427A JP 63070728 A JP63070728 A JP 63070728A JP 7072888 A JP7072888 A JP 7072888A JP H01243427 A JPH01243427 A JP H01243427A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- light
- resist film
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェハの露光装置に関する。
（従来の技術）
一般に、半導体製造工程においては、半導体ウェハ表面
にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜に
精密写真転写技術により、マスクの微細な回路パターン
を転写する露光工程がある。
にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜に
精密写真転写技術により、マスクの微細な回路パターン
を転写する露光工程がある。
上記半導体ウェハ表面にフォトレジスト膜を形成する場
合、一般に上記半導体ウェハ中央部分にフォトレジスト
液を滴下し、半導体ウェハを高速回転させながら遠心力
により全面に拡散させるスピンナー法によってフォトレ
ジスト液を塗布し、フォトレジスト膜を形成している。
合、一般に上記半導体ウェハ中央部分にフォトレジスト
液を滴下し、半導体ウェハを高速回転させながら遠心力
により全面に拡散させるスピンナー法によってフォトレ
ジスト液を塗布し、フォトレジスト膜を形成している。
ところで、スピンナー法によってフォトレジスト膜を形
成すると、半導体ウェハの周縁部に膜厚の厚い部分が形
成されてしまう。このような半導体ウェハ周縁部のフォ
トレジスト膜は、例えば半導体ウェハの搬送中に機械的
に破壊されたりしてごみとして飛散する可能性があるの
で、半導体チップの収率に影響を与えない部分を予め除
去しておくことが望ましい。
成すると、半導体ウェハの周縁部に膜厚の厚い部分が形
成されてしまう。このような半導体ウェハ周縁部のフォ
トレジスト膜は、例えば半導体ウェハの搬送中に機械的
に破壊されたりしてごみとして飛散する可能性があるの
で、半導体チップの収率に影響を与えない部分を予め除
去しておくことが望ましい。
このような半導体ウェハ周縁部のフォトレジスト膜を除
去する装置としては、例えば特開昭５８−１５９５３５
、特開昭５９−１３８３３５、特開昭６１−７３３３０
号公報等に、半導体ウェハを回転させながら半導体ウェ
ハの周縁部に光源からの光を照射する装置が開示されて
いる。
去する装置としては、例えば特開昭５８−１５９５３５
、特開昭５９−１３８３３５、特開昭６１−７３３３０
号公報等に、半導体ウェハを回転させながら半導体ウェ
ハの周縁部に光源からの光を照射する装置が開示されて
いる。
（発明が解決しようとする課題）
上述のような従来の半導体ウェハの露光装置においては
、光源として例えば水銀ランプ等を使用するが、このよ
うな光源の光量は、一般に点灯時間とともに減少する。
、光源として例えば水銀ランプ等を使用するが、このよ
うな光源の光量は、一般に点灯時間とともに減少する。
しかしながら、このような光源の光量の減少は、個々の
光源によってばら付きがあり、例えば点灯時間によって
光源の交換を行うと、光源によっては、光量の減少によ
り露光不足を起こしレジスト膜の残留を招いたり、まだ
充分使用することのできる光源を交換してしまうことに
より、ランニングコストの増大を招くという問題がある
。
光源によってばら付きがあり、例えば点灯時間によって
光源の交換を行うと、光源によっては、光量の減少によ
り露光不足を起こしレジスト膜の残留を招いたり、まだ
充分使用することのできる光源を交換してしまうことに
より、ランニングコストの増大を招くという問題がある
。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、光源劣化に伴なうレジスト膜の残留を防止し、確実に
レジスト膜の除去を行うことができるとともに、光源の
有効な利用を可能とし、゛従来に較べてランニングコス
トの低減を図ることのできる半導体ウェハの露光装置を
提供しようとするものである。
、光源劣化に伴なうレジスト膜の残留を防止し、確実に
レジスト膜の除去を行うことができるとともに、光源の
有効な利用を可能とし、゛従来に較べてランニングコス
トの低減を図ることのできる半導体ウェハの露光装置を
提供しようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、半導体ウェハの周縁部に光源からの
光を照射して、該半導体ウェハ表面に形成されたフォト
レジスト膜のうち周縁部のフォトレジスト膜のみを感光
させる半導体ウェハの露光装置において、前記光源から
の光量を測定し、該光源の劣化を検知する手段を配置し
たことを特徴とする。
光を照射して、該半導体ウェハ表面に形成されたフォト
レジスト膜のうち周縁部のフォトレジスト膜のみを感光
させる半導体ウェハの露光装置において、前記光源から
の光量を測定し、該光源の劣化を検知する手段を配置し
たことを特徴とする。
（作 用）
上記構成の本発明の半導体ウェハの露光装置では、光源
からの光量を測定し、光源の劣化を検知する手段が配置
されている。
からの光量を測定し、光源の劣化を検知する手段が配置
されている。
したがって、光源劣化に伴なうレジスト膜の残留を防止
し、確実にレジスト膜の除去を行うことができるととも
に、光源の有効な利用を可能とし、従来に較べてランニ
ングコストの低減を図ることができる。
し、確実にレジスト膜の除去を行うことができるととも
に、光源の有効な利用を可能とし、従来に較べてランニ
