JPH0138364B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0138364B2 JPH0138364B2 JP59034209A JP3420984A JPH0138364B2 JP H0138364 B2 JPH0138364 B2 JP H0138364B2 JP 59034209 A JP59034209 A JP 59034209A JP 3420984 A JP3420984 A JP 3420984A JP H0138364 B2 JPH0138364 B2 JP H0138364B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- rotating
- fixed shaft
- lead
- holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
- C30B23/063—Heating of the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は分子線エピタキシ装置の試料回転ホル
ダに関する。
ダに関する。
以下、従来技術を図面を用いて説明する。第１
図は本発明で対象とする分子線エピタキシ装置の
基板を保持、回転させる試料回転ホルダの従来構
造を示す図である。１は基板（図示せず）を保持
する基板保持部、２はこの基板保持部１を回転さ
せる回転軸、３は基板を加熱する加熱機構を保
持、固定する固定軸、４は軸受、５は回転軸２に
回転を伝達するカサバ歯車、６は固定軸３を保持
する保持板、７は大気中より回転導入機構（図示
せず）を通して超音真空中にある試料回転ホルダ
に回転を伝達する軸である。本機構は、エピタキ
シヤル成長時に先端の基板保持部１を回転させる
と同時に、基板の新しい受渡し時に必要な位置ま
で試料回転ホルダ全体を回転させる機能も有して
いる。
図は本発明で対象とする分子線エピタキシ装置の
基板を保持、回転させる試料回転ホルダの従来構
造を示す図である。１は基板（図示せず）を保持
する基板保持部、２はこの基板保持部１を回転さ
せる回転軸、３は基板を加熱する加熱機構を保
持、固定する固定軸、４は軸受、５は回転軸２に
回転を伝達するカサバ歯車、６は固定軸３を保持
する保持板、７は大気中より回転導入機構（図示
せず）を通して超音真空中にある試料回転ホルダ
に回転を伝達する軸である。本機構は、エピタキ
シヤル成長時に先端の基板保持部１を回転させる
と同時に、基板の新しい受渡し時に必要な位置ま
で試料回転ホルダ全体を回転させる機能も有して
いる。
一方、基板の温度はエピタキシヤル成長に重大
な影響を及ぼし、例えばGaAs系では600〜800℃
に、またSi系では100℃程度の高温に基板全面を
均一に保つことが必要である。加熱は、基板保持
部１の直ぐ内面に設けたヒータ８からの輻射によ
り行われる。このヒータ８は絶縁体よりなるヒー
タベース９上に取付けられており、ヒータベース
９は支柱１０により固定軸３に取付けられて、保
持される。また、ヒータ８のリード線８′は固定
軸３の内側を通つて、試料回転ホルダの外部に導
かれる構造となつている。さらに、ヒータベース
９の背後には、複数の輻射シールド板１１が取付
けられており、ヒータ８からの熱の逃げを防いで
いる。
な影響を及ぼし、例えばGaAs系では600〜800℃
に、またSi系では100℃程度の高温に基板全面を
均一に保つことが必要である。加熱は、基板保持
部１の直ぐ内面に設けたヒータ８からの輻射によ
り行われる。このヒータ８は絶縁体よりなるヒー
タベース９上に取付けられており、ヒータベース
９は支柱１０により固定軸３に取付けられて、保
持される。また、ヒータ８のリード線８′は固定
軸３の内側を通つて、試料回転ホルダの外部に導
かれる構造となつている。さらに、ヒータベース
９の背後には、複数の輻射シールド板１１が取付
けられており、ヒータ８からの熱の逃げを防いで
いる。
ところで、上述した従来構造の加熱機構は以下
に述べる欠点を有していた。すなわち、ヒータベ
ース９を保持する支柱１０が直接固定軸３に取付
けられているため、高温のヒータベース９から熱
伝導により固定軸３に熱が伝達され、さらに固定
軸３を介して軸受４に熱が伝達される。このため
に、軸受４部の温度が非常に高くなつていた。さ
らに、ヒータ８の線自体がヒータのリード線８′
となつて試料回転ホルダの外部に導かれているた
め、リード線８′自体も発熱し、固定軸３の内側
を通るリード線８′の発熱のほとんどが固定軸３
に伝達され、固定軸３及び軸受４の温度を高くし
ていた。以上のことから、軸受４の信頼性、及び
寿命に著るしく悪影響を及ぼすという欠点があつ
た。
に述べる欠点を有していた。すなわち、ヒータベ
ース９を保持する支柱１０が直接固定軸３に取付
けられているため、高温のヒータベース９から熱
伝導により固定軸３に熱が伝達され、さらに固定
軸３を介して軸受４に熱が伝達される。このため
に、軸受４部の温度が非常に高くなつていた。さ
らに、ヒータ８の線自体がヒータのリード線８′
となつて試料回転ホルダの外部に導かれているた
め、リード線８′自体も発熱し、固定軸３の内側
を通るリード線８′の発熱のほとんどが固定軸３
に伝達され、固定軸３及び軸受４の温度を高くし
ていた。以上のことから、軸受４の信頼性、及び
寿命に著るしく悪影響を及ぼすという欠点があつ
た。
本発明の目的は、軸受部の温度を著るしく低減
し、分子線エピタキ装置の信頼性ある試料回転ホ
ルダを提供することにある。
し、分子線エピタキ装置の信頼性ある試料回転ホ
ルダを提供することにある。
本発明は上記の目的を達成するために、ヒータ
