JPS6022342A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6022342A JPS6022342A JP13140483A JP13140483A JPS6022342A JP S6022342 A JPS6022342 A JP S6022342A JP 13140483 A JP13140483 A JP 13140483A JP 13140483 A JP13140483 A JP 13140483A JP S6022342 A JPS6022342 A JP S6022342A
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- lift
- wiring conductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は大規模な半導体集積回路装置の製造方法に関し
、特に大規模なＭＯ８集積回路に適用し得る配線コンタ
クトの形成方法に関する。
、特に大規模なＭＯ８集積回路に適用し得る配線コンタ
クトの形成方法に関する。
従来、配線コンタクトの形成に際してはコンタクト孔付
近の段差を低減することにより配線導体の形成時の段切
れを防止するという方法がとられていた。例えば、第１
図はＩｖｆ０８集積回路でソース・ドレインへの配線を
行なう場合の一例を示したものであるが、ここでは半導
体基板１１上に形成されたソース、ドレイン拡散層１２
へ上部配線１７によってコンタクトを取る場合、層間膜
１６へのコンタクト孔開孔時に図の様にコンタクト孔下
部は小さく、上部は大きくする方法即ちテーパーをつけ
ることにより配線導体の堆積時の段切れを防いでいる。
近の段差を低減することにより配線導体の形成時の段切
れを防止するという方法がとられていた。例えば、第１
図はＩｖｆ０８集積回路でソース・ドレインへの配線を
行なう場合の一例を示したものであるが、ここでは半導
体基板１１上に形成されたソース、ドレイン拡散層１２
へ上部配線１７によってコンタクトを取る場合、層間膜
１６へのコンタクト孔開孔時に図の様にコンタクト孔下
部は小さく、上部は大きくする方法即ちテーパーをつけ
ることにより配線導体の堆積時の段切れを防いでいる。
テーパーのつけ方としてリンガラスによるリフローや２
段階エツチング等の種々の方法が実用に供されているが
、コンタクト孔にテーパーをつける方法では、第１図の
Ａに示した様なゲート１５とのマージンを充分に考慮す
る必要があり、高集積化を図る場合の１つの障害となっ
ている。
段階エツチング等の種々の方法が実用に供されているが
、コンタクト孔にテーパーをつける方法では、第１図の
Ａに示した様なゲート１５とのマージンを充分に考慮す
る必要があり、高集積化を図る場合の１つの障害となっ
ている。
また、コンタクト孔内部への配線導体の堆積は他の場所
への堆積の厚さと大体同じであるため。
への堆積の厚さと大体同じであるため。
配線導体を堆積した後の段差が第１図でＢとして示した
様に大きくなって多層配線を行なう場合には障害になる
という欠点を有していた。
様に大きくなって多層配線を行なう場合には障害になる
という欠点を有していた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は以上の欠点を除去し、コンタクト孔にテ
ーパーをつけないで形成し、高集積化を可能とすると共
に、コンタクト孔への配線にあたりコンタクト孔部での
窪みを少なくし多層配線化を可能とする半導体集積回路
装置の製造方法を提供することにある。
ーパーをつけないで形成し、高集積化を可能とすると共
に、コンタクト孔への配線にあたりコンタクト孔部での
窪みを少なくし多層配線化を可能とする半導体集積回路
装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板或いは第
１の絶縁層の上に形成された第１の配線導体の上に全面
に第２の絶縁層を形成する工程と。
１の絶縁層の上に形成された第１の配線導体の上に全面
に第２の絶縁層を形成する工程と。
該絶縁層の上に全面に該絶縁層及び後工程で用いる第２
の配線導体と異なる材料からなるリフトオフ層を形成す
る工程と、該リフトオフ層の上全面にフォトレジスト等
を用いてパターニングを行ない前記リフトオフ層の所定
部分に達する窓を開孔する工程と、異方性エツチング技
術を用いて前記窓を通しリフトオフ層及び第２の絶縁膜
の所定部分を除去することにより半導体基板或いは第１
の配線導体に達する窓を開孔する工程と、第２の配線導
体を全表面に堆積させて前記開孔部とそれ以外の部分で
前記配線導体を分離せしめる工程と。
