JPH01312858A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH01312858A JPH01312858A JP63142824A JP14282488A JPH01312858A JP H01312858 A JPH01312858 A JP H01312858A JP 63142824 A JP63142824 A JP 63142824A JP 14282488 A JP14282488 A JP 14282488A JP H01312858 A JPH01312858 A JP H01312858A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- metal substrate
- semiconductor element
- moulding
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/127—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed characterised by arrangements for sealing or adhesion
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、樹脂封止型半導体装置の構造に関し、特に、
半導体素子を載置した金属基板の形状に関する。
半導体素子を載置した金属基板の形状に関する。
従来の技術
従来、この種の半導体装置においては、半導体素子を載
置する金属基板は銅または銅合金から成り、Ｎｉ等のメ
ツキが施されているが、樹脂との接合面ではＮｉ等のメ
ツキを行わず、金属基板と樹脂の密着度を向上させる方
法が用いられる。又、金属基板にたとえば円形、あるい
はストライプ状の渚を設けるなどの方法で、密着度の向
上をはかっていた（第３図（ａ＞、（ｂ）、第４図（ａ
）、（ｂ）参照（例えば特公昭６２−２５９０５号公報
））。
置する金属基板は銅または銅合金から成り、Ｎｉ等のメ
ツキが施されているが、樹脂との接合面ではＮｉ等のメ
ツキを行わず、金属基板と樹脂の密着度を向上させる方
法が用いられる。又、金属基板にたとえば円形、あるい
はストライプ状の渚を設けるなどの方法で、密着度の向
上をはかっていた（第３図（ａ＞、（ｂ）、第４図（ａ
）、（ｂ）参照（例えば特公昭６２−２５９０５号公報
））。
発明が解決しようとする課題
上述した従来の樹脂封止型半導体装置、特に、樹脂によ
り半導体素子を載置する金属基板の両生面を樹脂で封止
する構造による樹脂絶縁型半導体装置の場合には、半導
体素子を載置した金属基板の主面（以下正面と記す）と
異なる他方の主面（以下裏面と記す）側の樹脂の厚さは
、半導体装置の放熱性に影響するために、極力薄く設計
され、通常０．３〜０．５１程度である。
り半導体素子を載置する金属基板の両生面を樹脂で封止
する構造による樹脂絶縁型半導体装置の場合には、半導
体素子を載置した金属基板の主面（以下正面と記す）と
異なる他方の主面（以下裏面と記す）側の樹脂の厚さは
、半導体装置の放熱性に影響するために、極力薄く設計
され、通常０．３〜０．５１程度である。
しかしながら、上記部分の樹脂は成形金型を用いて封止
され、金型から取出す時点で十分な強度を得られなかっ
た場合には、半導体素子を載置した金属基板から４１離
してしまい、放熱性、あるいは耐湿性等の面で不具合を
生じさせる。
され、金型から取出す時点で十分な強度を得られなかっ
た場合には、半導体素子を載置した金属基板から４１離
してしまい、放熱性、あるいは耐湿性等の面で不具合を
生じさせる。
したがって、樹脂の強度が十分に高まった後に金型から
取出す必要性があり、樹脂成形工程の効率向上に制限を
加えていた。
取出す必要性があり、樹脂成形工程の効率向上に制限を
加えていた。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記課題
を解決することを可能とした新規な樹脂封圧型半導体装
置を提Ｑ％することにある。
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記課題
を解決することを可能とした新規な樹脂封圧型半導体装
置を提Ｑ％することにある。
発明の従来技術に対する相違点
上述した従来の樹脂封止型半導体装置に対し、本発明は
、樹脂成形工程での半導体素子を載置する金属基板、特
に裏面と樹脂の密着強度をＪ１Ｍ械的な結合構造により
強めるという相違点を有する。
、樹脂成形工程での半導体素子を載置する金属基板、特
に裏面と樹脂の密着強度をＪ１Ｍ械的な結合構造により
強めるという相違点を有する。
課題を解決するための手段
前記目的を達成するために、本発明に係る樹脂封止型半
導体装置は、半導体素子を載置した金属基板のうち、樹
脂と接合する面にあらかじめ作られた開口部より幅広の
中空部を有する凹部と、前記凹部を充填するよう成形さ
れたエポキシ樹脂等のモールド樹脂部とを備えて構成さ
れる。
導体装置は、半導体素子を載置した金属基板のうち、樹
脂と接合する面にあらかじめ作られた開口部より幅広の
中空部を有する凹部と、前記凹部を充填するよう成形さ
れたエポキシ樹脂等のモールド樹脂部とを備えて構成さ
れる。
実施例
次に、本発明をその好ましい各実施例について図面を参
照して具体的に説明する。
照して具体的に説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る半導体装置の第１
の実施例を示し、第１図（ａ）は半導体素子を載置する
金属基板の裏面側平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）
のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
の実施例を示し、第１図（ａ）は半導体素子を載置する
金属基板の裏面側平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）
のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）を参照するに、半導体素子５を載
置する金属基板１の裏面部に、円形凹部３が形成されて
いる。前記円形凹部３は、その開口部の径よりも内部の
中空部分の径を少なくと６１，２倍程度以上に決定され
る。
置する金属基板１の裏面部に、円形凹部３が形成されて
いる。前記円形凹部３は、その開口部の径よりも内部の
中空部分の径を少なくと６１，２倍程度以上に決定され
る。
このような形状を有する金属基板１を用い、半導体素子
５を載置し、しかる後にアルミ、金等の金属細線を用い
半導体素子５の電極と金属基板１に連なる外部リード線
２に接続する。その後、トランスファ成形機等により金
属基板１をモールド樹脂４により封止する。
５を載置し、しかる後にアルミ、金等の金属細線を用い
半導体素子５の電極と金属基板１に連なる外部リード線
２に接続する。その後、トランスファ成形機等により金
属基板１をモールド樹脂４により封止する。
この封止工程では、溶融した樹脂が円形凹部３を充填、
硬化し、第１図（ｃ）に示すように、モールド樹脂４と
金属基板１は、機械的に強固な接合を形成する。
硬化し、第１図（ｃ）に示すように、モールド樹脂４と
金属基板１は、機械的に強固な接合を形成する。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明に係る半導体装置の第２
の実施例を示す図であり、第２図（ａ）は半導体素子を
ｎ置する金属基板の裏面側平面図、第２図（ｂ）は第２
図（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
の実施例を示す図であり、第２図（ａ）は半導体素子を
ｎ置する金属基板の裏面側平面図、第２図（ｂ）は第２
図（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
第２図（ａ）、（ｂ）を参照するに、第２の実施例にお
いては、金属基板１の裏面部にストライプ状の凹部６が
形成されている。前記凹部６は、その開口部の溝幅より
も、内部の中空部分の溝幅が少なくとも１．２倍以上に
なるように決定される。
いては、金属基板１の裏面部にストライプ状の凹部６が
形成されている。前記凹部６は、その開口部の溝幅より
も、内部の中空部分の溝幅が少なくとも１．２倍以上に
なるように決定される。
この金属基板１を用いることで前記第１の実施例と同様
に、モールド樹脂４と金属基板１の強固な接合を実現で
きる。
に、モールド樹脂４と金属基板１の強固な接合を実現で
きる。
又、第１、第２の実施例にこだわることなく、凹部の形
状を、開口部より中空部で広くなるよう選択することで
、同様な効果が期待できる。
状を、開口部より中空部で広くなるよう選択することで
、同様な効果が期待できる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、半導体素子を載置
する金属基板と、モールド樹脂の接合を構造的に強固に
することにより、特にモールド樹脂成形時に要する樹脂
の硬化時間を短縮することができる効果が得られる。
する金属基板と、モールド樹脂の接合を構造的に強固に
することにより、特にモールド樹脂成形時に要する樹脂
の硬化時間を短縮することができる効果が得られる。
具体的には、従来のこの種の半導体装置では金属基板と
モールド樹脂の接合強度は両者の面密着力に依存してい
たために、モールド樹脂が十分に硬化するまで金型内に
おいて保持、加熱する必要があったが、本発明の半導体
装置では、モールド１Ｍ脂の硬度がより低い場合でも金
属基板とモールド樹脂の接合は保たれる。このために、
成形時の樹脂硬化時間を短縮することができる。
モールド樹脂の接合強度は両者の面密着力に依存してい
たために、モールド樹脂が十分に硬化するまで金型内に
おいて保持、加熱する必要があったが、本発明の半導体
装置では、モールド１Ｍ脂の硬度がより低い場合でも金
属基板とモールド樹脂の接合は保たれる。このために、
成形時の樹脂硬化時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る半導体装置の第１
の実施例を示し、（ａ）は半導体素子を載置する金属基
板の裏面側平面図、（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線
に沿った断面図、（Ｃ）は第１図（ａ）の金属基板を用
いてモールド樹脂封止を行った後の、Ａ−Ａ’線に沿っ
た断面図である。 第２図（ａ）、（ｂ）は本発明に係る半導体装置の第２
の実施例を示し、（ａ＞は金属基板の裏面側平面図、（
ｂ）は第２図（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である
。 第３図（ａ）、（ｂ） 、第４図（ａ）、（ｂ）はこの
種の樹脂封止型半導体装置の従来例を示し、第３図（ａ
）、第４図（ａ）はそれぞれ金属基板の従来例の裏面側
