JPH01276592A

JPH01276592A - 多色表示薄膜ｅｌ素子の製造方法

Info

Publication number: JPH01276592A
Application number: JP63104297A
Authority: JP
Inventors: Haruki Ozawaguchi; 小沢口　治樹; Noriyoshi Yamauchi; 山内　規義; Yasuaki Tamura; 保暁田村
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1988-04-28
Filing date: 1988-04-28
Publication date: 1989-11-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、複数の色を用いた表示が可能な薄膜ＥＬ素子
の製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

情報社会の発達にともない、表示端末装置の重要性が高
まっている。特に、薄形で軽量な平面形表示装置の実現
が強く望まれており、このため、各種方式の平面形表示
装置の研究開発が盛んに行われている。中でも、薄膜Ｅ
Ｌ（エレクトロルミネセンス）素子は、全固体形デバイ
スであるため信頼性が高く、自己発光形で表示品質がす
ぐれている、などの利点を有し、将来の平面形表示装置
の最有力候補になり得ると期待されている。

薄膜ＥＬ素子は、原理的には第９図に示すような構造の
ものであって、ガラスなどの透明性基板１上に発光中心
となるマンガン（Ｍ　ｎ　）や希土類金属（Ｔｂ、　Ｓ
ｍ、　Ｔｍ、　Ｐｒ、Ｄｙ、　Ｅｕ、　Ｃｅ）を添加し
た硫化亜鉛（ＺｎＳ）あるいはセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ
）　、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）、硫化カルシウム
（ＣａＳ）、硫化バリウム（ＢａＳ）などの発光膜２と
、絶縁性を保持する目的で設けた絶縁膜３を、透明電極
膜４と金属電極膜５とで挾みサンドインチ状に構成され
ている。このように構成された素子において、上記透明
電極膜４と金属電極膜５との間に交流電界を印加すると
、上記発光膜２が発光し、透明性基板１の外側からカラ
ー表示として観察される。そして、上記透明型ＷＡ膜４
および金属電極膜５を細線状に加工し１、線順次で電界
を印加していけば、高精細な文字や図形が表示できる。

表示色は発光膜２の母体材料とそれに添加された物質に
よって決まり、ＺｎＳ膜にＭｎ、　Ｔｂ、Ｓｍ、　Ｔｏ
＋を添加した場合は、それぞれ黄色、緑色、赤色、青色
に発光し、また、ＳｒＳ膜にＣｅ、Ｅｕを添加した場合
は、それぞれ青色、緑色に発光する。さらに、発光膜母
体材料にＣａＳ膜を用い、これにＣｅ、Ｅｕを添加した
場合は、それぞれ緑色、赤色に発光することが知られて
いる。しかしながら、各種の発光色の材料は出揃ってき
ているが、現在実用化されているものは、ＺｎＳ膜にＭ
ｎを添加した発光膜を用いた黄色発光の単色表示素子だ
けである。これは、多色表示薄膜ＥＬ素子について、構
成材料の開発と並んで製造に関する鍵である素子構成や
製造工程が確立されていないためである。

従来、提案されている２色以上の発光を同一の素子で実
現させる方法としては、つぎに記す２つの方法がある。

第１の方法は、Ｙ、　０ｉｓｈｉ、　Ｔ、　Ｋａｔｏ　
ａｎｄ　Ｙ。

Ｈａｍａｋａｗａのテクニカル・ダイジェスト・オブ。

１９８３　・ジャパン・デイスプレィ（Ｔｅｃｈｎｉｃ
ａｌＤｉｇｅｓｔ　ｏｆ　１９８３　Ｊａｐａｎ　Ｄｉ
ｓｐｌａｙ）　ｐ、５７０　（１９８３）に述べられて
いるような、異なる発光色の素子を重ねる方法である。

第１０図は上記方法で製造した薄膜ＥＬ素子の断面図で
ある。第１０図において、６はガラス基板、７は第１の
透明電極膜、８は第１の絶縁膜、９は第１の発光膜、１
０は第２のｙＡａ膜、ＩＩは第２の透明電極膜、１２は
第３の絶縁膜、１３は第２の発光膜、１４は第４の絶縁
膜、そして［５は背面電極である。

