JPH01278053A - 高電力型半導体装置 - Google Patents
高電力型半導体装置Info
- Publication number
- JPH01278053A JPH01278053A JP63107903A JP10790388A JPH01278053A JP H01278053 A JPH01278053 A JP H01278053A JP 63107903 A JP63107903 A JP 63107903A JP 10790388 A JP10790388 A JP 10790388A JP H01278053 A JPH01278053 A JP H01278053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support plate
- semiconductor device
- semiconductor element
- sectional
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高電力を取扱う樹脂封止絶縁型の半導体装置に
関し、特にリードフレームを改善した半導体装置に関す
る。
関し、特にリードフレームを改善した半導体装置に関す
る。
従来、この種の半導体装置の一例として、パワートラン
ジスタを第３図に示す。第３図（ａ）は平面方向の断面
図、同図（ｂ）及び（ｃ）は夫々同図（ａ）のＸ−Ｘ、
Ｙ−Ｙ線縦断面図である。
ジスタを第３図に示す。第３図（ａ）は平面方向の断面
図、同図（ｂ）及び（ｃ）は夫々同図（ａ）のＸ−Ｘ、
Ｙ−Ｙ線縦断面図である。
図において、リードフレームｌはヒートシンクとしての
平板状をした支持板２と、３本の外部リード３．４．５
とを有しており、中央の外部り一ド３は支持板２と一体
に形成し、その基端部においてＬ字形に曲げ形成してい
る。そして、支持板２上に半導体素子６を搭載し、その
電極パッドを金属細線７で前記外部リード４，５に電気
接続した上で、これらを樹脂８で封止している。
平板状をした支持板２と、３本の外部リード３．４．５
とを有しており、中央の外部り一ド３は支持板２と一体
に形成し、その基端部においてＬ字形に曲げ形成してい
る。そして、支持板２上に半導体素子６を搭載し、その
電極パッドを金属細線７で前記外部リード４，５に電気
接続した上で、これらを樹脂８で封止している。
この半導体装置では、支持板２に設けた取付孔９を利用
して図外の放熱板に取着することにより、半導体素子６
に発生した熱は、支持板２を通して放熱板に伝達させ、
ここから放熱させる。また、一部は半導体素子６から樹
脂８を通して表面から大気に放熱させている。
して図外の放熱板に取着することにより、半導体素子６
に発生した熱は、支持板２を通して放熱板に伝達させ、
ここから放熱させる。また、一部は半導体素子６から樹
脂８を通して表面から大気に放熱させている。
ところで、この種の半導体装置においては、半導体素子
６に発生した熱により半導体装置自体が加熱されると、
支持板２．半導体素子６及び樹脂８の熱膨張係数が夫々
異なるため、半導体素子に応力が発生する。即ち、半導
体装置の温度が樹脂封止温度より低いときには第４図（
ａ）のように、樹脂の収縮により上に凹の断面形状とな
り、逆に樹脂封止温度より高いときには同図（ｂ）のよ
うに上に凸の断面形状となる。この温度変化に伴う変形
により半導体素子６に応力が加えられ、半導体素子が破
損する等して半導体装置の寿命を短かいものにしている
。
６に発生した熱により半導体装置自体が加熱されると、
支持板２．半導体素子６及び樹脂８の熱膨張係数が夫々
異なるため、半導体素子に応力が発生する。即ち、半導
体装置の温度が樹脂封止温度より低いときには第４図（
ａ）のように、樹脂の収縮により上に凹の断面形状とな
り、逆に樹脂封止温度より高いときには同図（ｂ）のよ
うに上に凸の断面形状となる。この温度変化に伴う変形
により半導体素子６に応力が加えられ、半導体素子が破
損する等して半導体装置の寿命を短かいものにしている
。
このため、従来では支持板２の厚さを厚クシてリードフ
レームの剛性を高め、半導体素子６への応力の緩和を図
っているが、これでは半導体装置自体が厚くなるととも
に、リードフレームの支持板２とリード３とが異なる厚
さに形成されることになり、加工が煩雑でかつコスト高
になるという問題がある。
レームの剛性を高め、半導体素子６への応力の緩和を図
っているが、これでは半導体装置自体が厚くなるととも
に、リードフレームの支持板２とリード３とが異なる厚
さに形成されることになり、加工が煩雑でかつコスト高
になるという問題がある。
本発明はリードフレームを厚く形成することなくその剛
性を高め、熱による半導体装置の寿命の劣化を防止した
高電力型半導体装置を提供することを目的としている。
性を高め、熱による半導体装置の寿命の劣化を防止した
高電力型半導体装置を提供することを目的としている。
本発明の高電力型半導体装置は、半導体素子を搭載し、
かつこの半導体素子とともに樹脂封止されるリードフレ
ームの支持板に、その側縁及び端縁部を折り起こした補
強片を一体に形成した構成としている。
