JPH01273345A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPH01273345A JPH01273345A JP63101328A JP10132888A JPH01273345A JP H01273345 A JPH01273345 A JP H01273345A JP 63101328 A JP63101328 A JP 63101328A JP 10132888 A JP10132888 A JP 10132888A JP H01273345 A JPH01273345 A JP H01273345A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- semiconductor
- integrated circuit
- surge
- peripheral
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、シリコンウェーハの不純物拡散により構成し
た半導体回路と、不純物以外の手段とにより作られた抵
抗等の回路素子で構成された周辺回路とで構成された集
積回路の、外部サージに対する耐力を大幅に向上するこ
とのできた集積回路に関するものである。
た半導体回路と、不純物以外の手段とにより作られた抵
抗等の回路素子で構成された周辺回路とで構成された集
積回路の、外部サージに対する耐力を大幅に向上するこ
とのできた集積回路に関するものである。
（従来の技術）
第４図は従来のこの種の集積回路の一例を示したもので
、集積回路５は、シリコンウェーハ中への不純物拡散に
より構成した半導体回路１と、これとは独立し、不純物
拡散以外の手段により作られた回路素子で構成された周
辺回路２、例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜でカバーさ
れたシリコンウェーハ上に蒸着等の手段で作られた抵抗
等で構成されている。半導体回路１は、本質的に外部か
ら飛来するサージに対して弱く１図のようにダイオード
（Ｄ工＝ ＤｚＬ （Ｄ３− Ｄ４）で構成されるサー
ジキラー回路によりサージから保護されている。
、集積回路５は、シリコンウェーハ中への不純物拡散に
より構成した半導体回路１と、これとは独立し、不純物
拡散以外の手段により作られた回路素子で構成された周
辺回路２、例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜でカバーさ
れたシリコンウェーハ上に蒸着等の手段で作られた抵抗
等で構成されている。半導体回路１は、本質的に外部か
ら飛来するサージに対して弱く１図のようにダイオード
（Ｄ工＝ ＤｚＬ （Ｄ３− Ｄ４）で構成されるサー
ジキラー回路によりサージから保護されている。
入力端子Ａに対しては、ダイオードＤ、、Ｄ４がサージ
キラー回路を構成し、入力端子Ｂからのサージは、周辺
回路２の抵抗Ｒを介して半導体回路１に印加されるが、
ダイオードＤ、、Ｄ２で構成されるサージキラー回路３
によりサージは吸収され、半導体回路１の外部サージに
よる破壊は抑えられる。第６図、第７図は第４図に示す
集積回路の構造を示したもので、１は半導体回路、２は
周辺回路、６は基板、７は導体、８は外部回路との接続
のための接続電極である。ここで、導体７について説明
する。導体７は回路動作に必要な電源ｖｌ！！。
キラー回路を構成し、入力端子Ｂからのサージは、周辺
回路２の抵抗Ｒを介して半導体回路１に印加されるが、
ダイオードＤ、、Ｄ２で構成されるサージキラー回路３
によりサージは吸収され、半導体回路１の外部サージに
よる破壊は抑えられる。第６図、第７図は第４図に示す
集積回路の構造を示したもので、１は半導体回路、２は
周辺回路、６は基板、７は導体、８は外部回路との接続
のための接続電極である。ここで、導体７について説明
する。導体７は回路動作に必要な電源ｖｌ！！。
またはＧＮＤ接続するためのものであるが、同時に半導
体回路１および周辺回路２のベース部分をＶ、やＧＮＤ
等の最低電位点に接続して回路部分全体をシールドし、
安定動作の確保、外部雑音妨害の役目を持たせている。
体回路１および周辺回路２のベース部分をＶ、やＧＮＤ
等の最低電位点に接続して回路部分全体をシールドし、
安定動作の確保、外部雑音妨害の役目を持たせている。
周辺回路２の場合、例えば入力抵抗Ｒの温度特性、低雑
音特性、熱バランス特性等の特性要望から、拡散抵抗で
はなく、蒸着等の不純物拡散以外の手段で作られた抵抗
素子がよく用いられるが、小型・高集積化への要望や、
半導体回路と同一素材、同一工程プロセスでの生産が量
産に適している等の理由から、シリコンウェーハ上に構
成されることが多い。
音特性、熱バランス特性等の特性要望から、拡散抵抗で
はなく、蒸着等の不純物拡散以外の手段で作られた抵抗
素子がよく用いられるが、小型・高集積化への要望や、
半導体回路と同一素材、同一工程プロセスでの生産が量
産に適している等の理由から、シリコンウェーハ上に構
成されることが多い。
（発明が解決しようとする課題）
このような従来の構成では、第４図に示しているように