また、第２の方法は１発明者らが関係する出願であるが
、特願昭６１−２１１９４０号公報に記載されている方
法である。上記方法は第１１図に示すように、ガラス基
板１６上に透明電極膜１７および第１の絶縁膜１８を順
次形成したのち、上記第１の絶縁膜１８上に形成された
第１の発光膜１９を、硝酸を主体とする酸系エツチング
液を用いた湿式ホトエツチング工程によりパタン加工し
、ついで、ホトレジスｈを残した状態で第２の発光膜２
０を形成し、リフ１〜オフ工程によりパタン加工し、さ
らに続いて第２の絶縁膜２１および背面電極２２を順次
形成することによって、最終的に２種類以上の発光膜を
同−鎖板上に平面配列させた構造を実現しようとするも
のである。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記第１の方法は、電極を外部回路に接続するための電
極取出しが著しく複雑になることと、即動回路の構成が
著しく複雑になることなどの欠点を有しており、実用的
な表示装置に適用することは困難である。さらに、上記
方法を用いてフルカラー表示に必要な３種類の発光色（
赤、緑および青）の素子を積層して、高精細な表示が可
能な多色表示薄膜ＥＬ素子を構成することは、電極を外
部に取出すための有効な手段がないため不可能といえる
。

一方、上記第２の方法は、素子を発光させるために電気
を給電する電極配線が基本的には単色薄膜ＥＬ素子と同
じであって構成が容易であること、ホトエツチングとリ
フトオフとを併用したセルフアライメント工程であるた
め、パタンずれを起すことなく高精細な発光画素作製が
できること、また、フルカラー表示のための３種類の発
光膜の配列および電極取出しも問題ないなどの利点があ
り。

上記第１の方法に較べすぐれた多色表示薄膜ＥＬ素子の
構成法といえる。しかしながら、上記第２の方法もつぎ
のような問題点があり、完成された方法とはいえない。

第１にＳｒＳ、ＣａＳなどのアルカリ土類系発光膜は青
色や赤色ＥＬとしてはＺｎＳ系発光膜よりも発光効率が
高く、近年有望な多色表示薄膜ＥＬ素子材料として期待
されているが、これらの材料は水分との反応性が高くか
つ酸化しやすいので、上記材料を用いて多色表示薄膜Ｅ
Ｌ素子を作製しようとする場合に、発光膜に直接レジス
トを塗布して露光、現像を行う上記第２の方法は、上記
ホトエツチング工程の途中で発光膜が酸化し劣化してし
まうので適用できず、したがって、使用材料が限定され
るという問題がある。また第２として、薄膜ＥＬ素子は
絶縁膜や電極と接する発光層界面が発光特性に重要な寄
与をしていることは周知の事実であるが、上記第２の方
法は、ホトレジストを発光膜に直接塗布し、加熱処理や
剥離処理を行う方法であるため、発光膜と絶縁膜との界
面が汚染し、その結果、発光特性の劣化を招くという問
題点があった。

本発明は、上記の各課題を解決し、アルカリ土類系の発
光膜を含む多色表示薄膜ＥＬ素子も実現可能とする製造
方法を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、まず、絶縁膜と発光膜とを重ねて連続形成
したのち、上記両方の膜についてホトエツチング加工と
リフトオフ加工を行って、上記発光膜を平面配列した構
造に薄膜ＥＬ素子を作製することによって達成できる。

