JPH01294212A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPH01294212A JPH01294212A JP12308488A JP12308488A JPH01294212A JP H01294212 A JPH01294212 A JP H01294212A JP 12308488 A JP12308488 A JP 12308488A JP 12308488 A JP12308488 A JP 12308488A JP H01294212 A JPH01294212 A JP H01294212A
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- JP
- Japan
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- film
- coil conductor
- magnetic
- insulating film
- coil
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、薄膜加工技術によって作られる微細コイル
を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図、第４図（ａ）
〜（ｒ）は例えば特開昭６０−２４６０１３号公報に示
す従来の薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法を工程順に示
す断面図である。
〜（ｒ）は例えば特開昭６０−２４６０１３号公報に示
す従来の薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法を工程順に示
す断面図である。
図において、（１）は非磁性基板、（２）は下部磁性膜
、（３）はギャップ絶縁膜、（４ａ）、（４ｂ）は層間
絶縁膜、（５）はコイル導体膜、（５ａ）はめっき下地
膜（５ｂ）は電気めっきで形成されたコイル導体膜、（
６）は、上部磁性膜、（７）は保護膜、（８ａ）、（８
ｂ）はレジストである。
、（３）はギャップ絶縁膜、（４ａ）、（４ｂ）は層間
絶縁膜、（５）はコイル導体膜、（５ａ）はめっき下地
膜（５ｂ）は電気めっきで形成されたコイル導体膜、（
６）は、上部磁性膜、（７）は保護膜、（８ａ）、（８
ｂ）はレジストである。
次に従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する
。表面にＡＩ、Ｏ，などの絶縁膜が付与された非磁性基
板（１）上に、パーマロイをス／パタリンやめっきによ
って２〜３１．成膜後、レジストをマスクとして化学エ
ツチングやイオントリミングによって下部磁性膜（２）
を形成する。次に、ギャップ絶縁膜（３）としてＡＩ、
Ｏ，を０．５〜０．８□ス・ツバタリングによって形成
し、上部磁性膜（６）との接続部をエツチングする。そ
の後、レジストをパターニング後硬化させて下部磁性膜
（２）上に層間絶縁膜（４ａ）を２＃、形成する。この
層間絶縁膜（４１）上にＣｕなどのめっき下地膜（５，
）をスパッタリングや蒸着などによって０．１〜０．２
．形成後（第４図（ａ））、レジスト（８，）を塗布・
パターニングしく第４図（ｂ）ｌ、電気めっきによって
Ｃｕコイル導体膜（５５）を２□形成する１第４図（Ｃ
））。次に、さらにコイル導体膜（５）Ｈ厚を増加させ
るためにコイル導体膜（５ゎ）間のレジス）（Ｌ）を２
００〜３００℃で加熱硬化し、続いてレジスト（８ｋ）
を塗布し、前回のコイル導体１１４（５ｈ）形成のとき
と同一にパターニング後、再び電気めっきによってＣｕ
コイル導体膜（５ｂ）を２．、形成する（第４図（ｄ）
）その後上部レジスト（８ｈ）を溶剤によって、また下
部レジスト（８，）は０．ガスでドライエツチングして
除去しく第４図（ｅ）ｌ、コイル以外のめっき下地膜や
コイル導体膜をイオントリミングや化学エツチングなど
によって除去してコイルを形成する（第４図（ｆ））。
。表面にＡＩ、Ｏ，などの絶縁膜が付与された非磁性基
板（１）上に、パーマロイをス／パタリンやめっきによ
って２〜３１．成膜後、レジストをマスクとして化学エ
ツチングやイオントリミングによって下部磁性膜（２）
を形成する。次に、ギャップ絶縁膜（３）としてＡＩ、
Ｏ，を０．５〜０．８□ス・ツバタリングによって形成
し、上部磁性膜（６）との接続部をエツチングする。そ
の後、レジストをパターニング後硬化させて下部磁性膜
（２）上に層間絶縁膜（４ａ）を２＃、形成する。この
層間絶縁膜（４１）上にＣｕなどのめっき下地膜（５，