５周辺回路２の入力端子Ｂに接続されている部分は外来
サージに対して非常に弱いという大きな欠点を有してい
る。第７図に示している如く、周辺回路２はシリコンウ
ェーハ９．シリコン酸化膜等の絶縁膜１０．抵抗体１２
．接続電極１１より構成されているが、絶縁膜１０は通
常１−ミクロン以下と極めて薄い層で、膜厚のバラツキ
も含めると２００〜３００ｖ程度のサージ耐力しか有し
ていない。
５周辺回路２の入力端子Ｂに接続されている部分は外来
サージに対して非常に弱いという大きな欠点を有してい
る。第７図に示している如く、周辺回路２はシリコンウ
ェーハ９．シリコン酸化膜等の絶縁膜１０．抵抗体１２
．接続電極１１より構成されているが、絶縁膜１０は通
常１−ミクロン以下と極めて薄い層で、膜厚のバラツキ
も含めると２００〜３００ｖ程度のサージ耐力しか有し
ていない。
先述のような半導体回路内のサージキラー回路によるサ
ージ耐圧は４００〜６００ｖに達しており、周辺回路部
のサージ耐力が大幅に劣っている。第５図も従来の構成
を示したものであるが、周辺回路２が独立ではなく、半
導体回路１を構成するシリコンウェーハの上に同時に設
けられているものである。第５図の従来例においても、
入力端子Ｂへの外来サージは、周辺回路２の抵抗Ｒを介
してサージキラー回路３に接続される。したがって、半
導体回路１が外来サージで破壊されることはないが。
ージ耐圧は４００〜６００ｖに達しており、周辺回路部
のサージ耐力が大幅に劣っている。第５図も従来の構成
を示したものであるが、周辺回路２が独立ではなく、半
導体回路１を構成するシリコンウェーハの上に同時に設
けられているものである。第５図の従来例においても、
入力端子Ｂへの外来サージは、周辺回路２の抵抗Ｒを介
してサージキラー回路３に接続される。したがって、半
導体回路１が外来サージで破壊されることはないが。
周辺回路２の部分で破壊を起こし、入力端子Ｂにはサー
ジキラー回路は全く接続されていないことになる。
ジキラー回路は全く接続されていないことになる。
本発明は、このような問題点を解決するもので、外来サ
ージに強い集積回路を構成することを目的とするもので
ある。
ージに強い集積回路を構成することを目的とするもので
ある。
（課題を解決するための手段）
この目的を解決するために１本発明は、全ての入力端子
にサージキラー回路を接続し、かつサージキラー回路が
半導体回路および周辺回路とは別に独立して設けるか、
またはサージキラー回路を半導体回路内に設けることに
より、周辺回路、半導体回路ともに外来サージから保護
されるようにしたものである。
にサージキラー回路を接続し、かつサージキラー回路が
半導体回路および周辺回路とは別に独立して設けるか、
またはサージキラー回路を半導体回路内に設けることに
より、周辺回路、半導体回路ともに外来サージから保護
されるようにしたものである。
（実施例）
第１図、第２図、第３図は、本発明の一実施例による集
積回路の回路構成を示す図である。第１図の実施例では
、半導体回路１と周辺回路２は各々独立した素子で、こ
の２素子が同一基板内で接続されている。入力端子Ａは
、半導体回路１の中に構成されているダイオードＤ７．
Ｄ４からなるサージキラー回路に接続されている。また
、入力端子Ｂには、半導体回路１および周辺回路２とは
別に独立して設けられているり、、Ｄ、で構成するサー
ジキラー回路４を接続している。第２図の実施例は、半
導体回路１の中にサージキラー回路３を構成するための
ダイオードＤ、、Ｄ、と、その接続端子を専用に設けて
入力端子Ｂと接続したものである。また、第３図の実施
例では、周辺回路２を半導体回路上と同一のシリコンウ
ェーハ上に設けているが、入力端子Ｂには、半導体回路
１内に設けたダイオードＤ□、Ｄ２からなるサージキラ
ー回路３を接続することにより、外来サージに対する保
護機能を持たせている。したがって、第１図。
積回路の回路構成を示す図である。第１図の実施例では
、半導体回路１と周辺回路２は各々独立した素子で、こ
の２素子が同一基板内で接続されている。入力端子Ａは
、半導体回路１の中に構成されているダイオードＤ７．
Ｄ４からなるサージキラー回路に接続されている。また
、入力端子Ｂには、半導体回路１および周辺回路２とは
別に独立して設けられているり、、Ｄ、で構成するサー
ジキラー回路４を接続している。第２図の実施例は、半
導体回路１の中にサージキラー回路３を構成するための
ダイオードＤ、、Ｄ、と、その接続端子を専用に設けて
入力端子Ｂと接続したものである。また、第３図の実施
例では、周辺回路２を半導体回路上と同一のシリコンウ
ェーハ上に設けているが、入力端子Ｂには、半導体回路
１内に設けたダイオードＤ□、Ｄ２からなるサージキラ
ー回路３を接続することにより、外来サージに対する保
護機能を持たせている。したがって、第１図。
第２図、第３図に示す本発明の実施例によれば、全ての
入力端子にはサージキラー回路が接続されていることに
なり、半導体回路と周辺回路から構成される集積回路は
、外来サージから完全に保護される。
入力端子にはサージキラー回路が接続されていることに
なり、半導体回路と周辺回路から構成される集積回路は
