JPH05230B2 - - Google Patents
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- JPH05230B2 JPH05230B2 JP57077676A JP7767682A JPH05230B2 JP H05230 B2 JPH05230 B2 JP H05230B2 JP 57077676 A JP57077676 A JP 57077676A JP 7767682 A JP7767682 A JP 7767682A JP H05230 B2 JPH05230 B2 JP H05230B2
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
本発明は、レーザ特に半導体レーザによる書込
み記録に適した光学記録媒体に関し、詳しくは光
デイスク技術に用いうる改善された光学記録媒体
に関するものである。 一般に、光デイスクは、基体の上に設けた薄い
記録層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約1μ）ピツトをらせん状又は円形のト
ラツク形態にして高密度情報を記録することがで
きる。この様なデイスクに情報を書込むには、レ
ーザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、こ
のレーザ光線が照射された表面のみがピツトを形
成し、このピツトをらせん状又は円形トラツクの
形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネ
ルギーを吸収して光学的に検出可能なピツトを形
成できる。例えば、ヒートモード記録方式では、
レーザ感応層は熱エネルギーを吸収し、その個所
に蒸発又は融解により小さな凹部（ピツト）を形
成できる。また、別のヒートモード記録方式で
は、照射されたレーザ・エネルギーの吸収によ
り、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有す
るピツトを形成できる。 この光デイスクに記録された情報は、レーザを
トラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された部
分とピツトが形成されていない部分の光学的変化
を読み取ることによつて検出される。例えば、レ
ーザがトラツクに沿つて走査され、デイスクによ
り反射されたエネルギーがフオトデイテクターに
よつてモニターされる。ピツトが形成されていな
い時、フオトデイテクターの出力は低下し、一方
ピツトが形成されている時はレーザ光線は下層の
反射面によつて充分に反射されフオトデイテクタ
ーの出力は大きくなる。 この様な光デイスクに用いる記録媒体として、
これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビ
スマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたもの
が提案されている。これらの薄膜は、一般に350
〜800nm付近の波長光で感応性であるとともに、
レーザ光に対する反射率が高いため、レーザ光の
利用率が低いなどの欠点がある。 この様なことから、近年比較的長波長（例えば
780nm以上）の光エネルギーで光学的な物性変化
可能な有機薄膜の研究がなされている。この様な
有機薄膜は、例えば発振波長が830nm付近の半導
体レーザによりピツトを形成できる点で有効なも
のである。 しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機
化合物は、熱に対して不安定で、しかも昇華性の
点でも技術的な問題点があるなどから、必ずしも
特性上、満足できる有機薄膜が開発されているも
のとは言えないのが現状である。 本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機
薄膜を有する光学記録媒体を提供することにあ
る。 本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機薄
膜を有する光学記録媒体を提供することにある。 本発明の更に別の目的は、有機薄膜に形成した
ピツトを高いＳ／Ｎ比で再生することができる光
学記録媒体を提供することにある。 本発明の光学記録媒体は、下記一般式(1)で示さ
れるポリメチン化合物の少なくとも一種を含有す
る有機薄膜を有することを特徴とするものであ
る。 式中、R1およびR2は、アルキル基（例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プ
ロピル基、ｎーブチル基、sec−ブチル基、iso−
ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−ア
ミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−
オクチル基など）、置換アルキル基（例えは２−
ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル
基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエ
チル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエ
チル基、３−カルボキシプロピル基、２−スルホ
エチル基、３−スルホプロピル基、４−スルホブ
チル基、３−スルフエートプロピル基、４−スル
フエートブチル基、Ｎ−（メチルスルホニル）−カ
ルバミルメチル基、３−（アセチルスルフアミル）
プロピル基、４−（アセチルスルフアミル）ブチ
ル基など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘ
キシル基など）、アリル基（CH2＝CH−CH2−）
などのアルケニル基、アラルキル基（例えば、ベ
ンジル基、フエネチル基、α−ナフチルメチル
基、β−ナフチルメチル基など）、置換アラルキ
ル基（例えば、カルボキシベンジル基、スルホベ
ンジル基、ヒドロキシベンジル基など）、アリー
ル基（例えばフエニル基など）または置換アリー
ル基（例えば、カルボキシフエニル基、スルホフ
エニル基、ヒドロキシフエニル基など）を示す。 Z1およびZ2は、置換または未置換の複素環、例
えば、チアゾール系列の核（例えばチアゾール、
４−メチルチアゾール、４−フエニルチアゾー
ル、５−メチルチアゾール、５−フエニルチアゾ
ール、４，５−ジメチルチアゾール、４，５−ジ
フエニルチアゾール、４−（２−チエニル）−チア
ゾールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例え
