JPH0126879B2 - - Google Patents
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- JPH0126879B2 JPH0126879B2 JP57102579A JP10257982A JPH0126879B2 JP H0126879 B2 JPH0126879 B2 JP H0126879B2 JP 57102579 A JP57102579 A JP 57102579A JP 10257982 A JP10257982 A JP 10257982A JP H0126879 B2 JPH0126879 B2 JP H0126879B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/259—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on silver
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
本発明は、レーザ特に半導体レーザによる書込
み記録に適した光学記録媒体に関し、詳しくは光
デイスク技術に用いうる改善された光学記録媒体
に関するものである。 一般に、光デイスクは、基板の上に設けた薄い
記録層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約1μビツトをらせん状又は円形のトラ
ツク形態にして高密度情報を記憶することができ
る。この様なデイスクに情報を書込むには、レー
ザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、この
レーザ光線が照射された表面のみがピツトを形成
し、このピツトをらせん状又は円形トラツクの形
態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネル
ギーを吸収して光学的に検出可能なピツトを形成
できる。例えば、ヒートモード記録方式では、レ
ーザ感応層は熱エネルギーを吸収し、その個所に
蒸発又は融解により小さな凹部（ピツト）を形成
できる。また、別のヒートモード記録方式では、
照射されたレーザ・エネルギーの吸収により、そ
の個所に光学的に検出可能な濃度差を有するピツ
トを形成できる。 この光デイスクに記録された情報は、レーザを
トラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された部
分とピツトが形成されていない部分の光学的変化
を読み取ることによつて検出される。例えば、レ
ーザがトラツクに沿つて走査され、デイスクによ
り反射されたエネルギーがフオトデイテクターに
よつてモニターされる。ピツトが形成されていな
い時、フオトデイテクターの出力は低下し、一方
ピツトが形成されている時はレーザ光線は下層の
反射面によつて充分に反射されフオトデイテクタ
ーの出力は大きくなる。 この様な光デイスクに用いる記録媒体として、
これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビ
スマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたもの
が提案されている。これらの薄膜は、一般に350
〜800nｍ付近の波長光で感応性であるとともに、
レーザ光に対する反射率が高いため、レーザ光の
利用率が低いなどの欠点がある。 この様なことから、近年比較的長波長（例え
ば、780nｍ以上）の光エネルギーで光学的な動
性変化可能な有機被膜の研究がなされている。こ
の様な有機薄膜は、例えば発振波長が830nｍ付
近の半導体レーザによりピツトを形成できる点で
有効なものである。 しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機
化合物は、熱に対して不安定で、しかも昇華性の
点でも技術的な問題点があるなどから、必ずしも
特性上、満足できる有機被膜が開発されているも
のとは言えないのが現状である。 本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機
被膜を有する光学記録媒体を提供することにあ
る。 本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機被
膜を有する光学記録媒体を提供することにある。 本発明の光学記録媒体は、下記一般式(1)で示さ
れるポリメチン化合物を含有する有機被膜を有す
ることに特徴を有している。 一般式(1) R1、R2、R3、R4およびR5は水素原子又はアル
キル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、sec−
ブチル基、iso−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−
アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−
オクチル基、ｔ−オクチル基など）を示し、さら
に他のアルキル基、例えば置換アルキル基（例え
ば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプ
ロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセト
キシエチル基、カルボキシメチル基、２−カルボ
キシエチル基、３−カルボキシプロピル基、２−
スルホニエチル基、３−スルホプロピル基、４−
スルホブチル基、３−スルフエートプロピル基、
４−スルフエートブチル基、Ｎ−（メチルスルホ
ニル）−カルバミルメチル基、３−（アセチルスル
フアミル）プロピル基、４−（アセチルスルフア
ミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例えば、
シクロヘキシル基など）、アリル基（CH2＝CH−
CH2−）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、
フエネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフ
チルメチル基など）、置換アラルキル基（例えば、
カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒド
ロキシベンジル基など）を包含する。さらに、
R1、R2、R3、R4およびR5は置換もしくは未置換
のアリール基（例えば、フエニル基、ナフチル
基、トリル基、キシリル基、メトキシフエニル
基、ジメトキシフエニル基、トリメトキシフエニ
ル基、エトキシフエニル基、ジメチルアミノフエ
ニル基、ジエチルアミノフエニル基、ジプロピル
アミノフエニル基、ジベンジルアミノフエニル
基、ジフエニルアミノフエニル基など）、置換も
