JPH01316960A - マイクロ波ダイオード用パッケージ - Google Patents
マイクロ波ダイオード用パッケージInfo
- Publication number
- JPH01316960A JPH01316960A JP15050688A JP15050688A JPH01316960A JP H01316960 A JPH01316960 A JP H01316960A JP 15050688 A JP15050688 A JP 15050688A JP 15050688 A JP15050688 A JP 15050688A JP H01316960 A JPH01316960 A JP H01316960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode pad
- lead
- anode
- diode
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はマイクロ波ダイオード用パッケージに関し、
特にそのマイクロ波特性向上および歩留り向上に関する
ものである。
特にそのマイクロ波特性向上および歩留り向上に関する
ものである。
第4図は従来のマイクロ波ダイオード用パッケージのキ
ャップを除いた場合の上面図、第5図は従来のマイクロ
波ダイオード用パッケージのキャップを除いた場合の側
面断面図を示し、図において、1は基部誘電体、2は側
部誘9体、3は力′ノード電極用パッド、4はアノード
電極用パッド、5は金ワイヤ、6はダイオードチップ、
7はアノードリード、8はカソードリード、10は銀ろ
うである。
ャップを除いた場合の上面図、第5図は従来のマイクロ
波ダイオード用パッケージのキャップを除いた場合の側
面断面図を示し、図において、1は基部誘電体、2は側
部誘9体、3は力′ノード電極用パッド、4はアノード
電極用パッド、5は金ワイヤ、6はダイオードチップ、
7はアノードリード、8はカソードリード、10は銀ろ
うである。
次に、従来のマイクロ、波ダイオード用パッケージの構
造について説明する。
造について説明する。
基部誘電体1の両面および側面にカソード市極用 ゛パ
ッド3およびアノード電極用パッド4となる導体を塗布
し、さらに基部誘電体1の片面に側部誘電体2をのせ高
温で焼結する。次に、基部誘電体1の下面にアノードリ
ード7およびカソードリード8を銀ろう10を用いて銀
ろう付けをする。その後、金属部分を金めっきする。こ
のパッケージにダイオードチップ6をダイボンドし、ダ
イオードチップ6のアノードとアノード電極用パッド4
とを金ワイヤ5にてボンディングしキャップを取付ける
事により、マイクロ波ダイオードが構成される。
ッド3およびアノード電極用パッド4となる導体を塗布
し、さらに基部誘電体1の片面に側部誘電体2をのせ高
温で焼結する。次に、基部誘電体1の下面にアノードリ
ード7およびカソードリード8を銀ろう10を用いて銀
ろう付けをする。その後、金属部分を金めっきする。こ
のパッケージにダイオードチップ6をダイボンドし、ダ
イオードチップ6のアノードとアノード電極用パッド4
とを金ワイヤ5にてボンディングしキャップを取付ける
事により、マイクロ波ダイオードが構成される。
従来のマイクロ波ダイオード用パッケージは以上の様に
構成され”Cおり、チップダイオードの画電極に1%の
力゛ノード雫極用パッドおよびアノード↑極用パッドが
接続されるため等価的にかなりのインタフタンス色)お
よび抵抗(8)が直列に接続される事になる。特に、基
部誘電体と側部誘市体にはさまれた部分での抵抗および
インダクタンスの増加が著しく、マイクロ波特性および
量産歩留りに悪影響を与えるという問題点があった。
構成され”Cおり、チップダイオードの画電極に1%の
力゛ノード雫極用パッドおよびアノード↑極用パッドが
接続されるため等価的にかなりのインタフタンス色)お
よび抵抗(8)が直列に接続される事になる。特に、基
部誘電体と側部誘市体にはさまれた部分での抵抗および
インダクタンスの増加が著しく、マイクロ波特性および
量産歩留りに悪影響を与えるという問題点があった。
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、従来に比してインダクタンスおよび抵抗を小さ
くできるマイクロ波ダイオード用パッケージを得る事を
目的とする。
もので、従来に比してインダクタンスおよび抵抗を小さ
くできるマイクロ波ダイオード用パッケージを得る事を
目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るマイクロ波ダイオード用パッケージは基
部誘電体の一面に設けられたカソード常tb用パッドお
よびアノード電極用パッドと基iB爾体の反対面に設け
られたカソードリードおよびアノードリードとを各々複
数のスルーホールで接続したも(ハである。
部誘電体の一面に設けられたカソード常tb用パッドお
よびアノード電極用パッドと基iB爾体の反対面に設け
られたカソードリードおよびアノードリードとを各々複
数のスルーホールで接続したも(ハである。
この発明においては従来は薄膜で接続していた個所を複
数のスルーホールで接続したので、従来のものに比して
インダクタンスを小さくでよるとともに抵抗も小さくで
きる。
数のスルーホールで接続したので、従来のものに比して
インダクタンスを小さくでよるとともに抵抗も小さくで
きる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例によるマイクロ波ダイオー
ド用パッケージのキャップを取り除いた場合の上面図、
第2図は、同様の上面図からダイオードチップおよび金
ワイヤを取り除いた拡大上面図、第3図は同様の側面断
面図を示し、図において、符号1〜8および10は前記
従来のものと同じものである。図中、9はリード取付部
、11はスルーホールである。
ド用パッケージのキャップを取り除いた場合の上面図、
第2図は、同様の上面図からダイオードチップおよび金
ワイヤを取り除いた拡大上面図、第3図は同様の側面断
面図を示し、図において、符号1〜8および10は前記
従来のものと同じものである。図中、9はリード取付部
、11はスルーホールである。
本実施例のパッケージではアノード電極用パッド4とア
ノードリードとを2個のスルーホール11で接続し、さ
らにカソード!極用パッド3と力゛ノードリード8とを
3個のスルーホール11で接続しており、これにより各
電極リードとダイオード各電極との間のインダクタンス
を減少させるとともに抵抗をも減少できるため、マイク
ロ波特性および歩留りを向上させる事ができる。
ノードリードとを2個のスルーホール11で接続し、さ
らにカソード!極用パッド3と力゛ノードリード8とを
3個のスルーホール11で接続しており、これにより各
電極リードとダイオード各電極との間のインダクタンス
を減少させるとともに抵抗をも減少できるため、マイク
ロ波特性および歩留りを向上させる事ができる。
以上の様にこの発明によれば、基部誘電体の一面に設け
られたカソード!極用パッドおよびアノード電極用パッ
ドと基部誘電体の反対面に設けられたカソードリードお
よびアノードリードとを各々複数のスルーホールで接続
したので、マイクロ波特性および歩留りを向上させるこ
とができる効果がある。
られたカソード!極用パッドおよびアノード電極用パッ
ドと基部誘電体の反対面に設けられたカソードリードお
よびアノードリードとを各々複数のスルーホールで接続
したので、マイクロ波特性および歩留りを向上させるこ
とができる効果がある。
ff11図はこの発明の一実施例によるマイクロ波ダイ
オード用パッケージのキャップを取り除いた場合の上面
図、第2図は同様の上面図からダイオードチップおよび
金ワイヤを取り除いた拡大上面図、第3図は第1図の側
面断面図、第4図は、従来のマイクロ波ダイオード用パ
ッケージのキャップを除いた場合の上面図、第5図は第
4図の側面断面図である。 図において、1は基部誘7体、2は側部N!体、3は力
゛ノード電極用パッド、4はアノード電極用パッド、5
は金ワイヤ、6はダイオードチップ、7はアノードリー
ド、8は力゛ノードリード、9はリード取付部、10は
銀ろう、11はスルーホールである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
オード用パッケージのキャップを取り除いた場合の上面
図、第2図は同様の上面図からダイオードチップおよび
金ワイヤを取り除いた拡大上面図、第3図は第1図の側
面断面図、第4図は、従来のマイクロ波ダイオード用パ
ッケージのキャップを除いた場合の上面図、第5図は第
4図の側面断面図である。 図において、1は基部誘7体、2は側部N!体、3は力
゛ノード電極用パッド、4はアノード電極用パッド、5
は金ワイヤ、6はダイオードチップ、7はアノードリー
ド、8は力゛ノードリード、9はリード取付部、10は
銀ろう、11はスルーホールである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 基部誘電体、側部誘電体、カソード電極用パッド、ア
ノード電極用パッド、アノードリード、カソードリード
、リード取付部およびキャップで構成されるマイクロ波
ダイオード用パッケージにおいて、基部誘電体の一面に
設けられたカソード電極用パッドおよびアノード電極用
パッドと基部誘電体の反対面に設けられたカソードリー
ドおよびアノードリードとを各々複数のスルーホールで
接続した事を特徴とするマイクロ波ダイオード用パッケ
ージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15050688A JPH01316960A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | マイクロ波ダイオード用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15050688A JPH01316960A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | マイクロ波ダイオード用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316960A true JPH01316960A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15498356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15050688A Pending JPH01316960A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | マイクロ波ダイオード用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01316960A (ja) |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP15050688A patent/JPH01316960A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4994936A (en) | Molded integrated circuit package incorporating decoupling capacitor | |
| US5681777A (en) | Process for manufacturing a multi-layer tab tape semiconductor device | |
| CN103811452A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JPH04280462A (ja) | リードフレームおよびこのリードフレームを使用した半導体装置 | |
| EP0650193A2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US6171888B1 (en) | Multi-layer tab tape having distinct signal, power and ground planes, semiconductor device assembly employing same, apparatus for and method of assembling same | |
| JP3660663B2 (ja) | チップパッケージの製造方法 | |
| JP2569400B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| US7102208B1 (en) | Leadframe and semiconductor package with improved solder joint strength | |
| JPS6097654A (ja) | 封止型半導体装置 | |
| JPH03165549A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0214558A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2596399B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62169461A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004335947A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 | |
| JPS56142659A (en) | Semiconductor device | |
| JP2005150294A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS61134031A (ja) | 半導体素子用熱圧着装置 | |
| JPH05121577A (ja) | 高電流用密封パツケージ | |
| JPS61101061A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62213145A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH0221659B2 (ja) | ||
| JPH02134855A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH03169057A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6060743A (ja) | リ−ドフレ−ム |