JPH01129965A - スパッタリング用ターゲット - Google Patents
スパッタリング用ターゲットInfo
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- JPH01129965A JPH01129965A JP28864987A JP28864987A JPH01129965A JP H01129965 A JPH01129965 A JP H01129965A JP 28864987 A JP28864987 A JP 28864987A JP 28864987 A JP28864987 A JP 28864987A JP H01129965 A JPH01129965 A JP H01129965A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は希土類遷移金属合金スパッタリング用ターゲッ
トの組織及び組成に関する。
トの組織及び組成に関する。
希土類遷移金属系光磁気記録膜を作成するスパッタリン
グ用ターゲットは従来より鋳造法、焼結法、半溶融法な
どがある。ここでいう鋳造法とは鋳込んだ鋳塊をそのま
ま外径・表面加工にてターゲットにするものであり、焼
結法とは一度鋳込んだ鋳塊を粉砕し、焼結にてターゲッ
ト形状とするものである。又、半溶融法とは特開昭６１
−９９６４０号に示すものである。
グ用ターゲットは従来より鋳造法、焼結法、半溶融法な
どがある。ここでいう鋳造法とは鋳込んだ鋳塊をそのま
ま外径・表面加工にてターゲットにするものであり、焼
結法とは一度鋳込んだ鋳塊を粉砕し、焼結にてターゲッ
ト形状とするものである。又、半溶融法とは特開昭６１
−９９６４０号に示すものである。
しかしながら前述の焼結法は、本質的に酸素量を多く含
み（２０００ｐｐｍ程度）、酸化され易い希土類遷移金
属系には適していない。一方、鋳造法はＴｂＦｅ系に関
しては非常に脆く、新しい組成系としてＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ系が注目されている。（特開昭６１−１６８２２号、
６２−１２９４１号等） 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、前述の従来技術による鋳造法によるＮｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＤｙＦｅＣｏ５
ＰｒＴｂＦｅＣｏ系鋳造合金ターゲットでスパッタリン
グにて成膜した場合、基板面内で組成分布が生しるとい
う問題点を有する。
み（２０００ｐｐｍ程度）、酸化され易い希土類遷移金
属系には適していない。一方、鋳造法はＴｂＦｅ系に関
しては非常に脆く、新しい組成系としてＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ系が注目されている。（特開昭６１−１６８２２号、
６２−１２９４１号等） 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、前述の従来技術による鋳造法によるＮｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＤｙＦｅＣｏ５
ＰｒＴｂＦｅＣｏ系鋳造合金ターゲットでスパッタリン
グにて成膜した場合、基板面内で組成分布が生しるとい
う問題点を有する。
（ＩＳＭＯ’ ８７ ２１Ｂ−１４）又、半溶融法で
作成したターゲットは基板面内で組成分布が生じにくい
という特長がある。（第１０回日本応用磁気学会学術講
演概要集５ ａ Ｂ −７，５ａＢ−８） しかし、半溶融法は基本的には焼結による製造であるた
め、ターゲットは完全な密状態となっておらず、大気中
に放置された場合はターゲットの表面層が酸化されてし
まい、予備スパッタリングでは表面層をクリーニングで
きないほどの酸化層となってしまう。又、半溶融法は遷
移金属単体相を含むため、ターゲットの透磁率が太き（
、マグネトロンスパッタ時には、ターゲットを薄くシな
いと十分な漏洩磁場が出ないという欠点がある。
作成したターゲットは基板面内で組成分布が生じにくい
という特長がある。（第１０回日本応用磁気学会学術講
演概要集５ ａ Ｂ −７，５ａＢ−８） しかし、半溶融法は基本的には焼結による製造であるた
め、ターゲットは完全な密状態となっておらず、大気中
に放置された場合はターゲットの表面層が酸化されてし
まい、予備スパッタリングでは表面層をクリーニングで
きないほどの酸化層となってしまう。又、半溶融法は遷
移金属単体相を含むため、ターゲットの透磁率が太き（
、マグネトロンスパッタ時には、ターゲットを薄くシな
いと十分な漏洩磁場が出ないという欠点がある。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは従来の鋳造合金ターゲットがもつ
成膜面内で組成分布が生じるという欠点を克服し、さら
に半溶融法によるターゲットのもつ酸化されやすい、透
磁率が大きいという欠点を克服するターゲットを提供す
るところにある。
の目的とするところは従来の鋳造合金ターゲットがもつ
成膜面内で組成分布が生じるという欠点を克服し、さら
に半溶融法によるターゲットのもつ酸化されやすい、透
磁率が大きいという欠点を克服するターゲットを提供す
るところにある。
希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパッタリ
ングにて製造する鋳造合金ターゲットにおいて、鋳造合
金ターゲット中の金属組織が、希土類金属単体相と希土
類遷移金属合金相からなることを特徴とする。
ングにて製造する鋳造合金ターゲットにおいて、鋳造合
金ターゲット中の金属組織が、希土類金属単体相と希土
類遷移金属合金相からなることを特徴とする。
従来より実験室で用いられているＴＭターゲット上にＲ
Ｅチップを配して成膜する複合ターゲット方式の場合、
基板面内の組成分布は鋳造合金ターゲットのそれとは逆
の傾を示す。
Ｅチップを配して成膜する複合ターゲット方式の場合、
基板面内の組成分布は鋳造合金ターゲットのそれとは逆
の傾を示す。
つまり、複合ターゲットの場合はターゲットの直上にな
るほどＲＥが多く側面はどＴＭが多い。
るほどＲＥが多く側面はどＴＭが多い。
一方、鋳造合金ターゲットのそれはターゲットの直上に
なるほどＴＭが多く、側面はどＲＥが多い。
なるほどＴＭが多く、側面はどＲＥが多い。
これらをより詳細に見てみると、ＴＭの飛び方は複合タ
ーゲット、鋳造合金ともほぼ同じで大きな差はなかった
。一方、ＲＥの飛び方が複合ターゲットと鋳造合金とで
大きな差があることがわかった。つまり、複合ターゲッ
トのときのＲＥはター。
ーゲット、鋳造合金ともほぼ同じで大きな差はなかった
。一方、ＲＥの飛び方が複合ターゲットと鋳造合金とで
大きな差があることがわかった。つまり、複合ターゲッ
トのときのＲＥはター。
ゲットの上方向に飛び易く、鋳造合金ターゲットのとき
のＲＥはターゲットの横方向に飛び易いのである。つま
りＲＥ単体相と、ＲＥ−７Ｍ合金相を適当に混存させた
鋳造合金ターゲットができれば、基板面内で組成分布が
少ない均一な成膜が可能となり、又、ＴＭ単体相がない
ため透磁率も小さくなりターゲットを厚くしても十分マ
グネトロンスパッタが可能となる。さらに鋳造合金であ
るための本来の酸素含有量も少なく、予備スパッタリン
グも非常に短くなる。
のＲＥはターゲットの横方向に飛び易いのである。つま
りＲＥ単体相と、ＲＥ−７Ｍ合金相を適当に混存させた
鋳造合金ターゲットができれば、基板面内で組成分布が
少ない均一な成膜が可能となり、又、ＴＭ単体相がない
ため透磁率も小さくなりターゲットを厚くしても十分マ
グネトロンスパッタが可能となる。さらに鋳造合金であ
るための本来の酸素含有量も少なく、予備スパッタリン
グも非常に短くなる。
〔実施例１〕
まず原料として、Ｔ ｂｙｚ （Ｆ ｅｏ、＊ ＣＯｏ
、＋）ｇａａｔ％の鋳塊を作る（以下この鋳塊をＲ＋Ｒ
ｔ Ｔｚ鋳塊と呼ぶ）。この鋳塊の融点は８４７℃と低
い。
、＋）ｇａａｔ％の鋳塊を作る（以下この鋳塊をＲ＋Ｒ
ｔ Ｔｚ鋳塊と呼ぶ）。この鋳塊の融点は８４７℃と低
い。
そして次に（Ｆ ｅｏ、ｑ ＣＯａ、＋）ｓ＊、ｓａｔ
％の鋳塊を作り、平均粒径が２００μｍ程度となる様に
この鋳塊を粉砕し粉末とする（以下この粉末をＲｔＴ８
．粉末と呼ぶ）。このＲｚＴｔｔ粉末の融点は１３１２
℃である。
％の鋳塊を作り、平均粒径が２００μｍ程度となる様に
この鋳塊を粉砕し粉末とする（以下この粉末をＲｔＴ８
．粉末と呼ぶ）。このＲｚＴｔｔ粉末の融点は１３１２
℃である。
これら原料、つまりＲ＋ Ｒｒ Ｔ を鋳塊とＲｚ Ｔ
ｌ ？粉末を（Ｒ＋Ｒ＋ Ｔｔ ）： （Ｒｔ Ｔ、
？）＝１１．５：５０の比になる様にルツボ中に投入す
る。その後ルツボを１０５０℃まで温度を上げる。つま
りこの１０５０℃の状態のときはＲ＋ＲＩ Ｔ２鋳塊が
溶解されておりＲ１Ｔｌ？粉末は溶解しないまま粒末が
溶湯中に混合されている状態となる。そして、この状態
のまま鋳型に鋳込み、出来上がった鋳造合金を加工し、
４＃φＸ６ｔのスパッタリングターゲットを作成した。
ｌ ？粉末を（Ｒ＋Ｒ＋ Ｔｔ ）： （Ｒｔ Ｔ、
？）＝１１．５：５０の比になる様にルツボ中に投入す
る。その後ルツボを１０５０℃まで温度を上げる。つま
りこの１０５０℃の状態のときはＲ＋ＲＩ Ｔ２鋳塊が
溶解されておりＲ１Ｔｌ？粉末は溶解しないまま粒末が
溶湯中に混合されている状態となる。そして、この状態
のまま鋳型に鋳込み、出来上がった鋳造合金を加工し、
４＃φＸ６ｔのスパッタリングターゲットを作成した。
このターゲットの組成はＴｂｚｔＦ ｅ−Ｈｏ、ｚＣＯ
−１，ｓ ａｔ％となっている。このターゲットの表面
組織の模式図を第１図に示す。１の相はＴｂの希土［（
Ｒ）単独相であり、２の相はＴｂｌ （Ｆｅｏ、、Ｃｏ
ｏ、＋ ）ｚの希土類遷移金属合金相（ＲＩＴりである
。又、３の相は’ｒｂｚ（Ｆ ｅｏ、ｑ Ｃ０６，１）
ｌ？の希土類遷移金属合金相（ＲｚＴ＋ｔ）である。つ
まり大きくわけて希土類単独相と希土類遷移金属合金相
の２相になっているのである。
−１，ｓ ａｔ％となっている。このターゲットの表面
組織の模式図を第１図に示す。１の相はＴｂの希土［（
Ｒ）単独相であり、２の相はＴｂｌ （Ｆｅｏ、、Ｃｏ
ｏ、＋ ）ｚの希土類遷移金属合金相（ＲＩＴりである
。又、３の相は’ｒｂｚ（Ｆ ｅｏ、ｑ Ｃ０６，１）
ｌ？の希土類遷移金属合金相（ＲｚＴ＋ｔ）である。つ
まり大きくわけて希土類単独相と希土類遷移金属合金相
の２相になっているのである。
このＴｂＦｅＣｏターゲットを第２図に示す様なスパッ
タリング装置に装着、成膜し、その磁気特性及び組成分
布を調べてみた。第２図の２１がスパッタリングターゲ
ットであり、２２が基板ホルダー（３００φ）である。
タリング装置に装着、成膜し、その磁気特性及び組成分
布を調べてみた。第２図の２１がスパッタリングターゲ
ットであり、２２が基板ホルダー（３００φ）である。
成膜条件はＡｒ圧２゜５ ｍ Ｔ ｏ ｒ ｒ ＋初期
真空度３ ｘ １０−’Ｔ、ｒｒ 、投入電力はＤＣ電
源を用い１．ＯＡ ３４０ Ｖでおこなった。第３図に
本発明ターゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及び
磁気特性分布図である。この図に示す様に組成はＲＥが
２２．０〜２２．５ａｔ％で均一であり、磁気特性もＨ
ｃが１４．７〜１５．５Ｋ Ｏｅで均一である。基板ホ
ルダー内にほとんどといって良いほど均一な膜が成膜で
きている。当然のこのターゲットは鋳造合金であるので
酸素量は少なく３５０ｐｐｍであった。
真空度３ ｘ １０−’Ｔ、ｒｒ 、投入電力はＤＣ電
源を用い１．ＯＡ ３４０ Ｖでおこなった。第３図に
本発明ターゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及び
磁気特性分布図である。この図に示す様に組成はＲＥが
２２．０〜２２．５ａｔ％で均一であり、磁気特性もＨ
ｃが１４．７〜１５．５Ｋ Ｏｅで均一である。基板ホ
ルダー内にほとんどといって良いほど均一な膜が成膜で
きている。当然のこのターゲットは鋳造合金であるので
酸素量は少なく３５０ｐｐｍであった。
一方、比較のために従来の製造方法でＴｂＦｅＣｏター
ゲットを作成した。すなわちＴｂＦｅＣ０全組成をＴ
ｂｚｔＦ ６ＢＣＯｓ ａｔ％となるようにルツボ中で
１６５０°Ｃで溶解し、そして鋳型に注湯し鋳塊を作っ
た。そしてこの鋳塊を切断、研磨し４＃φＸ６ｔのＴｂ
ＦｅＣｏターゲットを作成した。第４図にこの従来の製
造方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣｏターゲットを用いた
基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図を示す。こ
の図に示す様に組成はＲＥが２２．８〜１９．８ａｔ％
で、基板ホルダー中心へい（はどＲＥが多く、逆にホル
ダー外周へいくほどＲＥが少なくなっている。又、磁気
特性もＨｃが１７〜１１ＫＯｅとホルダー中心へいくほ
どＨｃが大きくなっている。これは組成分布とも一致す
る。つまり従来の製造方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣｏ
ターゲットはターゲットの上方向はどＴＭ（遷移金属）
がとびやすく、横方向はどＲＥがとびやすい特性を示し
、基板ホルダー内で組成分布を生じさせてしまう。
ゲットを作成した。すなわちＴｂＦｅＣ０全組成をＴ
ｂｚｔＦ ６ＢＣＯｓ ａｔ％となるようにルツボ中で
１６５０°Ｃで溶解し、そして鋳型に注湯し鋳塊を作っ
た。そしてこの鋳塊を切断、研磨し４＃φＸ６ｔのＴｂ
ＦｅＣｏターゲットを作成した。第４図にこの従来の製
造方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣｏターゲットを用いた
基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図を示す。こ
の図に示す様に組成はＲＥが２２．８〜１９．８ａｔ％
で、基板ホルダー中心へい（はどＲＥが多く、逆にホル
ダー外周へいくほどＲＥが少なくなっている。又、磁気
特性もＨｃが１７〜１１ＫＯｅとホルダー中心へいくほ
どＨｃが大きくなっている。これは組成分布とも一致す
る。つまり従来の製造方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣｏ
ターゲットはターゲットの上方向はどＴＭ（遷移金属）
がとびやすく、横方向はどＲＥがとびやすい特性を示し
、基板ホルダー内で組成分布を生じさせてしまう。
さらに半溶融法により製造したターゲットと比較するた
め、先述の本発明ターゲット組成と同様のＴｂ！ｚＦｅ
ｔｏ、ｚｃＯｌ、＠ ａｔ％の組成で半溶融法を用い４
″φＸ６ｔのターゲットを作成した。そして、これら本
発明品と半溶融品のターゲットの透磁率を測定した所、
本発明品が３であったのに対し、半溶融品は５５と大き
な値であった。そして、半溶融品を先述のスパッタ装置
に装着し、放電を試みたが、放電しなかった。そこでタ
ーゲット厚みを薄くシていったところ、３．３ｍｍｔで
やっと放電する様になった。つまり半溶品は透磁率が大
きく、マグネトロン放電させるためにはターゲットを薄
くする必要がある。このことは、１枚のターゲットから
製造できる薄膜が少ないということであり、製品のコス
ト面で非常に悪いということを意味する。当然本発明品
は６ ｔｍｉ ｔでも十分な漏洩磁場が出ており、製品
コストの点でも非常にメリットがある。ここで示した方
法以外にＲｔ Ｔ Ｉ ？粉末を作成せず、ＲｂＴｚｘ
粉末あるいはＲＩＴゴあるいはＲ，Ｔ２粉末を用いても
本発明は有効であることは確認できている。
め、先述の本発明ターゲット組成と同様のＴｂ！ｚＦｅ
ｔｏ、ｚｃＯｌ、＠ ａｔ％の組成で半溶融法を用い４
″φＸ６ｔのターゲットを作成した。そして、これら本
発明品と半溶融品のターゲットの透磁率を測定した所、
本発明品が３であったのに対し、半溶融品は５５と大き
な値であった。そして、半溶融品を先述のスパッタ装置
に装着し、放電を試みたが、放電しなかった。そこでタ
ーゲット厚みを薄くシていったところ、３．３ｍｍｔで
やっと放電する様になった。つまり半溶品は透磁率が大
きく、マグネトロン放電させるためにはターゲットを薄
くする必要がある。このことは、１枚のターゲットから
製造できる薄膜が少ないということであり、製品のコス
ト面で非常に悪いということを意味する。当然本発明品
は６ ｔｍｉ ｔでも十分な漏洩磁場が出ており、製品
コストの点でも非常にメリットがある。ここで示した方
法以外にＲｔ Ｔ Ｉ ？粉末を作成せず、ＲｂＴｚｘ
粉末あるいはＲＩＴゴあるいはＲ，Ｔ２粉末を用いても
本発明は有効であることは確認できている。
〔実施例２〕
次にＤｙＦｅＣｏについて本発明法による効果を確認し
た。製造方法は実施例１に示す本発明品と同じであり、
まず原料としてＤ）’ｔｚ（Ｆｅｏ、ｅＣＯｏ、 ｚ）
ｚｓａｔ％の鋳塊を作る。この鋳塊の融点は８９０°
Ｃと低い。そして次にＤｙ＋ｏ、ｓ （Ｆ ｅｏ、ｓＣ
Ｏｏ、 り ８９． ｓａｔ％の鋳塊を作り、平均粒径
が２００μｍ程度となる様にこの鋳塊を粉砕し粉末とす
る。このＲｚＴ＋ｖの粉末の融点は１３７０°Ｃである
。
た。製造方法は実施例１に示す本発明品と同じであり、
まず原料としてＤ）’ｔｚ（Ｆｅｏ、ｅＣＯｏ、 ｚ）
ｚｓａｔ％の鋳塊を作る。この鋳塊の融点は８９０°
Ｃと低い。そして次にＤｙ＋ｏ、ｓ （Ｆ ｅｏ、ｓＣ
Ｏｏ、 り ８９． ｓａｔ％の鋳塊を作り、平均粒径
が２００μｍ程度となる様にこの鋳塊を粉砕し粉末とす
る。このＲｚＴ＋ｖの粉末の融点は１３７０°Ｃである
。
これら原料、つまり鋳塊と粉末を１１．５ ： ５０の
比になる様にルツボ中に投入する。その後ルツボを１０
５＝０°Ｃまで温度を上げる。そして鋳型に鋳込み出来
上がった鋳造合金を加工し、４″φ×６ものスパッタリ
ングターゲットを作成し実施例１と同様の成膜を試みた
所、基板ホルダー内に均一な組成、均一な磁気特性の膜
が得られた。このターゲットの酸素量は３ｓｏｐｐｍ、
透磁率は３．３であった。このターゲット組成はＤ）’
ｚｚＦｅ６□、４Ｃｏｌｓ、、、ａｔ％となっている。
比になる様にルツボ中に投入する。その後ルツボを１０
５＝０°Ｃまで温度を上げる。そして鋳型に鋳込み出来
上がった鋳造合金を加工し、４″φ×６ものスパッタリ
ングターゲットを作成し実施例１と同様の成膜を試みた
所、基板ホルダー内に均一な組成、均一な磁気特性の膜
が得られた。このターゲットの酸素量は３ｓｏｐｐｍ、
透磁率は３．３であった。このターゲット組成はＤ）’
ｚｚＦｅ６□、４Ｃｏｌｓ、、、ａｔ％となっている。
又、金属組織は、大きくわけて希土類単独相と希土類遷
移金属合金相の２相になっていた。
移金属合金相の２相になっていた。
〔実施例３〕
次にＧｄＴｂＦｅＣｏについて本発明法による効果を確
認した。製造方法は実施例１に示す本発明品と同じであ
り、まず原料として（Ｇｄ、、５Ｔｂｏ、ｓ）？ｚ （
Ｆ ｅｊ、＊ｓｃ Ｏｏ、ｏｓ）ｇｔ、ｓ ａｔ％の鋳
塊を作る。この鋳塊の融点は８３８°Ｃと低い。そして
次に（Ｇ ｄ ６．ｓ Ｔ ｂｏ、ｓ）＋ｏ、ｓ （Ｆ
ｅ ｏ、ｑｓＣＯ＠、０’５）ａｑ、 ｓａｔ％の鋳
塊を粉砕し粉末とする。この粉末の融点は１３２４°Ｃ
である。
認した。製造方法は実施例１に示す本発明品と同じであ
り、まず原料として（Ｇｄ、、５Ｔｂｏ、ｓ）？ｚ （
Ｆ ｅｊ、＊ｓｃ Ｏｏ、ｏｓ）ｇｔ、ｓ ａｔ％の鋳
塊を作る。この鋳塊の融点は８３８°Ｃと低い。そして
次に（Ｇ ｄ ６．ｓ Ｔ ｂｏ、ｓ）＋ｏ、ｓ （Ｆ
ｅ ｏ、ｑｓＣＯ＠、０’５）ａｑ、 ｓａｔ％の鋳
塊を粉砕し粉末とする。この粉末の融点は１３２４°Ｃ
である。
これら原料、つまり鋳塊と粉末を１１．５７５０の比に
なる様にルツボ中に投入する。その後ルツボを１０５０
℃まで温度を上げる。そして鋳型に鋳込み出来上がった
鋳造合金を加工し、４＃φ×６ｔのスパッタリングター
ゲットを作成し実施例１と同様の成膜を試みた所、基板
ホルダー内に均一な組成、均一な磁気特性の膜が得られ
た。このターゲットの酸素量は３６０ｐｐｍ、透磁率は
４．０であった。また、このターゲットの組成はＧｄ、
。
なる様にルツボ中に投入する。その後ルツボを１０５０
℃まで温度を上げる。そして鋳型に鋳込み出来上がった
鋳造合金を加工し、４＃φ×６ｔのスパッタリングター
ゲットを作成し実施例１と同様の成膜を試みた所、基板
ホルダー内に均一な組成、均一な磁気特性の膜が得られ
た。このターゲットの酸素量は３６０ｐｐｍ、透磁率は
４．０であった。また、このターゲットの組成はＧｄ、
。
ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ｔｃＯｓ、ｑ ａｔ％となっている
。又、金属組織は大きくわけて希土類単独相と希土類遷
移金属合金相の２相になっていた。
。又、金属組織は大きくわけて希土類単独相と希土類遷
移金属合金相の２相になっていた。
これら実施例１．２．３に示した組成系以外にＴｂＤｙ
ＦｅＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、等の組成系についても本発明
効果が存在することを確認した。
ＦｅＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、等の組成系についても本発明
効果が存在することを確認した。
′ 〔発明の効果〕
このように本発明を用いれば、ターゲット中の酸素量が
少ないという鋳造合金の特質を保ったまま、成膜面内で
組成分布が生じないという効果を有する。しかも、透磁
率が小さく、マグネトロンスパッタに適しており、ター
ゲット厚みも厚くすることができるため、作成した膜の
製品・コストを減らすことができる。 −
少ないという鋳造合金の特質を保ったまま、成膜面内で
組成分布が生じないという効果を有する。しかも、透磁
率が小さく、マグネトロンスパッタに適しており、ター
ゲット厚みも厚くすることができるため、作成した膜の
製品・コストを減らすことができる。 −
第１図は本発明ターゲットの表面組織の模式図。
第２図はスパッタリング装置の概略図。
第３図は本発明のターゲットを用いた基板ホルダー内組
成分布及び磁気特性分布図。 第４図は従来の製造方法による鋳造合金ターゲットを用
いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 １・・・Ｔｂの希土類（Ｒ）単独相 ２・・’Ｔｂ＋ （Ｆｅｏ、ｑ ＣＯｏ、＋）ｚの希
土類遷移金属合金相 ３＝”ｒｂｚ （Ｆ ｅ（＋、９ ＣＯＯ，Ｉ）ｌ？
の希土類遷移金属合金相 ２１・・・スパッタリングターゲット ２２・・・基板ホルダー（３００φ） 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 最上 務 他１名 −−ン １．”；２，２＾ °ニニ・。 第２０
成分布及び磁気特性分布図。 第４図は従来の製造方法による鋳造合金ターゲットを用
いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 １・・・Ｔｂの希土類（Ｒ）単独相 ２・・’Ｔｂ＋ （Ｆｅｏ、ｑ ＣＯｏ、＋）ｚの希
土類遷移金属合金相 ３＝”ｒｂｚ （Ｆ ｅ（＋、９ ＣＯＯ，Ｉ）ｌ？
の希土類遷移金属合金相 ２１・・・スパッタリングターゲット ２２・・・基板ホルダー（３００φ） 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 最上 務 他１名 −−ン １．”；２，２＾ °ニニ・。 第２０
Claims (1)
- 希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパッタリ
ングにて製造するための鋳造合金ターゲで、前記鋳造合
金ターゲット中の金属組織が希土類金属単体相と希土類
遷移金属合金相からなるスパッタリング用ターゲットに
おいて、前記スパッタリング用ターゲットの主たる組成
が、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうち少なくとも１種以上の重希
土類金属（ＨＲ）と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種
類以上の遷移金属（ＴＭ）を含むことを特徴とするスパ
ッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28864987A JPH01129965A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | スパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28864987A JPH01129965A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | スパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129965A true JPH01129965A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17732897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28864987A Pending JPH01129965A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | スパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01129965A (ja) |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP28864987A patent/JPH01129965A/ja active Pending
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