ばベンゾチアゾール、５−クロロベンゾチアゾー
ル、５−メチルベンゾチアゾール、６−メチルベ
ンゾチアゾール、５，６−ジメチルベンゾチアゾ
ール、５−ブロモベンゾチアゾール、５−フエニ
ルベンゾチアゾール、５−メトキシベンゾチアゾ
ール、６−メトキシベンゾチアゾール、５，６−
ジメトキシベンゾチアゾール、５，６−ジオキシ
メチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベン
ゾチアゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾー
ル、４，５，６，７−テトラヒドロベンゾチアゾ
ールなど）、ナフトチアゾール系列の核（例えば
ナフト〔２，１−ｄ〕チアゾール、ナフト〔１，
２−ｄ〕チアゾール、５−メトキシナフト〔１，
２−ｄ〕チアゾール、５−エトキシナフト〔１，
２−ｄ〕チアゾール、８−メトキシナフト〔２，
１−ｄ〕チアゾール、７−メトキシナフト〔２，
１−ｄ〕チアゾールなど）、チオナフテン〔７，
６−ｄ〕チアゾール系列の核（例えば７−メトキ
シチオナフテン〔７，６−ｄ〕チアゾール）、オ
キサゾール系列の核（例えば４−メチルオキサゾ
ール、５−メチルオキサゾール、４−フエニルオ
キサゾール、４，５−ジフエニルオキサゾール、
４−エチルオキサゾール、４，５−ジメチルオキ
サゾール、５−フエニルオキサゾール）、ベンゾ
オキサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾー
ル、５−クロロベンゾオキサゾール、５−メチル
ベンゾオキサゾール、５−フエニルベンゾオキサ
ゾール、６−メチルベンゾオキサゾール、５，６
−ジメチルベンゾオキサゾール、５−メトキシベ
ンゾオキサゾール、６−メトキシベンゾオキサゾ
ール、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、６−
ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフトオ
キサゾール系列の核（例えばナフト〔２，１−
ｄ〕オキサゾール、ナフト〔１，２−ｄ〕オキサ
ゾールなど）、セレナゾール系列の核（例えば４
−メチルセレナゾール、４−フエニルセレナゾー
ルなど）、ベンゾセレナゾール系列の核（例えば
ベンゾセレナゾール、５−クロロベンゾセレナゾ
ール、５−メチルベンゾセレナゾール、５，６−
ジメチルベンゾセレナゾール、５−メトキシベン
ゾセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベン
ゾセレナゾール、５，６−ジオキシメチレンベン
ゾセレナゾール、５−ヒドロキシベンゾセレナゾ
ール、４，５，６，７−テトラヒドロベンゾセレ
ナゾールなど）、ナフトセレナゾール系列の核
（例えばナフト〔２，１−ｄ〕セレナゾール、ナ
フト〔１，２−ｄ〕セレナゾール、チアゾリン系
列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチアゾリ
ン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリ
ン、４，４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリン
など）、オキサゾリン系列の核（例えばオキサゾ
リン）、セレナゾリン系列の核（例えばセレナゾ
リン）、２−キノリン系列の核（例えばキノリン、
６−メチルキノリン、６−クロロキノリン、６−
メトキシキノリン、６−エトキシキノリン、６−
ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系列の核
（例えばキノリン、６−メトキシキノリン、７−
メチルキノリン、８−メチルキノリン）、１−イ
ソキノリン系列の核（例えばイソキノリン、３，
４−ジヒドロイソキノリン）、３−イソキノリン
系列の核（例えばイソキノリン）、３，３−ジア
ルキルインドレニン系列の核（例えば３，３−ジ
メチルインドレニン、３，３−ジメチル−５−ク
ロロインドレニン、３，３，５−トリメチルイン
ドレニン、３，３，７−トリメチルインドレニ
ン）、ピリジン系列の核（例えばピリジン、５−
メチルピリジン）、ベンゾイミダゾール系列の核
（例えば１−エチル−５，６−ジクロロベンゾイ
ミダゾール、１−ヒドロキシエチル−５，６−ジ
クロロベンゾイミダゾール、１−エチル−５−ク
ロロベンゾイミダゾール、１−エチル−５，６−
ジブロモベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
フエニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
フルオロベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
シアノベンゾイミダゾール、１−（β−アセトキ
シエチル）−５−シアノベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−クロロ−６−シアノベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５−フルオロ−６−シアノ
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−アセチル
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−カルボキ
シベンゾイミダゾール、１−エチル−５−エトキ
シカルボニルベンゾイミダゾール、１−エチル−
５−スルフアミルベンゾイミダゾール、１−エチ
ル−５−Ｎ−エチルスルフアミルベンゾイミダゾ
ール、１−エチル−５，６−ジフルオロベンゾイ
ミダゾール、１−エチル−５，６−ジシアノベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−エチルスルホ
ニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−メチ
ルスルホニルベンゾイミダゾール、１−エチル−
５−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−トリフルオロメチルスルホニルベ
ンゾイミダゾール、１−エチル−５−トリフルオ
ロメチルスルフイニルベンゾイミダゾールなど）
を完成するに必要な非金属原子群を表わす。 Z3は、５員環又は６員環を形成するに必要な原
子群を示し、好ましい５員環としては、例えば、
み記録に適した光学記録媒体に関し、詳しくは光
デイスク技術に用いうる改善された光学記録媒体
に関するものである。 一般に、光デイスクは、基体の上に設けた薄い
