JPH0129059B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0129059B2 JPH0129059B2 JP57197202A JP19720282A JPH0129059B2 JP H0129059 B2 JPH0129059 B2 JP H0129059B2 JP 57197202 A JP57197202 A JP 57197202A JP 19720282 A JP19720282 A JP 19720282A JP H0129059 B2 JPH0129059 B2 JP H0129059B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capillary
- thin metal
- metal wire
- tip
- height
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07521—Aligning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、ICやLSIなど半導体装置の製造工
程で、半導体チツプの電極と外部リード端子を金
属細線で接続するワイヤボンデイング装置に関す
る。
程で、半導体チツプの電極と外部リード端子を金
属細線で接続するワイヤボンデイング装置に関す
る。
従来のワイヤボンデイング装置は、第１図に要
部を示す構成図のようになつていた。１はわく体
で、Ｘ軸、Ｙ軸方向に移動するXYテーブル（図
示は略す）上に取付けられ、ボンデイングヘツド
部を支持する。２はキヤピラリチツプで、キヤピ
ラリ腕３の先端に取付けられている。４はこのキ
ヤピラリ腕３を一方側に取付けた支持部材で、他
方側に伝達腕５を取付けており、わく体１に固着
された支持ピン６に回動自在に支持されている。
７は伝達腕５の他方側に取付けられた取付体で、
他端側にわく体１との間に引張ばね８が装着さ
れ、支持ピン６を支点としてキヤピラリチツプ２
が下降する回動方向にばね圧が加えられている。
９はＺ軸カムで、わく体１に取付けられた駆動電
動機（図示は略す）にカム軸１０を介し駆動回転
される。１１はわく体１に固着された支持ピン１
２に回動自在に支持された伝達レバーで、前端部
に固定した接触子１３が上記取付体７上に当接
し、後端部とわく体１との間に引張ばね１４が装
着され、取付体７を押下げる方向に回動力が加え
られている。伝導レバー１１は後端側にローラ１
５が装着されており、Ｚ軸カム９の外周面に当接
していて上下方向に回動され、接触子１３側を上
下方向に移動し、これによりキヤピラリチツプ２
が下降、上昇運動される。１６は上方配設のスプ
ール（図示は略す）から引出され、キヤピラリチ
ツプ２に通された金属細線である。
部を示す構成図のようになつていた。１はわく体
で、Ｘ軸、Ｙ軸方向に移動するXYテーブル（図
示は略す）上に取付けられ、ボンデイングヘツド
部を支持する。２はキヤピラリチツプで、キヤピ
ラリ腕３の先端に取付けられている。４はこのキ
ヤピラリ腕３を一方側に取付けた支持部材で、他
方側に伝達腕５を取付けており、わく体１に固着
された支持ピン６に回動自在に支持されている。
７は伝達腕５の他方側に取付けられた取付体で、
他端側にわく体１との間に引張ばね８が装着さ
れ、支持ピン６を支点としてキヤピラリチツプ２
が下降する回動方向にばね圧が加えられている。
９はＺ軸カムで、わく体１に取付けられた駆動電
動機（図示は略す）にカム軸１０を介し駆動回転
される。１１はわく体１に固着された支持ピン１
２に回動自在に支持された伝達レバーで、前端部
に固定した接触子１３が上記取付体７上に当接
し、後端部とわく体１との間に引張ばね１４が装
着され、取付体７を押下げる方向に回動力が加え
られている。伝導レバー１１は後端側にローラ１
５が装着されており、Ｚ軸カム９の外周面に当接
していて上下方向に回動され、接触子１３側を上
下方向に移動し、これによりキヤピラリチツプ２
が下降、上昇運動される。１６は上方配設のスプ
ール（図示は略す）から引出され、キヤピラリチ
ツプ２に通された金属細線である。
次に、１７はリードフレーム１８のダイパツド
部１８ａ上に接着された半導体チツプで、電極と
リードフレーム１８の外部リード端子１８ｂとに
金属細線１６によりワイヤボンデイングされる。
１６ａは金属細線１６に形成されたループ、１９
はリードフレーム１８が載せられ加熱する受台で
ある。
部１８ａ上に接着された半導体チツプで、電極と
リードフレーム１８の外部リード端子１８ｂとに
金属細線１６によりワイヤボンデイングされる。
１６ａは金属細線１６に形成されたループ、１９
はリードフレーム１８が載せられ加熱する受台で
ある。
上記従来装置のキヤピラリチツプ２の動作１サ