しくは未置換の複素環基（例えば、ピリジル基、
キノリル基、レピジル基、メチルピリジル基、フ
リル基、チエニル基、インドリル基、ピロール
基、カルバゾリル基、Ｎ−エチルカルバゾリル基
など）又は置換もしくは未置換のスチリル基（例
えば、スチリル基、メトキシスチリル基、ジメト
キシスチリル基、トリメトキシスチリル基、エト
キシスチリル基、ジメチルアミノスチリル基、ジ
エチルアミノスチリル基、ジプロピルアミノスチ
リル基、ジベンジルアミノスチリル基、ジフエニ
ルアミノスチリル基、２，２−ジフエニルビニル
基、２−フエニル−２−メチルビニル基、２−
（ジメチルアミノフエニル）−２−フエニルビニル
基、２−（ジエチルアミノフエニル）−２−フエニ
ルビニル基、２−（ジベンジルアミノフエニル）−
２−フエニルビニル基、２，２−ジ（ジエチルア
ミノフエニル）ビニル基、２，２−ジ（メトキシ
フエニル）ビニル基、２，２−ジ（エトキシフエ
ニル）ビニル基、２−（ジメチルアミノフエニル）
−２−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノフ
エニル）−２−エチルビニル基など）を示す。ｍ
は、０又は１であり、ｎは０、１又は２である。
Ｘ は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物
イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸
塩イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メ
チル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピ
ル硫酸塩イオンなどの陰イオンを表わす。 次に、前記一般式(1)で示されるポリメチン化合
物の代表例を挙げる。
み記録に適した光学記録媒体に関し、詳しくは光
デイスク技術に用いうる改善された光学記録媒体
に関するものである。 一般に、光デイスクは、基板の上に設けた薄い
記録層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約1μビツトをらせん状又は円形のトラ
ツク形態にして高密度情報を記憶することができ
る。この様なデイスクに情報を書込むには、レー
ザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、この
レーザ光線が照射された表面のみがピツトを形成
し、このピツトをらせん状又は円形トラツクの形
態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネル
ギーを吸収して光学的に検出可能なピツトを形成
できる。例えば、ヒートモード記録方式では、レ
ーザ感応層は熱エネルギーを吸収し、その個所に
蒸発又は融解により小さな凹部（ピツト）を形成
できる。また、別のヒートモード記録方式では、
照射されたレーザ・エネルギーの吸収により、そ
の個所に光学的に検出可能な濃度差を有するピツ
トを形成できる。 この光デイスクに記録された情報は、レーザを
トラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された部
分とピツトが形成されていない部分の光学的変化
を読み取ることによつて検出される。例えば、レ
ーザがトラツクに沿つて走査され、デイスクによ
り反射されたエネルギーがフオトデイテクターに
よつてモニターされる。ピツトが形成されていな
い時、フオトデイテクターの出力は低下し、一方
ピツトが形成されている時はレーザ光線は下層の
反射面によつて充分に反射されフオトデイテクタ
ーの出力は大きくなる。 この様な光デイスクに用いる記録媒体として、
これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビ
スマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたもの
が提案されている。これらの薄膜は、一般に350
〜800nｍ付近の波長光で感応性であるとともに、
レーザ光に対する反射率が高いため、レーザ光の
利用率が低いなどの欠点がある。 この様なことから、近年比較的長波長（例え
ば、780nｍ以上）の光エネルギーで光学的な動
性変化可能な有機被膜の研究がなされている。こ
の様な有機薄膜は、例えば発振波長が830nｍ付
近の半導体レーザによりピツトを形成できる点で
有効なものである。 しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機
化合物は、熱に対して不安定で、しかも昇華性の
点でも技術的な問題点があるなどから、必ずしも
特性上、満足できる有機被膜が開発されているも
のとは言えないのが現状である。 本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機
被膜を有する光学記録媒体を提供することにあ
る。 本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機被
膜を有する光学記録媒体を提供することにある。 本発明の光学記録媒体は、下記一般式(1)で示さ
れるポリメチン化合物を含有する有機被膜を有す
ることに特徴を有している。 一般式(1) R1、R2、R3、R4およびR5は水素原子又はアル
キル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、sec−
ブチル基、iso−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−
アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−
オクチル基、ｔ−オクチル基など）を示し、さら
に他のアルキル基、例えば置換アルキル基（例え
ば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプ
ロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセト
キシエチル基、カルボキシメチル基、２−カルボ
キシエチル基、３−カルボキシプロピル基、２−
スルホニエチル基、３−スルホプロピル基、４−
スルホブチル基、３−スルフエートプロピル基、
４−スルフエートブチル基、Ｎ−（メチルスルホ
ニル）−カルバミルメチル基、３−（アセチルスル
フアミル）プロピル基、４−（アセチルスルフア
ミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例えば、
シクロヘキシル基など）、アリル基（CH2＝CH−
CH2−）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、
フエネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフ
チルメチル基など）、置換アラルキル基（例えば、
カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒド
ロキシベンジル基など）を包含する。さらに、
R1、R2、R3、R4およびR5は置換もしくは未置換
のアリール基（例えば、フエニル基、ナフチル
基、トリル基、キシリル基、メトキシフエニル
基、ジメトキシフエニル基、トリメトキシフエニ
ル基、エトキシフエニル基、ジメチルアミノフエ
ニル基、ジエチルアミノフエニル基、ジプロピル
アミノフエニル基、ジベンジルアミノフエニル
基、ジフエニルアミノフエニル基など）、置換も
しくは未置換の複素環基（例えば、ピリジル基、
キノリル基、レピジル基、メチルピリジル基、フ
リル基、チエニル基、インドリル基、ピロール
基、カルバゾリル基、Ｎ−エチルカルバゾリル基
など）又は置換もしくは未置換のスチリル基（例
えば、スチリル基、メトキシスチリル基、ジメト
キシスチリル基、トリメトキシスチリル基、エト
キシスチリル基、ジメチルアミノスチリル基、ジ
エチルアミノスチリル基、ジプロピルアミノスチ
リル基、ジベンジルアミノスチリル基、ジフエニ
ルアミノスチリル基、２，２−ジフエニルビニル
基、２−フエニル−２−メチルビニル基、２−
（ジメチルアミノフエニル）−２−フエニルビニル
基、２−（ジエチルアミノフエニル）−２−フエニ
ルビニル基、２−（ジベンジルアミノフエニル）−
２−フエニルビニル基、２，２−ジ（ジエチルア
ミノフエニル）ビニル基、２，２−ジ（メトキシ
フエニル）ビニル基、２，２−ジ（エトキシフエ
ニル）ビニル基、２−（ジメチルアミノフエニル）
−２−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノフ
エニル）−２−エチルビニル基など）を示す。ｍ
は、０又は１であり、ｎは０、１又は２である。
Ｘ は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物
イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸
塩イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メ
チル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピ
ル硫酸塩イオンなどの陰イオンを表わす。 次に、前記一般式(1)で示されるポリメチン化合
物の代表例を挙げる。
【表】
【表】
【表】
【表】
これらのポリメチン化合物は、Bernard S.
WildiらのJ.Am.Chem.Soc（ジヤーナル・オブ・
アメリカン・ケミカルソサエテイ）80 3772〜
3777（1958）やH.SchmidtらのAnn（リービツヒ・
アンナーレンデル・ケミー）623 204〜216ある
いはR.WlzingerらのHeln.Chim.Acta（ヘルペテ
イカ・シミカ・アクタ）24 369などによつて開
示された合成法に準じて合成することによつて容
易に得られる。 本発明の有機被膜は、光デイスク記録に用いる
ことができる。例えば、第１図に示す様な基板１
の上に前述の有機被膜２を形成した記録媒体とす
ることができる。かかる有機被膜２は、前述の一
般式(1)で示される化合物を真空蒸着によつて形成
でき、またバインダー中に前述のポリメチン化合
物を含有させた塗工液を塗布することによつても
形成することができる。塗工によつて被膜を形成
する際、前述のポリメチン化合物はバインダー中
に分散状態で含有されていてもよく、あるいは非
晶質状態で含有されていてもよい。好適なバイン
ダーとしては、広範な樹脂から選択することがで
きる。具体的にはニトロセルロース、リン酸セル
ロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロ
ピオン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチ
ン酸セルロース、パルミチン酸セルロース、酢
酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・酪酸セルロ
ースなどのセルロースエステル類、メチルセルロ
ース、エチルセルロース、プロピルセルロース、
ブチルセルロース、などのセルロースエーテル
類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタ
ール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリ
ドンなどのビニル樹脂類、スチレン−ブタジエン
コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリ
マー、スチレン−ブタジエン−アクリロニトリル
コポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー
などの共重合樹脂類、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、ポリブチルアクリ
レート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リアクリルアミド、ポリアクリロニトリルなどの
アクリル樹脂類、ポリスチレンテレフタレートな
どのポリエステル類、ポリ（４，4′−イソプロピ
リデンジフエニレン−コ−１，４−シクロヘキシ
レンジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレン
ジオキシ−３，3′−フエニレンチオカーボネー
ト）、ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニ
レンカーボネート−コ−テレフタレート）、ポリ
（４，4′−イソプロピリデンジフエニレンカーボ
ネート）、ポリ（４，4′−sec−ブチリデンジフエ
ニレンカーボネート）、ポリ（４，4′−イソプロ
ピリデンジフエニレンカーボネート−ブロツク−
オキシエチレン）などのポリアリレート樹脂類、
あるいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキシ
樹脂類、フエノール樹脂類、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレ
フイン類などを用いることができる。 塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダー
の種類や前述の化合物をバインダー中に含有させ
る際、分散状態とするか、あるいは非晶質状態と
するかによつて異なつてくるが、一般には、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのア
ルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレンなどの樹脂族ハロゲン化炭化水素類、
あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロ
イン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンな
どの芳香族類などを用いることができる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。 バインダーとともに有機被膜２を形成する際、
前述のポリメチン化合物の含有量は、有機被膜２
中において１〜90重量％、好ましくは20〜70重量
％である。また、有機被膜２の乾燥膜厚あるいは
蒸着膜厚は10ミクロン以下、好ましくは２ミクロ
ン以下である。 基板１としては、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリオレフイン樹脂、フエノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チツク、ガラスあるいは金属類などを用いること
ができる。 また、本発明は、第２図に示す様に基板１と有
機被膜２の間に反射層３を設けることができる。
反射層３は、アルミニウム、銀、クロムなどの反
射性金属の蒸着層又はラミネート層とすることが
できる。 有機被膜２は、第３図に示す集束されたレーザ
ー光線４の照射によつてピツト５を形成すること
ができる。ピツト５の深さを有機被膜２の膜厚と
同一にすると、ピツト領域における反射率を増加
させることができる。読み出しの際、書込みに用
いたレーザー光線と同一の波長を有するが、強度
の小さいレーザー光線を用いれば、読み出し光が
ピツト領域で大きく反射されるが、非ピツト領域
においては吸収される。また、別の方法は有機被
膜２が吸収する第１の波長のレーザー光線で実時
間書込みを行ない、読み出しに有機被膜２を実質
的に透過する第２の波長のレーザ光線を用いるこ
とである。読み出しレーザ光線は、ピツト領域と
非ピツト領域における異なる膜厚によつて生じる
反射相の変化に応答することができる。 本発明の有機被膜は、アルコンレーザ（発振波
長488nｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長
633nｍ）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波
長442nｍ）などのガスレーザーの照射によつて
記録することも可能であるが、好ましくは750n
ｍ以上の波長を有するレーザ、特にガリウム−ア
ルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波長780n
ｍ）などの近赤外ある赤外領域に発振波長を有す
るレーザ光線の照射によつて記録する方法が適し
ている。また、読み出しのためには、前述のレー
ザ光線を用いることができる。この際、書込みと
読み出しを同一波長のレーザで行なうことがで
き、また異なる波長のレーザで行なうことができ
る。 本発明によれば、十分に改善されたＳ／Ｎ比を
得ることができ、しかも本発明で用いる有機被膜
は相反則不軌が小さく、レーザ光線の如く強照度
エネルギー光線の利用度を高くすることができ
る。さらに、発振波長750nｍ以上の波長を有す
るレーザ光線による記録を可能にすることができ
る。 以下、本発明を実施例に従つて詳細に説明す
る。 実施例 １ ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業(株)））
製；オーハーレスラツカー：ニトロセルロース25
重量％のメチルエチルケトン溶液）12重量部、前
述の化合物No.(3)の化合物３重量部およびメチルエ
チルケトン70重量部をボールミルで十分に混合し
た。この混合した液をアルミ蒸着ガラス板上に浸
漬コーテイング法により塗布した後、乾燥して
0.6ｇ／m2の記録層を得た。 こうして作成した光デイスク記録体をターンテ
ーブル上に取り付け、ターンテーブルをモータで
1800rpmの回転を与えながら、スポツトサイズ
1.0ミクロンに集束した５ｍＷおよび8MHzのガリ
ウム−アルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波
長780nｍ）を記録層面にトラツク状で照射して
記録を行なつた。 この記録された光デイスクの表面を走査型電子
顕微鏡で観察したところ、鮮明なピツトが認めら
れた。また、この光デイスクに低出力のガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザを入射し、反
射光の検知を行なつたところ、十分なＳ／Ｎ比を
有する波形が得られた。 実施例 ２ 前述の化合物No.５の化合物を実施例１と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーテイン
グ法により塗工して0.6ｇ／m2の記録層を有する
光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又情報を書
き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観
察したところ、鮮明なピツトが形成されていた。 実施例 ３ 前述の化合物No.(10)の化合物を実施例１と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーテイン
グ法により塗工して0.6ｇ／m2の記録層を有する
光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 ４ 前述の化合物No.（14）の化合物を実施例１と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーテ
イング法により塗工して0.8ｇ／m2の記録層を有
する光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 ５ 前述の化合物No.（17）の化合物を実施例１と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーテ
イング法により塗工して0.6ｇ／m2の記録層を有
する光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 ６ 前述の化合物No.（20）の化合物を実施例１と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーテ
イング法により塗工して0.6ｇ／m2の記録層を有
する光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 ７ 前述の化合物No.(1)の化合物500mgを蒸着用モリ
