JPH01319952A - ワイヤボンデイング装置用ヒートブロック - Google Patents
ワイヤボンデイング装置用ヒートブロックInfo
- Publication number
- JPH01319952A JPH01319952A JP63153090A JP15309088A JPH01319952A JP H01319952 A JPH01319952 A JP H01319952A JP 63153090 A JP63153090 A JP 63153090A JP 15309088 A JP15309088 A JP 15309088A JP H01319952 A JPH01319952 A JP H01319952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- heat block
- lead frame
- die pad
- main body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリードフレームにワイヤボンディングする際に
リードフレームを加熱するために使用されるワイヤボン
ディング装置用ヒートブロックに関するものである。
リードフレームを加熱するために使用されるワイヤボン
ディング装置用ヒートブロックに関するものである。
従来のこの種のヒートブロックは第５図および第６図に
示すように構成されている。第５図は従来のと一〜ドブ
ロックによってリードフレームを加熱している状態を示
す平面図、第６図は第５図中Ｍ−ｗ線断面図で、これら
の図において１はリードフレームで、このリードフレー
ム１はダイボンディング用のダイパッド１ａとステッチ
リード１ｂとを有し、このダイパッド１ａ上にはソルダ
ー２を介して半導体ダイ３が接合されている。４は前記
半導体ダイ３上の電極（図示せず）と前記リードフレー
ム１のステッチリード１ｂとを電気的に接続するための
金属細線で、この金属細線４は金等の金属からなり、熱
圧着方式あるいは超音波併用熱圧着方式によって接合さ
れている。５は前記金属細線４を接合させる際にリード
フレーム１を加熱し、接合部温度を高めるためのヒート
ブロックで、このヒートブロック５は、平坦に形成され
リードフレーム１が載置される伝熱面５ａを有するヒー
トブロック本体５ｂ と、このヒートブロック本体５ｂ
に内蔵されるヒータ５Ｃとから構成されている。す々わ
ち、前記ヒートブロック本体５ｂの伝熱面５＆上にリー
ドフレーム１を載置させることによって、ヒータ５ｃの
熱がヒートブロック本体５ｂを介してリードフレーム１
に伝導されることになり、リードフレーム１が加熱され
ることになる。
示すように構成されている。第５図は従来のと一〜ドブ
ロックによってリードフレームを加熱している状態を示
す平面図、第６図は第５図中Ｍ−ｗ線断面図で、これら
の図において１はリードフレームで、このリードフレー
ム１はダイボンディング用のダイパッド１ａとステッチ
リード１ｂとを有し、このダイパッド１ａ上にはソルダ
ー２を介して半導体ダイ３が接合されている。４は前記
半導体ダイ３上の電極（図示せず）と前記リードフレー
ム１のステッチリード１ｂとを電気的に接続するための
金属細線で、この金属細線４は金等の金属からなり、熱
圧着方式あるいは超音波併用熱圧着方式によって接合さ
れている。５は前記金属細線４を接合させる際にリード
フレーム１を加熱し、接合部温度を高めるためのヒート
ブロックで、このヒートブロック５は、平坦に形成され
リードフレーム１が載置される伝熱面５ａを有するヒー
トブロック本体５ｂ と、このヒートブロック本体５ｂ
に内蔵されるヒータ５Ｃとから構成されている。す々わ
ち、前記ヒートブロック本体５ｂの伝熱面５＆上にリー
ドフレーム１を載置させることによって、ヒータ５ｃの
熱がヒートブロック本体５ｂを介してリードフレーム１
に伝導されることになり、リードフレーム１が加熱され
ることになる。
リードフレーム１にワイヤボンディングを行なうには、
先ずヒートブロック本体５ｂの伝熱面５＆上に、半導体
ダイ３が接合されたリードフレーム１を載置させ、この
リードフレームｉ加熱スルことによって半導体ダイ３上
の電極とステッチリード１ｂ とを加熱させる。次いで
、金属細線４を前記電極とステッチリード１ｂに接合さ
せ両者が接続されることになる。熱圧着方式は、熱源の
ヒートブロック本体５ｂからの熱と、金属細線４を電極
およびステッチリード１ｂに圧接させろ荷重とで金属細
線４と半導体ダイ３上の電極お：び金属細線４とステッ
チリード１ｂとの間にそれぞれ金属間化合物を生成し、
この金属間化名物によ−）て接合強度を得、また電気的
に接続させるものである。例えば、金属細線４を金、半
導体ダイ３上の電極をアルミニウム、ステッチリード１
ｂを銀とすると、半導体ダイ３上の電極と金属細線４間
では金とアルミニウムの金属間化合物が生成され、ステ
ッチリード１ｂと金属細線４間では金と銀の金属間化合
物が生成される。また、超音波併用熱圧着方式は熱圧着
方式の熱および金属細線４を圧接させる荷重に加えて超
音波振動による超音波エネルギーを用いる。この超音波
併用熱圧着方式によって金属間化合物を生成させるボン
ド条件は熱。
先ずヒートブロック本体５ｂの伝熱面５＆上に、半導体
ダイ３が接合されたリードフレーム１を載置させ、この
リードフレームｉ加熱スルことによって半導体ダイ３上
の電極とステッチリード１ｂ とを加熱させる。次いで
、金属細線４を前記電極とステッチリード１ｂに接合さ
せ両者が接続されることになる。熱圧着方式は、熱源の
ヒートブロック本体５ｂからの熱と、金属細線４を電極
およびステッチリード１ｂに圧接させろ荷重とで金属細
線４と半導体ダイ３上の電極お：び金属細線４とステッ
チリード１ｂとの間にそれぞれ金属間化合物を生成し、
この金属間化名物によ−）て接合強度を得、また電気的
に接続させるものである。例えば、金属細線４を金、半
導体ダイ３上の電極をアルミニウム、ステッチリード１
ｂを銀とすると、半導体ダイ３上の電極と金属細線４間
では金とアルミニウムの金属間化合物が生成され、ステ
ッチリード１ｂと金属細線４間では金と銀の金属間化合
物が生成される。また、超音波併用熱圧着方式は熱圧着
方式の熱および金属細線４を圧接させる荷重に加えて超
音波振動による超音波エネルギーを用いる。この超音波
併用熱圧着方式によって金属間化合物を生成させるボン
ド条件は熱。
荷重１時間および超音波エネルギーが主なものである。
超音波併用熱圧着方式においては、これらボンド条件を
最適化させてワイヤボンディングが行なわれている。
最適化させてワイヤボンディングが行なわれている。
「発明が解決しようとする課題〕
Ｘ−かるに、従来のヒートブロックにおいては、熱源と
なるヒートブロック本体５ｂが１個で必り、このヒート
ブロック本体５ｂ上にリードフレーム１を載置させて加
熱する構成であるために、半導体ダイ３上の電極とステ
ッチリード１ｂとの材質が４６υ両者１はぞれぞれの最
適なボンディング温度が異なるにもかかわらず同一な温
度に加熱されることになる。このため、金属間化合物が
生成さね、る最適温度以下でボンディングしなければな
らなくなる場合があり、他のボンド条件、例えば荷重、
超音波エネルギーあるいはボンディング時間等を調節し
てこれを補なうと、半導体ダイ３に加えられる機械的ス
トレスが増え＊、す、学童効率が低下することになる。
なるヒートブロック本体５ｂが１個で必り、このヒート
ブロック本体５ｂ上にリードフレーム１を載置させて加
熱する構成であるために、半導体ダイ３上の電極とステ
ッチリード１ｂとの材質が４６υ両者１はぞれぞれの最
適なボンディング温度が異なるにもかかわらず同一な温
度に加熱されることになる。このため、金属間化合物が
生成さね、る最適温度以下でボンディングしなければな
らなくなる場合があり、他のボンド条件、例えば荷重、
超音波エネルギーあるいはボンディング時間等を調節し
てこれを補なうと、半導体ダイ３に加えられる機械的ス
トレスが増え＊、す、学童効率が低下することになる。
本発明に係るワイヤボンディング装置用ヒートブロック
は、リードフレームのダイパッド部とインナーリード部
を加熱するヒートブロック本体を別体に形成すると共に
、これら両ヒートブロック間に断熱板を介装したもので
ある。
は、リードフレームのダイパッド部とインナーリード部
を加熱するヒートブロック本体を別体に形成すると共に
、これら両ヒートブロック間に断熱板を介装したもので
ある。
リードフレームのダイパッド部とインナーリード部をそ
れぞれの最適なボンディング温度に加熱することができ
る。
れぞれの最適なボンディング温度に加熱することができ
る。
以下、その構成等を図に示す実施例にＪり詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明のヒートブロックによってリードフレー
ムを加熱している状態を示す平面図、第２図は第１図中
Ｉｆ−Ｉｆ線断面図で、これらの図において第５図およ
び第６図で説明したものと同一もしくは同等部材につい
ては同一符号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略す
る。これらの図において、１１はリードフレーム１のダ
イパッド１ａを加熱するための第一のヒートブロック本
体、１２はリードフレーム１のステッチリード１ｂを加
熱するための第二のヒートブロック本体で、これら第一
お工び第二のヒートブロック本体１１．１２は伝熱面１
１ａ、１２ｍが同一平面上に配置されるよう並設されて
おり、これらヒートブロック本体１１゜１２の間には一
方のヒートブロック本体の熱が他方のヒー・ドブロック
本体に伝導されないように断熱板１３が介装されている
。なお、１４はヒート７” ｉｔフッタ体１１を加熱す
るためのヒータ、１５はヒートブロック本体１２を加熱
するためのヒータである。
ムを加熱している状態を示す平面図、第２図は第１図中
Ｉｆ−Ｉｆ線断面図で、これらの図において第５図およ
び第６図で説明したものと同一もしくは同等部材につい
ては同一符号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略す
る。これらの図において、１１はリードフレーム１のダ
イパッド１ａを加熱するための第一のヒートブロック本
体、１２はリードフレーム１のステッチリード１ｂを加
熱するための第二のヒートブロック本体で、これら第一
お工び第二のヒートブロック本体１１．１２は伝熱面１
１ａ、１２ｍが同一平面上に配置されるよう並設されて
おり、これらヒートブロック本体１１゜１２の間には一
方のヒートブロック本体の熱が他方のヒー・ドブロック
本体に伝導されないように断熱板１３が介装されている
。なお、１４はヒート７” ｉｔフッタ体１１を加熱す
るためのヒータ、１５はヒートブロック本体１２を加熱
するためのヒータである。
このように構成されたヒートブロック本体１１゜１２の
伝熱面１１ａ、１２ａ上にリードフレーム１を載置させ
ると、ヒートブロック本体１１の熱はダイパッドＩｎに
伝導され、ヒートブロック本体１２の熱はステッチリー
ド１ｂに伝導されることになる。
伝熱面１１ａ、１２ａ上にリードフレーム１を載置させ
ると、ヒートブロック本体１１の熱はダイパッドＩｎに
伝導され、ヒートブロック本体１２の熱はステッチリー
ド１ｂに伝導されることになる。
したがって、半導体ダイ３上の電極と金属細線４の接続
に必要な最適温度にヒートブロック本体１１を加熱し、
またステッチリード１ｂと金属細線４の接続に必要な最
適温度にヒートブロック本体１２を加熱することによっ
て、半導体ダイ３上の電極とステッチリード１ｂとをそ
れぞれの最適なボンディング温度に加熱することができ
る。
に必要な最適温度にヒートブロック本体１１を加熱し、
またステッチリード１ｂと金属細線４の接続に必要な最
適温度にヒートブロック本体１２を加熱することによっ
て、半導体ダイ３上の電極とステッチリード１ｂとをそ
れぞれの最適なボンディング温度に加熱することができ
る。
また、前記実施例ではヒートブロック本体１１゜１２を
直方体状に形成し互いに隣接させた例を示したが、第３
図および第４図に示すように形成してもよい。
直方体状に形成し互いに隣接させた例を示したが、第３
図および第４図に示すように形成してもよい。
第３図および第４図は他の実施例を示す図で、第３図は
リードフレームを加熱している状態を示す平面図、第４
図は第３図中Ｒ’ −ＩＶ線断面図である。これらの図
において第１図および第２図で説明したものと同一もし
くは同等部材については同一符号を付し、詳細な説明は
省略する。第３図および第４図に示すヒートブロックは
、ダイパッド１ａを囲むようにインナーリード１６が形
成されたリードフレーム１を加熱する際に使用されるも
のであり、ダイパッド１ａを加熱する第一のヒートブロ
ック本体１１を囲むように第二のヒートブロック本体１
２が形成されている。また、これら第一および第二のヒ
ートブロック本体１１．１２間には前記実施例と同様に
断熱板１３が介装されている。
リードフレームを加熱している状態を示す平面図、第４
図は第３図中Ｒ’ −ＩＶ線断面図である。これらの図
において第１図および第２図で説明したものと同一もし
くは同等部材については同一符号を付し、詳細な説明は
省略する。第３図および第４図に示すヒートブロックは
、ダイパッド１ａを囲むようにインナーリード１６が形
成されたリードフレーム１を加熱する際に使用されるも
のであり、ダイパッド１ａを加熱する第一のヒートブロ
ック本体１１を囲むように第二のヒートブロック本体１
２が形成されている。また、これら第一および第二のヒ
ートブロック本体１１．１２間には前記実施例と同様に
断熱板１３が介装されている。
なお、第１図ないし第４図に示すヒートブ「′ツクはヒ
ートブロック本体が２個並設されたものであるが、この
ような限定にとられれることなく、その数量は２個以上
であってもよい。
ートブロック本体が２個並設されたものであるが、この
ような限定にとられれることなく、その数量は２個以上
であってもよい。
以上説明したように本発明によれば、リードフレームの
ダイパッド部とインナーリード部全加熱するヒートブロ
ック本体を別体に形成すると共に、これら両ヒートブロ
ック間に断熱板を介装したため、リードフレームのダイ
パッド部とインナーリード部をそれぞれ最適なボンディ
ング温度に加熱することができる。したがって、高い生
産効率で信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
ダイパッド部とインナーリード部全加熱するヒートブロ
ック本体を別体に形成すると共に、これら両ヒートブロ
ック間に断熱板を介装したため、リードフレームのダイ
パッド部とインナーリード部をそれぞれ最適なボンディ
ング温度に加熱することができる。したがって、高い生
産効率で信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明のヒートブロックによってリードフレー
ムを加熱している状態を示す平面図、第２図は第１図中
田−■線断面図、第３図および第４図は他の実施例を示
す図で、第３図はリードフレームを加熱している状態を
示す平面図、第４図は第３図中■−■線断面図、第５図
は従来のヒートブロックＫｊってリードフレームを加熱
している状態を示す平面図、第６図は第５図中■−■線
断面図である。 １ ・・ ・ ・リードフし一ム、１ａ ・ ・ ・
・ダイパッド、１ｂ ・ ・・ステッチリード、３・・
・・半導体ダイ、４・・・・金属細線、１１・・・・第
一のヒートブロック本体、１２・・・・第二のヒートブ
ロック本体、１３ ・・・断熱板。 第１ 図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
ムを加熱している状態を示す平面図、第２図は第１図中
田−■線断面図、第３図および第４図は他の実施例を示
す図で、第３図はリードフレームを加熱している状態を
示す平面図、第４図は第３図中■−■線断面図、第５図
は従来のヒートブロックＫｊってリードフレームを加熱
している状態を示す平面図、第６図は第５図中■−■線
断面図である。 １ ・・ ・ ・リードフし一ム、１ａ ・ ・ ・
・ダイパッド、１ｂ ・ ・・ステッチリード、３・・
・・半導体ダイ、４・・・・金属細線、１１・・・・第
一のヒートブロック本体、１２・・・・第二のヒートブ
ロック本体、１３ ・・・断熱板。 第１ 図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- ダイパッド部に半導体チップが接合されたリードフレ
ームを支承し加熱するヒートブロック本体を備えたワイ
ヤボンディング装置用ヒートブロックにおいて、前記リ
ードフレームのダイパッド部とインナーリード部を加熱
するヒートブロック本体を別体に形成すると共に、これ
ら両ヒートブロック間に断熱板を介装したことを特徴と
するワイヤボンディング装置用ヒートブロック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153090A JPH01319952A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ワイヤボンデイング装置用ヒートブロック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153090A JPH01319952A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ワイヤボンデイング装置用ヒートブロック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319952A true JPH01319952A (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=15554751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63153090A Pending JPH01319952A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ワイヤボンデイング装置用ヒートブロック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01319952A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0531231U (ja) * | 1991-07-15 | 1993-04-23 | 金星エレクトロン株式会社 | ワイヤボンダーのヒータブロツク |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP63153090A patent/JPH01319952A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0531231U (ja) * | 1991-07-15 | 1993-04-23 | 金星エレクトロン株式会社 | ワイヤボンダーのヒータブロツク |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3097644B2 (ja) | 半導体装置接続構造及び接続方法 | |
| US3256465A (en) | Semiconductor device assembly with true metallurgical bonds | |
| JPH10256475A (ja) | ボトムリードパッケージ | |
| CN112771667A (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
| JP2020178003A (ja) | パワー半導体モジュールおよびパワー半導体モジュールの製造方法 | |
| JP3336982B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| TWI489595B (zh) | 彈性無接觸式銲線接合結構及半導體元件製造方法 | |
| JP2001274177A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3284811B2 (ja) | 半田接合方法および半導体製造治具と半導体装置の製造方法 | |
| WO2011030368A1 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| US6543109B1 (en) | Method of manufacturing a surface acoustic wave apparatus | |
| JPH01319952A (ja) | ワイヤボンデイング装置用ヒートブロック | |
| JP2000277557A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3428488B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPH04287939A (ja) | ボンディング・ツール | |
| JPH0296342A (ja) | ワイヤボンド装置 | |
| JP3368140B2 (ja) | 電子部品の実装方法及びその構造 | |
| JPH0878599A (ja) | 集積回路パッケージ及びその製造方法 | |
| JPH11135532A (ja) | 半導体チップ及び半導体装置 | |
| JP2538394B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6332269B2 (ja) | ||
| JPS6379331A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JP2003045911A (ja) | 半導体素子の実装構造および実装用配線基板 | |
| JPH0448768A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2006173509A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |