JPH01273328A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01273328A JPH01273328A JP63102964A JP10296488A JPH01273328A JP H01273328 A JPH01273328 A JP H01273328A JP 63102964 A JP63102964 A JP 63102964A JP 10296488 A JP10296488 A JP 10296488A JP H01273328 A JPH01273328 A JP H01273328A
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- bonding
- metal wire
- semiconductor device
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- electrode pad
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体素子と外部リードとを超音波ワイヤボン
ディング法により金属ワイヤで接続した半導体装置に関
する。
ディング法により金属ワイヤで接続した半導体装置に関
する。
従来の半導体装置では、半導体素子の電極パッドと、外
部リードとを金属ワイヤで電気接続しているが、この金
属ワイヤの接続方法として超音波を利用したボンディン
グ法が用いられている。この超音波ボンディング法は、
電極パッドや外部リード上において金属ワイヤにボンデ
ィング装置のウェッジを押圧し、このウェッジに超音波
を印加することにより、金属ワイヤを押し潰して電極パ
ッドや外部リードに接続する方法である。
部リードとを金属ワイヤで電気接続しているが、この金
属ワイヤの接続方法として超音波を利用したボンディン
グ法が用いられている。この超音波ボンディング法は、
電極パッドや外部リード上において金属ワイヤにボンデ
ィング装置のウェッジを押圧し、このウェッジに超音波
を印加することにより、金属ワイヤを押し潰して電極パ
ッドや外部リードに接続する方法である。
第５図（ａ）及び（ｂ）は従来の超音波ボンディング法
により接続した状態を示し、図において１１は半導体素
子、１２はその電極パッド、１３は金属ワイヤであり、
１３ａはそのボンディング部である。また、第６図（ａ
）及び（ｂ）は外部リード１４における金属ワイヤ１３
のボンディング部１３ｂを示している。
により接続した状態を示し、図において１１は半導体素
子、１２はその電極パッド、１３は金属ワイヤであり、
１３ａはそのボンディング部である。また、第６図（ａ
）及び（ｂ）は外部リード１４における金属ワイヤ１３
のボンディング部１３ｂを示している。
ところで、上述した超音波ボンディング法により金属ワ
イヤを接続する半導体装置においては、金属ワイヤのボ
ンディング部における潰れ幅がボンディング強度と密接
な関係がある。即ち、２０〜３０μｍ程度の太さの金属
ワイヤのボンディングの潰れ幅が４０ｔ１ｍ以下の場合
には、金属ワイヤと電極パッド又は外部リードとの接続
が不十分となり、小さい引張力で金属ワイヤが外れてし
まう。また、潰れ幅が７０μｍ以上になると、金属ワイ
ヤのボンディングの厚さが極端に薄くなり、引張力によ
って金属ワイヤがボンディングから断線してしまう。
イヤを接続する半導体装置においては、金属ワイヤのボ
ンディング部における潰れ幅がボンディング強度と密接
な関係がある。即ち、２０〜３０μｍ程度の太さの金属
ワイヤのボンディングの潰れ幅が４０ｔ１ｍ以下の場合
には、金属ワイヤと電極パッド又は外部リードとの接続
が不十分となり、小さい引張力で金属ワイヤが外れてし
まう。また、潰れ幅が７０μｍ以上になると、金属ワイ
ヤのボンディングの厚さが極端に薄くなり、引張力によ
って金属ワイヤがボンディングから断線してしまう。
したがって、金属ワイヤのボンディングの幅を４０〜７
０μｍの範囲に管理することが好ましいが、上述した従
来の構造では、金属ワイヤ１３のボンディング１３ａ、
１３ｂは単に平坦に押し潰された形状をしているのみで
あるため、この幅を管理する目安や基準が存在せず、幅
の管理を行うことが難しく、ボンディング強度の高い接
続を行うことが困難にあるという問題がある。
０μｍの範囲に管理することが好ましいが、上述した従
来の構造では、金属ワイヤ１３のボンディング１３ａ、
１３ｂは単に平坦に押し潰された形状をしているのみで
あるため、この幅を管理する目安や基準が存在せず、幅
の管理を行うことが難しく、ボンディング強度の高い接
続を行うことが困難にあるという問題がある。
本発明はボンディングにおける幅の管理を容易に行うこ
とができ、強度の高いボンディングを実現可能とした半
導体装置を提供することを目的としている。
とができ、強度の高いボンディングを実現可能とした半
導体装置を提供することを目的としている。
本発明の半導体装置は、半導体素子の電極パッド及び外
部リードの夫々に超音波ボンディング法により接続した
金属ワイヤのボンディング部に、ボンディングの好まし
い潰れ幅の最大、最小に対応する長短の各凸条を幅方向
に形成している。
部リードの夫々に超音波ボンディング法により接続した
金属ワイヤのボンディング部に、ボンディングの好まし
い潰れ幅の最大、最小に対応する長短の各凸条を幅方向
に形成している。
〔作用］
上述した構成では、ボンディング部に表れる長短の凸条
を目安又は基準にしてボンディングの潰れ幅を確認でき
、ボンディング部の幅を好適に管理して半導体装置の信
顛性を向上する。
を目安又は基準にしてボンディングの潰れ幅を確認でき
、ボンディング部の幅を好適に管理して半導体装置の信
顛性を向上する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明の第１実施例を示し、第１図
（ａ）及び（ｂ）は半導体素子の電極パッドにおける金
属ワイヤのボンディング部の平面図及びその側面図、第
２図（ａ）及び（ｂ）は外部リードにおける金属ワイヤ
のボンディング部の平面図及びその側面図である。
（ａ）及び（ｂ）は半導体素子の電極パッドにおける金
属ワイヤのボンディング部の平面図及びその側面図、第
２図（ａ）及び（ｂ）は外部リードにおける金属ワイヤ
のボンディング部の平面図及びその側面図である。
これらの図において、１は半導体素子、２はその電極パ
ッドであり、金属ワイヤ３の一端をこの電極パッド２に
超音波ボンディング法により接続している。また、４は
外部リードであり、この外部リード４に前記金属ワイヤ
３の他端を超音波ボンディング法により接続している。
ッドであり、金属ワイヤ３の一端をこの電極パッド２に
超音波ボンディング法により接続している。また、４は
外部リードであり、この外部リード４に前記金属ワイヤ
３の他端を超音波ボンディング法により接続している。
そして、前記金属ワイヤ３の一端及び他端におけるボン
ディング部３ａ、３ｂは、超音波ボンディングにより押
し潰されているが、このボンディング部３ａ、３ｂには
幅方向に長短の２本の凸条５．６を形成している。長い
凸条５は７０μｍの長さに形成し、短い凸条６は４０μ
ｍの母さに形成している。これらの凸条５，６は、例え
ばボンディング装置側のウェッジ先端に対応する溝を形
成しておけば、金属ワイヤのボンディングを行うことに
より自然に形成される。
ディング部３ａ、３ｂは、超音波ボンディングにより押
し潰されているが、このボンディング部３ａ、３ｂには
幅方向に長短の２本の凸条５．６を形成している。長い
凸条５は７０μｍの長さに形成し、短い凸条６は４０μ
ｍの母さに形成している。これらの凸条５，６は、例え
ばボンディング装置側のウェッジ先端に対応する溝を形
成しておけば、金属ワイヤのボンディングを行うことに
より自然に形成される。
したがって、この構成では、金属ワイヤ３を電極パッド
２や外部リード４に接続したときには、そのボンディン
グ部３ａ、３ｂには７０μｍの凸条５と４０μｍの凸条
６とが表れるため、これを目視等によって観察すること
ができる。そして、これらの凸条５．６を目安又は基準
としてボンディング部の潰れ幅が好ましい範囲であるか
否かを判定することができ、ボンディングの信頬性が高
い半導体装置として管理することが可能となる。
２や外部リード４に接続したときには、そのボンディン
グ部３ａ、３ｂには７０μｍの凸条５と４０μｍの凸条
６とが表れるため、これを目視等によって観察すること
ができる。そして、これらの凸条５．６を目安又は基準
としてボンディング部の潰れ幅が好ましい範囲であるか
否かを判定することができ、ボンディングの信頬性が高
い半導体装置として管理することが可能となる。
第３図及び第４図は本発明の第２実施例を示しており、
第３図（ａ）及び（ｂ）は半導体素子の電極パッドにお
ける金属ワイヤのボンディング部の平面図及びその側面
図、第４図（ａ）及び（ｂ）は外部リードにおける金属
ワイヤのボンディング部の平面図及びその側面図である
。
第３図（ａ）及び（ｂ）は半導体素子の電極パッドにお
ける金属ワイヤのボンディング部の平面図及びその側面
図、第４図（ａ）及び（ｂ）は外部リードにおける金属
ワイヤのボンディング部の平面図及びその側面図である
。
この実施例では、金属ワイヤ３のボンディング部３ａ、
３ｂに形成する凸条を、７０μｍの凸状５Ａと、２本の
４０μｍの凸条６Ａ、６Ｂとで構成している。また、２
本の凸条６Ａ、６Ｂは外側の端部を夫々凸条５Ａの両端
と同一直線上に位置させている。
３ｂに形成する凸条を、７０μｍの凸状５Ａと、２本の
４０μｍの凸条６Ａ、６Ｂとで構成している。また、２
本の凸条６Ａ、６Ｂは外側の端部を夫々凸条５Ａの両端
と同一直線上に位置させている。
この凸条５Ａ、６Ａ、６Ｂを利用して、金属ワイヤ３の
ボンディング部の潰れ幅を管理することは第１実施例と
同じである。また、この実施例では２本の凸条６Ａ、６
Ｂの各外側端を特定していることにより、ボンディング
部３ａ、３ｂが幅方向に多少ばらついてもボンディング
部の幅の管理を確実かつ正確に行うことが可能となる。
ボンディング部の潰れ幅を管理することは第１実施例と
同じである。また、この実施例では２本の凸条６Ａ、６
Ｂの各外側端を特定していることにより、ボンディング
部３ａ、３ｂが幅方向に多少ばらついてもボンディング
部の幅の管理を確実かつ正確に行うことが可能となる。
なお、ボンディングの好ましい潰れ幅の寸法は、金属ワ
イヤの太さ等によって若干具なるため、これに対応させ
て長短の凸条の長さを適宜相違させることが好ましい。
イヤの太さ等によって若干具なるため、これに対応させ
て長短の凸条の長さを適宜相違させることが好ましい。
以上説明したように本発明は、金属ワイヤのボンディン
グ部に、ボンディングの好ましい潰れ幅の最大、最小に
対応する長短の各凸条を幅方向に形成しているので、こ
の長短の凸条を目安又は基準としてボンディング部の潰
れ幅が好ましい範囲であるか否かを判定することができ
、信頼性の高い半導体装置として構成することが可能と
なる。
グ部に、ボンディングの好ましい潰れ幅の最大、最小に
対応する長短の各凸条を幅方向に形成しているので、こ
の長短の凸条を目安又は基準としてボンディング部の潰
れ幅が好ましい範囲であるか否かを判定することができ
、信頼性の高い半導体装置として構成することが可能と
なる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施例の電極パ
ッドにおける金属ワイヤのボンディングの平面図と側面
図、第２図（ａ）及び（ｂ）は第１実施例の外部リード
における金属ワイヤのボンディングの平面図と側面図、
第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施例の電極パ
ッドにおける金属ワイヤのボンディングの平面図と側面
図、第４図（ａ）及び（ｂ）は第２実施例の外部リード
における金属ワイヤのボンディングの平面図と側面図、
第５図（ａ）及び（ｂ）は従来構造の電極パッドにおけ
る金属ワイヤのボンディングの平面図と側面図、第６図
（ａ）及び（ｂ）は従来構造の外部リードにおける金属
ワイヤのボンディングの平面図と側面図である。 １．１１・・・半導体素子、２，１２・・・電極パッド
、３．１３−・・金属ワイヤ、 ３ａ、３ｂ、１３ａ
。 １３ｂ・・・ボンディング部、４，１４・・・外部リー
ド、５．５Ａ・・・長い凸条、６．６Ａ、６Ｂ・・・短
い凸条。 、８） 第１図 （ｂ） （ａ） 第２図 （ｂ） ５図 （ｂ） ’１１ ６図 （ｂ）
ッドにおける金属ワイヤのボンディングの平面図と側面
図、第２図（ａ）及び（ｂ）は第１実施例の外部リード
における金属ワイヤのボンディングの平面図と側面図、
第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施例の電極パ
ッドにおける金属ワイヤのボンディングの平面図と側面
図、第４図（ａ）及び（ｂ）は第２実施例の外部リード
における金属ワイヤのボンディングの平面図と側面図、
第５図（ａ）及び（ｂ）は従来構造の電極パッドにおけ
る金属ワイヤのボンディングの平面図と側面図、第６図
（ａ）及び（ｂ）は従来構造の外部リードにおける金属
ワイヤのボンディングの平面図と側面図である。 １．１１・・・半導体素子、２，１２・・・電極パッド
、３．１３−・・金属ワイヤ、 ３ａ、３ｂ、１３ａ
。 １３ｂ・・・ボンディング部、４，１４・・・外部リー
ド、５．５Ａ・・・長い凸条、６．６Ａ、６Ｂ・・・短
い凸条。 、８） 第１図 （ｂ） （ａ） 第２図 （ｂ） ５図 （ｂ） ’１１ ６図 （ｂ）
Claims (1)
- １、半導体素子の電極パッド及び外部リードの夫々に金
属ワイヤを超音波ボンディング法により接続してなる半
導体装置において、前記金属ワイヤのボンディング部に
は、ボンディングの好ましい潰れ幅の最大、最小に対応
する長短の各凸条を幅方向に形成したことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63102964A JPH0748506B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63102964A JPH0748506B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273328A true JPH01273328A (ja) | 1989-11-01 |
| JPH0748506B2 JPH0748506B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=14341464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63102964A Expired - Lifetime JPH0748506B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748506B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5608855A (en) * | 1991-09-09 | 1997-03-04 | Hitachi, Ltd. | Method of and system for displaying three-dimensional curve on two-dimensional display device |
| JPWO2023058110A1 (ja) * | 2021-10-05 | 2023-04-13 |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP63102964A patent/JPH0748506B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5608855A (en) * | 1991-09-09 | 1997-03-04 | Hitachi, Ltd. | Method of and system for displaying three-dimensional curve on two-dimensional display device |
| JPWO2023058110A1 (ja) * | 2021-10-05 | 2023-04-13 | ||
| WO2023058110A1 (ja) * | 2021-10-05 | 2023-04-13 | 三菱電機株式会社 | ウェッジツール及び半導体装置の製造方法 |
| US12569929B2 (en) | 2021-10-05 | 2026-03-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Wedge tool and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748506B2 (ja) | 1995-05-24 |
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