記録層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約1μ）ピツトをらせん状又は円形のト
ラツク形態にして高密度情報を記録することがで
きる。この様なデイスクに情報を書込むには、レ
ーザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、こ
のレーザ光線が照射された表面のみがピツトを形
成し、このピツトをらせん状又は円形トラツクの
形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネ
ルギーを吸収して光学的に検出可能なピツトを形
成できる。例えば、ヒートモード記録方式では、
レーザ感応層は熱エネルギーを吸収し、その個所
に蒸発又は融解により小さな凹部（ピツト）を形
成できる。また、別のヒートモード記録方式で
は、照射されたレーザ・エネルギーの吸収によ
り、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有す
るピツトを形成できる。 この光デイスクに記録された情報は、レーザを
トラツクに沿つて走査し、ピツトが形成された部
分とピツトが形成されていない部分の光学的変化
を読み取ることによつて検出される。例えば、レ
ーザがトラツクに沿つて走査され、デイスクによ
り反射されたエネルギーがフオトデイテクターに
よつてモニターされる。ピツトが形成されていな
い時、フオトデイテクターの出力は低下し、一方
ピツトが形成されている時はレーザ光線は下層の
反射面によつて充分に反射されフオトデイテクタ
ーの出力は大きくなる。 この様な光デイスクに用いる記録媒体として、
これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビ
スマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたもの
が提案されている。これらの薄膜は、一般に350
〜800nm付近の波長光で感応性であるとともに、
レーザ光に対する反射率が高いため、レーザ光の
利用率が低いなどの欠点がある。 この様なことから、近年比較的長波長（例えば
780nm以上）の光エネルギーで光学的な物性変化
可能な有機薄膜の研究がなされている。この様な
有機薄膜は、例えば発振波長が830nm付近の半導
体レーザによりピツトを形成できる点で有効なも
のである。 しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機
化合物は、熱に対して不安定で、しかも昇華性の
点でも技術的な問題点があるなどから、必ずしも
特性上、満足できる有機薄膜が開発されているも
のとは言えないのが現状である。 本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機
薄膜を有する光学記録媒体を提供することにあ
る。 本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機薄
膜を有する光学記録媒体を提供することにある。 本発明の更に別の目的は、有機薄膜に形成した
ピツトを高いＳ／Ｎ比で再生することができる光
学記録媒体を提供することにある。 本発明の光学記録媒体は、下記一般式(1)で示さ
れるポリメチン化合物の少なくとも一種を含有す
る有機薄膜を有することを特徴とするものであ
る。 式中、R1およびR2は、アルキル基（例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プ
ロピル基、ｎーブチル基、sec−ブチル基、iso−
ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−ア
ミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−
オクチル基など）、置換アルキル基（例えは２−
ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル
基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエ
チル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエ
チル基、３−カルボキシプロピル基、２−スルホ
エチル基、３−スルホプロピル基、４−スルホブ
チル基、３−スルフエートプロピル基、４−スル
フエートブチル基、Ｎ−（メチルスルホニル）−カ
ルバミルメチル基、３−（アセチルスルフアミル）
プロピル基、４−（アセチルスルフアミル）ブチ
ル基など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘ
キシル基など）、アリル基（CH2＝CH−CH2−）
などのアルケニル基、アラルキル基（例えば、ベ
ンジル基、フエネチル基、α−ナフチルメチル
基、β−ナフチルメチル基など）、置換アラルキ
ル基（例えば、カルボキシベンジル基、スルホベ
ンジル基、ヒドロキシベンジル基など）、アリー
ル基（例えばフエニル基など）または置換アリー
ル基（例えば、カルボキシフエニル基、スルホフ
エニル基、ヒドロキシフエニル基など）を示す。 Z1およびZ2は、置換または未置換の複素環、例
えば、チアゾール系列の核（例えばチアゾール、
４−メチルチアゾール、４−フエニルチアゾー
ル、５−メチルチアゾール、５−フエニルチアゾ
ール、４，５−ジメチルチアゾール、４，５−ジ
フエニルチアゾール、４−（２−チエニル）−チア
ゾールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例え
ばベンゾチアゾール、５−クロロベンゾチアゾー
ル、５−メチルベンゾチアゾール、６−メチルベ
ンゾチアゾール、５，６−ジメチルベンゾチアゾ
ール、５−ブロモベンゾチアゾール、５−フエニ
ルベンゾチアゾール、５−メトキシベンゾチアゾ
ール、６−メトキシベンゾチアゾール、５，６−
ジメトキシベンゾチアゾール、５，６−ジオキシ
メチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベン
ゾチアゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾー
ル、４，５，６，７−テトラヒドロベンゾチアゾ
ールなど）、ナフトチアゾール系列の核（例えば
ナフト〔２，１−ｄ〕チアゾール、ナフト〔１，
２−ｄ〕チアゾール、５−メトキシナフト〔１，
２−ｄ〕チアゾール、５−エトキシナフト〔１，
２−ｄ〕チアゾール、８−メトキシナフト〔２，
１−ｄ〕チアゾール、７−メトキシナフト〔２，
１−ｄ〕チアゾールなど）、チオナフテン〔７，