イクル分を、第２図に順に説明図で示し、Ｚ軸カ
ム９の回転角度とキヤピラリチツプ２の上下移動
量との関係を、第３図に曲線図で示す。θはＺ軸
カムの回転角度、Ｌはキヤピラリチツプ２の移動
高さを表す。
イクル分を、第２図に順に説明図で示し、Ｚ軸カ
ム９の回転角度とキヤピラリチツプ２の上下移動
量との関係を、第３図に曲線図で示す。θはＺ軸
カムの回転角度、Ｌはキヤピラリチツプ２の移動
高さを表す。
キヤピラリチツプ２のワイヤボンデイング動作
を、第２図及び第３図により説明する。まず、キ
ヤピラリチツプ２は上死点高さH1の位置（第２
図ａ）から下降し始め（第３図Ａ区間）、第２図
ｂ位置を経て、半導体チツプ１７の電極上に着地
し（第２図ｃ、第３図Ｂ区間）、金属細線１６の
下端に形成されてあるボールが、キヤピラリチツ
プ２により熱圧着（あるいはさらには、超音波圧
接）で接合される。次に、キヤピラリチツプ２が
上昇し始め、同時にXYテーブル（図示は略す）
が移動を始め、キヤピラリチツプ２は上死点高さ
H1まで上昇する（第２図ｄ，ｅ、第３図Ｃ前半
区間）。つづいて、キヤピラリチツプ２が下降し
始め、第２図ｆ，ｇ，ｈのように下降し（第３図
Ｃ後半区間）、外部リード端子１８ｂ上に着地す
る（第２図ｉ、第３図Ｄ区間）。ここで、金属細
線１６がキヤピラリチツプ２により熱圧着（ある
いはさらには、超音波圧接）で接合される。これ
により金属細線１６のワイヤボンドの山形のルー
プ１６ａが形成される。ついで、キヤピラリチツ
プ２が上昇を始め、（第２図ｊ）、上昇の途中で金
属細線１６をクランプ装置（図示していない）に
より狭み付けることにより引き切り、キヤピラリ
チツプ２の先端から金属細線１６が所要長さ残さ
れた状態になり、上死点に上昇復帰する（第２図
ｋ、第３図Ｅ区間）。次に、キヤピラリチツプ２
の下方に電気トーチ電極２０が入り込み、高電圧
の印加により金属細線１６の下端に電気火花を発
生させ、高熱による溶融でボール１６ｂを形成し
（第２図ｌ）、１サイクルのワイヤボンデイングが
完了する。
を、第２図及び第３図により説明する。まず、キ
ヤピラリチツプ２は上死点高さH1の位置（第２
図ａ）から下降し始め（第３図Ａ区間）、第２図
ｂ位置を経て、半導体チツプ１７の電極上に着地
し（第２図ｃ、第３図Ｂ区間）、金属細線１６の
下端に形成されてあるボールが、キヤピラリチツ
プ２により熱圧着（あるいはさらには、超音波圧
接）で接合される。次に、キヤピラリチツプ２が
上昇し始め、同時にXYテーブル（図示は略す）
が移動を始め、キヤピラリチツプ２は上死点高さ
H1まで上昇する（第２図ｄ，ｅ、第３図Ｃ前半
区間）。つづいて、キヤピラリチツプ２が下降し
始め、第２図ｆ，ｇ，ｈのように下降し（第３図
Ｃ後半区間）、外部リード端子１８ｂ上に着地す
る（第２図ｉ、第３図Ｄ区間）。ここで、金属細
線１６がキヤピラリチツプ２により熱圧着（ある
いはさらには、超音波圧接）で接合される。これ
により金属細線１６のワイヤボンドの山形のルー
プ１６ａが形成される。ついで、キヤピラリチツ
プ２が上昇を始め、（第２図ｊ）、上昇の途中で金
属細線１６をクランプ装置（図示していない）に
より狭み付けることにより引き切り、キヤピラリ
チツプ２の先端から金属細線１６が所要長さ残さ
れた状態になり、上死点に上昇復帰する（第２図
ｋ、第３図Ｅ区間）。次に、キヤピラリチツプ２
の下方に電気トーチ電極２０が入り込み、高電圧
の印加により金属細線１６の下端に電気火花を発
生させ、高熱による溶融でボール１６ｂを形成し
（第２図ｌ）、１サイクルのワイヤボンデイングが
完了する。
第２図と第３図の対応は、ａ，ｂがＡ区間、ｃ
の着地時がＢ区間で圧着時間となる。ｄ〜ｈがＣ
区間で、金属細線１６にループが作られる。ｉが
Ｄ区間で着地時間となり、ｊ〜ｌがＥ区間で、こ
の間にボール１６ａが形成される。
の着地時がＢ区間で圧着時間となる。ｄ〜ｈがＣ
区間で、金属細線１６にループが作られる。ｉが
Ｄ区間で着地時間となり、ｊ〜ｌがＥ区間で、こ
の間にボール１６ａが形成される。
従来のワイヤボンデイング装置は、金属細線１
６の下端にボール１６ａを形成するために、キヤ
ピラリチツプ２の下方に電気トーチ電極２０を入
り込ませるスペースが必要であるので、上死点
H1を高くとつている。この高さH1を上死点の基
準にとつていて、Ｚ軸カム９の上死点に対する外
周部半径Raと、ループ形成に対する外周部半径
R1は同一であり、ループ形成時に上昇する高さ
もH1だけ上昇していた。第２図ｅに示すように、
H1の長さ分がキヤピラリチツプ２の下端から出
ることになる。この金属細線１６のH1の長さは、
ループ１６ａを作る必要な長さに比べて長過ぎる
ため、特にワイヤボンデイング速度を高速化して
いくと、金属細線１６はキヤピラリチツプ２のす