）をスパッタリングや蒸着などによって０．１〜０．２
．形成後（第４図（ａ））、レジスト（８，）を塗布・
パターニングしく第４図（ｂ）ｌ、電気めっきによって
Ｃｕコイル導体膜（５５）を２□形成する１第４図（Ｃ
））。次に、さらにコイル導体膜（５）Ｈ厚を増加させ
るためにコイル導体膜（５ゎ）間のレジス）（Ｌ）を２
００〜３００℃で加熱硬化し、続いてレジスト（８ｋ）
を塗布し、前回のコイル導体１１４（５ｈ）形成のとき
と同一にパターニング後、再び電気めっきによってＣｕ
コイル導体膜（５ｂ）を２．、形成する（第４図（ｄ）
）その後上部レジスト（８ｈ）を溶剤によって、また下
部レジスト（８，）は０．ガスでドライエツチングして
除去しく第４図（ｅ）ｌ、コイル以外のめっき下地膜や
コイル導体膜をイオントリミングや化学エツチングなど
によって除去してコイルを形成する（第４図（ｆ））。
コイル形成後、層間絶縁膜（４，）と上部磁性膜（６）
を前記と同様にして形成し、最後に耐機械加工性や耐候
性のために、２０〜３０２．の＾１，０３保護膜（７）
をスパッタリングによって形成する。
を前記と同様にして形成し、最後に耐機械加工性や耐候
性のために、２０〜３０２．の＾１，０３保護膜（７）
をスパッタリングによって形成する。
従来の薄膜磁気ヘッドのコイルは以上のように構成され
ているので、微細な膜厚の大きなコイルを形成するため
にはその工程数が多くなり、また電気めっきによってコ
イル導体膜（５）を形成するため、その膜厚のバラツキ
が大きくなりやす＜、十分大きな均一な膜厚のコイル導
体膜（５）は形成しにくい。またコイル形成後の表面は
起伏が大きいため、平坦化する必要があるなどの問題が
あったこの発明は上記のようへ課題を解消するためにな
されたもので、工程数を少なくできると共に、コイル間
隔が狭く、コイル導体膜厚の大きい抵抗の均一な薄膜磁
気ヘッドの製造方法を得ることを目的とする。
ているので、微細な膜厚の大きなコイルを形成するため
にはその工程数が多くなり、また電気めっきによってコ
イル導体膜（５）を形成するため、その膜厚のバラツキ
が大きくなりやす＜、十分大きな均一な膜厚のコイル導
体膜（５）は形成しにくい。またコイル形成後の表面は
起伏が大きいため、平坦化する必要があるなどの問題が
あったこの発明は上記のようへ課題を解消するためにな
されたもので、工程数を少なくできると共に、コイル間
隔が狭く、コイル導体膜厚の大きい抵抗の均一な薄膜磁
気ヘッドの製造方法を得ることを目的とする。
この発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は基板に磁性膜を
設け、この磁性膜に絶縁膜を設け、この絶縁膜にドライ
エツチングによりコイル導体膜形成用間隙を設ける工程
、このコイル導体膜形成用間隙の上記磁性膜に無電解め
っき下地膜を設ける工程、上記コイル導体膜形成用間隙
に無電解めっきによりコイル導体膜を設ける工程、およ
びこのコイル導体膜に絶縁膜を設ける工程を施すもので
ある。
設け、この磁性膜に絶縁膜を設け、この絶縁膜にドライ
エツチングによりコイル導体膜形成用間隙を設ける工程
、このコイル導体膜形成用間隙の上記磁性膜に無電解め
っき下地膜を設ける工程、上記コイル導体膜形成用間隙
に無電解めっきによりコイル導体膜を設ける工程、およ
びこのコイル導体膜に絶縁膜を設ける工程を施すもので
ある。
この発明において、コイル導体膜を無電解めっきで形成
し、製造プロセスを簡略化する。又、コイル間絶縁膜を
絶縁膜のドライエツチングにより形成することにより微
細な深い溝が形成でき、この溝への導体膜の形成は、コ
イル下絶縁膜りに形成された下地膜の触媒作用により、
めっき液中の金属イオンを化学反応によって金属に還元
する無電解めっきによるので膜厚の均一なコイル導体を
形成する。
し、製造プロセスを簡略化する。又、コイル間絶縁膜を
絶縁膜のドライエツチングにより形成することにより微
細な深い溝が形成でき、この溝への導体膜の形成は、コ
イル下絶縁膜りに形成された下地膜の触媒作用により、
めっき液中の金属イオンを化学反応によって金属に還元
する無電解めっきによるので膜厚の均一なコイル導体を
形成する。
以下、この発明の一実施例について説明する。第１図（
ａ）〜（ｇ）はこの発明の一実施例の薄膜磁気トッドの
製造方法に係わるコイル形成方法を工程順に示す断面図
であり、図において、（４，）はコイル導体膜間の無機
絶縁膜、（４６）はコイル導体膜と上部磁性膜間の有機
絶縁膜、（５ｏ）は無電解めっきを開始するための触媒
を含むめっき一ド地膜、（５ｄ）は無電解めっきによっ
て形成されたコイル導体膜。