６−ｄ〕チアゾール系列の核（例えば７−メトキ
シチオナフテン〔７，６−ｄ〕チアゾール）、オ
キサゾール系列の核（例えば４−メチルオキサゾ
ール、５−メチルオキサゾール、４−フエニルオ
キサゾール、４，５−ジフエニルオキサゾール、
４−エチルオキサゾール、４，５−ジメチルオキ
サゾール、５−フエニルオキサゾール）、ベンゾ
オキサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾー
ル、５−クロロベンゾオキサゾール、５−メチル
ベンゾオキサゾール、５−フエニルベンゾオキサ
ゾール、６−メチルベンゾオキサゾール、５，６
−ジメチルベンゾオキサゾール、５−メトキシベ
ンゾオキサゾール、６−メトキシベンゾオキサゾ
ール、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、６−
ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフトオ
キサゾール系列の核（例えばナフト〔２，１−
ｄ〕オキサゾール、ナフト〔１，２−ｄ〕オキサ
ゾールなど）、セレナゾール系列の核（例えば４
−メチルセレナゾール、４−フエニルセレナゾー
ルなど）、ベンゾセレナゾール系列の核（例えば
ベンゾセレナゾール、５−クロロベンゾセレナゾ
ール、５−メチルベンゾセレナゾール、５，６−
ジメチルベンゾセレナゾール、５−メトキシベン
ゾセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベン
ゾセレナゾール、５，６−ジオキシメチレンベン
ゾセレナゾール、５−ヒドロキシベンゾセレナゾ
ール、４，５，６，７−テトラヒドロベンゾセレ
ナゾールなど）、ナフトセレナゾール系列の核
（例えばナフト〔２，１−ｄ〕セレナゾール、ナ
フト〔１，２−ｄ〕セレナゾール、チアゾリン系
列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチアゾリ
ン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリ
ン、４，４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリン
など）、オキサゾリン系列の核（例えばオキサゾ
リン）、セレナゾリン系列の核（例えばセレナゾ
リン）、２−キノリン系列の核（例えばキノリン、
６−メチルキノリン、６−クロロキノリン、６−
メトキシキノリン、６−エトキシキノリン、６−
ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系列の核
（例えばキノリン、６−メトキシキノリン、７−
メチルキノリン、８−メチルキノリン）、１−イ
ソキノリン系列の核（例えばイソキノリン、３，
４−ジヒドロイソキノリン）、３−イソキノリン
系列の核（例えばイソキノリン）、３，３−ジア
ルキルインドレニン系列の核（例えば３，３−ジ
メチルインドレニン、３，３−ジメチル−５−ク
ロロインドレニン、３，３，５−トリメチルイン
ドレニン、３，３，７−トリメチルインドレニ
ン）、ピリジン系列の核（例えばピリジン、５−
メチルピリジン）、ベンゾイミダゾール系列の核
（例えば１−エチル−５，６−ジクロロベンゾイ
ミダゾール、１−ヒドロキシエチル−５，６−ジ
クロロベンゾイミダゾール、１−エチル−５−ク
ロロベンゾイミダゾール、１−エチル−５，６−
ジブロモベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
フエニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
フルオロベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
シアノベンゾイミダゾール、１−（β−アセトキ
シエチル）−５−シアノベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−クロロ−６−シアノベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５−フルオロ−６−シアノ
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−アセチル
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−カルボキ
シベンゾイミダゾール、１−エチル−５−エトキ
シカルボニルベンゾイミダゾール、１−エチル−
５−スルフアミルベンゾイミダゾール、１−エチ
ル−５−Ｎ−エチルスルフアミルベンゾイミダゾ
ール、１−エチル−５，６−ジフルオロベンゾイ
ミダゾール、１−エチル−５，６−ジシアノベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−エチルスルホ
ニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−メチ
ルスルホニルベンゾイミダゾール、１−エチル−
５−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−トリフルオロメチルスルホニルベ
ンゾイミダゾール、１−エチル−５−トリフルオ
ロメチルスルフイニルベンゾイミダゾールなど）
を完成するに必要な非金属原子群を表わす。 Z3は、５員環又は６員環を形成するに必要な原
子群を示し、好ましい５員環としては、例えば、
【式】であり、又６員環としては
【式】である。
但し、R6およびR7は、水素原子又はアルキル
基（メチル基、エチル基など）を示す。又、前述
の５員環又は６員環は、ベンゼン環、ナフタレン
環などの芳香族環と縮合していてもよい。R3は、
水素原子又はハロゲン原子（塩素原子、臭素原
子、沃素原子）を示す。 Ｘ は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化
物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、
メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロ
ピル硫酸塩イオンなどの酸アニオンを表わす。ｍ
およびｎは、０又は１である。 また、本発明において一般式(1)で示される化合
物は、環状メチン鎖を有する為に特に熱的な安定
性が高く好適に用いることができる。 次に前記一般式(1)で示されるポリメチン化合物
の具体例を下記に示す。 これらのポリメチン化合物は公知の方法、例え
ば活性メチル基を有するＮ複素環四級塩と、トリ
エトキシプロペン、ペンタジエンジアニル、イリ
ホロン、等とを苛性アルカリピリジン、ピペリジ