〔作　　用〕

本発明の製造工程を示す第１図ないし第７図について説
明する。第１図において、ガラス基板２３上に透明電極
膜２４を形成したのち、これらガラス基板２３および透
明電極膜２４の上面に第１の絶縁膜２５を形成する。上
記第１の絶縁膜２５としては、酸系のエツチング液に耐
性があるＴａ２０５膜５Ｍ２０３膜、Ｓｉ、Ｎ、膜、Ｓ
ｉｏ、膜およびこれらの膜を組合わせた膜を使用するこ
とができる。つぎに、上記第１の絶縁膜２５の上面に１
例えばＣｅ添加５ｒＳ（以下ＳｒＳ　：　Ｃｅと記す）
からなる第１の発光膜２６を電子ビーム蒸着法、ＭＯＣ
ＶＤ法あるいはスパッタリング法などによって形成する
。つぎに引続いて、第２の絶縁膜２７をＣＶＤ法あるい
はスパッタリング法により上記発光膜２６上に形成する
。上記第２の絶縁膜２７の材料としては、そのホトエツ
チング加工には水を使用しないドライエツチングが好ま
しいため、ドライ加工が容易な薄膜材料、例えばＳｉ、
Ｎ４．Ｓｉｏ２が望ましい。つぎにホトエツチング工程
によって第２の絶縁膜２７上にホトレジストパタン２８
を形成し、該ホトレジストパタン２８をマスクとして第
２の絶縁膜２７と第１の発光膜２６をエツチングし、第
１図に示すような断面の構造を得る。ここで、第２の絶
縁膜２７のエツチングは弗酸をベースにした液体に浸漬
することによっても行えるが、ガラス基板２３の浸食等
を防止し、第２の絶縁膜２７だけを選択的に、かつ制御
性よく行うには、ＣＦ４．Ｃ４Ｆ、などのガスプラズマ
を用いたドライエツチングが最も望ましい。また、第１
の発光膜２６のエツチングは塩素を含むガス、すなわち
、ＣＦ４とＣＱ２との混合気体やｃｔ４２Ｆ２、ＣＣＬ
、　ＢＣＲ，、ＳｉＣハなどのガス中でのプラズマ放電
を用いたドライエツチング法が最適である。

その他に硝酸を主体とし、これにエツチング速度を調整
するため燐酸、酢酸、およびこれに水を加えた混合液、
あるいは塩酸をエツチング液とした湿式エツチング法も
、絶縁膜２７が十分な界面保護効果を発揮しているので
使用することができる。

つぎに、ホトレジストパタン２８が残された状態で、上
記の残留ホトレジストパタン２８および第１の絶縁膜２
５上に、例えばＥｕ添加ＣａＳ　（ＣａＳ　：Ｅｕ）膜
からなる第２の発光膜２９を、電子ビーム蒸着法、スパ
ッタリング法あるいはＭＯＣＶＤ法により形成し、つい
で、例えばＳｉ３Ｎ４．３ｉ○２膜などからなる第３の
絶縁膜３０をＣＶＤ法あるいはスパッタリング法によっ
て形成し、第２図に示すような構造を得る。

ついで、上記のような処理を施したガラス基板２３をレ
ジスト剥離液に浸漬し、ホトレジストパタン２８を除去
することにより上記第２の発光膜２９と第３の絶縁膜３
０をリフトオフ加工して、第３図に示すような構造を得
る。この工程によって、ガラス基板２３上に第１の発光
膜２６と第２の発光膜２９とを、間隙なくかつ重ね合う
ことなく配列することができる。

つぎに、上記の第２および第３の絶縁膜２７．３０上に
ホトエツチング工程によってホトレジストパタン３１を
形成し、その後、上記第１図に示したパタンを形成する
際に、第２の絶縁膜２７と第１の発光膜２６とをホトエ
ツチング加工した方法と同様な手法により、第２の絶縁
膜２７と第３の絶縁膜３０とのいずれか一方または両方
、および第１の発光膜２６と第２の発光膜２９とのいず
れか一方または両方を、エツチングして第４図に示すよ
うな構造を得る。つづいて、第１の絶縁膜２５およびホ
トレジストパタン３１上に、スパッタリング法、ＭＯＣ
ＶＤ法あるいは電子ビーム法によって、例えばＣｅ添加
ＣａＳ　（ＣａＳ　：　Ｃｅ）からなる第３の発光膜３
２と、例えばＳｉ３Ｎ４．５ｉｎ２膜などからなる第４
の絶縁膜３３をＣＶＤ法あるいはスパッタリング法で形
成し、第５図に示すような構造を得る。

上記のような処理を施したガラス基板２３をレジスト剥
離液に浸漬してホトレジストパタン３１を除去すること
により、上記第３の発光膜３２をリフトオフ加工して第
６図に示すような構造を得る。この工程により、ガラス
基板２３上に第１の発光膜２６と第２の発光膜２９、さ
らに第３の発光膜３２とを、互いに間隙なくかつ重ね合
うことなく配列することができる。