ａ）〜（ｇ）はこの発明の一実施例の薄膜磁気トッドの
製造方法に係わるコイル形成方法を工程順に示す断面図
であり、図において、（４，）はコイル導体膜間の無機
絶縁膜、（４６）はコイル導体膜と上部磁性膜間の有機
絶縁膜、（５ｏ）は無電解めっきを開始するための触媒
を含むめっき一ド地膜、（５ｄ）は無電解めっきによっ
て形成されたコイル導体膜。
（８ｃ）はレジスト、（９）はドライエツチングマスク
である。膜磁気ヘッドは従来技術によって、下部磁性膜
（２）、ギャップ絶縁膜（３）を形成後、Ｓ ｒ Ｏｔ
などの無機絶縁膜（４ｅ）を４，１スパツタリングで形
成する。
である。膜磁気ヘッドは従来技術によって、下部磁性膜
（２）、ギャップ絶縁膜（３）を形成後、Ｓ ｒ Ｏｔ
などの無機絶縁膜（４ｅ）を４，１スパツタリングで形
成する。
次にこの５ｉＯｔ上にＡＩを蒸着やスパッタリングで５
００〜１０００人堆積後、レジスト（８ｃ）を塗布・バ
ターニングしく第１図１（ａ月、続いてこのレジスト（
８ｃ）をマスクとしてＡｌをスパッタエツチングしてド
ライエツチングマスク（９）を形成する。その後、ＣＦ
。
００〜１０００人堆積後、レジスト（８ｃ）を塗布・バ
ターニングしく第１図１（ａ月、続いてこのレジスト（
８ｃ）をマスクとしてＡｌをスパッタエツチングしてド
ライエツチングマスク（９）を形成する。その後、ＣＦ
。
などのガスを用いて前記５ｉＯｙをドライエツチングし
く第１図１（ｂ）ｌ、前記ドライエツチングマスク（９
）を化学的にエツチング除去する（第１図１（ｃ）ｌ。
く第１図１（ｂ）ｌ、前記ドライエツチングマスク（９
）を化学的にエツチング除去する（第１図１（ｃ）ｌ。
そして無電解めっきの下地膜（５ｃ）として＾ｌ、０．
とパラジウムの導通のない複合膜を０，１〜０．２．、
スパッタリングによって形成する（第１図１（ｄ）ｌ。
とパラジウムの導通のない複合膜を０，１〜０．２．、
スパッタリングによって形成する（第１図１（ｄ）ｌ。
この無電解めっき下地膜は表面すべてに形成されるため
前記無機絶縁膜のドライエツチングで形成された溝の底
辺外の不要の無電解めっき下地膜をイオントリミングな
どの置方性エツチングによって選択的に除去する（第１
図１（ｅ）ｌ。それから、無機絶縁膜（４ｅ）の溝の深
さ相当のＣｕが堆積されるまで無電解めっき液に浸漬す
る。無電解めっき後、無機絶縁膜（４ｃ）の溝はＣｕで
充填され、はぼ平坦な面が形成される（第１図１（ｒ）
ｌ。その後、不要の無機絶縁膜（４ｅ）とめっき下地膜
（３，）をエツチングするとともに、エツチング後コイ
ル導体膜（！１１ｃ）と上部磁性膜の絶縁膜となる有機
絶縁膜（４６）を形成する。そしてこの有機絶縁膜（４
６）をマスクとして不要の無機絶縁膜（４゜）をイオン
トリミングによって除去する（第１図１（ｇ））。次に
従来と同様にして上部磁性膜（６）・保護膜（７）を形
成し、第２図のこの発明の一実施例による薄膜磁気ヘッ
ドの断面図のような薄膜磁気ヘッドを得る。
前記無機絶縁膜のドライエツチングで形成された溝の底
辺外の不要の無電解めっき下地膜をイオントリミングな
どの置方性エツチングによって選択的に除去する（第１
図１（ｅ）ｌ。それから、無機絶縁膜（４ｅ）の溝の深
さ相当のＣｕが堆積されるまで無電解めっき液に浸漬す
る。無電解めっき後、無機絶縁膜（４ｃ）の溝はＣｕで
充填され、はぼ平坦な面が形成される（第１図１（ｒ）
ｌ。その後、不要の無機絶縁膜（４ｅ）とめっき下地膜
（３，）をエツチングするとともに、エツチング後コイ
ル導体膜（！１１ｃ）と上部磁性膜の絶縁膜となる有機
絶縁膜（４６）を形成する。そしてこの有機絶縁膜（４
６）をマスクとして不要の無機絶縁膜（４゜）をイオン
トリミングによって除去する（第１図１（ｇ））。次に
従来と同様にして上部磁性膜（６）・保護膜（７）を形
成し、第２図のこの発明の一実施例による薄膜磁気ヘッ
ドの断面図のような薄膜磁気ヘッドを得る。
なお、上記実施例では無電解めっき下地膜（５ｏ）とし
て＾１，０．とパラジウムの複合膜を用いたが、無電解
めっきで触媒、あるいは活性化作用を示す金属でもよい
。また、めっき下地膜として導通のある触媒作用を示す
金属膜を全面に形成した後、前記絶縁膜の溝以外のとこ
ろに無機絶縁膜を選択的に形成し、無電解めっき後イオ
ントリミングなどによって不要の前記めっき下地膜を除
去してもよい。さらに無機絶縁膜（４ｃ）のドライエツ
チングマスクとして選択性の高いＡ１．Ｏ，を用い、こ
のエツチングマスクを除去しないようにしてもよく、コ
イル導体膜間絶縁膜（４ｃ）として有機絶縁膜、Ｊ−、
部磁性膜（６）下の絶縁膜（４ｄ）としてＳｉｆ、など
の無機絶縁膜を用いてもよい。