ン、トリアルキルアミン、無水酢酸等の縮合剤の
使用により一工程又は二工程の反応により合成す
ることができる。 本発明の光学記録媒体は、例えば第１図に示す
如き構造とすることができる。第１図に示す光学
記録媒体は、基板１の上に前記のポリメチン化合
物を含有させた有機薄膜２を設けることによつて
形成できる。 基板１としては、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリオレフイン樹脂、フエノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チツク、ガラスあるいは金属類などを用いること
ができる。有機薄膜２は、前述のポリメチン化合
物の真空蒸着によつて形成でき、またバインダー
中に前述のポリメチン化合物を含有させた塗工液
を基板１に塗工することによつて形成することが
できる。ポリメチン化合物をバインダーとともに
薄膜を形成させる際、ポリメチン化合物はバイン
ダー中で分散状態で含有されていてもよく、ある
いは非晶質状態で含有されていてもよい。ポリメ
チン化合物の好適なバインダーとしては、広範な
樹脂から選択することができる。具体的には、ニ
トロセルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロ
ース、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロー
ス、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロース、
パルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオン酸セ
ルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセルロー
スエステル類、メチルセルロース、エチルセルロ
ース、プロピルセルロース、ブチルセルロースな
どのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ
塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコ
ール、ポリビニルピロリドンなどのビニル樹脂
類、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン
−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタ
ジエン−アクリロニトリルポリマー、塩化ビニル
−塩化ビニリデンコポリマー、塩化ビニル−酢酸
ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポ
リブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロ
ニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテ
レフタレートなどのポリエステル類、ポリ（４，
4′−イソプロピリデン、ジフエニレン−コ−１，
４−シクロヘキシレンジメチレンカーボネート）、
ポリ（エチレンジオキシ−３，3′−フエニレンチ
オカーボネート）、ポリ（４，4′−イソプロピリ
デンジフエニレンカーボネート−コ−テレフタレ
ート）、ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエ
ニレンカーボネート）、ポリ（４，4′−sec−ブチ
リデンジフエニレンカーボネート）、ポリ（４，
4′−イソプロピリデンジフエニレンカーボネート
−ブロツク−オキシエチレン）などのポリアリレ
ート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド
類、エポキシ樹脂類、フエノール樹脂類、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンな
どのポリオレフイン類などを用いることができ
る。 塗工の際に使用する有機溶剤は、バインダーの
種類およびポリメチン化合物をバインダー中に分
散状態か非晶質状態の何れかによつて異なるが、
一般には、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどのアルコール類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホ
キシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭
素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化
炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロル
ベンゼンなどの芳香族類などを用いることができ
る。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行うことができる。 バインダーとともに有機薄膜２を形成する際、
ポリメチン化合物の含有量は、有機薄膜２中にお
いて、１〜90重量パーセント、好ましくは20〜70
重量パーセントである。また有機薄膜２の乾燥膜
厚は10ミクロン以下、好ましくは２ミクロン以下
である。 また、本発明の光学記録媒体は、第２図に示す
様に基板１と有機薄膜２の間に反射層３を設ける
ことができる。反射層３は、アルミニウム、銀、
クロムなどの反射性金属の蒸着層またはラミネー
ト層とすることができる。 有機薄膜２は、第３図に示す集束されたレーザ
光線４の照射によつてピツト５を形成することが
できる。ピツト５の深さを有機薄膜２の膜厚と同
一にすると、ピツト領域における反射率を増加さ
せることができる。読み出しの際、書込みに用い
たレーザ光線と同一の波長を有するが、強度の小
さいレーザ光線を用いれば、読み出し光がピツト
領域で大きく反射されるが、非ピツト領域におい
ては吸収される。また、別の方法は有機薄膜２が
吸収する第１の波長のレーザ光線で実時間書込み
を行い、読み出しに有機薄膜２を実質的に透過す
る第２の波長のレーザ光線を用いることである。
読み出しレーザ光線は、ピツト領域と非ピツト領
域における異なる膜厚によつて生じる反射相の変
化に応答することができる。 本発明の光学記録媒体は、アルゴンレーザ（発
振波長488nm）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振
波長633nm）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発
振波長442nm）などのガスレーザーの照射によつ
て記録することも可能であるが、好ましくは
