JPH01272162A - 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法Info
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- JPH01272162A JPH01272162A JP10174588A JP10174588A JPH01272162A JP H01272162 A JPH01272162 A JP H01272162A JP 10174588 A JP10174588 A JP 10174588A JP 10174588 A JP10174588 A JP 10174588A JP H01272162 A JPH01272162 A JP H01272162A
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- Japan
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- gate wiring
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- hydrofluoric acid
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示器等に利用
される薄膜トランジスタアレイ、特にそのゲート配線の
接続端子に関するものである。
される薄膜トランジスタアレイ、特にそのゲート配線の
接続端子に関するものである。
１隻数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴという。
）と、この各ＴＰＴのゲート電極を連結させたゲート配
線と、ソース電極を連結させたソース配線とからなる薄
膜トランジスタアレイでは、上記ゲート配線とソース配
線の交差部、ゲート電極とソース電極の重なり部あるい
はゲート電極とドレイン電極の重なり部の絶縁層が絶縁
不良を生じるという問題がある。
線と、ソース電極を連結させたソース配線とからなる薄
膜トランジスタアレイでは、上記ゲート配線とソース配
線の交差部、ゲート電極とソース電極の重なり部あるい
はゲート電極とドレイン電極の重なり部の絶縁層が絶縁
不良を生じるという問題がある。
上記問題を解決するため、ゲート配線にＴａ（タンタル
）を用い、このＴａを陽極酸化して絶縁性の陽極酸化膜
を形成し、上記絶縁不良を低減しようとする試みが従来
から行われている。
）を用い、このＴａを陽極酸化して絶縁性の陽極酸化膜
を形成し、上記絶縁不良を低減しようとする試みが従来
から行われている。
第３図は、上記構造を有するＴＦＴアレイの一部を示し
た断面図である。同図において、１ａはゲート配線（図
示せず）に接続されたゲート電極でありＴａにより形成
されている。３ａはゲート絶縁層、３ｂは保護絶縁層で
あり、両者とも窒化シリコンまたは酸化シリコンにより
形成されている。５ａはソース配線、５ｂは表示電極で
あり、両者とも透明導電層により形成されている。５Ｃ
はソース電極、５ｄはドレイン電極であり、両者は同一
材料により形成されている。７は絶縁性基板、９は陽極
酸化膜、１０は半導体層である。
た断面図である。同図において、１ａはゲート配線（図
示せず）に接続されたゲート電極でありＴａにより形成
されている。３ａはゲート絶縁層、３ｂは保護絶縁層で
あり、両者とも窒化シリコンまたは酸化シリコンにより
形成されている。５ａはソース配線、５ｂは表示電極で
あり、両者とも透明導電層により形成されている。５Ｃ
はソース電極、５ｄはドレイン電極であり、両者は同一
材料により形成されている。７は絶縁性基板、９は陽極
酸化膜、１０は半導体層である。
第４図は上記ＴＦＴアレイのゲート配線の接続端子部を
示した断面図である。同図において、１はＴａにより形
成されたＴａゲート配線であり、第３図のゲート電極１
ａと連結している。３は上記ゲート絶縁層または保護絶
縁層により形成された絶縁層であり、４はこの絶縁層に
設けられた開口部である。６はこの開口部４を通じてゲ
ート配線１に接続されたゲート配線１の接続端子であり
、金属層により形成されている。
示した断面図である。同図において、１はＴａにより形
成されたＴａゲート配線であり、第３図のゲート電極１
ａと連結している。３は上記ゲート絶縁層または保護絶
縁層により形成された絶縁層であり、４はこの絶縁層に
設けられた開口部である。６はこの開口部４を通じてゲ
ート配線１に接続されたゲート配線１の接続端子であり
、金属層により形成されている。
［解決しようとする課題］
窒化シリコン層または酸化シリコン層により形成された
絶縁層３の開口部４は緩衝フッ酸溶液でエツチングする
ことにより得られる。ところがエツチングを行なうとき
Ｔａゲート配線１に亀裂が生じ、膜はがれ等が生じるこ
とがあり、歩留りを著しく低下させていた。上記現象は
、ゲート配線にＴａを用いていることに起因している。
絶縁層３の開口部４は緩衝フッ酸溶液でエツチングする
ことにより得られる。ところがエツチングを行なうとき
Ｔａゲート配線１に亀裂が生じ、膜はがれ等が生じるこ
とがあり、歩留りを著しく低下させていた。上記現象は
、ゲート配線にＴａを用いていることに起因している。
本発明は上記従来の課題に対しなされたものであり、ゲ
ート配線にＴａを用いても膜はがれ等が生じないゲート
配線の接続端子の構成を提供することを目的としている
。
ート配線にＴａを用いても膜はがれ等が生じないゲート
