JPH0136246B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0136246B2 JPH0136246B2 JP57001042A JP104282A JPH0136246B2 JP H0136246 B2 JPH0136246 B2 JP H0136246B2 JP 57001042 A JP57001042 A JP 57001042A JP 104282 A JP104282 A JP 104282A JP H0136246 B2 JPH0136246 B2 JP H0136246B2
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- JP
- Japan
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- jig
- reaction tube
- thin film
- hollow body
- film production
- Prior art date
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- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウエハに薄膜を生成する装置、
いつそう詳しくはこのような装置でフレークの付
着を防止する装置に関する。
いつそう詳しくはこのような装置でフレークの付
着を防止する装置に関する。
反応管を用いる薄膜生成装置、たとえば、減圧
CVD装置、横型プラズマCVD装置等では、薄膜
生成処理を続けるにつれて反応管内壁面に反応生
成物が堆積する。特に、反応管の灼熱部を外れた
尾管部、すなわち排出端における堆積物ははがれ
やすく、膜生成中にこれがフレークとなつて半導
体ウエハ表面に付着し、ピンホールやパターン不
良を起こす原因となつており、高集積化を進める
上で重大な問題となつている。
CVD装置、横型プラズマCVD装置等では、薄膜
生成処理を続けるにつれて反応管内壁面に反応生
成物が堆積する。特に、反応管の灼熱部を外れた
尾管部、すなわち排出端における堆積物ははがれ
やすく、膜生成中にこれがフレークとなつて半導
体ウエハ表面に付着し、ピンホールやパターン不
良を起こす原因となつており、高集積化を進める
上で重大な問題となつている。
本発明の目的は、反応管での排出ガスの逆流に
際してフレークを捕えて薄膜を生成している半導
体ウエハにフレークを付着させないようになつて
いる装置を備えた薄膜生成装置を提供することに
ある。
際してフレークを捕えて薄膜を生成している半導
体ウエハにフレークを付着させないようになつて
いる装置を備えた薄膜生成装置を提供することに
ある。
本発明によれば、耐熱性のガラス短管を充填し
た治具を反応管の尾管部内部に設置し、排ガスが
この治具を通つて流れ、逆流があつたときにはフ
レークがガラス短管に捕えられて反応管の反応区
域まで行かないようにしている。
た治具を反応管の尾管部内部に設置し、排ガスが
この治具を通つて流れ、逆流があつたときにはフ
レークがガラス短管に捕えられて反応管の反応区
域まで行かないようにしている。
以下、添付図面を参照しながら本発明について
説明する。
説明する。
まず第１図を参照して、薄膜生成装置は反応管
１を包含し、この反応管は一端に反応ガスの入口
２を有し、他端に反応済の排ガスの出口３を有す
る。この出口３はテーパ部４によつて反応管本体
部５とつながつている。反応管本体部５のまわり
には、周知のようにヒータ６が配置してあり、約
300〜1000℃まで加熱される。図示実施例では、
反応管１は減圧式CVD装置のものであるが、本
発明が他の形成のCVD装置にも適用できること
は了解されたい。
１を包含し、この反応管は一端に反応ガスの入口
２を有し、他端に反応済の排ガスの出口３を有す
る。この出口３はテーパ部４によつて反応管本体
部５とつながつている。反応管本体部５のまわり
には、周知のようにヒータ６が配置してあり、約
300〜1000℃まで加熱される。図示実施例では、
反応管１は減圧式CVD装置のものであるが、本
発明が他の形成のCVD装置にも適用できること
は了解されたい。
反応管本体部５内には、薄膜を形成しようとし
ている半導体ウエハ７がボード８に設置された状
態で収納されている。薄膜生成用ガスは入口２か
ら流入し、半導体ウエハ７の表面に薄膜を形成し
てから出口３を通つて流出する。
ている半導体ウエハ７がボード８に設置された状
態で収納されている。薄膜生成用ガスは入口２か
ら流入し、半導体ウエハ７の表面に薄膜を形成し
てから出口３を通つて流出する。
ここまでは周知の構造であるが、本発明によれ
ば、反応管１の出口３に近い部分、すなわち尾管
部９の内部に治具１０が配置してある。この治具
１０は耐熱性材料で作つてあり、図示実施例によ
れば、筒状の中空体１１から成る。中空体１１は
複数個の孔１２を設けた両端壁１３を有し、内部
に耐熱性材料のガラス短管１４が充填してある。
これらのガラス短管１４は中空体１０の周壁に設
けた開口１５を通して充填し、また取出すことが
できる。この開口１５はふた１６で塞いである。
ば、反応管１の出口３に近い部分、すなわち尾管
部９の内部に治具１０が配置してある。この治具
１０は耐熱性材料で作つてあり、図示実施例によ
れば、筒状の中空体１１から成る。中空体１１は
複数個の孔１２を設けた両端壁１３を有し、内部
に耐熱性材料のガラス短管１４が充填してある。
これらのガラス短管１４は中空体１０の周壁に設
けた開口１５を通して充填し、また取出すことが
できる。この開口１５はふた１６で塞いである。
中空体１１の、出口３に近い方の端にはそれと
同径のリング１７が取付けてあり、これは治具装
填時に反応管１のテーパ部４の内周面４Ａと接触
してシール作用をなし、逆流したガスが必ず治具
１０内に導びかれるようにしている。たとえば、
このリング１７はガラス管であり、中空体１１に
溶接してある。
同径のリング１７が取付けてあり、これは治具装
填時に反応管１のテーパ部４の内周面４Ａと接触
してシール作用をなし、逆流したガスが必ず治具
１０内に導びかれるようにしている。たとえば、
このリング１７はガラス管であり、中空体１１に
溶接してある。
中空体１１の反対端下部の両側面には治具１０
を反応管１内で安定させるための突起１８が設け
てある。また、治具の出入れに便利なように引つ
かけハンドル１９が中空体１１の、出口と反対側
の端壁１３に設けてある。なお、簡略化のために
図示していないが、反応管１の入口２に近い端壁
１Ａは開閉できるようになつており、ここを通し
て治具１０、半導体ウエハ７を反応管１内に出入
れできるようになつている。
を反応管１内で安定させるための突起１８が設け
てある。また、治具の出入れに便利なように引つ
かけハンドル１９が中空体１１の、出口と反対側