750nm以上の波長を有するレーザ、特にガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザー（発振波長
780nm）などの近赤外あるいは赤外領域に発振波
長を有するレーザ光線の照射によつて記録する方
法が適している。また、読み出しのためには、前
述のレーザ光線を用いることができる。この際、
書込みと読み出しを同一波長のレーザで行うこと
ができ、また異なる波長のレーザで行うことがで
きる。 本発明によれば、十分に改善されたＳ／Ｎ比を
得ることができ、しかも本発明で用いる有機薄膜
は、相反則不軌が小さく、レーザ光線の如く強照
度エネルギー光線の利用度を高くすることができ
る。さらに、発振波長750nm以上の波長を有する
レーザ光線による記録を可能にすることができ
る。 以下、本発明を実施例に従つて詳細に説明す
る。 実施例 １ ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業(株)
製；オーハーレス・ラツカー：ニトロセルロース
25wt％のメチルエチルケトン溶液）12重量部、
No.(1)のポリメチン化合物３重量部およびメチルエ
チルケトン70重量部を混合し、十分に撹拌して溶
解した。この溶液をパイレツクス基板上にスピン
ナーコーテイング法により塗布した後、100℃で
２時間乾燥して、0.6g／m2の記録層を得た。 こうして作成した光学記録媒体をターンテーブ
ル上に取付け、ターンテーブルをモーターで
1800rpmの回転を与えながら、スポツトサイズ
1.0μmに集束した5mWおよび8MHzのガリウム−
アルミニウム−ヒ素半導体レーザ光線（発振波長
780nm）を記録層面にトラツク状で照射して記録
を行つた。 この記録された光デイスクの表面を走査型電子
顕微鏡で観察したところ、鮮明なピツトが認めら
れた。また、この光デイスクに低出力のガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザを入射し、反
射光の検知を行つたところ、十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が得られた。 実施例 ２ 実施例１で用いたNo.(1)のポリメチン化合物に代
えて、No.５のポリメチン化合物を用いたほかは、
実施例１と全く同様の方法で光学記録媒体を作成
してから、同様のレーザ光線を照射したところ、
実施例１と同様の結果が得られた。 実施例 ３〜７ 実施例１で用いたNo.(1)のポリメチン化合物に代
えて、No.６、７、８、９および10のポリメチン化
合物をそれぞれ用いたほかは、実施例１と全く同
様の方法で光学記録媒体を作成してから、同様に
レーザ光線を照射したところ、実施例１と同様の
結果が得られた。
基（メチル基、エチル基など）を示す。又、前述
の５員環又は６員環は、ベンゼン環、ナフタレン
環などの芳香族環と縮合していてもよい。R3は、
水素原子又はハロゲン原子（塩素原子、臭素原
子、沃素原子）を示す。 Ｘ は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化
物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、
メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロ
ピル硫酸塩イオンなどの酸アニオンを表わす。ｍ
およびｎは、０又は１である。 また、本発明において一般式(1)で示される化合
物は、環状メチン鎖を有する為に特に熱的な安定
性が高く好適に用いることができる。 次に前記一般式(1)で示されるポリメチン化合物
の具体例を下記に示す。 これらのポリメチン化合物は公知の方法、例え
ば活性メチル基を有するＮ複素環四級塩と、トリ
エトキシプロペン、ペンタジエンジアニル、イリ
ホロン、等とを苛性アルカリピリジン、ピペリジ
ン、トリアルキルアミン、無水酢酸等の縮合剤の
使用により一工程又は二工程の反応により合成す
ることができる。 本発明の光学記録媒体は、例えば第１図に示す
如き構造とすることができる。第１図に示す光学
記録媒体は、基板１の上に前記のポリメチン化合
物を含有させた有機薄膜２を設けることによつて
形成できる。 基板１としては、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリオレフイン樹脂、フエノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チツク、ガラスあるいは金属類などを用いること
ができる。有機薄膜２は、前述のポリメチン化合
物の真空蒸着によつて形成でき、またバインダー
中に前述のポリメチン化合物を含有させた塗工液
を基板１に塗工することによつて形成することが
できる。ポリメチン化合物をバインダーとともに
薄膜を形成させる際、ポリメチン化合物はバイン
ダー中で分散状態で含有されていてもよく、ある
いは非晶質状態で含有されていてもよい。ポリメ
チン化合物の好適なバインダーとしては、広範な
樹脂から選択することができる。具体的には、ニ
トロセルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロ
ース、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロー
ス、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロース、
パルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオン酸セ
ルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセルロー
スエステル類、メチルセルロース、エチルセルロ
ース、プロピルセルロース、ブチルセルロースな
どのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ
塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコ
ール、ポリビニルピロリドンなどのビニル樹脂
類、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン
−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタ
ジエン−アクリロニトリルポリマー、塩化ビニル
−塩化ビニリデンコポリマー、塩化ビニル−酢酸
ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポ
リブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロ
ニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテ
レフタレートなどのポリエステル類、ポリ（４，
4′−イソプロピリデン、ジフエニレン−コ−１，
４−シクロヘキシレンジメチレンカーボネート）、
ポリ（エチレンジオキシ−３，3′−フエニレンチ
オカーボネート）、ポリ（４，4′−イソプロピリ
デンジフエニレンカーボネート−コ−テレフタレ
ート）、ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエ
ニレンカーボネート）、ポリ（４，4′−sec−ブチ
リデンジフエニレンカーボネート）、ポリ（４，
4′−イソプロピリデンジフエニレンカーボネート
−ブロツク−オキシエチレン）などのポリアリレ
ート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド
類、エポキシ樹脂類、フエノール樹脂類、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンな
どのポリオレフイン類などを用いることができ
る。 塗工の際に使用する有機溶剤は、バインダーの
種類およびポリメチン化合物をバインダー中に分
散状態か非晶質状態の何れかによつて異なるが、
一般には、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどのアルコール類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホ
キシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭
素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化
炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロル
ベンゼンなどの芳香族類などを用いることができ
る。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行うことができる。 バインダーとともに有機薄膜２を形成する際、
ポリメチン化合物の含有量は、有機薄膜２中にお
いて、１〜90重量パーセント、好ましくは20〜70
重量パーセントである。また有機薄膜２の乾燥膜
厚は10ミクロン以下、好ましくは２ミクロン以下
である。 また、本発明の光学記録媒体は、第２図に示す
様に基板１と有機薄膜２の間に反射層３を設ける
ことができる。反射層３は、アルミニウム、銀、
クロムなどの反射性金属の蒸着層またはラミネー
ト層とすることができる。 有機薄膜２は、第３図に示す集束されたレーザ
光線４の照射によつてピツト５を形成することが
できる。ピツト５の深さを有機薄膜２の膜厚と同
一にすると、ピツト領域における反射率を増加さ
せることができる。読み出しの際、書込みに用い
たレーザ光線と同一の波長を有するが、強度の小
さいレーザ光線を用いれば、読み出し光がピツト
領域で大きく反射されるが、非ピツト領域におい
ては吸収される。また、別の方法は有機薄膜２が
吸収する第１の波長のレーザ光線で実時間書込み
を行い、読み出しに有機薄膜２を実質的に透過す
る第２の波長のレーザ光線を用いることである。
読み出しレーザ光線は、ピツト領域と非ピツト領
域における異なる膜厚によつて生じる反射相の変
化に応答することができる。 本発明の光学記録媒体は、アルゴンレーザ（発
振波長488nm）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振
波長633nm）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発
振波長442nm）などのガスレーザーの照射によつ
て記録することも可能であるが、好ましくは
750nm以上の波長を有するレーザ、特にガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザー（発振波長
780nm）などの近赤外あるいは赤外領域に発振波
長を有するレーザ光線の照射によつて記録する方
法が適している。また、読み出しのためには、前
述のレーザ光線を用いることができる。この際、
書込みと読み出しを同一波長のレーザで行うこと
ができ、また異なる波長のレーザで行うことがで
きる。 本発明によれば、十分に改善されたＳ／Ｎ比を
得ることができ、しかも本発明で用いる有機薄膜
は、相反則不軌が小さく、レーザ光線の如く強照
度エネルギー光線の利用度を高くすることができ
る。さらに、発振波長750nm以上の波長を有する
レーザ光線による記録を可能にすることができ
る。 以下、本発明を実施例に従つて詳細に説明す
る。 実施例 １ ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業(株)
製；オーハーレス・ラツカー：ニトロセルロース
25wt％のメチルエチルケトン溶液）12重量部、
No.(1)のポリメチン化合物３重量部およびメチルエ
チルケトン70重量部を混合し、十分に撹拌して溶
解した。この溶液をパイレツクス基板上にスピン
ナーコーテイング法により塗布した後、100℃で
２時間乾燥して、0.6g／m2の記録層を得た。 こうして作成した光学記録媒体をターンテーブ
ル上に取付け、ターンテーブルをモーターで
1800rpmの回転を与えながら、スポツトサイズ
1.0μmに集束した5mWおよび8MHzのガリウム−
アルミニウム−ヒ素半導体レーザ光線（発振波長
780nm）を記録層面にトラツク状で照射して記録
を行つた。 この記録された光デイスクの表面を走査型電子
顕微鏡で観察したところ、鮮明なピツトが認めら
れた。また、この光デイスクに低出力のガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザを入射し、反
射光の検知を行つたところ、十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が得られた。 実施例 ２ 実施例１で用いたNo.(1)のポリメチン化合物に代
えて、No.５のポリメチン化合物を用いたほかは、
実施例１と全く同様の方法で光学記録媒体を作成
してから、同様のレーザ光線を照射したところ、
実施例１と同様の結果が得られた。 実施例 ３〜７ 実施例１で用いたNo.(1)のポリメチン化合物に代
えて、No.６、７、８、９および10のポリメチン化
合物をそれぞれ用いたほかは、実施例１と全く同
様の方法で光学記録媒体を作成してから、同様に
レーザ光線を照射したところ、実施例１と同様の
結果が得られた。
第１図および第２図は本発明の光学記録媒体の