、外来サージから完全に保護される。
（発明の効果）
以上のように本実施例によれば、シリコンウェ−ハへの
不純物拡散により構成した半導体回路と、不純物拡散以
外の手段により作られた回路素子で構成された周辺回路
とで構成した集積回路の全ての入力端子にサージキラー
回路の接続が可能になり、外来サージに強い集積回路を
構成することができる。
不純物拡散により構成した半導体回路と、不純物拡散以
外の手段により作られた回路素子で構成された周辺回路
とで構成した集積回路の全ての入力端子にサージキラー
回路の接続が可能になり、外来サージに強い集積回路を
構成することができる。
第１図、第２図、第３図は本発明の一実施例による集積
回路の構成図、第４図、第５図は従来の集積回路の構成
図、第６図、第７図は同集積回路の説明図である。 １・・・不純物拡散された半導体回路、 ２・・・周辺
回路、 ３，４・・・サージキラー回路、５・・・集積
回路。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 第２図 ＥＥ 第３図 第４図 第５図
回路の構成図、第４図、第５図は従来の集積回路の構成
図、第６図、第７図は同集積回路の説明図である。 １・・・不純物拡散された半導体回路、 ２・・・周辺
回路、 ３，４・・・サージキラー回路、５・・・集積
回路。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 第２図 ＥＥ 第３図 第４図 第５図
Claims (4)
- （１）シリコンウェーハ中への不純物拡散により構成し
た半導体回路と、不純物拡散以外の手段により作られた
回路素子で構成された周辺回路で構成され、全ての入力
端子にはサージキラー回路が接続されている集積回路。 - （２）サージキラー回路が半導体回路および周辺回路と
は別に独立して設けられている請求項（１）記載の集積
回路。 - （３）サージキラー回路が半導体回路内に設けられてい
る請求項（１）記載の集積回路。 - （４）周辺回路が半導体回路と同一ウェーハ上に設けら
れている請求項（３）記載の集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101328A JPH01273345A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101328A JPH01273345A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273345A true JPH01273345A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14297761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63101328A Pending JPH01273345A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01273345A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5191681A (ja) * | 1975-01-22 | 1976-08-11 | ||
| JPS54132175A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-13 | Honeywell Inc | Circuit for protecting oxide gate of semiconductor element |
| JPS61263253A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Nec Corp | 半導体保護装置 |
| JPS62216351A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP63101328A patent/JPH01273345A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5191681A (ja) * | 1975-01-22 | 1976-08-11 | ||
| JPS54132175A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-13 | Honeywell Inc | Circuit for protecting oxide gate of semiconductor element |
| JPS61263253A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Nec Corp | 半導体保護装置 |
| JPS62216351A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
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