JPH0141032B2 - - Google Patents

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JPH0141032B2
JPH0141032B2 JP57092737A JP9273782A JPH0141032B2 JP H0141032 B2 JPH0141032 B2 JP H0141032B2 JP 57092737 A JP57092737 A JP 57092737A JP 9273782 A JP9273782 A JP 9273782A JP H0141032 B2 JPH0141032 B2 JP H0141032B2
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JP
Japan
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input
terminals
chip
terminal
power supply
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Application number
JP57092737A
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English (en)
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JPS58209158A (ja
Inventor
Soichi Ito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS58209158A publication Critical patent/JPS58209158A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/90Masterslice integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • H10W72/931Shapes of bond pads
    • H10W72/932Plan-view shape, i.e. in top view

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路装置に関し、特にマスタ・ス
ライス方式による論理集積回路に関する。
個々の入・出力端子に対応して夫々入力回路、
出力回路を有するマスタ・スライス方式の論理集
積回路に於ては、それら入・出力回路を構成する
のに必要なトランジスタ、抵抗等の素子群は、通
常入・出力端子にほぼ対応がつくように半導体チ
ツプ上の端子位置近傍に配置されるが、上記回路
を必要としない電源端子には、それに対応する素
子群は配置されない。またケースコストを低くお
さえるために、各品種についてマスタ・スライス
基板で決まる最大許容数以下の種々の必要端子数
が生ずるのに対応して、ケース端子数は、できる
だけ必要端子数に近いものを適用するのが好まし
い。
従来のマスタ・スライスに於ては、その搭載可
能ゲート数がさほど大きくなく、それに応じて、
必要端子数も高々数十端子であつたのが、近年の
微細加工技術の進展と共に搭載ゲート数が増大
し、最大端子数は従来の2倍近くを必要とするに
致つている。この結果、1つのマスタ・スライス
基板から派生する種々品種の端子数の範囲は、50
端子未満のものから、100端子以上のものに及び
非常に多様なケースが1つのマスタ・スライス基
板に適用されることになるため、チツプ設計の上
でチツプ上の電源端子位置と、ケースの電源端子
位置との対応をつけるのが、非常に困難になつて
きた。
本発明は、この様な実情に鑑み、多様なケース
上の電源端子位置にチツプ上の電源粒子位置を自
由に対応させられる半導体チツプを提供すること
を目的とし、入・出力端子近傍で、該入・出力端
子に対応して入・出力回路を構成するのに必要な
素子群を有するマスタ・スライス半導体チツプに
於て、電源端子にも、上記入・出力回路の構成に
必要な素子群を対応させて配置することを特徴と
する。
以下図を参照しながら本発明を説明する。第1
図は従来方法によるマスタ・スライスチツプの共
通パタンレイアウトを示すもので、1がチツプ外
殻、2〜8及び17〜23は入力端子、9〜16
は入力にも出力にもできる端子、24〜29は電
源端子、30は内部論理回路部で単にその全体を
枠で示す。又、31〜44は入力回路部、45〜
52は入力回路と出力回路を合わせた部分で、入
力回路部31〜34及び入力回路と出力回路を合
わせた部分45〜52のいずれもその全体を単に
枠で示す。又、右の一部は、左半面の折返し対称
と考えて良く、図が省略されている。
さて、電源端子24〜29には、それに対応す
る入力回路或いは出力回路が配置されていない。
従つて同チツプを搭載する全てのケースの電源端
子は、第1図のチツプ電源端子24〜29の位置
と、うまく対応が付く必要があり、特に、許容最
大端子数を使用する品種では、ケースに応じて電
源端子位置を変更することは、入・出力回路部を
有しない、電源端子位置を入・出力端子として使
用しなければならなくなり、入・出力端子が不足
してしまうために不可能になる。
第2図は、本発明を説明するためのチツプレイ
アウト図で、53がチツプ外殻、54〜81がチ
ツプ端子、82は、内部論理回路部、83〜10
0は入力回路部、101〜110は入力回路と出
力回路とを合わせた部分である。第2図も第1図
と同様、、右の一部は左半面と折返し対称と考え
て良く図が省略されている。
さて、第2図に於ては、チツプ端子の全てに入
力回路部、又は出力回路部が対応しているので、
第1図で説明したような、許容最大端子数使用時
の電源端子位置変更を伴う、入・出力端子不足は
生じない。ところで第2図に於て電源端子化され
た端子部分での端子からチツプ内部への電源配線
は、例えば、第3図のようになる。第3図に於て
111は、チツプ外殻の一部112,115は
夫々第2図の端子78及び81に対応し、入力端
子に割り当てられたもの、113,114は、
夫々第2図の端子79及び80に対応し、113
はVCC、114はGNDの夫々の電源端子に割り
当てられている。116〜119は、第2図97
〜100に対応する入力回路用の素子群、120