平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿
った断面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）のＤ −Ｄ’
線に沿った断面図である。 １．１′、、、半導体素子を載置する金属基板、２１１
．外部リード線、３１１０円形四円形率発明による）、
４．、、モールドｆｉｓｔ脂、５５．、半導体素子、６
１７．ストライブ状凹部（本発明による）、７．。 、円形凹部（従来例による）、８．、、ストライブ状講
（従来例による） 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊谷雄太部 Ａ′ ｉａｌ ｉｂｌ Ｉ
ＣＩ第１図 Ｂ′ ［ａＢ ｌｂｌ 第２図 Ｃ′ （ａｌ ｉｂｌ 第３図 １″。 ８゜ ６・ ｔｏｌ ｆｂｌ 第４図 半鴇俸＃壬を載置Ｖる↑／ＬＸ板 円形凹部（従来４＋ｌｌ：！る） ストライプぴ溝（従来例Ｉ：Ｊる）
の実施例を示し、（ａ）は半導体素子を載置する金属基
板の裏面側平面図、（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線
に沿った断面図、（Ｃ）は第１図（ａ）の金属基板を用
いてモールド樹脂封止を行った後の、Ａ−Ａ’線に沿っ
た断面図である。 第２図（ａ）、（ｂ）は本発明に係る半導体装置の第２
の実施例を示し、（ａ＞は金属基板の裏面側平面図、（
ｂ）は第２図（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である
。 第３図（ａ）、（ｂ） 、第４図（ａ）、（ｂ）はこの
種の樹脂封止型半導体装置の従来例を示し、第３図（ａ
）、第４図（ａ）はそれぞれ金属基板の従来例の裏面側
平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿
った断面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）のＤ −Ｄ’
線に沿った断面図である。 １．１′、、、半導体素子を載置する金属基板、２１１
．外部リード線、３１１０円形四円形率発明による）、
４．、、モールドｆｉｓｔ脂、５５．、半導体素子、６
１７．ストライブ状凹部（本発明による）、７．。 、円形凹部（従来例による）、８．、、ストライブ状講
（従来例による） 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊谷雄太部 Ａ′ ｉａｌ ｉｂｌ Ｉ
ＣＩ第１図 Ｂ′ ［ａＢ ｌｂｌ 第２図 Ｃ′ （ａｌ ｉｂｌ 第３図 １″。 ８゜ ６・ ｔｏｌ ｆｂｌ 第４図 半鴇俸＃壬を載置Ｖる↑／ＬＸ板 円形凹部（従来４＋ｌｌ：！る） ストライプぴ溝（従来例Ｉ：Ｊる）
Claims (1)
- 半導体素子と、前記半導体素子を載置した金属基板と
をエポキシ樹脂等のモールド樹脂により封止した半導体
装置において、前記金属基板の樹脂との接合面に開口部
より幅広に作られた中空部を有する凹部を含むことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142824A JPH01312858A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142824A JPH01312858A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312858A true JPH01312858A (ja) | 1989-12-18 |
Family
ID=15324477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63142824A Pending JPH01312858A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01312858A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996036074A1 (en) * | 1995-05-11 | 1996-11-14 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2008028053A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Hitachi Ltd | 樹脂モールド型電力用半導体装置 |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP63142824A patent/JPH01312858A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996036074A1 (en) * | 1995-05-11 | 1996-11-14 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6242801B1 (en) | 1995-05-11 | 2001-06-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2008028053A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Hitachi Ltd | 樹脂モールド型電力用半導体装置 |
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