ブデンボートに入れ、１×10-6mmHg以下に排気
した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中
は真空室内の圧力が10-5mmHg以上に上昇しない
様にヒーターを制御しながら、0.2ミクロンの蒸
着膜を形成させた。 こうして作成した光デイスク記録体に実施例１
と同様の方法で情報を記憶させたところ、実施例
１と同様の鮮明なピツトが認められ、また実施例
１と同様の方法で情報を再生したが、この際十分
なＳ／Ｎ比を有する波形が認められた。 実施例 ８ 前述の化合物No.(5)の化合物を実施例７と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、0.2
ミクロンの記録層を有する光デイスク記録体を作
成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 ９ 前述の化合物No.（13）の化合物を実施例７と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、
0.2ミクロンの記録層を有する光デイスク記録体
を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。
WildiらのJ.Am.Chem.Soc（ジヤーナル・オブ・
アメリカン・ケミカルソサエテイ）80 3772〜
3777（1958）やH.SchmidtらのAnn（リービツヒ・
アンナーレンデル・ケミー）623 204〜216ある
いはR.WlzingerらのHeln.Chim.Acta（ヘルペテ
イカ・シミカ・アクタ）24 369などによつて開
示された合成法に準じて合成することによつて容
易に得られる。 本発明の有機被膜は、光デイスク記録に用いる
ことができる。例えば、第１図に示す様な基板１
の上に前述の有機被膜２を形成した記録媒体とす
ることができる。かかる有機被膜２は、前述の一
般式(1)で示される化合物を真空蒸着によつて形成
でき、またバインダー中に前述のポリメチン化合
物を含有させた塗工液を塗布することによつても
形成することができる。塗工によつて被膜を形成
する際、前述のポリメチン化合物はバインダー中
に分散状態で含有されていてもよく、あるいは非
晶質状態で含有されていてもよい。好適なバイン
ダーとしては、広範な樹脂から選択することがで
きる。具体的にはニトロセルロース、リン酸セル
ロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロ
ピオン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチ
ン酸セルロース、パルミチン酸セルロース、酢
酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・酪酸セルロ
ースなどのセルロースエステル類、メチルセルロ
ース、エチルセルロース、プロピルセルロース、
ブチルセルロース、などのセルロースエーテル
類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタ
ール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリ
ドンなどのビニル樹脂類、スチレン−ブタジエン
コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリ
マー、スチレン−ブタジエン−アクリロニトリル
コポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー
などの共重合樹脂類、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、ポリブチルアクリ
レート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リアクリルアミド、ポリアクリロニトリルなどの
アクリル樹脂類、ポリスチレンテレフタレートな
どのポリエステル類、ポリ（４，4′−イソプロピ
リデンジフエニレン−コ−１，４−シクロヘキシ
レンジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレン
ジオキシ−３，3′−フエニレンチオカーボネー
ト）、ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニ
レンカーボネート−コ−テレフタレート）、ポリ
（４，4′−イソプロピリデンジフエニレンカーボ
ネート）、ポリ（４，4′−sec−ブチリデンジフエ
ニレンカーボネート）、ポリ（４，4′−イソプロ
ピリデンジフエニレンカーボネート−ブロツク−
オキシエチレン）などのポリアリレート樹脂類、
あるいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキシ
樹脂類、フエノール樹脂類、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレ
フイン類などを用いることができる。 塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダー
の種類や前述の化合物をバインダー中に含有させ
る際、分散状態とするか、あるいは非晶質状態と
するかによつて異なつてくるが、一般には、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのア
ルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレンなどの樹脂族ハロゲン化炭化水素類、
あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロ
イン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンな
どの芳香族類などを用いることができる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。 バインダーとともに有機被膜２を形成する際、
前述のポリメチン化合物の含有量は、有機被膜２
中において１〜90重量％、好ましくは20〜70重量
％である。また、有機被膜２の乾燥膜厚あるいは
蒸着膜厚は10ミクロン以下、好ましくは２ミクロ
ン以下である。 基板１としては、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリオレフイン樹脂、フエノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チツク、ガラスあるいは金属類などを用いること
ができる。 また、本発明は、第２図に示す様に基板１と有
機被膜２の間に反射層３を設けることができる。
反射層３は、アルミニウム、銀、クロムなどの反
射性金属の蒸着層又はラミネート層とすることが