つぎに、第２ないし第３、第４の絶縁膜２７．３０．３
３のそれぞれの上面に、第５の絶縁膜３４を形成する。

上記第５のＭＡ縁膜３４としては、Ｔａ２Ｏ，膜、Ａｌ
１２０．膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、Ｓ　ｉｏ２膜およびこれら
の膜を組合わせた膜を使用することができる。なお、第
５の絶縁膜３４は第２、第３、第４の絶縁膜があるので
、必ずしも必要としない。しかし、第２、第３の発光膜
２９．３２をホトエツチング工程そのリフ１〜オフを容
易に行うためには第２、第３、第４の絶縁膜２７．３０
．３３は膜厚を１１００ｎ以下にすることが好ましいの
で、素子耐圧を上げる観点から、第３の発光膜３２をホ
トエツチング加工後、第５の絶縁膜３４を入れる方がよ
い。最後に、上記第５の絶縁膜３４の上面に、例えば薄
膜からなる背面電極３５を形成し、細線パタンにホトエ
ツチング加工することによって、第７図に示すような断
面を有する薄膜ＥＬ素子が完成し、その製造工程は完了
する。

ここで、前記のように本発明の詳細な説明する中で、発
光膜の例としてあげたＳｒＳ　：　Ｃｅ膜、ＣａＳ　：
　Ｅｕ膜、およびＣａＳ　：　Ｃｅ膜は、いずれも水分
と反応して酸化劣化を起しやすい性質がある。

したがって、これらの膜を用いた薄膜ＥＬ素子はホトエ
ツチング工程に耐えられないため、従来知られていた方
法では高精細な多色表示素子としては製造できなかった
。しかしながら、上記の本発明方法、すなわち、これら
の薄膜上にさらに絶縁膜を形成し、かつ、プラズマ放電
を利用したドライエツチングによって加工する方法をと
れば、何ら劣化を招くことなくこれらの発光膜のホトエ
ツチング加工が可能になり、第７図に示すように３種類
の発光膜で構成された多色表示素子を製造することがで
きる。

上記第７図に示す薄膜ＥＬ素子によると、透明電極２４
と背面電極３５との間に交流電界を印加することによっ
て、ＳｒＳ　：　Ｃｅ１ｌＴＡからなる第１の発光膜２
６は青色に、ＣａＳ　：　Ｅｕ膜からなる第２の発光膜
２９は赤色に、ＣａＳ：Ｃｅ膜からなる第３の発光膜３
２は緑色に発光する。したがって、上記構成の薄膜ＥＬ
素子によれば３原色の発光が得られるので、各発光膜か
ら出る発光強度を、印加する電圧によって調節すれば８
色以上の多色表示を実現することができる。

なお、発光膜２６，２９．３２は上記した材料だけに限
定されるわけではなく、例えば、赤色発光膜としてはＳ
ｍ添加ＺｎＳ　（ＺｎＳ　：　Ｓｍ）　、青色発光膜と
してはＴｍ添加ＺｎＳ　（ＺｎＳ　：　Ｔｍ）　、緑色
発光膜としてはＴｂ添加ＺｎＳ　（ＺｎＳ　：　Ｔｂ）
なども使用することができる。なお、発光膜としてＺｎ
Ｓ膜を用いた層については、ＺｎＳ膜は湿式ホトエツチ
ング加工を行っても急激な劣化を起さないので、特願昭
６１−２１１９４０号に開示された方法、すなわち、発
光膜上に絶縁膜を連続形成せずに、ホトエツチング工程
を通して発光膜のパタン加工を行ってもよい。また、発
光膜を２種類にしても、３色以上の表示が可能な多色表
示素子が実現できる。

上記２種類の発光膜で構成された素子を作製するには、
上記第１図から第６図に示した製造途中工程のうち、第
４図、第５図および第６図に関する製造工程を省いて行
えばよい。

〔実施例〕

つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。

第１図ないし第６図は本発明による多色表示薄膜ＥＬ素
子の製造工程をそれぞれ示す断面図、第７図および第８
図は上記製造工程によって作製した薄膜ＥＬ素子の実施
例をそれぞれ示す素子断面図である。

第１実施例第１図において、ガラス基板２３としては厚さ１．２＋
ａの商品名ＮＡ４０ガラス（ＨＯＹＡ社製）を用い、上
記ガラス基板２３上に膜厚１１００ｎのＩＴＯ（錫添加
酸化インジュウム、Ｉｎ２Ｏ，：Ｓｎ）透明電極膜２４
を高周波スパッタリング法により形成し、ホトエツチン
グ加工により細線状の電極構造とした。