かつこの半導体素子とともに樹脂封止されるリードフレ
ームの支持板に、その側縁及び端縁部を折り起こした補
強片を一体に形成した構成としている。
〔作用］
上述した構成では、支持板の側縁及び端縁に折り起こし
た補強片により、支持板の平面Ｘ方向。
た補強片により、支持板の平面Ｘ方向。
Ｙ方向の剛性を高め、熱応力による支持板の曲げを抑制
し、かつこの曲げによる半導体素子への熱応力の影響を
緩和させる。
し、かつこの曲げによる半導体素子への熱応力の影響を
緩和させる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示しており、第１図（ａ
）は平面方向の断面図、同図（ｂ）及び（ｃ）は夫々同
図（ａ）のＸ−Ｘ、Ｙ−Ｙ線群断面図である。
）は平面方向の断面図、同図（ｂ）及び（ｃ）は夫々同
図（ａ）のＸ−Ｘ、Ｙ−Ｙ線群断面図である。
図において、リードフレームｌはヒートシンクとしての
平板状でかつ矩形状をした支持板２と、３本の外部リー
ド３，４．５とを有しており、中央の外部リード３は支
持板２と一体に形成し、その基端部においてＬ字形に曲
げ形成している。この支持板２は一部に素子搭載部を構
成し、かつ先端側の位置には取付孔９を開設している。
平板状でかつ矩形状をした支持板２と、３本の外部リー
ド３，４．５とを有しており、中央の外部リード３は支
持板２と一体に形成し、その基端部においてＬ字形に曲
げ形成している。この支持板２は一部に素子搭載部を構
成し、かつ先端側の位置には取付孔９を開設している。
更に、支持板２の両側縁にはその縁部の一部を折り起こ
して立設させた補強片１０．１１を一体に形成し、また
前記外部リード３が一体形成された側の端縁には外部リ
ード３の基端部と一体となるように縁部の全体を折り起
こして立設した補強片１２を形成している。
して立設させた補強片１０．１１を一体に形成し、また
前記外部リード３が一体形成された側の端縁には外部リ
ード３の基端部と一体となるように縁部の全体を折り起
こして立設した補強片１２を形成している。
そして、支持板２上に半導体素子６を搭載し、その電極
パッドを金属細線７で前記外部リード４゜５に電気接続
した上で、これらを樹脂８で封止している。
パッドを金属細線７で前記外部リード４゜５に電気接続
した上で、これらを樹脂８で封止している。
この半導体装置では、支持板２に設けた取付孔９を利用
して図外の放熱板に取着することにより、半導体素子６
に発生した熱は、支持板２を通して放熱板に伝達させ、
ここから放熱させる。また、一部は半導体素子６から樹
脂８を通して表面から大気に放熱させることはこれまで
と同じである。
して図外の放熱板に取着することにより、半導体素子６
に発生した熱は、支持板２を通して放熱板に伝達させ、
ここから放熱させる。また、一部は半導体素子６から樹
脂８を通して表面から大気に放熱させることはこれまで
と同じである。
そして、この構造では、支持板２は両側の補強片ｔｏ、
１１によってＹ−Ｙ線方向の剛性が強化され、また補強
片１２によってＸ−Ｘ線方向の剛性が強化されている。
１１によってＹ−Ｙ線方向の剛性が強化され、また補強
片１２によってＸ−Ｘ線方向の剛性が強化されている。
このため、支持板２．半導体素子６及び樹脂８の熱膨張
係数の相違による熱応力がリードフレームに加えられて
も、支持板２がこの熱応力によっても曲げられることが
抑制でき、半導体素子６への熱応力の影響を緩和して素
子の割れや支持板２からの剥離等が防止でき、半導体装
置の信頼性を確保する。
係数の相違による熱応力がリードフレームに加えられて
も、支持板２がこの熱応力によっても曲げられることが
抑制でき、半導体素子６への熱応力の影響を緩和して素
子の割れや支持板２からの剥離等が防止でき、半導体装
置の信頼性を確保する。
第２図（ａ）乃至第２図（ｃ）は本発明の第２実施例の
平面方向の断面図及びそのＸ−Ｘ線、Ｙ−Ｙ線に沿う断
面図を示している。なお、第１図と同一部分には同一符
号を付しである。
平面方向の断面図及びそのＸ−Ｘ線、Ｙ−Ｙ線に沿う断
面図を示している。なお、第１図と同一部分には同一符
号を付しである。
この実施例では、支持板２の端部に形成した補強片（第
１図の符号１２）を外部リード３の両側に設けたスリッ
トにより補強片１２Ａとして分離形成し、この補強片１
２Ａを樹脂８に食い込ませた構造としている。この食い
込みにより、補強片１２Ａと樹脂８との一体化を更に向
上させ、支持板２におけるＹ−Ｙ線方向の剛性を一層強
化させている。
１図の符号１２）を外部リード３の両側に設けたスリッ
トにより補強片１２Ａとして分離形成し、この補強片１
２Ａを樹脂８に食い込ませた構造としている。この食い
込みにより、補強片１２Ａと樹脂８との一体化を更に向
上させ、支持板２におけるＹ−Ｙ線方向の剛性を一層強
化させている。
以上説明したように本発明は、リードフレームの支持板
には、その側縁及び端縁部を折り起こした補強片を一体
に形成しているので、これらの補強片により、支持板の
平面Ｘ方向、Ｙ方向の剛性を高め、熱応力による支持板
の曲げを抑制し、かつこの曲げによる半導体素子への熱
応力の影響を緩和させることができる。これにより、支
持板を厚く形成することなく剛性を高め、半導体装置の