ベース支柱にヒータのリード線の役割を兼ねさ
せ、固定軸の軸受側端部まで伸ばすことによつ
て、高温のヒータベースからの熱伝導による熱の
逃げを減少させるとともに、固定軸内側でのヒー
タリード線の発熱を防ぎ、軸受部の温度の著るし
い低減をはかつたものである。
ベース支柱にヒータのリード線の役割を兼ねさ
せ、固定軸の軸受側端部まで伸ばすことによつ
て、高温のヒータベースからの熱伝導による熱の
逃げを減少させるとともに、固定軸内側でのヒー
タリード線の発熱を防ぎ、軸受部の温度の著るし
い低減をはかつたものである。
以下、本発明の一実施例を第２図により説明す
る。第１図と同一記号は同一部品を示す。
る。第１図と同一記号は同一部品を示す。
第２図で、１２はヒータベース９を保持、固定
し、かつヒータ８のリード線にもなつているヒー
タリード兼支柱である。ヒータリード兼支柱１２
は試料回転ホルダの外部に突出しており、保持板
６に取付けられた絶縁材からなる電流導入端子板
１３により固定、保持されている。
し、かつヒータ８のリード線にもなつているヒー
タリード兼支柱である。ヒータリード兼支柱１２
は試料回転ホルダの外部に突出しており、保持板
６に取付けられた絶縁材からなる電流導入端子板
１３により固定、保持されている。
以上のように構成することにより、高温のヒー
タ８、あるいはヒータベース９からの熱はヒータ
リード兼支柱１２を介して、電流導入端子板１
３、保持板６、さらに固定軸３を経て軸受４に伝
達される。しかし、ヒータリード兼支柱１２の長
さが非常に長いため大きな熱抵抗となり、電流導
入端子１３部では十分に温度が下がつている。ま
た、ヒータリード兼支柱１２の太さが従来構造の
ヒータリード線８′（第１図）に比して十分に太
いため、この部分での発熱はほんんど無視するこ
とができ、したがつて固定軸３が内面から熱せら
れることもない。このため、軸受４の温度で著る
しく低下し、十分な信頼性をもつて、長寿命で試
料回転ホルダを運転することが可能となる。
タ８、あるいはヒータベース９からの熱はヒータ
リード兼支柱１２を介して、電流導入端子板１
３、保持板６、さらに固定軸３を経て軸受４に伝
達される。しかし、ヒータリード兼支柱１２の長
さが非常に長いため大きな熱抵抗となり、電流導
入端子１３部では十分に温度が下がつている。ま
た、ヒータリード兼支柱１２の太さが従来構造の
ヒータリード線８′（第１図）に比して十分に太
いため、この部分での発熱はほんんど無視するこ
とができ、したがつて固定軸３が内面から熱せら
れることもない。このため、軸受４の温度で著る
しく低下し、十分な信頼性をもつて、長寿命で試
料回転ホルダを運転することが可能となる。
なお、必要ならばヒータリード兼支柱１２を支
持するために絶縁材でできた軸受４を固定軸３に
取付けてもよい。このとき、ヒータリード兼支柱
１２と軸受４とは点接触させることにより、固定
軸３への熱の逃げは無視である。
持するために絶縁材でできた軸受４を固定軸３に
取付けてもよい。このとき、ヒータリード兼支柱
１２と軸受４とは点接触させることにより、固定
軸３への熱の逃げは無視である。
以上説明したように本発明によれば、ヒータ及
びヒータベースを保持する支柱とヒータのリード
線を同一のものとし、ヒータから十分離れた場所
で電流導入端子板に固定したことにより、ヒータ
及びヒータベースからの熱伝導による熱の逃げを
小さくすることができ、かつヒータリード部での
発熱もないために固定軸が内面から熱せられるこ
ともなく、したがつて軸受部の温度を著るしく低
下させるという効果がある。
びヒータベースを保持する支柱とヒータのリード
線を同一のものとし、ヒータから十分離れた場所
で電流導入端子板に固定したことにより、ヒータ
及びヒータベースからの熱伝導による熱の逃げを
小さくすることができ、かつヒータリード部での
発熱もないために固定軸が内面から熱せられるこ
ともなく、したがつて軸受部の温度を著るしく低
下させるという効果がある。
第１図は従来の試料回転ホルダの構造を示す平
面図、第２図は本発明になる試料回転ホルダの構
造を示す一実施例の平面図である。 ２……回転軸、３……固定軸、４……軸受、８
……ヒータ、８′……ヒータリード線、９……ヒ
ータベース、１０……支柱、１２……ヒータリー
ド兼支柱、１３……電流導入端子板。
面図、第２図は本発明になる試料回転ホルダの構
造を示す一実施例の平面図である。 ２……回転軸、３……固定軸、４……軸受、８
……ヒータ、８′……ヒータリード線、９……ヒ
ータベース、１０……支柱、１２……ヒータリー
ド兼支柱、１３……電流導入端子板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板を加熱するヒータ、基板を回転する回転
軸、回転軸と同軸に配置される固定軸及び回転軸
を回転する回転機構からなり、分子線エピタキシ
成長させるための基板を保持する試料回転ホルダ
において、回転軸の内側に位置する回転軸と、固
定軸内を貫通しヒータに通電するリード線とヒー
タを支持する支柱とを兼用したリード兼支柱と、
ヒータリード兼支柱を定位置に固定する手段とか
らなることを特徴とする分子線エピタキシ装置の
試料回転ホルダ。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の試料回転ホルダ
において、固定軸を貫通したリード兼支柱部材を
固定軸の端部であつてかつ前記端部がヒータから
遠い方の端部に固定された端子板によつて支持す
ることを特徴とする分子線エピタキシ装置の試料