つぎに、高周波スパッタリング法で膜厚２００ｎｍのＴ
ａ、Ｏ，膜と、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ＣＶ
Ｄ法で膜厚１１００ｎのＳＬ、Ｎ４膜を順次積層し、第
１の絶縁膜２５を形成した。ついで、電子ビーム蒸着法
により膜厚６００ｎｍのＳｒＳ　：　Ｃｅ膜からなる第
１の発光膜２６とＥＣＲ−ＣＶＤ法により膜厚１１００
ｎのＳｉ３Ｎ４膜からなる第２の絶縁膜２７を順次形成
し、ポジ型レジスト（商品名マイクロポジット１４００
−２７）を用いてホトレジストパタン２８を形成し、そ
の後、まずＣＦ、ガスを用いたプラズマによりＳＬ、Ｎ
、膜２７をドライエツチングし、ついでＣＣｆ１２Ｆ２
ガスを用いたプラズマによりＳｒＳ　：Ｃｅ膜２６をエ
ツチング加工した。この時のドライエツチング加工条件
は、放電電力２００〜３００Ｗ、ガス流量５０〜１５０
ｓｅｃｎ＋、圧力０．５〜１．５Ｔｏｒｒ、処理温度４
０℃〜８０℃、処理時間１０分以内が適当であった。

なお、ＳｒＳ　：　Ｃｅ膜のエツチングについては湿式
エツチングも行ったが、これによってもパタン加工はで
きた。この際のエツチング液の組成は、塩酸濃度が１０
〜２０重量％の希塩酸が最適であった。

つぎにホトレジストパタン２８を残したままで、電子ビ
ーム蒸着法により膜厚６００ｎｍのＣａＳ：Ｅｕからな
る第２の発光膜２９とＥＣＲ−ＣＶＤ法により膜厚１１
００ｎのＳｉ、Ｎ４膜３０を順次形成した。つぎに、ガ
ラス基板２３をレジスト剥離液（商品名マイクロポジッ
トリムーバ１４０）に浸漬し、さらに超音波を印加する
ことによりホトレジストパタン２８を除去して、第２の
発光膜であるＣａＳ　：　Ｅｕ膜２９と第３の絶縁膜３
０をホトエツチング工程いで、商品名マイクロポジット
１４００−２７を用いてホトレジストパタン３１を形成
し、第１の発光膜２６と第２の絶縁膜２７とをエツチン
グ加工したときと同じ要領で、第２の発光膜２９と第３
の絶縁膜３０をホトエツチング加工した。つぎに、ホト
レジストパタン３１を残したままで、電子ビーム蒸着法
により膜厚６００ｎｍのＣａＳ　：　Ｃｅからなる第３
の発光膜３２と、ＥＣＲ−ＣＶＤ法により第４の絶縁膜
としてＳＬ、Ｎ４膜３３を形成し、つづいてガラス基板
２３をレジスト剥離液（商品名マイクロポジットリムー
バ１４０）に浸漬し、さらに超音波を印加することによ
り、ホトレジストパタン３１を除去して第３の発光膜３
２と第４のＭａ膜３３をホトエツチング加工した。

つぎに、高周波スパッタリング法により膜厚３００　ｎ
　ｍのＴａ２０５膜からなる第５の絶詠膜３４を形成し
、つづいて膜厚２００ｎｍのＭ背面電極膜３５を形成し
、さらに上記Ｍ背面電極膜３５を細線状にホトエツチン
グ加工して、第７図に示すような断面構造の′ｇｉ、膜
ＥＬ素子を完成させた。

上記第７図に示す薄膜ＥＬ素子において、透明電極膜２
４と成背面電極膜３５との間に、周波数１ｋＨｚの交流
電圧１５０■を印加したところ、第１．第２、第３の発
光膜２６．２９．３２はそれぞれ２００ｃｄ　７ｍ２以
上の輝度で青、赤、緑色に発光した。また、電極膜２４
と３５とにおいて、電圧印加個所を適当に選択し、発光
膜２６．２９．３２からの発光色を混合して観測するこ
とにより、青色、水色、緑色、黄色、赤色、ピンク色、
白色の合計７色の発光表示を行うことができた。また、
ホトエツチング工程に起因する薄膜の剥離や、エツチン
グ液の浸透による薄膜の溶解などによる素子の故障は全
く生じなかった。