べり、バツクテンシヨンの影響を受けやすくな
り、下降時にキヤピラリチツプ２の上方に戻りき
れない現象が起きることが多くなり、ループ１６
ａの山形が大きくなり過ぎる異常が発生しやすい
欠点があつた。
６の下端にボール１６ａを形成するために、キヤ
ピラリチツプ２の下方に電気トーチ電極２０を入
り込ませるスペースが必要であるので、上死点
H1を高くとつている。この高さH1を上死点の基
準にとつていて、Ｚ軸カム９の上死点に対する外
周部半径Raと、ループ形成に対する外周部半径
R1は同一であり、ループ形成時に上昇する高さ
もH1だけ上昇していた。第２図ｅに示すように、
H1の長さ分がキヤピラリチツプ２の下端から出
ることになる。この金属細線１６のH1の長さは、
ループ１６ａを作る必要な長さに比べて長過ぎる
ため、特にワイヤボンデイング速度を高速化して
いくと、金属細線１６はキヤピラリチツプ２のす
べり、バツクテンシヨンの影響を受けやすくな
り、下降時にキヤピラリチツプ２の上方に戻りき
れない現象が起きることが多くなり、ループ１６
ａの山形が大きくなり過ぎる異常が発生しやすい
欠点があつた。
この発明は、上記従来装置の欠点をなくするた
めになされたもので、半導体チツプへの金属細線
の圧着後のキヤピラリチツプの上昇高さを、上死
点高さより低くなるようにし、かつ、金属細線の
適当なループ形成に必要な長さ分とほぼ同じ距離
だけ上昇させるようにし、ボンデイング速度の高
速化に伴うループ異常の発生を防止したワイヤボ
ンデイング装置を提供することを目的としてい
る。
めになされたもので、半導体チツプへの金属細線
の圧着後のキヤピラリチツプの上昇高さを、上死
点高さより低くなるようにし、かつ、金属細線の
適当なループ形成に必要な長さ分とほぼ同じ距離
だけ上昇させるようにし、ボンデイング速度の高
速化に伴うループ異常の発生を防止したワイヤボ
ンデイング装置を提供することを目的としてい
る。
第４図はこの発明の一実施例によるワイヤボン
デイング装置の要部を示す構成図であり、１〜
８，１０〜１９，１６ａ，１８ａ，１８ｂは上記
従来装置と同一のもので、説明は省く。
デイング装置の要部を示す構成図であり、１〜
８，１０〜１９，１６ａ，１８ａ，１８ｂは上記
従来装置と同一のもので、説明は省く。
３０はカム軸１０に固着され駆動回転されるＺ
軸カムであり、キヤピラリチツプ２を上死点に上
昇させる区間の外周部半径Raに対し、適当な高
さのループを形成するための上昇区間の外周部半
径R2は大きくして、キヤピラリチツプ２を上死
点より低い上昇点にし、金属細線１６が適当なル
ープ１６ａを形成するに要する長さにほぼ等しい
高さになるようにしている。
軸カムであり、キヤピラリチツプ２を上死点に上
昇させる区間の外周部半径Raに対し、適当な高
さのループを形成するための上昇区間の外周部半
径R2は大きくして、キヤピラリチツプ２を上死
点より低い上昇点にし、金属細線１６が適当なル
ープ１６ａを形成するに要する長さにほぼ等しい
高さになるようにしている。
上記一実施例の装置のキヤピラリチツプ２の動
作１サイクル分を、第５図に順に説明図で示し、
Ｚ軸カム３０の回転角度とキヤピラリチツプ２の
上下移動量との関係を、第６図に曲線図で示す。
作１サイクル分を、第５図に順に説明図で示し、
Ｚ軸カム３０の回転角度とキヤピラリチツプ２の
上下移動量との関係を、第６図に曲線図で示す。
第５図ａ〜ｃ，ｉ〜ｌは第２図ａ〜ｃ，ｉ〜ｌ
と同一であり、第６図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅは、第
３図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅと同一である。第５図ｃ
のように、金属細線１６のボール１６ａで半導体
チツプ１７に圧着後、ｄに示すように、キヤピラ
リチツプ２は上昇を始めるが、Ｚ軸カム３０によ
り高さH2まで上昇する。この高さH2は上死点高
さH1より低く、ｅ〜ｈに示すキヤピラリチツプ
２の上昇点からの下降と、XYテーブルの移動と
によるループ形成の所要長さにほぼ等しい長さに
してある。
と同一であり、第６図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅは、第
３図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅと同一である。第５図ｃ
のように、金属細線１６のボール１６ａで半導体
チツプ１７に圧着後、ｄに示すように、キヤピラ
リチツプ２は上昇を始めるが、Ｚ軸カム３０によ
り高さH2まで上昇する。この高さH2は上死点高
さH1より低く、ｅ〜ｈに示すキヤピラリチツプ
２の上昇点からの下降と、XYテーブルの移動と
によるループ形成の所要長さにほぼ等しい長さに
してある。