の配線導体と異なる材料からなるリフトオフ層を形成す
る工程と、該リフトオフ層の上全面にフォトレジスト等
を用いてパターニングを行ない前記リフトオフ層の所定
部分に達する窓を開孔する工程と、異方性エツチング技
術を用いて前記窓を通しリフトオフ層及び第２の絶縁膜
の所定部分を除去することにより半導体基板或いは第１
の配線導体に達する窓を開孔する工程と、第２の配線導
体を全表面に堆積させて前記開孔部とそれ以外の部分で
前記配線導体を分離せしめる工程と。
リフトオフ層を除去しリフトオフ層上部に形成されてい
た前記配線導体を合わせて除去する工程と。
た前記配線導体を合わせて除去する工程と。
前記半導体基板或いは第１の配線導体と電気的接続をす
る第２の配線導体を前記第２の絶縁層の上に形成する工
程とを含んで構成される。
る第２の配線導体を前記第２の絶縁層の上に形成する工
程とを含んで構成される。
次に本発明の実施例について１図面を参照して説明する
。
。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図である。第２図（ａ）〜（ｄ
ｌでは一般的なＭＯ８集積回路の拡散層への配線を行な
う製造方法につき説明する。
めの工程順に示した断面図である。第２図（ａ）〜（ｄ
ｌでは一般的なＭＯ８集積回路の拡散層への配線を行な
う製造方法につき説明する。
まず、第２図（ａｌに示すように、シリュン半導体基板
２１上に素子分離領域２３．拡散層領域２２を形成した
後１層間絶縁膜２４として１例えば普通リンガラスを１
μｍ程度全面に堆積させる。次にその上にリフトオフ層
２５として例えば窒化膜を０．５〜１μｍ程度全面に堆
積させる。次にフォトリソグラフィー技術を用いて、フ
ォトレジスト２６にコンタクトパターンを図示のように
形成する。
２１上に素子分離領域２３．拡散層領域２２を形成した
後１層間絶縁膜２４として１例えば普通リンガラスを１
μｍ程度全面に堆積させる。次にその上にリフトオフ層
２５として例えば窒化膜を０．５〜１μｍ程度全面に堆
積させる。次にフォトリソグラフィー技術を用いて、フ
ォトレジスト２６にコンタクトパターンを図示のように
形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、フォトレジスト２６
の開孔を通してプラズマによる異方性エツチング技術を
用いて、窒化膜２５及びリンガラス層２４をエツチング
し、テーパーの殆んどないコンタクト孔を形成する。次
にフォトレジスト２６を一除去し、コンタクト孔を含む
全表面に配線導体２８（例えばアルミニウム）を１μｍ
程度堆積させると、コンタクト部での急激な段差のため
図示のようにコンタクト内のアルミニウム２７とコンタ
クト外のアルミニウム２８とが分断されて付着する。
の開孔を通してプラズマによる異方性エツチング技術を
用いて、窒化膜２５及びリンガラス層２４をエツチング
し、テーパーの殆んどないコンタクト孔を形成する。次
にフォトレジスト２６を一除去し、コンタクト孔を含む
全表面に配線導体２８（例えばアルミニウム）を１μｍ
程度堆積させると、コンタクト部での急激な段差のため
図示のようにコンタクト内のアルミニウム２７とコンタ
クト外のアルミニウム２８とが分断されて付着する。
次に第２図ｔｃ）に示すように、リフトオフ層２５であ
る窒化膜を除去してリフトオフを行なうと。
る窒化膜を除去してリフトオフを行なうと。
図示のようにコンタクト内にアルミニウムが残る。
このときアルミニウム２７０表面とノψｊ間絶縁膜２４
の段差は小さくできる。
の段差は小さくできる。
次に、第２図ｔｄ）に示すように、再度配線導体である
アルミニウム２９を堆積させると配線コンタクトが形成
される。このときアルミニウム２９の堆積前のコンタク
ト孔の段差が少ないのでコンタクト上のアルミニウムに
は殆んど窪みは形成されない。
アルミニウム２９を堆積させると配線コンタクトが形成
される。このときアルミニウム２９の堆積前のコンタク
ト孔の段差が少ないのでコンタクト上のアルミニウムに
は殆んど窪みは形成されない。
以上説明したように、実施例ではコンタクト形成時に異
方性エツチング技術によりテーパーのついていないコン
タクト孔としであるため９例えばＭＯ８Ｉ−ランジスタ
のゲートとコンタクトのマージンを小さくすることが可
能で、半導体集積回路装置を高集積化するのに効果があ
る。
方性エツチング技術によりテーパーのついていないコン
タクト孔としであるため９例えばＭＯ８Ｉ−ランジスタ
のゲートとコンタクトのマージンを小さくすることが可
能で、半導体集積回路装置を高集積化するのに効果があ
る。
さらに、コンタクト孔内ヘアルミ堆積を行なってから配
線のアルミニウムを堆積させるためコンタクト孔部での