て＾１，０．とパラジウムの複合膜を用いたが、無電解
めっきで触媒、あるいは活性化作用を示す金属でもよい
。また、めっき下地膜として導通のある触媒作用を示す
金属膜を全面に形成した後、前記絶縁膜の溝以外のとこ
ろに無機絶縁膜を選択的に形成し、無電解めっき後イオ
ントリミングなどによって不要の前記めっき下地膜を除
去してもよい。さらに無機絶縁膜（４ｃ）のドライエツ
チングマスクとして選択性の高いＡ１．Ｏ，を用い、こ
のエツチングマスクを除去しないようにしてもよく、コ
イル導体膜間絶縁膜（４ｃ）として有機絶縁膜、Ｊ−、
部磁性膜（６）下の絶縁膜（４ｄ）としてＳｉｆ、など
の無機絶縁膜を用いてもよい。
以上説明したとおり、この発明は基板に磁性膜を設け、
この磁性膜に絶縁膜を設け、この絶縁膜にドライエツチ
ングによりコイル導体膜形成用間隙を設ける工程、この
コイル導体膜形成用間隙の上記磁性膜に無電解めっき下
地膜を設ける工程。
この磁性膜に絶縁膜を設け、この絶縁膜にドライエツチ
ングによりコイル導体膜形成用間隙を設ける工程、この
コイル導体膜形成用間隙の上記磁性膜に無電解めっき下
地膜を設ける工程。
上記コイル導体膜形成用間隙に無電解めっきによりコイ
ル導体膜を設ける工程、およびこのコイル導体膜に絶縁
膜を設ける工程を施すことにより。
ル導体膜を設ける工程、およびこのコイル導体膜に絶縁
膜を設ける工程を施すことにより。
工程数が少なくできると共に、コイル間隔が狭くコイル
導体膜厚の大きい抵抗の均一な薄膜磁気ヘッドの製造方
法を得ることができる。
導体膜厚の大きい抵抗の均一な薄膜磁気ヘッドの製造方
法を得ることができる。
第１図（ａ）〜（ｇ）はこの発明の一実施例の薄膜磁気
ヘッドの製造方法に係わるコイルの形成方法の工程順を
示す断面図、軸筒２図はこの発明の一実施例による薄膜
磁気ヘッドの断面図、媚笑３図は従来の薄膜磁気ヘッド
の概略断面図、第４図（ａ）〜（ｒ）は従来の薄膜磁気
ヘッドのコイル形成方法を工程順に示す断面図である。 図において、（１）は基板、（２）は磁性膜、 （４ｃ
）〜（４６）は絶縁膜、 （５ｅ）はめつき下地膜、
（Ｓ、ｔ）はコイル導体膜を示す。
ヘッドの製造方法に係わるコイルの形成方法の工程順を
示す断面図、軸筒２図はこの発明の一実施例による薄膜
磁気ヘッドの断面図、媚笑３図は従来の薄膜磁気ヘッド
の概略断面図、第４図（ａ）〜（ｒ）は従来の薄膜磁気
ヘッドのコイル形成方法を工程順に示す断面図である。 図において、（１）は基板、（２）は磁性膜、 （４ｃ
）〜（４６）は絶縁膜、 （５ｅ）はめつき下地膜、
（Ｓ、ｔ）はコイル導体膜を示す。
Claims (1)
- 基板に磁性膜を設け、この磁性膜に絶縁膜を設け、この
絶縁膜にドライエッチングによりコイル導体膜形成用間
隙を設ける工程、このコイル導体膜形成用間隙の上記磁
性膜に無電解めっき下地膜を設ける工程、上記コイル導
体膜形成用間隙に無電解めっきによりコイル導体膜を設
ける工程、およびこのコイル導体膜に絶縁膜を設ける工
程を施す薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12308488A JPH01294212A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12308488A JPH01294212A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294212A true JPH01294212A (ja) | 1989-11-28 |
Family
ID=14851809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12308488A Pending JPH01294212A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01294212A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03214410A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP12308488A patent/JPH01294212A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03214410A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
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