配線の接続端子の構成を提供することを目的としている
。
［課題を解決するための手段］
本発明は、Ｔａ（タンタル）ゲート配線と、このＴａゲ
ート配線に緩衝フッ酸溶液に対して耐性のある第１の金
属層を接続し、上記Ｔａゲート配線と第１の金属層を被
覆する窒化シリコンまたは酸化シリコンにより形成され
た絶縁層と、第１の金属層上の上記絶縁層に設けられた
開口部と、この開口部を通して第１の金属層に接続され
た第２の金属層とからなり、第２の金属層を外部回路と
の接続端子とすることにより、上記課題の解決を図るも
のである。
ート配線に緩衝フッ酸溶液に対して耐性のある第１の金
属層を接続し、上記Ｔａゲート配線と第１の金属層を被
覆する窒化シリコンまたは酸化シリコンにより形成され
た絶縁層と、第１の金属層上の上記絶縁層に設けられた
開口部と、この開口部を通して第１の金属層に接続され
た第２の金属層とからなり、第２の金属層を外部回路と
の接続端子とすることにより、上記課題の解決を図るも
のである。
［実施例］
以下、図面に基いて本発明の一実施例の説明を行う。
第１図において、１はＴａゲート配線、２はこのゲート
配ｔ！ｊｌｌに接続された第１の金属層、３は窒化シリ
コンまたは酸化シリコンにより形成された絶縁層、４は
この絶縁層３に設けられた開口部、５は第２の金属層か
らなる接続端子であり、上記開口部４を通して第１の金
属層２に接続されており、これにより外部回路とゲート
配線１の接続を行っている。
配ｔ！ｊｌｌに接続された第１の金属層、３は窒化シリ
コンまたは酸化シリコンにより形成された絶縁層、４は
この絶縁層３に設けられた開口部、５は第２の金属層か
らなる接続端子であり、上記開口部４を通して第１の金
属層２に接続されており、これにより外部回路とゲート
配線１の接続を行っている。
上記第１の金属層には、開口部４を形成するときに用い
る緩衝フッ酸溶液に対して耐性があり、かつ被酸化性の
ない金属を用いることが好ましく、例えば、ＣｒＳＭｏ
、Ｗあるいはこれらの合金を用いることができる。
る緩衝フッ酸溶液に対して耐性があり、かつ被酸化性の
ない金属を用いることが好ましく、例えば、ＣｒＳＭｏ
、Ｗあるいはこれらの合金を用いることができる。
また上記接続端子５はソースおよびドレイン電極ツバタ
ーニング時、ソース配線のパターニング時あるいは表示
電極のパターニング時に同時にパターニング時 しい。従って接続端子５には、ソースおよびドレイン電
極材料（例えば（：１．Ｍｏ、Ｔｉ、ＡＩ。
ーニング時、ソース配線のパターニング時あるいは表示
電極のパターニング時に同時にパターニング時 しい。従って接続端子５には、ソースおよびドレイン電
極材料（例えば（：１．Ｍｏ、Ｔｉ、ＡＩ。
あるいはこれらの合金）、ソース配線材料（例えばＣｒ
、Ｍｏ、Ｔｉ、ＡＩあるいはこれらの合金）または表示
電極材料（例えばＩＴＯ）を用いることが好ましい。
、Ｍｏ、Ｔｉ、ＡＩあるいはこれらの合金）または表示
電極材料（例えばＩＴＯ）を用いることが好ましい。
以上説明したように、上記実施例では、第１の金属層２
に緩衝フッ酸溶液に対して耐性のある金属を用いている
ため、緩衝フッ酸溶液により絶縁層３に開口部を形成す
るときに、第１の金属層に亀裂が生じることがない。
に緩衝フッ酸溶液に対して耐性のある金属を用いている
ため、緩衝フッ酸溶液により絶縁層３に開口部を形成す
るときに、第１の金属層に亀裂が生じることがない。
なお、Ｔａゲート配線１と第１の金属層２の接続部は、
第２図に示すように、上記第１図と逆であってもよい。
第２図に示すように、上記第１図と逆であってもよい。
本発明によれば、Ｔａゲート配線に耐緩衝フッ酸性の金
属層を接続し、この金属層上で絶縁層に開口部を設ける
ため、緩衝フッ酸溶液により金属層が冒されることはな
いため、従来に比べ歩留りが大幅に向上する。
属層を接続し、この金属層上で絶縁層に開口部を設ける
ため、緩衝フッ酸溶液により金属層が冒されることはな
いため、従来に比べ歩留りが大幅に向上する。
第１図は本発明の一実施例を示した断面図、第２図は他
の実施例を示した断面図、第３図は薄膜トランジスタア
レイの一部を示した断面図、第４図は従来例を示した断
面図である。 １・・・Ｔａゲート配線 ２・・・第１の金属層 ３・・・絶縁層 ４・・・開口部 ５・・・接続端子 以 上 出願人 株式会社 精 工 舎
の実施例を示した断面図、第３図は薄膜トランジスタア
レイの一部を示した断面図、第４図は従来例を示した断
面図である。 １・・・Ｔａゲート配線 ２・・・第１の金属層 ３・・・絶縁層 ４・・・開口部 ５・・・接続端子 以 上 出願人 株式会社 精 工 舎
Claims (1)
- Ｔａ（タンタル）ゲート配線と、このＴａゲート配線
に接続されており緩衝フッ酸溶液に対して耐性のある第
１の金属層と、上記Ｔａゲート配線と第１の金属層を被
覆する窒化シリコンまたは酸化シリコンにより形成され
た絶縁層と、第１の金属層上の上記絶縁層に設けられた
開口部と、この開口部を通して第１の金属層に接続され
た第２の金属層とからなり、第２の金属層を外部回路と
の接続端子とすることを特徴とする薄膜トランジスタア
レイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101745A JPH0716012B2 (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101745A JPH0716012B2 (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6134411A Division JPH07183539A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272162A true JPH01272162A (ja) | 1989-10-31 |
