JPH0132810B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0132810B2 JPH0132810B2 JP56049687A JP4968781A JPH0132810B2 JP H0132810 B2 JPH0132810 B2 JP H0132810B2 JP 56049687 A JP56049687 A JP 56049687A JP 4968781 A JP4968781 A JP 4968781A JP H0132810 B2 JPH0132810 B2 JP H0132810B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- methylbutyloxy
- formula
- liquid crystal
- compound
- optically active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明は正の誘電異方性を有し、かつ光学活性
基を有する物質に関する。 液晶表示素子は液晶物質の特性である光学異方
性及び誘電異方性を利用したもので、各種の方式
のものがあるが、その代表的なものにTN型（ね
じれネマチツク型）の表示セルがある。この方式
のものに用いられる液晶物質としては正の誘電異
方性を有する液晶組成物が用いられ、これらは他
の場合と同様光、熱、水分、空気等に対し安定
で、かつ室温を含む出来るだけ広い温度範囲で液
晶相を示すことが必要である。 TN型表示素子ではその他その品質が次の点で
問題になる場合が多い。即ち表示面にいわゆるリ
バースドメイン（しま模様）が発生する場合があ
り、この様な現象を防ぐためには光学活性物質を
添加すればよいことが知られている。 本発明の化合物はこの様な目的に使用して有効
な光学活性を有する新規な化合物である。 即ち、本発明は一般式 （上式に於てｌは０又は１であり、ｍ、ｎは１又
は２である） で表わされる光学活性２−メチルブチルオキシフ
エニル基を有するフルオロベンゼン誘導体であ
る。 （）式の化合物はあるものは非液晶化合物で
あり、あるものはコレステリツクのスメクチツク
液晶相（S*ｍ）を示すが、いずれもそのコレス
テリツクのら施ピツチは20〜30μｍ程度で、TN
型表示素子用の液晶組成物に本化合物を0.5〜５
％位添加することによりリバースドメインの発生
を防ぐことが可能となる。 （）式の化合物に於てｌ＝０の場合は製造上
の困難性からｍ、ｎは１のものに限られる。 つぎに本発明の（）式の化合物の製造方法を
示すと、まず（）式でｌ＝０、ｍ＝１、ｎ＝１
のＳ−（＋）−４−（2′−メチルブチルオキシ）−
4″−フルオロビフエニル（）は４−フルオロ−
4′−ヒドロキシビフエニルとＳ−（＋）−２−メチ
ルブチルブロミドをジエチレングリコールモノメ
チルエーテル中で水酸化ナトリウムと反応して製
造した。これを化学式で示すと 次に（）式でｌ＝１、ｍ＝１又は２、ｎ＝１
又は２の化合物（）の場合は（Ｓ）−（＋）−４
−（2′−メチルブチルオキシ）フエニル基を有す
る安息香酸又はビフエニルカルボン酸を塩化チオ
ニルと反応させてその酸クロリドとし、ついで目
的物に対応するフルオロフエノールとピリジン存
在下で反応して目的物を得る。以上を化学式で示
すと、 以下実施例により本化合物について更に詳細に
説明する。 実施例 １ 〔Ｓ−（＋）−４−（2′−メチルブチルオキシ）−
4″−フルオロビフエニル（（）式のもの）製
造〕 ４−フルオロ−4′−ヒドロキシビフエニル4.0
ｇ（0.0213モル）をジエチレングリコールモノメ
チルエーテル100mlに溶解し、これに2N水酸化ナ
トリウム水溶液12mlを加えて振りまぜ均一液を得
る。次にＳ−（＋）−２−メチルブチルブロミド
3.7ｇ（0.0245モル）を加えて３時間、マントル
ヒーターで加熱還流する。反応後、室温まで冷却
し100mlの水にあけトルエン300mlで抽出する。ト
ルエン層を6N塩酸で、ついで2N水酸化ナトリウ
ム水溶液で洗浄した後、更に中性になるまで水洗
してから無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧にし
てトルエンを留去する。残つた固型物をメタノー
ルで再結晶すると、目的物であるＳ−（＋）−４−
（2′−メチルブチルオキシ）−4″−フルオロビフエ
ニルが得られる。収量2.4ｇ、収率43.6％、融点
88.8〜89.0℃。 実施例 ２ 〔Ｓ−（＋）−４−（2′−メチルブチルオキシ）
安息香酸4″−フルオロフエニルエステル（（）
式でｍ＝ｎ＝１、Ｘ＝Ｆのもの）の製造〕 Ｓ−（＋）−（2′−メチルブチルオキシ）安息香
酸4.2ｇ（0.02モル）と塩化チオニル10ｇをフラ
スコに入れマントルヒーター上70℃で反応させる
と１時間で均一になり、更に２時間反応する。減
圧にて過剰の塩化チオニルを留去すれば残つた油
状物はＳ−（＋）−４−（2′−メチルブチルオキシ）
安香香酸クロリドである。 一方４−フルオロフエノール2.3ｇ（0.02モル）
をピリジン20mlに溶かしたものに酸クロリドを加
えよく振りまぜ、一晩放置後100mlの水にあける。
析出する結晶をトルエン300mlで抽出し、6N塩
酸、ついで2N水酸化ナトリウムで洗つた後、水
で中性になるまで洗浄する。無水硫酸ナトリウム
で乾燥後トルエンを減圧にて留去し、残る結晶を
エタノールで再結晶して目的物であるＳ−（＋）−
４−（2′−メチルブチルオキシ）安息香酸4″−フ
ルオロフエニルエステルを4.1ｇ得た（収率68
％）。融点83.5〜84.5℃。 実施例 ３ 実施例２に於ける４−フルオロフエノールの代
りに４−（4′−フルオロフエニル）フエノール3.8
ｇ（0.02モル）を使用してＳ−（＋）−４−（２−
メチルブチルオキシ）安息香酸4″−（４−フル
オロフエニル）フエニルエステル5.0ｇを得た。
このものはコレステリツクのスメクチツク液晶
（S*ｍ）であり、その転移点などは第１表に示
す。 実施例 ４ 実施例２に於けるＳ−（＋）−４−（2′−メチル
ブチルオキシ）安息香酸の代りにＳ−（＋）−4′−
（2″−メチルブチルオキシ）ビフエニル−４−カ
ルボン酸5.7ｇ（0.02モル）を使用し、又再結晶
をアセトンを用いて行なつた以外は全く同様にし
てＳ−（＋）−4′−（2″−メチルブチルオキシ）ビ
フエニル−４−カルボン酸４−フルオロフエニ
ルエステル5.1ｇを得た。これもS*ｍであり物性
値などは第１表に示す。 実施例 ５ 実施例４に於ける４−フルオロフエノールの代
りに４−（4′−フルオロフエニル）フエノール3.8
ｇ（0.02モル）を使用する以外は全く同様にして
Ｓ−（＋）−4′−（2″−メチルブチルオキシ）ビフ
エニル−４−カルボン酸４−（４′′′′−フルオロ
フエニル）を6.9ｇ得た。これもS*ｍであり物性
値などは第１表に示す。
基を有する物質に関する。 液晶表示素子は液晶物質の特性である光学異方
性及び誘電異方性を利用したもので、各種の方式
のものがあるが、その代表的なものにTN型（ね
じれネマチツク型）の表示セルがある。この方式
のものに用いられる液晶物質としては正の誘電異
方性を有する液晶組成物が用いられ、これらは他
の場合と同様光、熱、水分、空気等に対し安定
で、かつ室温を含む出来るだけ広い温度範囲で液
晶相を示すことが必要である。 TN型表示素子ではその他その品質が次の点で
問題になる場合が多い。即ち表示面にいわゆるリ
バースドメイン（しま模様）が発生する場合があ
り、この様な現象を防ぐためには光学活性物質を
添加すればよいことが知られている。 本発明の化合物はこの様な目的に使用して有効
な光学活性を有する新規な化合物である。 即ち、本発明は一般式 （上式に於てｌは０又は１であり、ｍ、ｎは１又
は２である） で表わされる光学活性２−メチルブチルオキシフ
エニル基を有するフルオロベンゼン誘導体であ
る。 （）式の化合物はあるものは非液晶化合物で
あり、あるものはコレステリツクのスメクチツク
液晶相（S*ｍ）を示すが、いずれもそのコレス
テリツクのら施ピツチは20〜30μｍ程度で、TN
型表示素子用の液晶組成物に本化合物を0.5〜５
％位添加することによりリバースドメインの発生
を防ぐことが可能となる。 （）式の化合物に於てｌ＝０の場合は製造上
の困難性からｍ、ｎは１のものに限られる。 つぎに本発明の（）式の化合物の製造方法を
示すと、まず（）式でｌ＝０、ｍ＝１、ｎ＝１
のＳ−（＋）−４−（2′−メチルブチルオキシ）−
4″−フルオロビフエニル（）は４−フルオロ−
4′−ヒドロキシビフエニルとＳ−（＋）−２−メチ
ルブチルブロミドをジエチレングリコールモノメ
チルエーテル中で水酸化ナトリウムと反応して製
造した。これを化学式で示すと 次に（）式でｌ＝１、ｍ＝１又は２、ｎ＝１
又は２の化合物（）の場合は（Ｓ）−（＋）−４
−（2′−メチルブチルオキシ）フエニル基を有す
る安息香酸又はビフエニルカルボン酸を塩化チオ
ニルと反応させてその酸クロリドとし、ついで目
的物に対応するフルオロフエノールとピリジン存
在下で反応して目的物を得る。以上を化学式で示
すと、 以下実施例により本化合物について更に詳細に
説明する。 実施例 １ 〔Ｓ−（＋）−４−（2′−メチルブチルオキシ）−
4″−フルオロビフエニル（（）式のもの）製
造〕 ４−フルオロ−4′−ヒドロキシビフエニル4.0
ｇ（0.0213モル）をジエチレングリコールモノメ
チルエーテル100mlに溶解し、これに2N水酸化ナ
トリウム水溶液12mlを加えて振りまぜ均一液を得
る。次にＳ−（＋）−２−メチルブチルブロミド
3.7ｇ（0.0245モル）を加えて３時間、マントル
ヒーターで加熱還流する。反応後、室温まで冷却
し100mlの水にあけトルエン300mlで抽出する。ト
ルエン層を6N塩酸で、ついで2N水酸化ナトリウ
ム水溶液で洗浄した後、更に中性になるまで水洗
してから無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧にし
てトルエンを留去する。残つた固型物をメタノー
