JPH01310501A - 薄膜抵抗体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は物理的、化学的に表面処理した樹脂基板面に化
学めっきで抵抗体を形成したことを特徴とする金属薄′
膜抵抗体に関する。プリント回路基板（以下ＰＣボード
と云う）、固定抵抗器、可変抵抗器、歪抵抗器等で利用
することを目的とする。

イ、従来の技術及び問題点 従来、金属薄膜抵抗体はアルミナ等の磁器基板に、蒸着
法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成した抵抗
体、或いは、金属箔を基板に接着剤で貼りつけた低抗体
が多く知られている。ところが、アルミナ基板は熱的に
安定しているが、機械的並びに熱的衝撃に弱く、複雑な
形状のものがつくりにくいことと、軽量化において避け
られない欠点をもっている。又、化学めっきでつくられ
る製品としては、低順に達成できない問題があった。

これらを解決する手段として、一般的には基板の厚さ、
形状を小さくして改善を計っているが、一定の厚さ、形
状が限度であり、強度の面から大きな問題を残しながら
使用されてきた。近年、化学めっきはエレクトロニクス
他、諸工業の分野で利用が拡大し、抵抗体としても合金
めっきとして高抵抗値のものが低廉に達成できるように
なった、更に解決する手段として、一般的には樹脂基板
が使用されるが、めっき皮膜の密着力、及び、めっきす
る抵抗皮膜の温度係数が大きいという問題等から樹脂基
板での低ＴＣＲ抵抗体は技術的に不十分な面が多かった
。

口８問題点を解決するための手段 本発明は上記記載の問題点を解決するために、予め表面
粗化を施したスルーホール樹脂基板に対して、特開昭５
９−２１７３０１号で開示したニッケル−リン、又は、
コバルト−リン合金を基として、タングステン−マンガ
ン及びモリブデン−マンガンを合金化させ、耐食、耐摩
耗性に優れた四元系合金薄膜抵抗体を形成したＴＣＲが
小さく安定性に優れる金属薄膜抵抗体を提供することに
ある。

マンガンを合金化させた場合の効果は、Ｘ線回折的に非
晶質であり、微細構造は結晶粒子構造として顕著な差が
でない領域である。しかしながら電気的な特性は同第４
図の如く、比抵抗の増大に関して、大きな差として現わ
れている。このことはマンガンの含有量の効果よりも、
めっき析出時の反応機構としての効果が出ているものと
考えられる。これらの内容についてはまだ解明されてい
ない点が多い。

本発明の特徴は、表面粗化の処理を施したスルーホール
基鈑に化学めっき処理でスルーホールを介して、下層基
板との密着性が良い合金皮膜で抵抗膜を形成させ、希望
する電気特性の機能性を発揮させるものである。樹脂基
板の下地処理は、これ迄の方式として化学溶剤で基板面
を処理することによって、表面形状を微細な凹凸面を形
成させ、めっき皮膜との密着力を投錨効果によって上げ
る工夫がとられている。因に、ガラスエポキシ基板は、
表面粗化形成方法として有機溶剤２例えば、ジメチルホ
ルムアルデヒド（ＤＭＦ）で−次的に基板表面を膨潤化
させ、二次的にクロム酸混液で処理をすることによって
形成されている。更に他の方法としては、過マンガン酸
カリ溶液で表面処理をすることも１例として上げられる
。

尚ポリイミド等の耐薬品性の良い樹脂については、特願
昭６１−１２７２９７に開示した塗膜発泡形成させて微
細多孔性処理面を応用することも、めっき皮膜を形成さ
せ、密着力を上げる１つの手段として適用される。

又、表面が粗化された面としては、ラミネートで形成さ
れた銅箔回路基板の予め表面粗化を施した面を薬品処理
なしで利用することも応用範囲として上げられろ、化学
めっき皮膜は、膜厚零からの形成であり、１μｍ以下の
ものも自由にコントロール出来、薄すぎない範囲、例え
ば、０．２ｕｍから１．０μｍの範囲で、金属箔抵抗体
では実現困難な薄膜や、面積抵抗の高い領域の金属薄膜
抵抗体を蒸着法等の複雑な工程によることなく低廉に達
成できる。又、前記金属薄膜を合金めっきで形成するこ
とになり、ＰＣボードや、精密抵抗器、歪み抵抗体とし
て幅広い用途で利用できる。