これを、第６図にＣ区間で示し、キヤピラリチ
ツプ２の上昇高さH2は、H2＜H1にしている。
ツプ２の上昇高さH2は、H2＜H1にしている。
なお、上記実施例では、キヤピラリチツプ２を
上昇、下降させるキヤピラリ腕３の回動運動は、
Ｚ軸カム３０の回転を伝導レバー１１を介し駆動
伝達したが、これに限らず、例えばＺ軸カムの外
周部運動を、キヤピラリ腕の反対側の伝達腕に直
接伝え回動させるようにしてもよい。この場合は
Ｚ軸カムの外周形状は、第４図に示すＺ軸カム３
０より異なるものになる。
上昇、下降させるキヤピラリ腕３の回動運動は、
Ｚ軸カム３０の回転を伝導レバー１１を介し駆動
伝達したが、これに限らず、例えばＺ軸カムの外
周部運動を、キヤピラリ腕の反対側の伝達腕に直
接伝え回動させるようにしてもよい。この場合は
Ｚ軸カムの外周形状は、第４図に示すＺ軸カム３
０より異なるものになる。
また、金属細線１６を圧着するのに、熱圧着に
超音波圧着を加えてワイヤボンデイングする場合
は、キヤピラリ腕は後端に超音波発振機を取付け
たものにする。
超音波圧着を加えてワイヤボンデイングする場合
は、キヤピラリ腕は後端に超音波発振機を取付け
たものにする。
この発明は、以上説明したとおり、Ｚ軸カムの
外周形状を変更し、半導体チツプに金属細線を圧
着後、キヤピラリチツプを外部リード端子上に移
動する際、上昇する高さを、ループ形成に必要な
長さとほぼ同じ距離にし、金属細線の先端にボー
ルを形成するに要する上昇高さより低くしたの
で、適当なループが形成されたワイヤボンデイン
グができ、品質が向上され、ループ形成区間の時
間が短縮され（Ｚ軸カムの角度配分が小さくでき
る）、十分な圧着時間をもつたＺ軸カムにするこ
とができ、ワイヤボンデイング速度がより高速化
される効果がある。
外周形状を変更し、半導体チツプに金属細線を圧
着後、キヤピラリチツプを外部リード端子上に移
動する際、上昇する高さを、ループ形成に必要な
長さとほぼ同じ距離にし、金属細線の先端にボー
ルを形成するに要する上昇高さより低くしたの
で、適当なループが形成されたワイヤボンデイン
グができ、品質が向上され、ループ形成区間の時
間が短縮され（Ｚ軸カムの角度配分が小さくでき
る）、十分な圧着時間をもつたＺ軸カムにするこ
とができ、ワイヤボンデイング速度がより高速化
される効果がある。
第１図は従来のワイヤボンデイング装置の要部
を示す構成図、第２図は第１図のキヤピラリチツ
プの動作１サイクル分を順に示す説明図、第３図
は第１図のＺ軸カムの回転角度とキヤピラリチツ
プの上下移動量との関係を示す曲線図、第４図は
この発明の一実施例によるワイヤボンデイング装
置の要部を示す構成図、第５図は第４図のキヤピ
ラリチツプの動作１サイクル分を順に示す説明
図、第６図は第４図のＺ軸カムの回転角度とキヤ
ピラリチツプの上下移動量との関係を示す曲線図
である。 ２……キヤピラリチツプ、３……ボンデイング
腕、５……伝達腕、１１……伝導レバー、１６…
…金属細線、１６ａ……ループ、１７……半導体
チツプ、１８ｂ……外部リード端子、３０……Ｚ
軸カム。なお、図中同一符号は同一又は相当部分
を示す。
を示す構成図、第２図は第１図のキヤピラリチツ
プの動作１サイクル分を順に示す説明図、第３図
は第１図のＺ軸カムの回転角度とキヤピラリチツ
プの上下移動量との関係を示す曲線図、第４図は
この発明の一実施例によるワイヤボンデイング装
置の要部を示す構成図、第５図は第４図のキヤピ
ラリチツプの動作１サイクル分を順に示す説明
図、第６図は第４図のＺ軸カムの回転角度とキヤ
ピラリチツプの上下移動量との関係を示す曲線図
である。 ２……キヤピラリチツプ、３……ボンデイング
腕、５……伝達腕、１１……伝導レバー、１６…
…金属細線、１６ａ……ループ、１７……半導体
チツプ、１８ｂ……外部リード端子、３０……Ｚ
軸カム。なお、図中同一符号は同一又は相当部分
を示す。
Claims (1)
- １ ボンデイング腕の先端に装着してあるキヤピ
ラリチツプを上昇、下降させ、半導体チツプと外
部リード端子とを金属細線によりワイヤボンドす
る装置において、上記半導体チツプにボンデイン
グし次の上記外部リード端子上へ移動する際、上
記キヤピラリチツプの上昇高さを、上記金属細線
の適当なループ形成に必要な長さ分とほぼ同じ距
離だけ下死点から上昇させるようにし、金属細線
の先端にボールを形成するに要する上昇高さより
低くしたことを特徴とするワイヤボンデイング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57197202A JPS5986233A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57197202A JPS5986233A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | ワイヤボンデイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986233A JPS5986233A (ja) | 1984-05-18 |