ルで再結晶すると、目的物であるＳ−（＋）−４−
（2′−メチルブチルオキシ）−4″−フルオロビフエ
ニルが得られる。収量2.4ｇ、収率43.6％、融点
88.8〜89.0℃。 実施例 ２ 〔Ｓ−（＋）−４−（2′−メチルブチルオキシ）
安息香酸4″−フルオロフエニルエステル（（）
式でｍ＝ｎ＝１、Ｘ＝Ｆのもの）の製造〕 Ｓ−（＋）−（2′−メチルブチルオキシ）安息香
酸4.2ｇ（0.02モル）と塩化チオニル10ｇをフラ
スコに入れマントルヒーター上70℃で反応させる
と１時間で均一になり、更に２時間反応する。減
圧にて過剰の塩化チオニルを留去すれば残つた油
状物はＳ−（＋）−４−（2′−メチルブチルオキシ）
安香香酸クロリドである。 一方４−フルオロフエノール2.3ｇ（0.02モル）
をピリジン20mlに溶かしたものに酸クロリドを加
えよく振りまぜ、一晩放置後100mlの水にあける。
析出する結晶をトルエン300mlで抽出し、6N塩
酸、ついで2N水酸化ナトリウムで洗つた後、水
で中性になるまで洗浄する。無水硫酸ナトリウム
で乾燥後トルエンを減圧にて留去し、残る結晶を
エタノールで再結晶して目的物であるＳ−（＋）−
４−（2′−メチルブチルオキシ）安息香酸4″−フ
ルオロフエニルエステルを4.1ｇ得た（収率68
％）。融点83.5〜84.5℃。 実施例 ３ 実施例２に於ける４−フルオロフエノールの代
りに４−（4′−フルオロフエニル）フエノール3.8
ｇ（0.02モル）を使用してＳ−（＋）−４−（２−
メチルブチルオキシ）安息香酸4″−（４−フル
オロフエニル）フエニルエステル5.0ｇを得た。
このものはコレステリツクのスメクチツク液晶
（S*ｍ）であり、その転移点などは第１表に示
す。 実施例 ４ 実施例２に於けるＳ−（＋）−４−（2′−メチル
ブチルオキシ）安息香酸の代りにＳ−（＋）−4′−
（2″−メチルブチルオキシ）ビフエニル−４−カ
ルボン酸5.7ｇ（0.02モル）を使用し、又再結晶
をアセトンを用いて行なつた以外は全く同様にし
てＳ−（＋）−4′−（2″−メチルブチルオキシ）ビ
フエニル−４−カルボン酸４−フルオロフエニ
ルエステル5.1ｇを得た。これもS*ｍであり物性
値などは第１表に示す。 実施例 ５ 実施例４に於ける４−フルオロフエノールの代
りに４−（4′−フルオロフエニル）フエノール3.8
ｇ（0.02モル）を使用する以外は全く同様にして
Ｓ−（＋）−4′−（2″−メチルブチルオキシ）ビフ
エニル−４−カルボン酸４−（４′′′′−フルオロ
フエニル）を6.9ｇ得た。これもS*ｍであり物性
値などは第１表に示す。
【表】
実施例 ６（使用例）
市販のTN用液晶組成物リクソンGR−63（チツ
ソ(株)製ビフエニル系液晶）99部に本発明の実施例
１の化合物１部を加えた液晶組成物を使用した
TNセルは、この化合物を添加しないで製造した
TNセルに比較してリーバーストメインが大巾に
減少していることが肉眼により観察された。同じ
ことが実施例２の化合物を添加した場合にも観察
された。
ソ(株)製ビフエニル系液晶）99部に本発明の実施例
１の化合物１部を加えた液晶組成物を使用した
TNセルは、この化合物を添加しないで製造した
TNセルに比較してリーバーストメインが大巾に
減少していることが肉眼により観察された。同じ
ことが実施例２の化合物を添加した場合にも観察
された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （上式中ｌは０又は１であり、ｍ、ｎは１又は２
であり、＊は不整炭素原子を示す） で表わされる光学活性２−メチルブチルオキシフ
エニル基を有するハロゲノベンゼン誘導体。 ２ 一般式 で表わされるＳ−（＋）−４−（2′−メチルブチル
オキシ）−4″−フルオロビフエニルである特許請
求の範囲第１項記載の光学活性２−メチルブチル
オキシフエニル基を有するハロゲノベンゼン誘導
体。 ３ 一般式 （上式中ｍ及びｎは１又は２である） で表わされる化合物である特許請求の範囲第１項
記載の光学活性２−メチルブチルオキシ基を有す
るハロゲノベンゼン誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4968781A JPS57165334A (en) | 1981-04-02 | 1981-04-02 | Halogenobenzene derivative having optical active 2- methylbutyloxyphenyl group |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4968781A JPS57165334A (en) | 1981-04-02 | 1981-04-02 | Halogenobenzene derivative having optical active 2- methylbutyloxyphenyl group |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57165334A JPS57165334A (en) | 1982-10-12 |