は、端子114と同電位の第2層配線121は端
子113と同電位の第2層配線で開孔123〜1
26を経由して、第1層配線122に到り、さら
に開孔127〜132を経由して、結果として端
子113と同電位になる第2層配線135に到
る。133,134は、第1層配線122の内部
がくりぬかれていることを示す。さて、第3図に
於て、入力回路用の素子群117,118では、
入力回路用の配線接続は行なわれず、同位置で
は、VCC135、GND120の電源配線が通過
するだけである。尚、ここに於て、第1層配線1
22のくりぬき部133及び134は、共通マス
タ基板上のコンタクト用開孔部のうち、無視し得
ないインピーダンスを経てチツプGND電位に導
通しているものと、VCC電位である第1層配線
122との接続をさけるために設けられたもので
ある。
以上に記した如く、本発明によれば、チツプ上
端子の任意位置で電源端子化が可能になるため、
種々のケースの電源端子位置との対応が自由に付
けられる。この結果、例えば、チツプ端子と、ケ
ース端子とを接続する際のボンデイング作業に最
適なチツプ端子をケースに合わせて決めることが
可能になり、また例えばケースのインダクタンス
によるノイズ防止のため、インダクタンスを低減
するべく、品種個別に電源端子数をケース、チツ
プ伴々、増設することも自由にできる。
尚、以上では、チツプ上の全端子に入・出力回
路部が対応する例を示したが一部であつても本発
明の効果が損われないことは明白である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のマスタ・スライスチツプの素子
群配置のようすを示す平面図、第2図は本発明の
マスタ・スライスチツプ素子群配置のようすを示
す平面図、第3図は第2図に示すチツプ端子の一
部を電源端子化した時のようすを示す平面図、で
ある。 なお図において、1……チツプ外殻、2〜29
……チツプ端子、30……内部回路部、31〜5
2……入出力回路部、53……チツプ外殻、54
〜81……チツプ端子、82……内部回路部、8
3〜110……入出力回路部、111……チツプ
外殻の一部、112,115……信号用端子、1
16〜119……入力回路用素子群、113,1
14……電源用端子、120,121,135…
…第2層配線、123〜126,127〜132
……第1層配線と第2層配線を接続するための開
孔、122……第1層配線、133,134……
第1層配線122の内部のくりぬき部分、を示
す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 入・出力端子近傍に、該入・出力端子に対応
    する入・出力回路を構成するのに必要な素子群を
    有するマスタ・スライス半導体チツプに於て、電
    源端子にも上記入・出力回路の構成に必要な素子
    群を対応させて配置することを特徴とするマスタ
    スライス半導体装置。
JP57092737A 1982-05-31 1982-05-31 マスタスライス半導体装置 Granted JPS58209158A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57092737A JPS58209158A (ja) 1982-05-31 1982-05-31 マスタスライス半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP57092737A JPS58209158A (ja) 1982-05-31 1982-05-31 マスタスライス半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58209158A JPS58209158A (ja) 1983-12-06
JPH0141032B2 true JPH0141032B2 (ja) 1989-09-01

Family

ID=14062725

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57092737A Granted JPS58209158A (ja) 1982-05-31 1982-05-31 マスタスライス半導体装置

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5941852A (ja) * 1982-06-24 1984-03-08 ストレイジ・テクノロジ−・パ−トナ−ズ 集積回路チツプ
JPS59139646A (ja) * 1983-01-31 1984-08-10 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体集積回路装置
JPS59159557A (ja) * 1983-03-01 1984-09-10 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPS61204957A (ja) * 1985-03-08 1986-09-11 Hitachi Ltd 大規模集積回路装置
JPS61263241A (ja) * 1985-05-17 1986-11-21 Matsushita Electronics Corp ゲ−トアレイ
JPH05308136A (ja) * 1992-04-01 1993-11-19 Nec Corp マスタスライス集積回路

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5925381B2 (ja) * 1977-12-30 1984-06-16 富士通株式会社 半導体集積回路装置
JPS5561054A (en) * 1978-10-30 1980-05-08 Mitsubishi Electric Corp Large scale integrated circuit
JPS58197746A (ja) * 1982-05-14 1983-11-17 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

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JPS58209158A (ja) 1983-12-06

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