| JPH0716012B2 JPH0716012B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=14308783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63101745A Expired - Lifetime JPH0716012B2 (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0716012B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01296671A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Seikosha Co Ltd | 逆スタガー型シリコン薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH06169077A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nec Corp | 密着型イメージセンサおよびその製造方法 |
| JPH07183539A (ja) * | 1994-06-16 | 1995-07-21 | Seikosha Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
| EP0693463A1 (en) * | 1994-07-19 | 1996-01-24 | Corning Incorporated | Adhering a metal coating to a glass substrate |
| JP2001044439A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Nec Corp | トランジスタ及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083373A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイとその製造方法 |
| JPS61145530A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-03 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 |
| JPS6229981A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-02-07 | Teijin Ltd | サルコフア−ガ・レクチンの構造遺伝子 |
| JPS62299819A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示体の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP63101745A patent/JPH0716012B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083373A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイとその製造方法 |
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| JPS6229981A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-02-07 | Teijin Ltd | サルコフア−ガ・レクチンの構造遺伝子 |
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| JPH06169077A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nec Corp | 密着型イメージセンサおよびその製造方法 |
| JPH07183539A (ja) * | 1994-06-16 | 1995-07-21 | Seikosha Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
| EP0693463A1 (en) * | 1994-07-19 | 1996-01-24 | Corning Incorporated | Adhering a metal coating to a glass substrate |
| JP2001044439A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Nec Corp | トランジスタ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0716012B2 (ja) | 1995-02-22 |
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