第２実施例ガラス基板２３として厚さ１　、２　＋ｍ＋の商品名７
０５９ガラス（コーニング社製）を用い、ガラス基板２
３上に膜厚１１００ｎのＩＴ○透明電極膜２４を高周波
スパッタリング法により形成し、ホトエツチング加工に
より細線状の電極構造とした。つぎに、高周波スパッタ
リング法で膜厚２００ｎｍのＴａ２０５膜とＥＣＲ−Ｃ
ＶＤ法で膜厚１１００ｎのＳｉ３Ｎ４膜を順次積層し、
第１の絶縁膜２５を形成した。ついで、電子ビーム蒸着
法により膜厚６００ｎｍのＳｒＳ　：　Ｃｅ膜からなる
第１の発光膜２６と、ＥＣＲ−ＣＶＤ法により膜厚１１
００ｎのＳＬ、Ｎ４膜とからなる第２の絶縁膜２７を順
次形成した。つぎに、ポジ型レジスト（商品名マイクロ
ポジット１４００−２７）を用いてホトレジス）・パタ
ン２８を形成し、その後はまずＣＦ４ガスを用いたプラ
ズマにより５Ｌ３Ｎ、膜２７をドライエツチングし、つ
いでＣＦ４ガスに塩素を５０％の濃度で混合したガスを
用いたプラズマにより、　ＳｒＳ　：　Ｃｅ膜２６をエ
ツチング加工した。この時のドライエツチングの加工条
件は放電電力２００〜３００Ｗ、ガス流量５０５０−１
５０ｓｅ、圧力０．５〜１．５Ｔｏｒｒ、処理温度４０
℃〜８０℃、処理時間１０分以内が適当であった。なお
、ＳｒＳ　：　Ｃｅ膜のエツチングについては。

湿式エツチングも行ったがこれでもパタン加工ができた
。この際のエツチング液は、硝酸濃度が２〜５０重量％
の硝酸、燐酸、酢酸、およびこれらの水との混合液を用
いた。

つぎに、ホトレジストパタン２８を残したままで、電子
ビーム蒸着法により、膜厚７００ｎｍのＭｎ添加ＺｎＳ
　（ＺｎＳ　：　Ｍｎ）からなる第２の発光膜２９を形
成した。そして、ガラス基板２３をレジスト剥離液（商
品名マイクロポジットリムーバ１４０）に浸漬し、さら
に超音波を印加することによりホトレジストパタン２８
を除去して、第２の発光膜であるＺｎＳ：Ｍｎ膜２９を
ホトエツチング加工した。

その後、高周波スパッタリング法により膜厚３００ｎｍ
のＴａ２０５膜からなる第３の絶縁膜３４を形成し、つ
づいて膜厚２００ｎｍの成育面電極３５を形成し。

さらに細線状にホトエツチング加工することによって、
第８図に示すような断面構造の薄膜ＥＬ素子を完成させ
た。

上記薄膜ＥＬ素子において、透明電極膜２４とＭ背面電
極膜３５との間に、周波数１ｋＨｚの交流電圧１５０ｖ
を印加したところ、第１および第２の発光膜２６および
２９はそれぞれ２００ｃｄ／ｒｒｒ以上の輝度で、青色
および黄色に発光した。また、電極膜２４と３５とにお
いて、電圧印加個所を適当に選択し、発光膜２６および
２９からの発光色を混合して観測することにより、青色
、黄色、白色の３色表示を行うことができた。また、ホ
トエツチング工程に起因する薄膜の剥離や、エツチング
液の浸透による薄膜の溶解などの素子故障は全く生じな
かった。

なお、上記薄膜ＥＬ素子の製造方法は、あくまで本発明
の一実施例であって２本発明の主旨を逸脱しない範囲で
、種々の変更や改善を行うことができるのはいうまでも
ない。