の端壁１３に設けてある。なお、簡略化のために
図示していないが、反応管１の入口２に近い端壁
１Ａは開閉できるようになつており、ここを通し
て治具１０、半導体ウエハ７を反応管１内に出入
れできるようになつている。
このような構成において、薄膜生成工程中、反
応ガスはほとんど抵抗を受けることなく治具１０
を通つて出口３に流れ、そこから排出するが、ガ
スの逆流があつたときにガスそのものは治具１０
を通つて反応管１内部にもどつても、フレークは
治具１０内のガラス短管１４によつて捕えられ、
反応区域に侵入することはない。
応ガスはほとんど抵抗を受けることなく治具１０
を通つて出口３に流れ、そこから排出するが、ガ
スの逆流があつたときにガスそのものは治具１０
を通つて反応管１内部にもどつても、フレークは
治具１０内のガラス短管１４によつて捕えられ、
反応区域に侵入することはない。
このような治具を用いて実際に作業を行なつた
ところ、NH3ガス、SiH2Cl2ガスによつて約700
〜800℃で約0.5〜1.0Torr.の条件の下にSi3N4（窒
化シリコン膜）を形成した場合、この治具のない
場合の約１／30〜１／100程度にフレーク数を減
らすことができ、高集積化半導体装置の製造に対
して著しい歩留りの向上が可能となつた。また、
ガラス短管を取出して洗浄すれば、この治具を何
回も繰返して使用することができ、コストの点で
も有利である。
ところ、NH3ガス、SiH2Cl2ガスによつて約700
〜800℃で約0.5〜1.0Torr.の条件の下にSi3N4（窒
化シリコン膜）を形成した場合、この治具のない
場合の約１／30〜１／100程度にフレーク数を減
らすことができ、高集積化半導体装置の製造に対
して著しい歩留りの向上が可能となつた。また、
ガラス短管を取出して洗浄すれば、この治具を何
回も繰返して使用することができ、コストの点で
も有利である。
中空体１１は石英ガラス、SiC、ポリシリコン
等で作ることができる。また、中空体１１の外形
は任意の形状とすることができ、そのとき、中空
体の外面と反応管内面との間を塞ぐなんらかの手
段を構じればよい。なお、治具中空体の外径が反
応管の内径とほぼ等しくてすき間のないように設
置すれば、他にシール手段を設ける必要はない。
等で作ることができる。また、中空体１１の外形
は任意の形状とすることができ、そのとき、中空
体の外面と反応管内面との間を塞ぐなんらかの手
段を構じればよい。なお、治具中空体の外径が反
応管の内径とほぼ等しくてすき間のないように設
置すれば、他にシール手段を設ける必要はない。
第１図は本発明による治具を内蔵した薄膜生成
装置の概略断面図、第２図は第１図に示した治具
の一部破断斜視図、第３図は第１図の治具の端面
図、第４図は第１図の治具の一部破断側面図であ
る。 １…反応管、２…反応ガス入口、３…出口、４
…テーパ部、５…反応管本体部、６…ヒータ、７
…半導体ウエハ、９…尾管部、１０…治具、１１
…中空体、１２…孔、１３…端壁、１４…ガラス
短管。
装置の概略断面図、第２図は第１図に示した治具
の一部破断斜視図、第３図は第１図の治具の端面
図、第４図は第１図の治具の一部破断側面図であ
る。 １…反応管、２…反応ガス入口、３…出口、４
…テーパ部、５…反応管本体部、６…ヒータ、７
…半導体ウエハ、９…尾管部、１０…治具、１１
…中空体、１２…孔、１３…端壁、１４…ガラス
短管。
Claims (1)
- １ 一端から薄膜生成用ガスが流入し他端から流
出し、薄膜を生成しようとしている半導体ウエハ
を内部に設置するようになつている反応管を包含
する薄膜生成装置において、前記反応管の前記他
端付近内部にフレーク捕獲用治具が配置してあ
り、この治具が耐熱性材料で作つた筒状の中空体
から成り、この中空体の両端壁にガスの通過を許
す孔が設けてあり、前記中空体の外面と前記反応
管の内面との間を閉鎖する手段が設けてあり、さ
らに、前記中空体内に耐熱性のガラス短管が充填
してあることを特徴とする薄膜生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001042A JPS58119631A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 薄膜生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001042A JPS58119631A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 薄膜生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119631A JPS58119631A (ja) | 1983-07-16 |
| JPH0136246B2 true JPH0136246B2 (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=11490500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57001042A Granted JPS58119631A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 薄膜生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119631A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0458444U (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-19 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0657637B2 (ja) * | 1987-02-19 | 1994-08-03 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
| WO2010020446A1 (en) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach | Trap |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP57001042A patent/JPS58119631A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0458444U (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58119631A (ja) | 1983-07-16 |
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