ングコストの低減を図ることができる。
（実施例）
以下、本発明の半導体ウェハの露光装置の実施例を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
基台１には、例えば真空チャック等により半導体ウェハ
２を吸着保持するとともに、例えばモータ等の回転駆動
機構３に接続され、半導体ウェハ２を回転可能に構成さ
れたウェハ載置台４が配置されている。
２を吸着保持するとともに、例えばモータ等の回転駆動
機構３に接続され、半導体ウェハ２を回転可能に構成さ
れたウェハ載置台４が配置されている。
また、このウェハ載置台４の側方には、第２図に示すよ
うに、例えば熱除去用フィルタ５ａを備えた水銀ランプ
等の光源５、光源５からの光を導光する光ファイバ６、
光ファイバ６によって導光された光を所定形状、例えば
縦横がそれぞれ数ミリ程度の矩形形状のビームとして下
方へ向けて照射するレンズユニット７からなる露光機構
８が配置されている。
うに、例えば熱除去用フィルタ５ａを備えた水銀ランプ
等の光源５、光源５からの光を導光する光ファイバ６、
光ファイバ６によって導光された光を所定形状、例えば
縦横がそれぞれ数ミリ程度の矩形形状のビームとして下
方へ向けて照射するレンズユニット７からなる露光機構
８が配置されている。
この露光機構８は、支持板９上にボールスクリュー１０
を介して接続されており、このボールスクリュー１０に
接続されたモータ１１により、ボールスクリュー１０を
回転させることにより、図示矢印Ｘ方向に移動可能とさ
れている。また、支持板９は、両端に配置されたガイド
シャフト１２およびボールスクリュー１３によって支持
されており、ボールスクリュー１３に接続されたモータ
１４により、ボールスクリュー１３を回転させることに
より、図示矢印Ｙ方向に移動可能に構成されている。そ
して、上記回転駆動機構３、モータ１１およびモータ１
４は、それぞれ制御装置１５に接続されており、半導体
ウェハ２を回転させ、露光機構８をＸおよびＹ方向に移
動させることにより、オリエンテーションフラツト２ａ
部分も含めた半導体ウェハ２の周縁部２ｂに、光源５か
らの光を照射し、半導体ウェハ２表面に形成されたフォ
トレジスト膜のうち周縁部２ｂのみを露光するよう制御
される。
を介して接続されており、このボールスクリュー１０に
接続されたモータ１１により、ボールスクリュー１０を
回転させることにより、図示矢印Ｘ方向に移動可能とさ
れている。また、支持板９は、両端に配置されたガイド
シャフト１２およびボールスクリュー１３によって支持
されており、ボールスクリュー１３に接続されたモータ
１４により、ボールスクリュー１３を回転させることに
より、図示矢印Ｙ方向に移動可能に構成されている。そ
して、上記回転駆動機構３、モータ１１およびモータ１
４は、それぞれ制御装置１５に接続されており、半導体
ウェハ２を回転させ、露光機構８をＸおよびＹ方向に移
動させることにより、オリエンテーションフラツト２ａ
部分も含めた半導体ウェハ２の周縁部２ｂに、光源５か
らの光を照射し、半導体ウェハ２表面に形成されたフォ
トレジスト膜のうち周縁部２ｂのみを露光するよう制御
される。
さらに、制御装置１５によって位置制御される露光機構
８が基本位置（ホームポジション）に位置した時の露光
機構８の光路上には、第２図にも示すように、その受光
面がウェハ載置台４上に配置された半導体ウェハ２とほ
ぼ同じ高さとなるように、入射光の光量に応じて出力が
変化するよう構成された光検出器１６が配置されている
。そして、この光検出器１６は、比較器１７に接続され
ており、比較器１７は、例えば光検出器１６の出力が予
め設定されたレベル以下に低下すると、例えば図示しな
い警告ランプの点滅あるいは警報ブザー等により、オペ
レータに光源５の交換、調整等が必要であることを知ら
せるよう構成されている。
８が基本位置（ホームポジション）に位置した時の露光
機構８の光路上には、第２図にも示すように、その受光
面がウェハ載置台４上に配置された半導体ウェハ２とほ
ぼ同じ高さとなるように、入射光の光量に応じて出力が
変化するよう構成された光検出器１６が配置されている
。そして、この光検出器１６は、比較器１７に接続され
ており、比較器１７は、例えば光検出器１６の出力が予
め設定されたレベル以下に低下すると、例えば図示しな
い警告ランプの点滅あるいは警報ブザー等により、オペ
レータに光源５の交換、調整等が必要であることを知ら
せるよう構成されている。
上記構成のこの実施例の半導体ウェハの露光装置では、
次のようにしてオリエンテーションフラツト２ａ部分も
含めた半導体ウェハ２の周縁部２ｂに、光源５からの光
を照射し、フォトレジスト膜を露光する。
次のようにしてオリエンテーションフラツト２ａ部分も
含めた半導体ウェハ２の周縁部２ｂに、光源５からの光
を照射し、フォトレジスト膜を露光する。
すなわち、まず図示しない搬送装置および位置決め装置
等により露光すべき半導体ウェハ２を、その中心がウェ
ハ載置台４の中心と一致するよう、かつ、オリエンテー
ションフラット２ａが図示矢印Ｘ方向と平行するように
配置し、ウェハ載置台４上に吸着保持する。
等により露光すべき半導体ウェハ２を、その中心がウェ
ハ載置台４の中心と一致するよう、かつ、オリエンテー
ションフラット２ａが図示矢印Ｘ方向と平行するように
配置し、ウェハ載置台４上に吸着保持する。
この間、露光機構８は、光検出器１６上方のホームポジ
ションに位置しており、その光量が光検出器１６によっ
て測定されている。この光検出器１６は光電変換機能を
有すれば良い。できれば、この光検出器１６の較正機能
を設けるとさらに良い。この時、光検出器１６によって
測定された光量が所定レベル以下である場合は、前述の
ように警告ランプの点滅あるいは警報ブザー等により、
オペレータに警告が発生される。
ションに位置しており、その光量が光検出器１６によっ
て測定されている。この光検出器１６は光電変換機能を
有すれば良い。できれば、この光検出器１６の較正機能
を設けるとさらに良い。この時、光検出器１６によって
測定された光量が所定レベル以下である場合は、前述の
ように警告ランプの点滅あるいは警報ブザー等により、
オペレータに警告が発生される。
そして、上記半導体ウェハ２の載置が終了すると、モー
タ１１およびモータ１４により露光機構８を駆動し、オ
リエンテーションフラット２ａの端部に露光機構８の光
路を位置させ、この後回転駆動機構３によりウェハ載置
台４を所定速度で回転させて、オリエンテーションフラ
ット２ａ以外の半導体ウェハ２周縁部２ｂに光を照射し
露光を行う。なお、この時の半導体ウェハ２の回転は、
１回転でも複数回でもよい。
タ１１およびモータ１４により露光機構８を駆動し、オ
リエンテーションフラット２ａの端部に露光機構８の光
路を位置させ、この後回転駆動機構３によりウェハ載置
台４を所定速度で回転させて、オリエンテーションフラ
ット２ａ以外の半導体ウェハ２周縁部２ｂに光を照射し
露光を行う。なお、この時の半導体ウェハ２の回転は、
１回転でも複数回でもよい。
しかる後、モータ１１により露光機構８をＸ方向に所定
速度で移動させ、オリエンテーションフラット２８部分
に光を照射し露光を行う。なお、上記露光は、先にオリ
エンテーションフラツト２ａ部分について行ってもよい
。
速度で移動させ、オリエンテーションフラット２８部分
に光を照射し露光を行う。なお、上記露光は、先にオリ
エンテーションフラツト２ａ部分について行ってもよい
。
すなわち、この実施例の半導体ウェハの露光装置では、
露光機構８のホームポジションの下部に、配置された光
検出器１６により、露光機構８から照射される光の光量
をｎ１定し、この光量が予め設定されたレベル以下に低
下すると、例えば警告ランプの点滅あるいは警報ブザー
等により、オペレータに光＋１！５の交換、調整等が必
要であることを警告するよう構成されている。なお、こ
の交換を自動的に実行しても良い。すなわち、光源５を
可動可能な２つのアームにそれぞれ設け、このアームを
予め定められた位置に移動させることにより交換させて
も良い。
露光機構８のホームポジションの下部に、配置された光
検出器１６により、露光機構８から照射される光の光量
をｎ１定し、この光量が予め設定されたレベル以下に低
下すると、例えば警告ランプの点滅あるいは警報ブザー
等により、オペレータに光＋１！５の交換、調整等が必
要であることを警告するよう構成されている。なお、こ
の交換を自動的に実行しても良い。すなわち、光源５を
可動可能な２つのアームにそれぞれ設け、このアームを
予め定められた位置に移動させることにより交換させて
も良い。
したがって、光源５の劣化に伴なう露光不足により、レ
ジスト膜が残留することを防止し、確実にレジスト膜の
除去を行うことができるとともに、光源５を有効に利用
することができ、従来に較べてランニングコストの低減
を図ることができる。
ジスト膜が残留することを防止し、確実にレジスト膜の
除去を行うことができるとともに、光源５を有効に利用
することができ、従来に較べてランニングコストの低減
を図ることができる。
なお、上記実施例では、光検出器１６による光量のＭ１
定結果からオペレータに警告のみを発するよう構成した
が、例えば第３図に示すように、光検出器１６の出力を
制御装置１５にフィードバックさせて、回転駆動機構３
、モータ１１およびモータ１４による駆動速度を変化さ
せるように構成し、例えば光源５が劣化して光量が低下
した際には、駆動速度を遅くして露光時間を長くするよ
う構成してもよい。
定結果からオペレータに警告のみを発するよう構成した
が、例えば第３図に示すように、光検出器１６の出力を
制御装置１５にフィードバックさせて、回転駆動機構３
、モータ１１およびモータ１４による駆動速度を変化さ
せるように構成し、例えば光源５が劣化して光量が低下
した際には、駆動速度を遅くして露光時間を長くするよ
う構成してもよい。
また、光検出器１６の配置位置は、露光機構８のホーム
ポジションの下部に限定されるものではなく、例えば実
際に半導体ウェハ２に照射される光量との相関がとれれ
ば、どこに配置してもよく、例えば光源５の近傍に配置
して、光源５の光を直接測定するよう構成してもよい。
ポジションの下部に限定されるものではなく、例えば実
際に半導体ウェハ２に照射される光量との相関がとれれ
ば、どこに配置してもよく、例えば光源５の近傍に配置
して、光源５の光を直接測定するよう構成してもよい。
上記光源５を同時に複数光源発生させ、光量を複数倍化
することにより、短期間露光にさせると良い。
することにより、短期間露光にさせると良い。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の半導体ウェハの露光装置
によれば、光源劣化に伴なうレジスト膜の残留を防止し
、確実にレジスト膜の除去を行うことができるとともに
、光源の有効な利用を可能とし、従来に較べてランニン
グコストの低減を図ることができる。
によれば、光源劣化に伴なうレジスト膜の残留を防止し
、確実にレジスト膜の除去を行うことができるとともに
、光源の有効な利用を可能とし、従来に較べてランニン
グコストの低減を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の半導体ウェハの露光装置を
示す構成図、第２図は第１図の半導体ウェハの露光装置
の要部を拡大して示す構成図、第３図は第１図の半導体
ウェハの露光装置の変形例を示す構成図である。 ２・・・・・・半導体ウェハ、５・・・・・・光源、６
・・・・・・光ファイバ、７・・・・・・レンズユニッ
ト、８・・・・・・露光機構、１６・・・・・・光検出
器、１７・・・・・・比較器。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図
示す構成図、第２図は第１図の半導体ウェハの露光装置
の要部を拡大して示す構成図、第３図は第１図の半導体
ウェハの露光装置の変形例を示す構成図である。 ２・・・・・・半導体ウェハ、５・・・・・・光源、６
・・・・・・光ファイバ、７・・・・・・レンズユニッ
ト、８・・・・・・露光機構、１６・・・・・・光検出
器、１７・・・・・・比較器。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）半導体ウェハの周縁部に光源からの光を照射して
、該半導体ウェハ表面に形成されたフォトレジスト膜の
うち周縁部のフォトレジスト膜のみを感光させる半導体
ウェハの露光装置において、前記光源からの光量を測定
し、該光源の劣化を検知する手段を配置したことを特徴
とする半導体ウェハの露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070728A JPH07105333B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 露光方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070728A JPH07105333B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 露光方法及び露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243427A true JPH01243427A (ja) | 1989-09-28 |
| JPH07105333B2 JPH07105333B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=13439888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63070728A Expired - Fee Related JPH07105333B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 露光方法及び露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105333B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132124A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-05-24 | Teru Kyushu Kk | 露光方法及びその装置 |
| JPH03106730U (ja) * | 1990-02-21 | 1991-11-05 | ||
| US7088423B2 (en) | 2003-09-22 | 2006-08-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Edge exposing apparatus |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58144832U (ja) * | 1982-03-26 | 1983-09-29 | 株式会社日立製作所 | 縮小投影露光装置 |
| JPS6144427A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| JPS61176116A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
| JPS61176115A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63070728A patent/JPH07105333B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58144832U (ja) * | 1982-03-26 | 1983-09-29 | 株式会社日立製作所 | 縮小投影露光装置 |
| JPS6144427A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| JPS61176116A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
| JPS61176115A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132124A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-05-24 | Teru Kyushu Kk | 露光方法及びその装置 |
| JPH03106730U (ja) * | 1990-02-21 | 1991-11-05 | ||
| US7088423B2 (en) | 2003-09-22 | 2006-08-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Edge exposing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105333B2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |