JPH01261837A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH01261837A JPH01261837A JP63089992A JP8999288A JPH01261837A JP H01261837 A JPH01261837 A JP H01261837A JP 63089992 A JP63089992 A JP 63089992A JP 8999288 A JP8999288 A JP 8999288A JP H01261837 A JPH01261837 A JP H01261837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- bonding pads
- case
- semiconductor chip
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体集積回路に関する。
[従来の技術]
従来、この種の半導体集積回路においては、第2図に示
すように複数の端子2,2・・・をもつパッケージケー
ス1のケース内リード3,3にボンディングワイヤ6を
介して接続させる半導体チップ4上のボンディングパッ
ド5は方形に配列されていた。
すように複数の端子2,2・・・をもつパッケージケー
ス1のケース内リード3,3にボンディングワイヤ6を
介して接続させる半導体チップ4上のボンディングパッ
ド5は方形に配列されていた。
[発明が解決しようとする課題]
上述した従来の半導体チップ4上のポンディングパッド
5の配置によると、各々のボンディングパッド5に接続
されるボンディングワイヤ6の長さが、それら各々のポ
ンディングパッド5が方形の辺上のどの位置に存在する
かにより異なるので、全ての入力端子から半導体チップ
4のポンディングパッド5に至る経路の信号伝達特性は
均一ではなかった。
5の配置によると、各々のボンディングパッド5に接続
されるボンディングワイヤ6の長さが、それら各々のポ
ンディングパッド5が方形の辺上のどの位置に存在する
かにより異なるので、全ての入力端子から半導体チップ
4のポンディングパッド5に至る経路の信号伝達特性は
均一ではなかった。
特に、この入力端子からポンディングパッド5に至る経
路で、その途中に長いホンディングワイヤ6を持つもの
は、長いボンディングワイヤ6の有するインダクタンス
のために、短いボンディングワイヤ6の持つそれに比較
して、高い周波数成分を有する入力信号用どしては、不
適当であった。
路で、その途中に長いホンディングワイヤ6を持つもの
は、長いボンディングワイヤ6の有するインダクタンス
のために、短いボンディングワイヤ6の持つそれに比較
して、高い周波数成分を有する入力信号用どしては、不
適当であった。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体集積回路を提
供することにある。
供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するため、本発明の半導体集積回路にお
いては、半導体チップ上に、同心円上に配置されたポン
ディングパッドを有するものである。
いては、半導体チップ上に、同心円上に配置されたポン
ディングパッドを有するものである。
[実施例]
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図において、1は外縁に複数の端子2゜2・・・を
有し、ケース内リード3,3・・・を同一円周上に配列
したマイクロストリップライン構造のパッケージケース
である。
有し、ケース内リード3,3・・・を同一円周上に配列
したマイクロストリップライン構造のパッケージケース
である。
本発明はパッケージケース1に搭載される半導体チップ
4の外形形状をへ角形とし、そのポンディングパッド5
,5・・・を同一円周上に配列したものである。該ボン
ディングパッド5,5・・・はボンディングワイヤ6を
介してパッケージケース1のケース内リード3,3・・
・に電気的に接続される。
4の外形形状をへ角形とし、そのポンディングパッド5
,5・・・を同一円周上に配列したものである。該ボン
ディングパッド5,5・・・はボンディングワイヤ6を
介してパッケージケース1のケース内リード3,3・・
・に電気的に接続される。
第1図について、各入力端子からケース内り一ド3への
経路の形状及び長さは均一ではないが、これらの経路は
いずれもマイクロストリップライン構造であるがゆえ全
ての入力端子からケース内リードに至る経路の信号伝達
特性は均一である。
経路の形状及び長さは均一ではないが、これらの経路は
いずれもマイクロストリップライン構造であるがゆえ全
ての入力端子からケース内リードに至る経路の信号伝達
特性は均一である。
一方、正八角形にカットされた半導体チップ4上に同心
円状に配置されたポンディングパッド5とケース1上に
同心円状に配置されたケース内り一ド3との間は最短か
つ均−長のボンディングワイヤ6で接続されることとな
り、結果としていずれの入力端子からポンディングパッ
ド5に至る経路も均一な信号伝達特性を有し、かつそれ
らの経路中に存在するインダクタンス成分を最小限にお
さえることができる。
円状に配置されたポンディングパッド5とケース1上に
同心円状に配置されたケース内り一ド3との間は最短か
つ均−長のボンディングワイヤ6で接続されることとな
り、結果としていずれの入力端子からポンディングパッ
ド5に至る経路も均一な信号伝達特性を有し、かつそれ
らの経路中に存在するインダクタンス成分を最小限にお
さえることができる。
第3図及び第4図は第1図の例で用いた信号入力経路と
してマイクロストリップライン構造を持つケース1の説
明図である。接地板と信号線8によって構成されたマイ
クロストリップラインに対し、信号入力用端子9より給
電し、信号線8に接続されたケース内リード3とボンデ
ィングパッド5の間はホンディングワイヤ6で接続され
ている。
してマイクロストリップライン構造を持つケース1の説
明図である。接地板と信号線8によって構成されたマイ
クロストリップラインに対し、信号入力用端子9より給
電し、信号線8に接続されたケース内リード3とボンデ
ィングパッド5の間はホンディングワイヤ6で接続され
ている。
マイクロストリップライン°の特性インピーダンスと同
一値を有する終端抵抗11は、理想的には第3図に示す
ように前記ケース内リード3と同一の点で接地12に接
続されることが望ましいが、実構造上困難であるため、
第4図に示すように折り返されたマイクロストリップラ
インの先端の終端抵抗用端子9を介して接地12に接続
される。10は終端抵抗用素子である。これらの構造を
採ることにより全ての入力端子からケース内リード3に
至る経路の信号伝達特性を近似的に均一とすることがで
きる。
一値を有する終端抵抗11は、理想的には第3図に示す
ように前記ケース内リード3と同一の点で接地12に接
続されることが望ましいが、実構造上困難であるため、
第4図に示すように折り返されたマイクロストリップラ
インの先端の終端抵抗用端子9を介して接地12に接続
される。10は終端抵抗用素子である。これらの構造を
採ることにより全ての入力端子からケース内リード3に
至る経路の信号伝達特性を近似的に均一とすることがで
きる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明は半導体チップ上に同心円状
にポンディングパッドを配置し、さらに前述の半導体チ
ップの形状を正八角形とすることやケース内リードを同
心円上に配置すること、あるいはパッケージケースとし
て入力信号経路にマイクロストリップライン構造を有す
るフラットパッケージを使用することなどを組合せるこ
とにより、入力端子から入力ボンディングパッドに至る
経路のインダクタンスを最小におさえ、インピーダンス
整合をとり、特に高い周波数成分を含む入力信号に関し
て使用する入力端子の選定に制約を受けることがないよ
うにできる効果がある。
にポンディングパッドを配置し、さらに前述の半導体チ
ップの形状を正八角形とすることやケース内リードを同
心円上に配置すること、あるいはパッケージケースとし
て入力信号経路にマイクロストリップライン構造を有す
るフラットパッケージを使用することなどを組合せるこ
とにより、入力端子から入力ボンディングパッドに至る
経路のインダクタンスを最小におさえ、インピーダンス
整合をとり、特に高い周波数成分を含む入力信号に関し
て使用する入力端子の選定に制約を受けることがないよ
うにできる効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図は従来例を
示す図、第3図及び第4図は入力端子系にマイクロスト
リップライン構造を有するパッケージケースを示す図で
おる。 1・・・パッケージケース 2・・・端子3・・・ケー
ス内リード 4・・・半導体チップ5・・・ポンディ
ングパッド 6・・・ボンディングワイヤ 8・・・信号線 9・・・信号入力用端子1
0・・・終端抵抗用端子 11・・・終端抵抗12・
・・接地 特許出願人 日′本電気株式会社 ? 第2図 第4図
示す図、第3図及び第4図は入力端子系にマイクロスト
リップライン構造を有するパッケージケースを示す図で
おる。 1・・・パッケージケース 2・・・端子3・・・ケー
ス内リード 4・・・半導体チップ5・・・ポンディ
ングパッド 6・・・ボンディングワイヤ 8・・・信号線 9・・・信号入力用端子1
0・・・終端抵抗用端子 11・・・終端抵抗12・
・・接地 特許出願人 日′本電気株式会社 ? 第2図 第4図
Claims (1)
- 1、半導体チップ上に、同心円上に配置されたボンディ
ングパッドを有することを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089992A JPH01261837A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089992A JPH01261837A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01261837A true JPH01261837A (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=13986117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63089992A Pending JPH01261837A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01261837A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0357935U (ja) * | 1989-10-09 | 1991-06-05 | ||
| JP2004349631A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP2015092635A (ja) * | 2015-02-05 | 2015-05-14 | 大日本印刷株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-12 JP JP63089992A patent/JPH01261837A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0357935U (ja) * | 1989-10-09 | 1991-06-05 | ||
| JP2004349631A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP2015092635A (ja) * | 2015-02-05 | 2015-05-14 | 大日本印刷株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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