ハ、以下図面に従い実施例について詳細に説明する。

実施例１ 特開昭５９−２１７３０１号の開示したニッケル−リン
を基とした皮膜組成にタングステン−マンガンを加えた
四元系合金めっき皮膜を表面粗化を処理したガラスエポ
キシ基板（０，８ｔ）に０３ミクロンの膜厚にめっき処
理をし、写真製版で微細パターン化して、抵抗パターン
を形成した因に、抵抗体以外の部分は化学めっきでスル
ーホールを介して裏表回路形成を行なうための無電解銅
めっき処理による電極形成を行った。電極取出し以外の
部分はエポキシ系の保護皮膜で覆い、半田取出しによっ
て電気特性の評価を行った６抵抗膜の比抵抗は５００μ
Ωｃｍ、面積抵抗は５０Ω／口、ＴＣＲは＋２０ｐｐｍ
／’Ｃであった。更に、抵抗特性の安定性として、空気
中で１２５℃、１０００時間の高温露出試験及び、８５
℃、８５％ＲＨ１１０００時間の耐湿性試験のいずれの
結果も±２パーセント以下の結果を得た。

実施例２ 実施例１と同一めっき条件で、表面粗化を処理した特願
昭６１−１２７２９７のポリイミド基板（５０ミクロン
）に膜厚０．６ミクロンの実施例１と同一条件によるニ
ッケルータングステン−マンガン−リン四元系合金めっ
き薄膜を処理した。

更に前述にならって微細パターン化してポリイミド樹脂
で保護皮膜を形成させて試験評価を行った、比抵抗は４
００μΩＣｆｆ１で面積抵抗は３０Ω／口であった。因
にＴＣＰは＋３０ｐｐｍ／℃で高温露出、耐湿性試験共
に実施例１とほぼ同じ結果を得た。

実施例３ 実施例１にならって表面粗化を処理したガラスエポキシ
基鈑（０，８ｔ）に特開昭５９−２１７３０１号の開示
したニッケル−リンを基とした皮膜組成にモリブデン−
マンガンを加えた四元系合金めっき皮膜を０．５ミクロ
ンの膜厚にめっき処理し、写真製版で微細パターン化し
て、抵抗パターンを形成した。比抵抗は３００μΩＣｆ
ｆ１、面積抵抗は２０Ω／口であった。前述にそって抵
抗膜面を保護皮膜で処理して、試験評価を行った。因に
、ＴＣＲは＋６０ｐｐｍ／”Ｃで高温露出、耐湿性試験
共に実施例１に近い結果を得た。

二１発明の効果 本発明は、樹脂基鈑を粗面化処理し、スルーホールを介
して基鈑面上に化学めっきでニッケル系合金抵抗層を形
成して、回路電極部を銅の化学めっき処理をし、保護膜
で［１てなる抵抗体及び、電極が１体形成したプリント
回路基板とすることができる。即ち前記金属薄膜の特性
を生かした高密度集積回路基板を安定性の高いものとし
て幅広い用途をもつものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は発明の実施例に示すＰＣボードの平面図、第２
図は回路構成を側面から観察した模式的な断面図である
。第３図はニッケルータングステン−リン三元系合金膜
の膜厚に対する比抵抗の変化をＡで表わし、Ｂはマンガ
ンを合金化させためっき皮膜の特性を示したものである
。第４図は実施例で試験した高温露出、第５図が耐湿性
試験結果を示す。 に　基板、　　２：　抵抗体部、　３：　銅スルーホー
ル、　４：　引出し電極、　５：　保護皮膜樹脂、 特許出願人　東京コスモス電機株式会社第１図 （ま）景Ｒ煽苅芝　　　　　　（訳）÷Ｒ浦琳類ρ　（
ＬＩΩ−ｃ３）　　　　　　　　０図面の序言 第２図 １、事件の表示 昭和６３年特許願第１４０４５９号 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 昭和６３年　８月３０日（全送日） ５、補正により増加する発明の数 なし

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面粗化処理を施した樹脂基板上に化学めっきで
   抵抗体部と、スルーホール、端子部を１体形成し、前記
   抵抗体素子部を保護膜で覆ったことを特徴とする金属薄
   膜抵抗体。
2. （２）基板がエポキシ、フェノール、ポリエステル、ポ
   リイミドのいずれか１種の樹脂基板（含、ガラス繊維入
   ）からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の金属薄膜抵抗体。
3. （３）抵抗体がニッケル系合金であることを特徴とする
   ニッケル−リン、又は、コバルト−リン合金を基本とし
   、この基体にタングステン−マンガン及びモリブデン−
   マンガンを各々の元素について０．５重量％以上添加し
   た四元系合金であって結晶粒径が数１０Å以下である。 抵抗温度係数（以下ＴＣＲと云う）の小さい、熱的にも
   安定性の高い金属薄膜抵抗体。