断面図、第３図は本発明の光学記録媒体を用いた
実施態様を示す説明図である。 １……基板、２……有機薄膜、３……反射層、
４……レーザ光線、５……ピツト。
断面図、第３図は本発明の光学記録媒体を用いた
実施態様を示す説明図である。 １……基板、２……有機薄膜、３……反射層、
４……レーザ光線、５……ピツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式(1)で示されるポリメチン化合物の
少なくとも一種を含有する有機薄膜を有すること
を特徴とする光学記録媒体。 一般式(1) （上記式中、R1およびR2は置換もしくは未置
換のアルキル基、置換もしくは未置換のアラルキ
ル基又は置換もしくは未置換のアルケニル基を示
す。Z1およびZ2は、置換もしくは未置換の複素環
を完成するに必要な原子群を示す。Z3は置換もし
くは未置換の５員環もしくは６員環を完成するに
必要な原子群を示し、前記５員環もしくは６員環
は芳香族環と縮合していてもよい。R3は水素原
子又はハロゲン原子を示す。Ｘ は酸アニオンを
示す。ｍおよびｎは０又は１である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57077676A JPS58194595A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57077676A JPS58194595A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194595A JPS58194595A (ja) | 1983-11-12 |
| JPH05230B2 true JPH05230B2 (ja) | 1993-01-05 |
Family
ID=13640482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57077676A Granted JPS58194595A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194595A (ja) |
Families Citing this family (142)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967092A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-16 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS5971895A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-23 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPH0632996B2 (ja) * | 1984-04-24 | 1994-05-02 | 三井東圧化学株式会社 | 光記録方法 |
| JPS61102292A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-20 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| CA1241196A (en) * | 1985-04-08 | 1988-08-30 | Hoechst Celanese Corporation | Optical data storage medium having highly reflective organic information layer |
| JPS6236469A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-17 | Nippon Kayaku Co Ltd | インドレニン化合物及びそれを含有する光記録媒体 |
| JPS6250187A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Nippon Kayaku Co Ltd | 耐光堅牢度向上法 |
| JPS62239437A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6440386A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | Taiyo Yuden Kk | Optical data recording medium |
| JPS6440384A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | Taiyo Yuden Kk | Optical data recording medium |
| JPH074978B2 (ja) * | 1987-08-05 | 1995-01-25 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
| JPH074977B2 (ja) * | 1987-08-05 | 1995-01-25 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
| JPH07118094B2 (ja) * | 1987-10-02 | 1995-12-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 情報記録媒体 |
| WO1996002021A1 (en) * | 1994-07-11 | 1996-01-25 | Konica Corporation | Original form for lithographic plate and process for preparing lithographic plate |
| JP2640219B2 (ja) * | 1994-11-29 | 1997-08-13 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| EP1872943B1 (en) | 1999-05-21 | 2009-08-12 | FUJIFILM Corporation | Photosensitive composition and planographic printing plate base using same |
| JP4469927B2 (ja) | 2000-05-23 | 2010-06-02 | Ｄｉｃ株式会社 | 感光性組成物およびこれを用いた平版印刷版原版、画像形成方法 |
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