できる。 有機被膜２は、第３図に示す集束されたレーザ
ー光線４の照射によつてピツト５を形成すること
ができる。ピツト５の深さを有機被膜２の膜厚と
同一にすると、ピツト領域における反射率を増加
させることができる。読み出しの際、書込みに用
いたレーザー光線と同一の波長を有するが、強度
の小さいレーザー光線を用いれば、読み出し光が
ピツト領域で大きく反射されるが、非ピツト領域
においては吸収される。また、別の方法は有機被
膜２が吸収する第１の波長のレーザー光線で実時
間書込みを行ない、読み出しに有機被膜２を実質
的に透過する第２の波長のレーザ光線を用いるこ
とである。読み出しレーザ光線は、ピツト領域と
非ピツト領域における異なる膜厚によつて生じる
反射相の変化に応答することができる。 本発明の有機被膜は、アルコンレーザ（発振波
長488nｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長
633nｍ）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波
長442nｍ）などのガスレーザーの照射によつて
記録することも可能であるが、好ましくは750n
ｍ以上の波長を有するレーザ、特にガリウム−ア
ルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波長780n
ｍ）などの近赤外ある赤外領域に発振波長を有す
るレーザ光線の照射によつて記録する方法が適し
ている。また、読み出しのためには、前述のレー
ザ光線を用いることができる。この際、書込みと
読み出しを同一波長のレーザで行なうことがで
き、また異なる波長のレーザで行なうことができ
る。 本発明によれば、十分に改善されたＳ／Ｎ比を
得ることができ、しかも本発明で用いる有機被膜
は相反則不軌が小さく、レーザ光線の如く強照度
エネルギー光線の利用度を高くすることができ
る。さらに、発振波長750nｍ以上の波長を有す
るレーザ光線による記録を可能にすることができ
る。 以下、本発明を実施例に従つて詳細に説明す
る。 実施例 １ ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業(株)））
製；オーハーレスラツカー：ニトロセルロース25
重量％のメチルエチルケトン溶液）12重量部、前
述の化合物No.(3)の化合物３重量部およびメチルエ
チルケトン70重量部をボールミルで十分に混合し
た。この混合した液をアルミ蒸着ガラス板上に浸
漬コーテイング法により塗布した後、乾燥して
0.6ｇ／m2の記録層を得た。 こうして作成した光デイスク記録体をターンテ
ーブル上に取り付け、ターンテーブルをモータで
1800rpmの回転を与えながら、スポツトサイズ
1.0ミクロンに集束した５ｍＷおよび8MHzのガリ
ウム−アルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波
長780nｍ）を記録層面にトラツク状で照射して
記録を行なつた。 この記録された光デイスクの表面を走査型電子
顕微鏡で観察したところ、鮮明なピツトが認めら
れた。また、この光デイスクに低出力のガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザを入射し、反
射光の検知を行なつたところ、十分なＳ／Ｎ比を
有する波形が得られた。 実施例 ２ 前述の化合物No.５の化合物を実施例１と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーテイン
グ法により塗工して0.6ｇ／m2の記録層を有する
光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又情報を書
き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観
察したところ、鮮明なピツトが形成されていた。 実施例 ３ 前述の化合物No.(10)の化合物を実施例１と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーテイン
グ法により塗工して0.6ｇ／m2の記録層を有する
光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 ４ 前述の化合物No.（14）の化合物を実施例１と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーテ
イング法により塗工して0.8ｇ／m2の記録層を有
する光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 ５ 前述の化合物No.（17）の化合物を実施例１と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーテ
イング法により塗工して0.6ｇ／m2の記録層を有
する光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記録させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 ６ 前述の化合物No.（20）の化合物を実施例１と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーテ
イング法により塗工して0.6ｇ／m2の記録層を有
する光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 ７ 前述の化合物No.(1)の化合物500mgを蒸着用モリ
ブデンボートに入れ、１×10-6mmHg以下に排気
した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中
は真空室内の圧力が10-5mmHg以上に上昇しない
様にヒーターを制御しながら、0.2ミクロンの蒸
着膜を形成させた。 こうして作成した光デイスク記録体に実施例１
と同様の方法で情報を記憶させたところ、実施例
１と同様の鮮明なピツトが認められ、また実施例
１と同様の方法で情報を再生したが、この際十分
なＳ／Ｎ比を有する波形が認められた。 実施例 ８ 前述の化合物No.(5)の化合物を実施例７と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、0.2
ミクロンの記録層を有する光デイスク記録体を作
成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。 実施例 ９ 前述の化合物No.（13）の化合物を実施例７と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、
0.2ミクロンの記録層を有する光デイスク記録体
を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法