寿命を高めることができるとともに半導体装置の薄型化
及び低コスト化を達成できる。
には、その側縁及び端縁部を折り起こした補強片を一体
に形成しているので、これらの補強片により、支持板の
平面Ｘ方向、Ｙ方向の剛性を高め、熱応力による支持板
の曲げを抑制し、かつこの曲げによる半導体素子への熱
応力の影響を緩和させることができる。これにより、支
持板を厚く形成することなく剛性を高め、半導体装置の
寿命を高めることができるとともに半導体装置の薄型化
及び低コスト化を達成できる。
第１図は本発明の第１実施例を示し、同図（ａ）は平面
断面図、同図（ｂ）はそのｘ −Ｘ ＆；ｌ縦断面図、
同図（ｃ）はそのＹ−Ｙ締縮断面図、第２図は本発明の
第２実施例を示し、同図（ａ）は平面断面図、同図（ｂ
）はそのＸ−Ｘ線縦断面図、同図（ｃ）はそのＹ−Ｙ締
縮断面図、第３図は従来構造を示し、同図（ａ）は平面
断面図、同図（ｂ）はそのＸ−Ｘ線縦断面図、同図（ｃ
）はそのＹ−Ｙ締縮断面図、第４図（ａ）及び（ｂ）は
熱応力を説明するためにモデル化した図であり、夫々第
３図（ｂ）と同様の縦断面状態を示している。 ■・・・リードフレーム、２・・・支持板、３，４．５
・・・外部リード、６・・・半導体素子、７・・・金属
細線、８・・・樹脂、９・・・取付孔、１０．１１・・
・補強片、１２．１２Ａ・・・補強片。 第１図 第２図 第３図 （ａ） 第４図 （ａ） （ｂ）
断面図、同図（ｂ）はそのｘ −Ｘ ＆；ｌ縦断面図、
同図（ｃ）はそのＹ−Ｙ締縮断面図、第２図は本発明の
第２実施例を示し、同図（ａ）は平面断面図、同図（ｂ
）はそのＸ−Ｘ線縦断面図、同図（ｃ）はそのＹ−Ｙ締
縮断面図、第３図は従来構造を示し、同図（ａ）は平面
断面図、同図（ｂ）はそのＸ−Ｘ線縦断面図、同図（ｃ
）はそのＹ−Ｙ締縮断面図、第４図（ａ）及び（ｂ）は
熱応力を説明するためにモデル化した図であり、夫々第
３図（ｂ）と同様の縦断面状態を示している。 ■・・・リードフレーム、２・・・支持板、３，４．５
・・・外部リード、６・・・半導体素子、７・・・金属
細線、８・・・樹脂、９・・・取付孔、１０．１１・・
・補強片、１２．１２Ａ・・・補強片。 第１図 第２図 第３図 （ａ） 第４図 （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- １、矩形状に形成したリードフレームの支持板上に半導
体素子を搭載し、かつこの半導体素子を外部リードに電
気接続した上で前記支持板とともに樹脂封止してなる高
電力型半導体装置において、前記支持板の側縁及び端縁
には夫々支持板の縁部を折り起こした補強片を一体に形
成したことを特徴とする高電力型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63107903A JPH01278053A (ja) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | 高電力型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63107903A JPH01278053A (ja) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | 高電力型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01278053A true JPH01278053A (ja) | 1989-11-08 |
Family
ID=14470992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63107903A Pending JPH01278053A (ja) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | 高電力型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01278053A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5530284A (en) * | 1995-03-06 | 1996-06-25 | Motorola, Inc. | Semiconductor leadframe structure compatible with differing bond wire materials |
-
1988
- 1988-04-30 JP JP63107903A patent/JPH01278053A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5530284A (en) * | 1995-03-06 | 1996-06-25 | Motorola, Inc. | Semiconductor leadframe structure compatible with differing bond wire materials |
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