| JPH0129059B2 true JPH0129059B2 (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=16370509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57197202A Granted JPS5986233A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986233A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2725102B2 (ja) * | 1991-10-17 | 1998-03-09 | 株式会社カイジョー | ワイヤボンディング方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501648A (ja) * | 1973-05-07 | 1975-01-09 | ||
| JPS571238A (en) * | 1980-06-03 | 1982-01-06 | Fujitsu Ltd | Bonding of wire |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57197202A patent/JPS5986233A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5986233A (ja) | 1984-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5976964A (en) | Method of improving interconnect of semiconductor device by utilizing a flattened ball bond | |
| US6995469B2 (en) | Semiconductor apparatus and fabricating method for the same | |
| JP2003197669A (ja) | ボンディング方法及びボンディング装置 | |
| JP3049515B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JPH04294552A (ja) | ワイヤーボンディング方法 | |
| JPH0129059B2 (ja) | ||
| CN112437974B (zh) | 半导体裸片的球接合附接 | |
| JP2500655B2 (ja) | ワイヤ―ボンディング方法及びその装置 | |
| JPH0522384B2 (ja) | ||
| US3664567A (en) | Arm assembly for bonding apparatus | |
| JPS62123728A (ja) | ワイヤボンデイング方法および装置 | |
| KR19980027876A (ko) | 와이어 본딩 장치의 본더 헤드 | |
| JPH07235562A (ja) | ウエッジボンディング装置 | |
| JP2928590B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH0563011A (ja) | ダイボンダー・ヘツドの構造 | |
| JPH0458694B2 (ja) | ||
| JP2924284B2 (ja) | ワイヤボンダ | |
| JPS61234044A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JPH07130749A (ja) | 電子部品のリード接合装置並びに接合方法 | |
| JPS6146052B2 (ja) | ||
| JPH0831459B2 (ja) | ボ−ルバンプ形成方法及びその装置 | |
| JPH07283262A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPH0394434A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPS6027182B2 (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JPH0447972B2 (ja) |