で情報を記憶させてから再生したところ、十分な
Ｓ／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を
書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピツトが形成されてい
た。
第１図および第２図は、本発明の光デイスク記
録体の断面図で、第３図はこの光デイスク記録体
の実施態様を示す説明図である。 １……基板、２……有機被膜、３……反射層、
４……レーザ光線、５……ピツト。
録体の断面図で、第３図はこの光デイスク記録体
の実施態様を示す説明図である。 １……基板、２……有機被膜、３……反射層、
４……レーザ光線、５……ピツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式(1)で示される化合物を含有する有
機被膜を有することを特徴とする光学記録媒体。 一般式(1) （式中、R1、R2、R3、R4およびR5は、水素原
子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もし
くは未置換のアリール基、置換もしくは未置換の
スチリル基又は置換もしくは未置換の複素環基を
示す。ｍは、０又は１であり、ｎは０、１又は２
である。Ｘは、陰イオンである。）
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57102579A JPS58219090A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 光学記録媒体 |
| US07/512,587 US5079127A (en) | 1982-04-06 | 1989-04-24 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US07/512,588 US5079128A (en) | 1982-04-06 | 1990-04-24 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US07/769,636 US5246814A (en) | 1982-04-06 | 1991-10-01 | Process for recording on optical recording medium |
| US07/769,397 US5278026A (en) | 1982-04-06 | 1991-10-01 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US08/086,113 US5320930A (en) | 1982-04-06 | 1993-07-06 | Optical recording medium and process for recording thereon |
| US08/221,904 US5382497A (en) | 1982-04-06 | 1994-04-01 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57102579A JPS58219090A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 光学記録媒体 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4071276A Division JPH05169822A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 光学記録媒体の製造方法 |
| JP4071271A Division JPH05169821A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58219090A JPS58219090A (ja) | 1983-12-20 |
| JPH0126879B2 true JPH0126879B2 (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=14331132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57102579A Granted JPS58219090A (ja) | 1982-04-06 | 1982-06-14 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58219090A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4581317A (en) * | 1984-03-01 | 1986-04-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Optical recording element |
| DE3537539A1 (de) * | 1984-10-23 | 1986-04-24 | Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Optisches informationsaufzeichnungsmaterial |
| JPS61100496A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS62239437A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7905914A (nl) * | 1979-08-01 | 1981-02-03 | Philips Nv | Kleurstof bevattend laagje van een filmvormend polymeer bindmiddel en toepassing ervan in een informatie- registratieeelement. |
| JPS56109357A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-29 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | Electrophotographic material |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP57102579A patent/JPS58219090A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58219090A (ja) | 1983-12-20 |
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