窪みをほとんど消失させることが可能で段差低減にも有
効であり、したがって多層配線化にも有利である。
線のアルミニウムを堆積させるためコンタクト孔部での
窪みをほとんど消失させることが可能で段差低減にも有
効であり、したがって多層配線化にも有利である。
なお、一実施例では拡散層への接続について説明したが
、多層配線時の異なる２層間の接続に対しても効果的に
適用可能である。
、多層配線時の異なる２層間の接続に対しても効果的に
適用可能である。
また一実施例ではリフトオフ層を窒化膜１層間膜をリン
ガラス、配線導体をアルミニウムとしたが１本発明の構
成要件を満す他の材料を使用することが出来ることは勿
論である、 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、コンタクト部と
他の部分とのマージンを小さくすることが可能で高集積
化の進んだ併せて配線層を平滑に出来るため多層配線化
の進んだ半導体集積回路装置を製造することができる。
ガラス、配線導体をアルミニウムとしたが１本発明の構
成要件を満す他の材料を使用することが出来ることは勿
論である、 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、コンタクト部と
他の部分とのマージンを小さくすることが可能で高集積
化の進んだ併せて配線層を平滑に出来るため多層配線化
の進んだ半導体集積回路装置を製造することができる。
第１図は従来のＭＯ８集積回路の一例の断面図。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・拡散層
、１３・・・・・・酸化膜、１４・・・・・・フィール
ド酸化膜、１５・・・・・・ゲート、１６・・・・・・
層間絶縁膜、１７・・・・・・配線導体。
めの工程順に示した断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・拡散層
、１３・・・・・・酸化膜、１４・・・・・・フィール
ド酸化膜、１５・・・・・・ゲート、１６・・・・・・
層間絶縁膜、１７・・・・・・配線導体。
Claims (2)
- （１）半導体基板、或いは第１の絶縁層の上に形成され
たｇｌの配線導体の上に全面に第２の絶縁層を形成する
工程と、該絶縁層の上に全面に該絶縁層および後工程で
用いる第２の配線導体と異なる材料から成るリフトオフ
層を形成する工程と、さらに、該リフトオフ層の上全面
にフォトレジスト等を用いてパターニングを行ない前記
リフトオフ層の所定部分に達する窓を開孔する工程と、
異方性エツチング技術を用０て前記窓を通しリフトオフ
層および第２の絶縁膜の所定部分を除去することにより
半導体基板あるいはｇｌの配線導体に達する窓を開孔す
る工程と。 第２の配線導体を全表面に堆積させて前記開孔部とそれ
以外の部分で前記配線導体を分離せしめる工程と、リフ
トオフ層を除去しリフトオフ層上部に形成されていた前
記配線導体を合わせて除去する工程と、前記半導体基板
酸いはｇｘの配線導体との電気的接続をする第２の配線
導体を前記第２の絶縁層の上に形成する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - （２）第２の絶縁層としてリンガラスを用い、リフトオ
フ層として窒・化膜を用いる特許請求の範囲第ｆｌ）項
記載の半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13140483A JPS6022342A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13140483A JPS6022342A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022342A true JPS6022342A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=15057178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13140483A Pending JPS6022342A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022342A (ja) |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP13140483A patent/JPS6022342A/ja active Pending
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