回転ホルダ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034209A JPS60178616A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダ |
| US06/706,184 US4580522A (en) | 1984-02-27 | 1985-02-27 | Rotary substrate holder of molecular beam epitaxy apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034209A JPS60178616A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178616A JPS60178616A (ja) | 1985-09-12 |
| JPH0138364B2 true JPH0138364B2 (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12407764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59034209A Granted JPS60178616A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4580522A (ja) |
| JP (1) | JPS60178616A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61280610A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Toshiba Corp | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
| US4733937A (en) * | 1986-10-17 | 1988-03-29 | Welch Allyn, Inc. | Illuminating system for endoscope or borescope |
| US5198034A (en) * | 1987-03-31 | 1993-03-30 | Epsilon Technology, Inc. | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
| US4821674A (en) * | 1987-03-31 | 1989-04-18 | Deboer Wiebe B | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
| JPH0680605B2 (ja) * | 1987-11-28 | 1994-10-12 | 株式会社村田製作所 | 電子部品チップ保持治具および電子部品チップのメタライズ面への金属コーティング方法 |
| US5044943A (en) * | 1990-08-16 | 1991-09-03 | Applied Materials, Inc. | Spoked susceptor support for enhanced thermal uniformity of susceptor in semiconductor wafer processing apparatus |
| US6506252B2 (en) | 2001-02-07 | 2003-01-14 | Emcore Corporation | Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition |
| US8514278B2 (en) * | 2006-12-29 | 2013-08-20 | Ge Inspection Technologies Lp | Inspection apparatus having illumination assembly |
| US10224182B2 (en) | 2011-10-17 | 2019-03-05 | Novellus Systems, Inc. | Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber |
| US10177014B2 (en) * | 2012-12-14 | 2019-01-08 | Applied Materials, Inc. | Thermal radiation barrier for substrate processing chamber components |
| EP2973642B1 (en) * | 2013-03-14 | 2019-05-08 | The Timken Company | Rotating vacuum chamber coupling assembly |
| US10145013B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-12-04 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor desposition systems |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2398382A (en) * | 1942-11-17 | 1946-04-16 | Dean A Lyon | Method for coating optical elements |
| US3424628A (en) * | 1966-01-24 | 1969-01-28 | Western Electric Co | Methods and apparatus for treating semi-conductive materials with gases |
