JPH01251641A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01251641A JPH01251641A JP7591888A JP7591888A JPH01251641A JP H01251641 A JPH01251641 A JP H01251641A JP 7591888 A JP7591888 A JP 7591888A JP 7591888 A JP7591888 A JP 7591888A JP H01251641 A JPH01251641 A JP H01251641A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に多層配線構
造における配線層間の平坦化を図った半導体装置の製造
方法に関する。
造における配線層間の平坦化を図った半導体装置の製造
方法に関する。
従来、多層配線構造を有する半導体装置では、上側配線
の加工精度の向上、耐マイグレーシヨンの改善、及び断
線防止等の目的のために、下側配線上に形成する眉間絶
縁膜の平坦化を図っている。
の加工精度の向上、耐マイグレーシヨンの改善、及び断
線防止等の目的のために、下側配線上に形成する眉間絶
縁膜の平坦化を図っている。
この場合、一般的な方法としては、下側配線上に形成し
た眉間絶縁膜の凹凸面上に絶縁膜を塗布し、かつこの絶
縁膜と眉間絶縁膜とをエツチングバックすることにより
眉間絶縁膜の上面を平坦化する方法が用いられている。
た眉間絶縁膜の凹凸面上に絶縁膜を塗布し、かつこの絶
縁膜と眉間絶縁膜とをエツチングバックすることにより
眉間絶縁膜の上面を平坦化する方法が用いられている。
上述した従来の方法では、眉間絶縁膜上に塗布した絶縁
膜の上面が平坦でないと、エツチングバックを行っても
眉間絶縁膜の上面を平坦にすることが難しい。また、配
線間隔が狭くなって眉間絶縁膜に生じる凹凸面が微小に
なると、この微小凹部内に空洞を生じさせることなく絶
縁膜を塗布することが難しくなり、絶縁性の高い眉間絶
縁膜を形成することができないという問題がある。
膜の上面が平坦でないと、エツチングバックを行っても
眉間絶縁膜の上面を平坦にすることが難しい。また、配
線間隔が狭くなって眉間絶縁膜に生じる凹凸面が微小に
なると、この微小凹部内に空洞を生じさせることなく絶
縁膜を塗布することが難しくなり、絶縁性の高い眉間絶
縁膜を形成することができないという問題がある。
本発明は上述した問題を解消し、平坦性及び絶縁性に優
れた眉間絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
れた眉間絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁
膜を形成する工程と、この絶縁膜をフォトレジスト膜を
用いて選択エツチングし、下側配線形成箇所に配線用溝
を形成する工程と、この配線用溝を含む全面に導体膜を
形成して配線用溝に導体膜を埋設する工程と、前記フォ
トレジスト膜を剥離除去して配線用溝以外の導体膜を除
去する工程と、全面に第２絶縁膜を成長させる工程とを
含んでいる。
膜を形成する工程と、この絶縁膜をフォトレジスト膜を
用いて選択エツチングし、下側配線形成箇所に配線用溝
を形成する工程と、この配線用溝を含む全面に導体膜を
形成して配線用溝に導体膜を埋設する工程と、前記フォ
トレジスト膜を剥離除去して配線用溝以外の導体膜を除
去する工程と、全面に第２絶縁膜を成長させる工程とを
含んでいる。
上述した方法では、平坦な絶縁膜に形成した配線用溝内
に下側配線を埋設状態に形成し、この上に第２絶縁膜を
形成することにより、眉間絶縁膜をエツチング処理する
ことなく平坦化を達成する。
に下側配線を埋設状態に形成し、この上に第２絶縁膜を
形成することにより、眉間絶縁膜をエツチング処理する
ことなく平坦化を達成する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図乃至第６図は本発明の一実施例を製造工程順に示
す断面図である。
す断面図である。
先ず、第１図のように、半導体基板１上に気相成長法に
よって窒化シリコン（Ｓ ｉｚ Ｎ４ ） 、酸化シリ
コン（ＳｉＯｚ）等の絶縁膜２を成長させる。また、こ
の上にアルミニウム膜３をスパッタ法により形成する。
よって窒化シリコン（Ｓ ｉｚ Ｎ４ ） 、酸化シリ
コン（ＳｉＯｚ）等の絶縁膜２を成長させる。また、こ
の上にアルミニウム膜３をスパッタ法により形成する。
次いで、第２図のように、フォトレジスト膜４を塗布形
成し、このフォトレジスト膜４をマスクにしたりソグラ
フィ法によって下側配線を形成する箇所のアルミニウム
膜３と絶縁膜２をエツチングし、配線用溝５を形成する
。
成し、このフォトレジスト膜４をマスクにしたりソグラ
フィ法によって下側配線を形成する箇所のアルミニウム
膜３と絶縁膜２をエツチングし、配線用溝５を形成する
。
続いて、第３図のように、全面にチタン、白金等をスパ
ッタし、少なくとも前記配線用溝５の底面及び側面にチ
タン・白金膜６を形成する。その後、フォトレジスト膜
４を剥離除去することにより、所謂リフトオフ法によっ
て第４図のように配線用溝５以外のチタン・白金膜６が
除去される。
ッタし、少なくとも前記配線用溝５の底面及び側面にチ
タン・白金膜６を形成する。その後、フォトレジスト膜
４を剥離除去することにより、所謂リフトオフ法によっ
て第４図のように配線用溝５以外のチタン・白金膜６が
除去される。
次いで、第５図のように、再度フォトレジスト膜７を塗
布し、かつ先に用いたフォトマスクを再度利用してこれ
をパターン形成し、配線用溝５の箇所を開口する。そし
て、金メツキ処理することにより、配線用溝５内に金メ
ツキ層を埋設状態に形成し、下側配線層８を形成する。
布し、かつ先に用いたフォトマスクを再度利用してこれ
をパターン形成し、配線用溝５の箇所を開口する。そし
て、金メツキ処理することにより、配線用溝５内に金メ
ツキ層を埋設状態に形成し、下側配線層８を形成する。
この場合、金メツキ層は前記絶縁膜２の厚さと同じ厚さ
となるようにメツキ処理を管理することが肝要である。
となるようにメツキ処理を管理することが肝要である。
そして、第６図のように、前記フォトレジスト膜７を除
去し、かつアルミニウム膜３をウェットエツチングして
除去し、この上に絶縁膜２と同じ或いは異なる第２絶縁
膜９を成長させることにより、上面の平坦な眉間絶縁膜
を構成できる。
去し、かつアルミニウム膜３をウェットエツチングして
除去し、この上に絶縁膜２と同じ或いは異なる第２絶縁
膜９を成長させることにより、上面の平坦な眉間絶縁膜
を構成できる。
なお、この眉間絶縁膜の上に上側配線を形成することは
言うまでもない。
言うまでもない。
したがって、この製造方法では、眉間絶縁膜の上面に絶
縁膜を塗布する工程や、これら絶縁膜と眉間絶縁膜をエ
ツチングバックする工程が不要となり、これらの工程に
おける上述したような問題が生じることはない。これに
より、平坦性及び絶縁性に優れた眉間絶縁膜を得ること
ができ、かつ上側配線の加工精度を向上させ、耐マイグ
レーションの改善、及び断線の防止が達成できる。
縁膜を塗布する工程や、これら絶縁膜と眉間絶縁膜をエ
ツチングバックする工程が不要となり、これらの工程に
おける上述したような問題が生じることはない。これに
より、平坦性及び絶縁性に優れた眉間絶縁膜を得ること
ができ、かつ上側配線の加工精度を向上させ、耐マイグ
レーションの改善、及び断線の防止が達成できる。
なお、アルミニウム膜、チタン・白金膜等は他の材質で
構成できることは勿論である。
構成できることは勿論である。
以上説明したように本発明は、平坦な絶縁膜に形成した
配線用溝内に下側配線を埋設状態に形成し、かつこの上
に第２絶縁膜を形成することにより、眉間絶縁膜上に絶
縁膜を塗布する工程、及び眉間絶縁膜をエツチング処理
する工程を不要にする一方で眉間絶縁膜の平坦化を図り
、上側配線の加工精度の向上、耐マイグレーションの改
善、及び断線防止を達成できる。
配線用溝内に下側配線を埋設状態に形成し、かつこの上
に第２絶縁膜を形成することにより、眉間絶縁膜上に絶
縁膜を塗布する工程、及び眉間絶縁膜をエツチング処理
する工程を不要にする一方で眉間絶縁膜の平坦化を図り
、上側配線の加工精度の向上、耐マイグレーションの改
善、及び断線防止を達成できる。
第１図乃至第６図は本発明を製造工程順に示す断面図で
ある。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・アルミ
ニウム膜、４・・・フォトレジスト膜、５・・・配線用
溝、６・・・アルミニウム膜、７・・・フォトレジスト
膜、８・・・下側配線（金メツキ層）、９・・・第２絶
縁膜。 第１図 色 （１ 第４図 第５図
ある。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・アルミ
ニウム膜、４・・・フォトレジスト膜、５・・・配線用
溝、６・・・アルミニウム膜、７・・・フォトレジスト
膜、８・・・下側配線（金メツキ層）、９・・・第２絶
縁膜。 第１図 色 （１ 第４図 第５図
Claims (1)
- １、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁
膜をフォトレジスト膜を用いて選択エッチングし、下側
配線形成箇所に配線用溝を形成する工程と、この配線用
溝を含む全面に導体膜を形成して配線用溝に導体膜を埋
設する工程と、前記フォトレジスト膜を剥離除去して配
線用溝以外の導体膜を除去する工程と、全面に第２絶縁
膜を成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7591888A JPH01251641A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7591888A JPH01251641A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251641A true JPH01251641A (ja) | 1989-10-06 |
Family
ID=13590177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7591888A Pending JPH01251641A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01251641A (ja) |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP7591888A patent/JPH01251641A/ja active Pending
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