| JPH0132810B2 true JPH0132810B2 (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=12838089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4968781A Granted JPS57165334A (en) | 1981-04-02 | 1981-04-02 | Halogenobenzene derivative having optical active 2- methylbutyloxyphenyl group |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57165334A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610170B2 (ja) * | 1984-12-26 | 1994-02-09 | チッソ株式会社 | 新規光学活性化合物及び液晶組成物 |
| US5254747A (en) * | 1986-06-30 | 1993-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Fluorine-containing chiral smectic liquid crystals |
| US4886619A (en) * | 1986-06-30 | 1989-12-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Fluorine-containing chiral smectic liquid crystals |
| US5702637A (en) * | 1995-04-19 | 1997-12-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Liquid crystal compounds having a chiral fluorinated terminal portion |
| US5658491A (en) * | 1995-10-12 | 1997-08-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for controlling cone tilt angle in mixtures of smectic liquid crystal compounds |
| US5855812A (en) * | 1997-04-11 | 1999-01-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Compounds and process for controlling cone tilt angle in mixtures of smectic liquid crystal compounds |
| US6309561B1 (en) | 1997-12-24 | 2001-10-30 | 3M Innovative Properties Company | Liquid crystal compounds having a chiral fluorinated terminal portion |
| JP5659189B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2015-01-28 | 富士フイルム株式会社 | 非共鳴２光子吸収材料、非共鳴２光子吸収記録材料、記録媒体、記録再生方法及び非共鳴２光子吸収化合物 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5257139A (en) * | 1975-11-06 | 1977-05-11 | Dainippon Toryo Kk | Production of cairal nematic compound and liquid crystal composition |
| JPS5929053B2 (ja) * | 1976-01-10 | 1984-07-18 | トムソン−セ−エスエフ | 液晶セル用の液晶異方性物質 |
| JPS6059893A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-06 | Nec Corp | 時分割通話路構成方式 |
-
1981
- 1981-04-02 JP JP4968781A patent/JPS57165334A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57165334A (en) | 1982-10-12 |
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