〔発明の効果〕

上記のように本発明による多色表示薄膜ＥＬ素子の製造
方法は、透明な絶縁基板上に配設された複数の帯状透明
電極と、該透明電極上に直接あるいは絶縁膜を介して３
種類の発光膜を形成し、さらに上記各発光膜上に絶縁膜
を介して背面電極を配設した多色表示薄膜ＥＬ素子の製
造方法において、第１の発光膜と絶縁膜とを連続して積
層形成する第１の工程と、上記第１の発光膜と絶縁膜と
をホトエツチングによりパタン加工する第２の工程と、
上記ホトエツチングに用いたホトレジストを残した状態
で、上記基板上に第２の発光膜と絶縁膜とを連続して形
成する第３の工程と、上記ホトレジストを除去すること
により上記第２の発光膜と絶縁膜とをリフトオフ加工す
る第４の工程と、上記第１および第２の発光膜と絶縁膜
の少なくとも一方を、ホトエツチングによりパタン加工
する第５の工程と、該第５の工程で用いたホトレジスト
を残した状態で、上記基板上に第３の発光膜と絶縁膜と
を連続して形成する第６の工程と、上記第５の工程で使
用したホトレジストを除去することにより、上記第３の
発光膜と絶縁膜とをリフトオフ加工する第７の工程とを
含むことにより、従来の多色表示薄膜ＥＬ素子の製造に
関する問題点を解決し、カラーＥＬ材料として近年とく
に注目されているＳｒＳ、ＣａＳなどのアルカリ土類系
発光膜を含む多色表示７Ｎ、膜ＥＬ素子をも実現できる
から、本発明による製造方法により高精細なフルカラー
平面形表示装置を薄膜ＥＬ素子で実現できるという効果
がある。なお、透明電極上に２種類の発光膜を形成して
多色表示薄膜ＥＬ素子を製造する場合も、本発明の製造
方法によって同様の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第６図は本発明による多色表示薄膜ＥＬ素
子の各製造工程をそれぞれ示す断面図。第７図は上記製造工程により製造した多色表示薄膜ＥＬ
素子の第１実施例を示す素子断面図、第８図は上記薄膜
ＥＬ素子の第２実施例を示す素子断面図、第９図は薄膜
ＥＬ素子の原理を説明する断面図、第１０図は上記薄膜
ＥＬ素子の一従来例を示す素子断面図、第１１図は上記
薄膜ＥＬ素子の他の従来例を示す素子断面図である。２３・・・絶縁基板　　　　　２４・・・帯状透明電極
２５・・・第１の絶縁膜　　　２６・・・第１の発光膜
２７・・・第２の絶縁膜　　　２９・・・第２の発光膜
３０・・・第３の絶縁膜　　　３２・・・第３の発光膜
３５・・・背面電極特許出原人　日本電信電話株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

１．　透明な絶縁基板上に配設された複数の帯状透明電
極と、該透明電極上に直接あるいは絶縁膜を介して３種
類の発光膜を形成し、さらに上記各発光膜上に絶縁膜を
介して背面電極を配設した多色表示薄膜ＥＬ素子の製造
方法において、第１の発光膜と絶縁膜とを連続して積層
形成する第１の工程と、上記第１の発光膜と絶縁膜とを
ホトエッチングによりパタン加工する第２の工程と、上
記ホトエッチングに用いたホトレジストを残した状態で
、上記基板上に第２の発光膜と絶縁膜とを連続して形成
する第３の工程と、上記ホトレジストを除去することに
より上記第２の発光膜と絶縁膜とをリフトオフ加工する
第４の工程と、上記第１および第２の発光膜と絶縁膜の
少なくとも一方を、ホトエッチングによりパタン加工す
る第５の工程と、該第５の工程で用いたホトレジストを
残した状態で、上記基板上に第３の発光膜と絶縁膜とを
連続して形成する第６の工程と、上記第５の工程で使用
したホトレジストを除去することにより、上記第３の発
光膜と絶縁膜とをリフトオフ加工する第７の工程とを含
むことを特徴とする多色表示薄膜ＥＬ素子の製造方法。
２．　透明な絶縁基板上に配設された複数の帯状透明電
極と、該透明電極上に直接あるいは絶縁膜を介して２種
類の発光膜を形成し、さらに上記各発光膜上に絶縁膜を
介して背面電極を配設した多色表示薄膜ＥＬ素子の製造
方法において、第１の発光膜と絶縁膜とを連続して積層
形成したのち、上記積層膜をホトエッチングによりパタ
ン加工する工程と、上記ホトエッチングに使用したホト
レジストを残した状態で、上記基板上に第２の発光膜と
絶縁膜とを連続して形成する工程と、上記ホトレジスト
を除去して、上記第２の発光膜と絶縁膜をリフトオフ加
工する工程とを含むことを特徴とする多色表示薄膜ＥＬ
素子の製造方法。