| US3751310A (en) * | 1971-03-25 | 1973-08-07 | Bell Telephone Labor Inc | Germanium doped epitaxial films by the molecular beam method |
| US3824955A (en) * | 1972-05-15 | 1974-07-23 | A Marks | Apparatus for coating television viewing tubes |
| US4181544A (en) * | 1976-12-30 | 1980-01-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Molecular beam method for processing a plurality of substrates |
| US4207836A (en) * | 1977-07-01 | 1980-06-17 | Hitachi, Ltd. | Vacuum vapor-deposition apparatus |
| US4201152A (en) * | 1978-02-27 | 1980-05-06 | Varian Associates, Inc. | Transfer and temperature monitoring apparatus |
| DE100206T1 (de) * | 1982-07-22 | 1985-02-14 | Oerlikon-Buhrle U.S.A. Inc., New York, N.Y. | Vorrichtung zum behandeln eines gegenstandes in einer vakuumkammer. |
| US4514250A (en) * | 1982-10-18 | 1985-04-30 | At&T Bell Laboratories | Method of substrate heating for deposition processes |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59034209A patent/JPS60178616A/ja active Granted
-
1985
- 1985-02-27 US US06/706,184 patent/US4580522A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4580522A (en) | 1986-04-08 |
| JPS60178616A (ja) | 1985-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0138364B2 (ja) | ||
| RU97109839A (ru) | Модуль и система геттеронасоса | |
| ES8103501A1 (es) | Un dispositivo de laser semiconductor | |
| JP2000087223A (ja) | レーザ加熱装置 | |
| JPH0416397Y2 (ja) | ||
| JPS61237416A (ja) | 分子線エピタキシ装置の基板回転ホルダ | |
| JPS5932908Y2 (ja) | 熱量計 | |
| FR2325175A1 (fr) | Photocathode monocristalline utilisee en transmission et tube electronique comportant une telle photocathode | |
| JPH0136664B2 (ja) | ||
| JPH0345414Y2 (ja) | ||
| JPH0618232B2 (ja) | 真空中の基板ハンドリング装置 | |
| FR2443032A1 (fr) | Dispositif de fixation pour capteur solaire | |
| JPS61236112A (ja) | 分子線源 | |
| JPS61290710A (ja) | Ｍｂｅ装置用回転マニプレ−タ | |
| GB1415811A (en) | Rotating anode x-ray tube | |
| JPS62190645A (ja) | 電子ビ−ム加熱装置 | |
| LONG | Mounting device(Patent) | |
| GB2157872A (en) | An arrangement for the heat-insulated mounting of an electronic emitter for a tyre pressure control device | |
| JPS5827011Y2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH01184820A (ja) | 半導体用炉心管 | |
| JPS5623756A (en) | Ceramic package and manufacture thereof | |
| KR880008010A (ko) | 음극선관내의 음극온도 측정장치 및 방법 | |
| JPS62229744A (ja) | 試料加熱装置 | |
| JPH01242778A (ja) | 基板加熱装置 | |
| JPS5562640A (en) | Cathode device |